專利名稱：磁記錄介質(zhì)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有凹凸圖案的記錄層的磁記錄介質(zhì)的制造方法。
背景技術(shù)：
到目前為止，硬盤等磁記錄介質(zhì)，通過對構(gòu)成記錄層的磁性粒子的微細(xì)化、材料的變更、磁頭加工的微細(xì)化等的改良，實(shí)現(xiàn)了面記錄密度的顯著提高，并且期待著今后進(jìn)一步提高面記錄密度，但由于磁頭的加工極限、磁場的擴(kuò)散，向與記錄對象的軌道相鄰的其他的軌道錯(cuò)誤地進(jìn)行信息的記錄和串?dāng)_等問題變得明顯，從而根據(jù)以往的改良方法的面記錄密度的提高已到極限。
對此，作為可以實(shí)現(xiàn)面記錄密度的進(jìn)一步提高的磁記錄介質(zhì)的候補(bǔ)，提出了以規(guī)定的凹凸圖案形成記錄層、作為凹凸圖案的凸部而形成了記錄要素的離散軌道介質(zhì)或晶格介質(zhì)。
另一方面，硬盤等磁記錄介質(zhì)，由于存在若表面的凹凸程度大則磁頭滑動(dòng)觸點(diǎn)的懸浮高度不穩(wěn)定的問題，所以提出了用填充物填充記錄要素之間的凹部而對記錄層的表面進(jìn)行平坦化的磁記錄介質(zhì)(例如參照J(rèn)P特開2000-195042號(hào)公報(bào))。
作為以填充物填充凹凸圖案的記錄層的凹部而對記錄層的表面進(jìn)行平坦化的技術(shù)，已公知的有利用脫膜(リフトオフ)法的技術(shù)。其一例如下所示。首先，在基板上均勻地形成連續(xù)記錄層及抗蝕劑材料之后，通過曝光/顯影除去與凹凸圖案的凹部相當(dāng)?shù)牟糠值目刮g劑材料，并以抗蝕劑材料只對與連續(xù)記錄層中的凸部相當(dāng)?shù)牟糠诌M(jìn)行覆蓋。在該狀態(tài)下，對連續(xù)記錄層的露出的部分進(jìn)行蝕刻，而形成凹凸圖案的記錄層。進(jìn)一步，用填充物在記錄層及抗蝕劑材料之上進(jìn)行成膜而以填充物填充記錄層的凹部。另外，填充物依照凹凸圖案的記錄層而以凹凸圖案形成，而且也堆積在抗蝕劑材料之上。最后，由有機(jī)溶劑溶解抗蝕層，并連同抗蝕劑一起除去抗蝕劑材料之上的填充物。由此，填充物只殘留在凹部而使表面平坦(例如參照J(rèn)P特公平5-22291號(hào)公報(bào)、JP特開2001-110050號(hào)公報(bào))。
但是，填充物也被成膜到抗蝕劑材料的側(cè)面，該部分在與凹部內(nèi)的填充物成為一體的狀態(tài)下，在除去抗蝕劑材料之后也可能會(huì)殘留。即，填充物不僅填充凹凸圖案的凹部，也有可能會(huì)在凹部的端部附近形成突起，從而存在表面沒有充分平坦化的問題。
另外，如果將抗蝕劑材料形成得過厚，則在抗蝕劑材料側(cè)面的根部部分，填充物不易成膜，從而會(huì)抑制突起的形成，但若將抗蝕劑材料形成得過厚，則存在通過曝光/顯影而被加工成凹凸圖案的抗蝕層的凸部變得容易倒塌、或者記錄層的加工精度下降等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，能夠制造具有凹凸圖案的記錄層且表面充分平坦的磁記錄介質(zhì)。
在本發(fā)明中，在記錄層的凸部之上形成有暫定基底材料的被加工體上，以填充物成膜而填充凹部之后，通過使用具有相比于凹部而選擇性更迅速地除去凸部的傾向的干式蝕刻法，而除去多余的填充物，從而能夠高效率地除去覆蓋暫定基底材料的側(cè)面的填充物。進(jìn)一步，通過利用對暫定基底材料的蝕刻速率高于對填充物的蝕刻速率的蝕刻法，選擇性地除去暫定基底材料，而能夠使表面平坦化。
選擇性地除去該暫定基底材料的蝕刻法，最好是利用具有與暫定基底材料起化學(xué)反應(yīng)而除去暫定基底材料的特性的反應(yīng)氣體的干式蝕刻法。如此，由于對多余填充物的除去及平坦化(暫定基底材料的除去)均以干式蝕刻法進(jìn)行，從而相對于并用干式工藝及濕式工藝的的情況，更能夠顯著提高生產(chǎn)效率。
另外，也可以通過對暫定基底材料的蝕刻速率高于對填充物的蝕刻速率的干式蝕刻法，而在一個(gè)工序中除去多余填充物及暫定基底材料。通過這樣用一個(gè)工序使表面平坦化，從而能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率。
