專利名稱：具有安全裝置的電子產(chǎn)品及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有安全裝置的電子產(chǎn)品與使用方法，特別是利用電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的具有安全裝置的電子產(chǎn)品以及使用方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，越來越多的電子產(chǎn)品可以提供隨身攜帶信息的功能，例如記憶卡、Smart Card、CompactFlash Card、Memory Module、Smart Media Card、Secure Digital Memory Card以及Multi-Media Card等等。這類型電子產(chǎn)品基本上都具有接收端與數(shù)據(jù)總成，而在制造過程中便透過接收端接收外界所輸入的電子訊號(對應(yīng)到要儲存的信息)，并以數(shù)據(jù)總成儲存/處理所接收的電子訊號。當(dāng)電子產(chǎn)品組裝完成后，信息便已存在此類電子產(chǎn)品，使用者可以透過電子產(chǎn)品的界面來取得這些信息。
由于數(shù)據(jù)總成會儲存/接收來自接收端的電子訊號。一此，如何避免已制成的電子產(chǎn)品在儲存、輸送、銷售、使用等過程中，因?yàn)榻邮斩私邮盏接嵦?如噪聲、不正常操作等等)而改變了所儲存的信息，便成為一個重要的問題。
一般而言，已知技術(shù)透過兩種常見的安全裝置(security latch)來避免已儲存信息受到影響機(jī)械式安全裝置與編碼式安全裝置。
機(jī)械式安全裝置的概念如圖1A與圖1B所示，電子產(chǎn)品10至少具有數(shù)據(jù)總成11、接收端12與導(dǎo)線13。首先透過接收端13將電子訊號輸入至數(shù)據(jù)總成11，而在電子訊號輸入完畢后(即信息已儲存至電子產(chǎn)品10)，便在電子產(chǎn)品10的組裝程序中將接收端12與導(dǎo)線13分離(即將接收端12自電子產(chǎn)品10去除)，使得數(shù)據(jù)總成11不會再接收到任何的電子訊號。當(dāng)然，此時(shí)要確定導(dǎo)線13終端被有效地絕緣隔離。
編碼式安全裝置的概念如圖1C所示，電子產(chǎn)品10至少具有數(shù)據(jù)總成11、接收端12、導(dǎo)線13與解碼總成14。任何自接收端12經(jīng)導(dǎo)線13而來的電子訊號，都要先經(jīng)過解碼總成14的處理，才會被傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總成11進(jìn)行儲存與處理。因此，即便接收端12接收到任何的噪聲，由于解碼總成14只會讓符合特定格式的電子訊號通過，數(shù)據(jù)總成11并不會受到噪聲等的影響。
機(jī)械式安全裝置的缺點(diǎn)是一定要組裝程序結(jié)束前便將數(shù)據(jù)以電子訊號的方式輸入，制程彈性與使用彈性較差。只能在制造場所輸入預(yù)定的數(shù)據(jù)，而不能讓使用者輸入所需要的個人化數(shù)據(jù)。并且，封裝過程若因疏失等因素，未將接收端完全去除并將導(dǎo)線終端適當(dāng)絕緣，數(shù)據(jù)總成還是可能會再接收到噪聲等。
編碼式安全裝置的缺點(diǎn)是不只電子產(chǎn)品多了編碼總成，增加了產(chǎn)品成本與尺寸大?。欢倚枰葘?shù)據(jù)編碼材能輸入，增加了制程步驟與制造成本。
顯然地，各種現(xiàn)有電子產(chǎn)品用安全裝置都有其各自待改善的缺點(diǎn)。因此，有必要發(fā)展新的電子產(chǎn)品用安全裝置，特別是可以有效防治現(xiàn)有安全裝置的各種缺點(diǎn)的電子產(chǎn)品用安全裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一主要目的是提出可以兼具現(xiàn)有機(jī)械式安全裝置與編碼式安全裝置優(yōu)點(diǎn)的電子產(chǎn)品用安全裝置。
本發(fā)明另一主要目的是提出可以有效防治現(xiàn)有機(jī)械式安全裝置與編碼式安全裝置的缺點(diǎn)的電子產(chǎn)品用安全裝置。
本發(fā)明的一大基本特征是利用電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的特征不導(dǎo)通狀態(tài)的電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管，若在漏極施加足夠高電壓的電子訊號，便可以變?yōu)榭删幊痰膶?dǎo)通狀態(tài)。因此，若將電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管電性耦接至連接輸接收端與數(shù)據(jù)總成的導(dǎo)線，便可以透過調(diào)整出現(xiàn)在導(dǎo)線的電子訊號的電壓，改變電子訊號的傳輸路線，進(jìn)而將數(shù)據(jù)總成與外界有效隔離。