還有，發(fā)明者在發(fā)明本發(fā)明的過程中最初認(rèn)為，用具有相比于凹部而選擇性快速除去凸部的傾向的離子束蝕刻這樣的干式蝕刻，僅除去依照凹凸圖案的記錄層而以凹凸圖案進(jìn)行成膜的填充物的多余部分，就能夠使表面平坦化，從而實(shí)際上對該方法進(jìn)行了試驗(yàn)。
但是，僅用離子束蝕刻除去多余的填充物，很難將表面的臺(tái)階差充分減少到期望的水平，認(rèn)為其理由概括如下。
干式蝕刻法，雖然具有將表面的凸部相比于凹部選擇性快速除去的傾向，但若凸部上也存在寬度之差，則產(chǎn)生蝕刻速率之差，從而相比于寬度寬的凸部，寬度窄的凸部被快速除去。這里所說的凸部的寬度，是指與凸部上部附近的高度方向幾乎成直角的方向上的寬度中最小的寬度。
磁記錄介質(zhì)分為數(shù)據(jù)區(qū)域和伺服區(qū)域而使用，離散軌道介質(zhì)及晶格介質(zhì)等具有凹凸圖案的記錄層的磁記錄介質(zhì)，即使是記錄層的凹凸圖案在數(shù)據(jù)區(qū)域中大致一定，但數(shù)據(jù)區(qū)域的凹凸圖案與伺服區(qū)域的凹凸圖案顯著不同。而且，伺服區(qū)域內(nèi)的記錄層的凹凸圖案變?yōu)閷?yīng)于伺服信息圖案的復(fù)雜圖案的情況較多。因此在數(shù)據(jù)區(qū)域與伺服區(qū)域之間、或伺服區(qū)域中會(huì)產(chǎn)生表面粗糙度之差、或者臺(tái)階差。
相對于此，如果準(zhǔn)備其凹部以填充物構(gòu)成且其凸部以暫定基底材料構(gòu)成的被加工體，利用對暫定基底材料的蝕刻速率高于對構(gòu)成凹部的填充物的蝕刻速率的干式蝕刻法，除去暫定基底材料，那么能夠抑制凹部加工的同時(shí)，對以暫定基底材料構(gòu)成的整個(gè)凸部，不管其寬度如何都在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行除去，從而能夠防止產(chǎn)生表面粗糙度之差、或者臺(tái)階差。
即，根據(jù)以下的本發(fā)明，能夠達(dá)到上述的目的。
(1)種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括被加工體制作工序，制作具有在基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成的記錄層及在該記錄層的至少凸部之上形成的暫定基底材料的被加工體；填充物成膜工序，在前述被加工體之上成膜與前述暫定基底材料不同的填充物而填充前述凹凸圖案的凹部；填充物除去工序，通過干式蝕刻法，將前述填充物中相比于前述記錄層的凸部的上表面而在與前述基板相反一側(cè)形成的多余部分的至少一部分除去，以使在前述記錄層的凸部之上形成的前述暫定基底材料的至少側(cè)面露出；平坦化工序，通過對前述暫定基底材料的蝕刻速率高于對前述填充物的蝕刻速率的蝕刻法，除去前述暫定基底材料而使表面平坦化。
(2)按照(1)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序中的蝕刻法，是利用具有與前述暫定基底材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而除去該暫定基底材料的特性的反應(yīng)氣體的干式蝕刻法。
(3)按照(1)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，前述填充物除去工序中，從相對于前述被加工體表面的法線而傾斜的方向，對該被加工體照射加工用氣體。
(4)按照(1)～(3)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述填充物除去工序中，采用對前述暫定基底材料的蝕刻速率等于或低于對前述填充物的蝕刻速率的干式蝕刻法。
(5)按照(1)～(3)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述填充物除去工序中，采用對前述暫定基底材料的蝕刻速率高于對前述填充物的蝕刻速率的干式蝕刻法。
(6)按照(5)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，將相對于前述填充物除去工序的干式蝕刻的蝕刻速率低于前述暫定基底材料的蝕刻速率的填充物除去工序用停止膜，形成在前述暫定基底材料及前述記錄層之間。
(7)按照(4)～(6)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述填充物除去工序中，采用具有與前述填充物及前述暫定基底材料的其中之一選擇性發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而將其除去的特性的反應(yīng)氣體。
(8)按照(4)～(7)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述填充物除去工序中，使用離子束蝕刻。
(9)按照(1)～(8)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，將相對于前述平坦化工序的蝕刻的蝕刻速率低于前述暫定基底材料的蝕刻速率的平坦化工序用停止膜，形成在前述暫定基底材料及前述記錄層之間。
(10)按照(1)～(9)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，以掩模層覆蓋與在前述基板之上形成的連續(xù)記錄層中的前述凹凸圖案的凸部相當(dāng)?shù)牟糠郑⑼ㄟ^蝕刻法除去前述連續(xù)記錄層中從前述掩模露出的部分，來形成前述凹凸圖案的記錄層，而且，將殘留在該記錄層的凸部之上的前述掩模層作為前述暫定基底材料的至少一部分使用。
(11)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括被加工體制作工序，制作具有在基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成的記錄層及在該記錄層的至少凸部之上形成的暫定基底材料的被加工體；填充物成膜工序，在前述被加工體之上成膜與前述暫定基底材料不同的填充物而填充前述凹凸圖案的凹部；平坦化工序，通過對前述暫定基底材料的蝕刻速率高于對前述填充物的蝕刻速率的蝕刻法，將前述填充物中相比于前述記錄層的凸部的上表面而在與前述基板相反一側(cè)形成的多余部分以及前述暫定基底材料除去而使表面平坦化。
(12)按照(11)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述平坦化工序中，采用具有與前述暫定基底材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而除去該暫定基底材料的特性的反應(yīng)氣體。
(13)按照(11)或(12)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，將相對于前述平坦化工序的干式蝕刻的蝕刻速率低于前述暫定基底材料的蝕刻速率的平坦化工序用停止膜，形成于前述暫定基底材料及前述記錄層之間。
(14)按照(11)～(13)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述平坦化工序中，從相對于前述被加工體表面的法線而傾斜的方向，對該被加工體照射加工用氣體。
(15)按照(11)～(14)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，以掩模層覆蓋與在前述基板之上形成的連續(xù)記錄層中的前述凹凸圖案的凸部相當(dāng)?shù)牟糠?，并通過蝕刻法除去前述連續(xù)記錄層中從前述掩模露出的部分，來形成前述凹凸圖案的記錄層，而且，將殘留在該記錄層的凸部之上的前述掩模層作為前述暫定基底材料的至少一部分使用。
另外，本申請中，所說的“以凹凸圖案形成的記錄層”的意思是，用以規(guī)定的圖案分割連續(xù)記錄層的多個(gè)記錄要素構(gòu)成的記錄層之外，還包括連續(xù)記錄層以規(guī)定的圖案部分分割而形成的、一部分連續(xù)的記錄要素構(gòu)成的記錄層；此外，也包括例如像螺旋狀的渦形的記錄層這樣的、在基板上的一部分連續(xù)形成的記錄層、形成有凸部及凹部兩者的連續(xù)的記錄層。
另外，本申請中，所說的“蝕刻速率”這樣的術(shù)語的意思是每個(gè)單位時(shí)間的加工量。