本發(fā)明基本上，是將一個電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管連接至用以接收外來電子訊號的接收裝置與用以儲存處理電子訊號的數(shù)據(jù)總成的導(dǎo)線，使得電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管之漏極電性藕接至導(dǎo)線，而其閘極與源極電性耦接至電位基準(zhǔn)點(diǎn)。而在電子產(chǎn)品接收電子訊號之前，先以抹除程序(如紫外線抹除程序)等方式使得電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)不導(dǎo)通狀態(tài)。但在電子訊號接收完畢后，便以輸入高電壓訊號至導(dǎo)線的方式使得電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)，藉以確保接收端隨后接收到的任何電子訊號都不會再被數(shù)據(jù)總成所儲存或處理。當(dāng)然，整個電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，通常是使得處理導(dǎo)通狀態(tài)的電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的電阻值小于導(dǎo)線與數(shù)據(jù)總成間的電阻值，藉以確保處理導(dǎo)通狀態(tài)電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管可以完全地將任何出現(xiàn)在導(dǎo)線的電子訊號都傳導(dǎo)到電位基準(zhǔn)點(diǎn)，而不會被傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總成。


圖1A至圖1C為已知技術(shù)中兩種常見電子產(chǎn)品用安全裝置的示意圖；圖2A至圖2C為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的三種可能變化的示意圖；圖3為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的基本流程圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)前面的討論，本發(fā)明的一較佳實(shí)施例為一種具有安全裝置的電子產(chǎn)品。如圖2A所示，至少包含數(shù)據(jù)總成21、接收裝置22、導(dǎo)線23與電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24。
在此，接收裝置22用以接收自外界輸入的這些電子訊號；數(shù)據(jù)總成21用以處理多數(shù)電子訊號；導(dǎo)線23用以連接接收裝置22與數(shù)據(jù)總成21。一般來說，數(shù)據(jù)總成22可以是下列之一或下列各物件的任意組合微處理器、集成電路、特殊用途集成電路、存儲器、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器、電子可抹除式可編程存儲器只讀存儲器。而接收裝置22可以是下列之一或下列各物件的任意組合金屬墊、通用序列端。但必須強(qiáng)調(diào)的是，本實(shí)施例并不限制數(shù)據(jù)總成21與接收裝置22二者的細(xì)節(jié)，也不受限于此。
電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的使用是本實(shí)施例的一大特征。電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的漏極直接電性耦接至導(dǎo)線23，而電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的閘極與源極二者則都直接電性耦接至電位基準(zhǔn)點(diǎn)25。
在此，唯一可以反轉(zhuǎn)的方式是將已編程電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的閘極電壓調(diào)升至高電壓(例如12伏特)，藉以抹除已編程的數(shù)據(jù)。但由于閘極已經(jīng)接地(連接到電位基準(zhǔn)點(diǎn)25)，因此不存在任何抹除已編程電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的可能性。
在此，為確保電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24可以有效地防止數(shù)據(jù)總成21接收到不正常/不需要的電子訊號，一般而言，導(dǎo)線23與電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的漏極電性耦接處，是位于導(dǎo)線23與接收裝置22耦接處以及導(dǎo)線23與數(shù)據(jù)總成21耦接處之間。當(dāng)然，只要導(dǎo)線23的品質(zhì)好，電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24藕接到導(dǎo)線23的那里，并不是本實(shí)施例所著重的重點(diǎn)。
電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24可以處于被抹除狀態(tài)或者是可編程狀態(tài)(1)當(dāng)電子產(chǎn)品尚未輸入數(shù)據(jù)或正在輸入數(shù)據(jù)時(shí)，電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24是位于被抹除狀態(tài)(不導(dǎo)通狀態(tài))。此時(shí)，任何出現(xiàn)接收裝置21的電子訊號，都會經(jīng)由導(dǎo)線23被傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總成21，電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的存在完全沒有影響。