還有，本申請中，“磁記錄介質(zhì)”這樣的術(shù)語的意思是不限于信息的記錄、讀取中只利用磁的硬盤、軟盤(登錄商標(biāo))、磁帶等，還包括并用磁和光的MO(Magneto Optical)等光磁記錄介質(zhì)及并用磁和熱的熱輔助型的記錄介質(zhì)。
另外，本申請中，所說的“離子束蝕刻”這樣的術(shù)語的意思是，例如利用離子粉末等的進(jìn)行離子化的氣體對被加工體進(jìn)行照射而除去加工對象物體的加工方法的總稱。
根據(jù)本發(fā)明，能夠制造具有凹凸圖案的記錄層且表面十分平坦的磁記錄介質(zhì)。


圖1是示意性表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的被加工體的加工坯體的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。
圖2是示意性表示加工該被加工體而得到的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。
圖3是表示該磁記錄介質(zhì)的制造工序的概況的流程圖。
圖4是示意性表示被轉(zhuǎn)印在前述被加工體的坯體的抗蝕層上的凹凸圖案的側(cè)剖面圖。
圖5是示意性表示分割連續(xù)記錄層的前述被加工體的形狀的側(cè)剖面圖。
圖6是示意性表示使填充物成膜的前述被加工體的形狀的側(cè)剖面圖。
圖7是示意性表示通過除去多余的填充物而露出第一掩模層的前述被加工體的形狀的側(cè)剖面圖。
圖8是示意性表示通過除去多余的填充物而露出第一掩模層的前述被加工體的其他的形狀的例子的側(cè)剖面圖。
圖9是示意性表示通過除去多余的填充物而露出第一掩模層的前述被加工體的其他的形狀的例子的側(cè)剖面圖。
圖10是示意性表示填充物及停止膜的表面被平坦化了的前述加工體的形狀的側(cè)剖面圖。
圖11是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造工序的概況的流程圖。
圖12是示意性表示本發(fā)明實(shí)施方式的暫定基底材料的其他的形狀的例子的側(cè)剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。
本發(fā)明第一實(shí)施方式涉及以下的方法通過在基板12上形成連續(xù)記錄層20等的圖1所示那樣的被加工體10的加工坯體進(jìn)行加工，將連續(xù)記錄層20如圖2所示那樣的分割成多個(gè)記錄要素32A(記錄層的凸部)而形成規(guī)定的凹凸圖案的記錄層32的同時(shí)，將填充物36填充到記錄要素32A之間的凹部(凹凸圖案的凹部)34而使表面平坦化，而制造磁記錄介質(zhì)30，其特征在于除去多余的填充物36的工序以及使表面平坦化的工序。對于其他的工序，由于對第一實(shí)施方式的理解并不是特別重要，故對其做了適當(dāng)省略。
被加工體10的加工坯體，如圖1所示，是基板12上按基底層14、反鐵磁性層15、軟磁性層16、取向?qū)?8、連續(xù)記錄層20、停止膜35、第一掩模層(暫定基底材料)22、第二掩模層24、抗蝕層26的順序而形成的結(jié)構(gòu)。
基板12的材料是玻璃、Al2O3(氧化鋁)等?；讓?4的厚度為2～40nm，其材料是Ta等。反鐵磁性層15的厚度為5～50nm，其材料是PtMn合金、RuMn合金等。軟磁性層16的厚度為50～300nm，其材料是Fe(鐵)合金或Co(鈷)合金。取向?qū)?8的厚度為2～40nm，其材料是非磁性的CoCr合金、Ti、Ru、Ru和Ta的層疊體、MgO等。
連續(xù)記錄層20，其厚度為5～30nm，材料是CoCr(鈷-鉻)合金。
第一掩模層22，其厚度為3～50nm，材料是C(碳)。第一掩模層22，在后述的平坦化工序(S108)中，兼作短時(shí)間內(nèi)選擇性除去的暫定基底材料。
第二掩模層24，其厚度為3～30nm，材料是Ni(鎳)?？刮g層26，其厚度為30～300nm，材料是負(fù)性抗蝕劑(NEB22A住友化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制作)。
停止膜35，其厚度為1～10nm，材料為Ta(鉭)。Ta相對于將Ar(氬)氣體作為加工用氣體的離子束蝕刻的蝕刻速率，在Ar氣體的入射角為大角度(90°左右)時(shí)，高于C(第一掩模層22)的蝕刻速率，但當(dāng)Ar氣體的入射角為小角度(-10～15°左右)時(shí)低于C(第一掩模層22＝暫定基底材料)的蝕刻速率，故具有在后述的填充物除去工序(S106)中作為停止膜的功能。還有，Ta相對于將O2(氧)或O3(臭氧)氣體作為加工用氣體使用的干式蝕刻的蝕刻速率低于C的蝕刻速率，故具有在后述的平坦化工序(S108)中也作為停止膜的功能，即，停止膜35兼作為填充物除去工序用停止膜和平坦化工序用停止膜。
還有，本申請中所謂“入射角”，為相對于被加工體的表面的入射角，是以被加工體的表面和離子束的中心軸形成的角度的意義使用。例如，當(dāng)離子束的中心軸與被加工體的表面平行時(shí)，入射角為0°。
磁記錄介質(zhì)30，是在垂直記錄型的離散軌道類型的磁盤，而記錄層32，成為將前述連續(xù)記錄層20在直徑方向上以微細(xì)的間隔分割成多個(gè)同心圓弧狀的記錄要素32A的凹凸圖案的形狀。記錄要素32A之上形成停止膜35。還有，在停止膜35及填充物36上將保護(hù)層38、潤滑層40按該順序形成。還有，磁記錄介質(zhì)30，在伺服區(qū)域中，以規(guī)定的伺服圖案形成記錄層32。
填充物36的材料是非磁性材料的SiO2(二氧化硅)。
保護(hù)層38的材料是被稱為類金剛石碳的硬質(zhì)碳膜。還有，本說明中所說的“類金剛石碳(以下稱為“DLC”)”這一用語，是在將碳作為主成分的非晶結(jié)構(gòu)，以在維式硬度測定中顯示2×109～8×1010Pa左右的硬度的材料的意思使用。潤滑層40的材料是PFPE(全氟聚醚)。
下面，按照圖3所示的流程圖，對被加工體10的加工方法進(jìn)行說明。
首先，執(zhí)行被加工體制作工序(S102)。具體地說，加工圖1所示的被加工體10的加工坯體，制作具有以凹凸圖案形成的記錄層32及形成于作為記錄層32的凸部的記錄要素32A之上的第一掩模層22(暫定基底材料)的被加工體10。該加工坯體，是在基板12之上按基底層14、反鐵磁性層15、軟磁性層16、取向?qū)?8、連續(xù)記錄層20、停止膜35、第一掩模層22、第二掩模層24的順序通過濺射法而形成，進(jìn)一步，通過旋涂法進(jìn)行涂敷而得到抗蝕層26。另外，也可以通過浸漬法涂敷抗蝕層26。
在該被加工體10的加工坯體的抗蝕層26上，利用轉(zhuǎn)印裝置(省略圖示)，如圖4所示，通過納米壓印法，轉(zhuǎn)印包含有接觸孔的與規(guī)定的伺服圖案及軌道圖案相當(dāng)?shù)陌纪箞D案，并通過將O2或O3氣體作為反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子蝕刻，除去凹部底部的抗蝕層26。另外，還可以通過對抗蝕層26進(jìn)行曝光、顯影，而形成凹凸圖案。
下面，通過利用Ar氣體的離子束蝕刻(入射角約為90°)，除去凹部底部的第二掩模層24。進(jìn)一步，通過利用O2或O3的反應(yīng)性離子蝕刻，除去凹部底部的第一掩模層22。進(jìn)一步，通過利用Ar氣體的離子束蝕刻，除去凹部底部的停止膜35及連續(xù)記錄層20，并將連續(xù)記錄層20分割成多個(gè)記錄要素32A。這時(shí)，在記錄要素32A之上使第一掩模層22作為暫定基底材料而殘留。由此，如圖5所示，可以獲得具有以凹凸圖案形成的記錄層32及形成在作為記錄層32的凸部的記錄要素32A之上的第一掩模層22(暫定基底材料)的被加工體10。
接著，執(zhí)行填充物成膜工序(S104)。具體地說，通過偏壓濺射法，將填充物36在被加工體10表面成膜。SiO2粒子均勻地堆積在被加工體10的表面，因此表面呈現(xiàn)出凹凸形狀，但通過對被加工體10施加偏壓，濺射氣體被向被加工體10的方向加載而碰撞完成了堆積的SiO2，從而對完成了堆積的SiO2的一部分進(jìn)行蝕刻。該蝕刻作用是具有在完成了堆積的SiO2中，將突出的部分比其他部分更早的選擇性除去的傾向，故表面的凹凸一定程度上變得均勻。通過使成膜作用超出蝕刻作用，而抑制表面的凹凸的同時(shí)進(jìn)行成膜。