(2)在電子產(chǎn)品已輸入數(shù)據(jù)完畢后，電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24是被一高電壓(電子訊號)所編程(導(dǎo)通狀態(tài))。此時(shí)，任何出現(xiàn)在接收裝置21的電子訊號，都會經(jīng)由導(dǎo)線23與電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24而被傳輸?shù)诫娢换鶞?zhǔn)點(diǎn)25，電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的存在充分地發(fā)揮安全裝置的功能。在此，高電壓通常是來自導(dǎo)線23，特別是來自接收裝置22(由外界所控制輸入的)。
必須特別強(qiáng)調(diào)地是，根據(jù)已知的電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管特性，出現(xiàn)在已編程電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管漏極的電子訊號的電壓/電流等已不會再改變可編程電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的導(dǎo)通狀態(tài)(除非電子訊號大到把電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管摧毀)，因此不論數(shù)據(jù)總成21被永久的與接收裝置22分離，亦即已儲存的數(shù)據(jù)不會再發(fā)生任何變化了。
當(dāng)然，為了確保電子訊號不會再進(jìn)入數(shù)據(jù)總成，通常如B2B圖所示，藉由安裝一個小電阻26在導(dǎo)線223與數(shù)據(jù)總成21之間(其它方法也可以)，讓接收裝置22經(jīng)電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的源極至電位基準(zhǔn)點(diǎn)25的電阻值小于接收裝置22經(jīng)導(dǎo)線23至數(shù)據(jù)總成21之間的電阻值。而且，如圖2C所示，還可以讓電位基準(zhǔn)點(diǎn)25的電位與數(shù)據(jù)總成21之電位零點(diǎn)27的電位相等。
舉例來說，在抹除狀態(tài)，電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24的閘極電壓可以約為0.5伏特至0.8伏特；而在可編程狀態(tài)，電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管24之閘極電壓可以約為-1.5伏特。而高電壓訊號的電壓則可以約為16伏特。
本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例是一種電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，如圖3所示，至少包含下列基本步驟如準(zhǔn)備方塊31所示，提供數(shù)據(jù)總成、接收裝置、導(dǎo)線以及電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管。
在此，數(shù)據(jù)總成可以是下列之一或其任何組合微處理器、集成電路、特殊用途集成電路、存儲器、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器、電子可抹除式可編程只讀存儲器。而接收裝置可以是下列之一或其任意組合金屬墊、通用序列端。
如連接方塊32所示，以導(dǎo)線直接電性耦接數(shù)據(jù)總成與接收裝置，并將電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的漏極直接電性藕接至導(dǎo)線，而將電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的閘極與源極直接電性耦接至電位基準(zhǔn)點(diǎn)。
一般來說，導(dǎo)線與漏極電性耦接之處，大都位于導(dǎo)線與接收裝置耦接處以及導(dǎo)線與數(shù)據(jù)總成耦接處之間。
如抹除方塊33所示，對電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管進(jìn)行抹除程序，使得電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)不導(dǎo)通狀態(tài)。
一般來說，是以紫外線照射或深紫外線照射的方法來執(zhí)行抹除程序。而在抹除程序結(jié)束后，電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的閘極電壓可以約為0.5伏特至0.8伏特。
如輸入數(shù)據(jù)方塊34所示，以接收裝置接收自外界輸入的多數(shù)電子訊號，并將這些電子訊號傳輸至數(shù)據(jù)總成。
如安全處理方塊35所示，將出現(xiàn)在導(dǎo)線的高電壓訊號傳輸至電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管，使得電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)。
一般來說，是透過接收裝置將高電壓訊號施加于導(dǎo)線。亦即，透過調(diào)整輸入至此電子產(chǎn)品的電子訊號的內(nèi)容，并可以控制是要輸入數(shù)據(jù)至此電子產(chǎn)品，或是要啟動此電子產(chǎn)品的安全裝置，使得該電子產(chǎn)品不再能接收外來電子訊號。
一般來說，當(dāng)電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的閘極電壓可以約為-1.5伏特，并且高電壓訊號的電壓約為16伏特。