由此，如圖6所示，以一定程度抑制了表面的凹凸的形狀將填充物36以覆蓋記錄層32的方式形成膜，并在凹部34內(nèi)填充填充物36。還有，圖6中為了理解本第一實(shí)施方式，相比于實(shí)際更加強(qiáng)調(diào)突出了凹凸形狀。
接著，執(zhí)行填充物除去工序(S106)。具體地說，通過利用Ar氣體的離子束蝕刻，以入射角2°照射Ar氣體，如圖7所示，除去填充物36中形成在記錄要素32A上表面的與基板12相反一側(cè)的多余部分，以露出第一掩模層(暫定基底材料)22的至少側(cè)面。
干式蝕刻法，由于具有相比于凹部而選擇性快速除去凸部的傾向，故能夠高效率地除去覆蓋第一掩模層(暫定基底材料)22的側(cè)面的填充物36。尤其離子束蝕刻(包括反應(yīng)性離子束蝕刻)，由于相比于凹部而選擇性快速除去凸部的傾向大，故平坦化效果好。而且，若使用Ar氣體這樣的惰性氣體作為離子束蝕刻的加工用氣體，則各向異性蝕刻效果提高，因此相比于凹部而快速除去凸部的傾向變大，能夠進(jìn)一步提高平坦化效果。
還有，雖然Ar氣體的入射角沒有限定為2°，但如圖7中的箭頭所示，優(yōu)選Ar氣體從相對于被加工體10表面的法線而傾斜的方向照射被加工體10。具體地，最好是將Ar氣體的入射角相對于表面設(shè)定在-10～15°的范圍。通過這樣，能夠增大相比于凹部快速除去凸部的傾向，并能夠提高相對于在第一掩模層22側(cè)面成膜的填充物36的蝕刻速率，另外，能提高平坦化效果。
當(dāng)凹部34中的填充物36的上表面的高度與停止膜35上表面的高度幾乎一致時(shí)，使離子束蝕刻停止。由此，如圖7所示，將記錄要素32A上的多余的填充物36大體上除去。還有，第一掩模層22，雖然其端部比其他部分被快速除去，但以完全覆蓋停止膜35的狀態(tài)而殘留在停止膜35上。從而，記錄要素32A通過第一掩模層22受到保護(hù)免遭離子束蝕刻作用。還有，即使萬一第一掩模層22的端部被除掉到停止膜35的上表面的位置，記錄要素32A，通過停止膜35受到保護(hù)而免遭離子束蝕刻的作用。
如上所述，當(dāng)凹部34中的填充物36上表面的高度，與停止膜35上表面的高度幾乎一致時(shí)，第一掩模層22以完全覆蓋停止膜35的狀態(tài)殘留的理由是，相對于利用Ar氣體的離子束蝕刻的、C(第一掩模層22＝暫定基底材料)的蝕刻速率低于SiO2(填充物36)的蝕刻速率。相對于此，通過利用具有與C化學(xué)反應(yīng)而除去C的性質(zhì)的反應(yīng)氣體作為加工用氣體，能夠使兩者的蝕刻速率相同，或者使其反轉(zhuǎn)。例如，通過利用Ar氣體和O2或O3氣體的混合氣體作為加工用氣體并調(diào)整它們的流量比，能夠使兩者的蝕刻速率相同，或者使其反轉(zhuǎn)。
當(dāng)使相對于C(第一掩模層22＝暫定基底材料)的蝕刻速率高于相對于SiO2(填充物36)的蝕刻速率時(shí)，如圖8所示，凹部34中的填充物36上表而的高度與停止膜35上表面的高度幾乎一致時(shí)，第一掩模層22的端部附近的部分被除去一直到停止膜35的上表面。通過這樣，覆蓋第一掩模層22側(cè)面的填充物36被確實(shí)地除去，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的平坦化。
這樣，使相對于第一掩模層22＝暫定基底材料的蝕刻速率高于相對于填充物36的蝕刻速率時(shí)，為保護(hù)記錄要素32A免遭蝕刻的作用，如本第一實(shí)施方式那樣，特別優(yōu)選以停止膜35覆蓋記錄要素32A的上表面。
還有，這時(shí)，若停止膜35相對于填充物除去工序(S106)的干式蝕刻的蝕刻速率低于填充物36的蝕刻速率，則能容易地控制填充物除去工序(S106)中蝕刻的停止，并能提高加工精度，故更為理想。本第一實(shí)施方式中，停止膜35的材料為Ta，填充物36的材料為SiO2，而相對于填充物除去工序(S106)的干式蝕刻的Ta的蝕刻速率低于SiO2的蝕刻速率，故滿足該條件。
還有，當(dāng)使兩者的蝕刻速率相等時(shí)，如圖9所示，當(dāng)凹部34中的填充物36上表面的高度與停止膜35上表面的高度幾乎一致時(shí)，第一掩模層22，以完全覆蓋停止膜35的狀態(tài)且使其端部的厚度幾乎變?yōu)?的方式，殘留在停止膜35之上。通過這樣，覆蓋著第一掩模層22側(cè)面的填充物36被確實(shí)地除去，而且能夠保護(hù)記錄要素32免受離子束的作用。