顯然地，由于本實(shí)例不需要切斷導(dǎo)線或去除接收裝置，因此何時(shí)輸入高電壓訊號與此電子產(chǎn)品的組裝程序進(jìn)行到那個階段無關(guān)，也與此電子產(chǎn)品最后的封裝無關(guān)。因此，可以在整告組裝程序都結(jié)束后，再輸入高電壓訊號啟動安全裝置。如此作，可以在生產(chǎn)線上，保持輸入數(shù)據(jù)時(shí)間的彈性與修改已輸入數(shù)據(jù)的彈性，避免啟動安全裝置(電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管)后便不能再修改所儲存內(nèi)容的限制。甚至，如果封裝時(shí)能確保輸入裝置不會收到噪聲，還可以提供終端使用者先輸入其個人化數(shù)據(jù)再啟動安全裝置的彈性。
最后，綜合比較這二個實(shí)施例與兩種已知安全裝置，可以更清楚地發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)(1)本發(fā)明不需將電子訊號編碼，可以免除已知編碼式安全裝置的一切缺點(diǎn)。
(2)本發(fā)明可以彈性選擇輸入高電壓訊號的時(shí)機(jī)，不需要像已知機(jī)械式安全裝置般，在封裝結(jié)束前便啟動安全裝置。
(3)本發(fā)明一經(jīng)啟動后，便可以如同已知機(jī)械式安全裝置般，永遠(yuǎn)地將已儲存數(shù)據(jù)與外界隔離。
(4)本發(fā)明不需要去除接收裝置，可以免除已知機(jī)械式安全裝置難免的損傷。
(5)本發(fā)明僅需要輸入一個高電壓訊號即可啟動，比起已知技術(shù)的切割或編碼，操作步驟最簡單，相關(guān)成本也最低。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請專利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述的申請專利范圍中。
權(quán)利要求
1.一種具有安全裝置的電子產(chǎn)品，包含一數(shù)據(jù)總成，用以處理多數(shù)電子訊號；一接收裝置，用以接收自外界輸入的這些電子訊號；一導(dǎo)線，用以連接該接收裝置與該數(shù)據(jù)總成；以及一電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管，該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的漏極直接電性耦接至該導(dǎo)線，而該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的閘極與源極則直接電性耦接至一電位基準(zhǔn)點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該數(shù)據(jù)總成選自下列之一微處理器、集成電路、特殊用途集成電路、存儲器、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器、電子可抹除式可編程只讀存儲器。
3.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該接收裝置選自下列之一金屬墊、通用序列端。
4.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該導(dǎo)線與該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的該漏極電性耦接之處，位于該導(dǎo)線與該接收裝置耦接處以及該導(dǎo)線與該數(shù)據(jù)總成耦接處之間。
5.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管已被抹除。
6.如權(quán)利要求權(quán)利要求5所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管在被抹除后，又被自該接收端所輸入的高電壓所編程。
7.如權(quán)利要求權(quán)利要求5所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管是在被抹除后，又被自該導(dǎo)線的高電壓所編程。
8.如權(quán)利要求權(quán)利要求6所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該接收裝置經(jīng)該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的該源極至該電位基準(zhǔn)點(diǎn)之間的電阻值小于該接收裝置至該數(shù)據(jù)總成之間的電阻值。
9.如權(quán)利要求權(quán)利要求7所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該接收裝置經(jīng)該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的該源極至該電位基準(zhǔn)點(diǎn)之間的電阻值小于該接收裝置至該數(shù)據(jù)總成之間的電阻值。
10.如權(quán)利要求權(quán)利要求1所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電位基準(zhǔn)點(diǎn)的電位是與該數(shù)據(jù)總成的電位零點(diǎn)的電位相等。
11.如權(quán)利要求權(quán)利要求5所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的閘極電壓約為0.5伏特至0.8伏特。
12.如權(quán)利要求權(quán)利要求6所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的閘極電壓約為-1.5伏特。
13.如權(quán)利要求權(quán)利要求7所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的閘極電壓約為-1.5伏特。