接著，執(zhí)行平坦化工序(S108)。具體地說，根據(jù)對C(第一掩模層22＝暫定基底材料)的蝕刻速率高于對SiO2(填充物36)的蝕刻速率的蝕刻法，如圖10所示，除去第一掩模層22而使表面平坦化。例如，可以使用將O2或O3氣體作為反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子蝕刻。
由此，抑制構(gòu)成凹部的填充物36的加工的同時(shí)，迅速除去構(gòu)成凸部的第一掩模層22。構(gòu)成凸部的第一掩模層，由于其寬度而暫時(shí)性產(chǎn)生蝕刻速率之差，但在短時(shí)間內(nèi)全部的第一掩模層被除去。還有，在填充物除去工序(S106)之后，有時(shí)在第一掩模層22上殘留多余的填充物36的一部分，而這也跟第一掩模層22一起被除去。還有，填充停止膜35及凹部34的填充物36，平坦化工序(S106)中的蝕刻速率低于第一掩模層22，故以這些的上表面的高度幾乎一致的狀態(tài)被保持。即，使表面平坦化。還有，記錄要素32A，通過停止膜35而受到保護(hù)以免遭受蝕刻的作用。
這樣，第一掩模層22兼作暫定基底材料，在平坦化工序(S108)中，構(gòu)成凸部的第一掩模層22(暫定基底材料)不管其寬度多少，而在短時(shí)間內(nèi)選擇性地被除去，從而防止發(fā)生表面粗糙度之差或者高度差。
下面，通過CVD法在記錄要素32A及填充物36的上表面以1～5nm的厚度形成DLC的保護(hù)層38，進(jìn)而，用浸漬法以1～2nm的厚度將PFPE的潤滑層40涂敷在保護(hù)層38之上(S110)。由此，完成如前述圖2所示的磁記錄介質(zhì)30。
如上述說明，填充物成膜工序(S104)中，即使填充物36成膜在第一掩模層(暫定基底材料)22的側(cè)面，該部分，通過具有相比于凹部選擇性快速除去凸部的傾向的干式蝕刻法，在填充物除去工序(S106)中被除去。還有，兼作暫定基底材料的第一掩模層22及殘留在其之上的多余的填充物36的一部分，通過對第一掩模層(暫定基底材料)22的蝕刻速率高于對填充物36的蝕刻速率的蝕刻法，在平坦化工序(S108)中被選擇性除去而使表面平坦化。這樣使(記錄要素32A之上的)停止膜35及填充物36的表面確實(shí)平坦之后形成保護(hù)層38、潤滑層40，故磁記錄介質(zhì)30，表面十分平坦，并能確實(shí)地得到良好的磁頭懸浮特性。
還有，平坦化工序(S108)中，選擇性地除去第一掩模層22的蝕刻法，是利用具有與第一掩模層22化學(xué)反應(yīng)而除去第一掩模層22的性質(zhì)的反應(yīng)氣體的干式蝕刻法，并在填充物除去工序(S106)、平坦化工序(S108)中的任伺工序中都使用干式蝕刻法，故生產(chǎn)效率比同時(shí)使用干式工藝和濕式工藝時(shí)高。
還有，因記錄要素32A上形成有停止膜35，故在填充物除去工序(S106)及平坦化工序(S108)中，記錄要素32A不會(huì)被蝕刻，其磁特性也不會(huì)惡化。即，磁記錄介質(zhì)30的記錄、再現(xiàn)精度良好。
進(jìn)而，因記錄要素32A上形成有停止膜35，故在平坦化工序(S108)中，對記錄要素32A不進(jìn)行蝕刻而能夠確實(shí)地除去停止膜35上的填充物36，從這一點(diǎn)來說，磁記錄介質(zhì)30也具有良好的記錄、再現(xiàn)精度。
因停止膜35相對于平坦化工序(S108)的蝕刻的蝕刻速率低，故能夠相應(yīng)地減薄膜厚，即使停止膜35殘留在記錄要素32A上，但對記錄、再現(xiàn)精度的影響很小。
還有，在本第一實(shí)施方式中，在填充物除去工序(S106)中，采用了利用Ar氣體或者Ar與O2或O3的混合氣體的離子束蝕刻，但也可以采用利用Kr(氪)、Xe(氙)等其他稀有氣體的離子束蝕刻，進(jìn)而，也可以采用利用例如H2氣體、或者NH3氣體或SF6、CF4(四氟化碳)、C2F6(六氟化二碳)等鹵素類反應(yīng)氣體的反應(yīng)性離子束蝕刻、利用反應(yīng)氣體與惰性氣體的混合氣體的反應(yīng)性離子束蝕刻等其他的干式蝕刻。