14.如權(quán)利要求權(quán)利要求6所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該高電壓訊號的電壓約為16伏特。
15.如權(quán)利要求權(quán)利要求7所述的具有安全裝置的電子產(chǎn)品，其特征在于，該高電壓訊號的電壓約為16伏特。
16.一種電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，包含提供一數(shù)據(jù)總成、一接收裝置、一導(dǎo)線以及一電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管；以該導(dǎo)線直接電性耦接該數(shù)據(jù)總成與該接收裝置，并將該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的一漏極直接電性藕接至該導(dǎo)線，而將該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的一閘極與一源極直接電性耦接至一電位基準(zhǔn)點(diǎn)；對該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管進(jìn)行一抹除程序，使得該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)不導(dǎo)通狀態(tài)；以該接收裝置接收自外界輸入的多數(shù)電子訊號，并將這些電子訊號傳輸至該數(shù)據(jù)總成；以及將出現(xiàn)在該導(dǎo)線的高電壓訊號傳輸至該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管，使得該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)。
17.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，讓該導(dǎo)線與該漏極電性耦接之處，位于該導(dǎo)線與該接收裝置耦接處以及該導(dǎo)線與該數(shù)據(jù)總成耦接處之間。
18.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，以紫外線照射或深紫外線照射的方法來執(zhí)行該抹除程序。
19.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，是透過該接收裝置接收來自外界的該高電壓訊號。
20.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，尚可在收受完這些電子訊號后，先完成該電子的一組裝程序，然后再輸入該高電壓訊號。
21.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，該數(shù)據(jù)總成是選自下列之一微處理器、集成電路、特殊用途集成電路、存儲器、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器、電子可抹除式可編程只讀存儲器。
22.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，該接收裝置是選自下列之一金屬墊、通用序列埠。
23.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，在該抹除程序結(jié)束后，該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的閘極電壓約為0.5伏特至0.8伏特。
24.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，當(dāng)該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，該電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的閘極電壓約為-1.5伏特。
25.如權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的電子產(chǎn)品的組裝與保護(hù)方法，其特征在于，該高電壓訊號的電壓約為16伏特。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有安全裝置的電子產(chǎn)品與使用方法。其是將一個電子可抹除式可編程只讀存儲器(EEPROM)晶體管連接至用以接收外來電子訊號的接收裝置與用以儲存處理電子訊號的數(shù)據(jù)總成的導(dǎo)線，使得電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管的漏極電性藕接至導(dǎo)線，而其閘極與源極電性耦接至電位基準(zhǔn)點(diǎn)。在接收電子訊號之前，先以紫外線抹除程序等方式使得電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)不導(dǎo)通狀態(tài)；而在電子訊號接收完畢后，再以輸入高電壓訊號至導(dǎo)線的方式使得電子可抹除式可編程只讀存儲器晶體管呈現(xiàn)可編程的導(dǎo)通狀態(tài)，以確保接收端隨后接收到的任何電子訊號都不會再被數(shù)據(jù)總成所儲存或處理。
文檔編號G11C16/22GK1512512SQ0216050
公開日2004年7月14日 申請日期2002年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月27日
發(fā)明者許丹, 許 丹 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司, 中芯國際集成電路制造(上海)有限公