對第一掩模層22的蝕刻速率高于對填充物36的蝕刻速率的填充物除去工序(S106)中的干式蝕刻方法、填充物36的材料、第一掩模層22的材料的組合，可以列舉出表1的組合。
表1

ITO摻錫氧化銦另一方面，對第一掩模層的蝕刻速率低于對填充物36的蝕刻速率的填充物除去工序(S106)中的干式蝕刻方法、填充物36、第一掩模層22的材料的組合，可以列舉出下述表2的組合。
表2

還有，表1、表2中，表示了單獨(dú)使用一種加工用氣體的例子，但可以通過調(diào)整加工用氣體的入射角，或通過使用氧類氣體或鹵素類氣體這樣的反應(yīng)氣體與惰性氣體的混合氣體并調(diào)整其混合比率，從而能夠調(diào)整蝕刻速率、或能夠調(diào)整對第一掩模層22的蝕刻速率、以及對填充物36的蝕刻速率的大小關(guān)系，而且能夠使對第一掩模層22的蝕刻速率與對填充物36的蝕刻速率幾乎相同。
還有，在本第一實(shí)施方式中，填充物36的材料為SiO2，第一掩模層(暫定基底材料)22的材料為C，還有，平坦化工序(S108)是將O2或O3氣體作為反應(yīng)氣體，并使用對第一掩模層22的蝕刻速率高于對填充物36的蝕刻速率的反應(yīng)性離子蝕刻，但是，如果選擇對第一掩模層22的蝕刻速率高于對填充物36的蝕刻速率的組合，那么對填充物36的材料、第一掩模層(暫定基底材料)22的材料以及蝕刻種類沒有特別限制。例如，作為填充物36可以采用其他的氧化物、TiN(氮化鈦)等氮化物、Ta(鉭)、TaSi、Si等其他非磁性材料。還有，根據(jù)用途，作為填充物36的材料也可以采用軟磁性材料。還有，作為第一掩模層(暫定基底材料)22的材料也可以采用金屬材料及光致抗蝕劑材料等。還有，作為蝕刻種類，可以采用將H2氣體、或者NH3氣體或鹵素類氣體作為反應(yīng)氣體的干式蝕刻以及濕式蝕刻。作為填充物36、第一掩模層22的材料、平坦化工序(S108)的干式蝕刻方法，將理想的組合例子同時(shí)記入上述表1及表2。
下面，對于本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。
如圖11的流程圖所示，本第二實(shí)施方式，其特征在于，相對于前述第一實(shí)施方式是通過填充物除去工序(S106)及平坦化工序(8108)這兩個(gè)工序除去多余的填充物36及第一掩模層22(暫定基底材料)，本第二實(shí)施方式是只通過平坦化工序(S202除去多余的填充物36及第一掩模層(暫定基底材料)22。對于其他的工序，因與前述第一實(shí)施方式相同，故省略說明。
本第二實(shí)施方式的平坦化工序(S202)中，如上述圖6所示，在將填充物36進(jìn)行成膜而填充凹部34的狀態(tài)下，利用具有與第一掩模層22(暫定基底材料)化學(xué)反應(yīng)而除去第一掩模層的性質(zhì)的反應(yīng)氣體，并通過對第一掩模層22的蝕刻速率高于對填充物36的蝕刻速率的干式蝕刻法，而除去填充物36的多余部分及第一掩模層22并使表面變得平坦。
作為這樣的干式蝕刻法，例如，可以列舉將Ar氣體與O2或O3氣體的混合氣體作為加工用氣體的反應(yīng)性離子束蝕刻。通過調(diào)整混合氣體的流量比率，能夠調(diào)節(jié)填充物36及第一掩模層22的蝕刻速率。具體地說，通過將Ar氣體和O2氣體的比率調(diào)到3(Ar)∶2(O2)左右，或相比于該比率再增大O2的比率，則與對SiO2的蝕刻速率相比，更能提高對C的蝕刻速率。而且，根據(jù)加工用氣體的入射角，蝕刻速率有稍微的變動(dòng)。
當(dāng)凹部34中的填充物36上表面的高度，與停止膜35上表面的高度幾乎一致時(shí)，停止干式蝕刻。由此，如前述圖10所示，完全除去記錄要素32A之上的多余填充物及第一掩模層(暫定基底材料)22并使表面平坦。
還有，在記錄要素32A上的第一掩模層(暫定基底材料)22完全被除去之后的短暫的時(shí)間內(nèi)，預(yù)先調(diào)整殘留在記錄要素32A上的第一掩模層(暫定基底材料)22的厚度及填充物36的成膜厚度，以使填充凹部的填充物36的上表面與停止膜35的上表面幾乎一致。
如果相對于平坦化工序(S202)的干式蝕刻的停止膜35的蝕刻速率低于填充物36的蝕刻速率，那么能夠容易地控制以使填充凹部的填充物36的上表面與停止膜35上表面幾乎一致。在第二實(shí)施方式中，停止膜35的材料為Ta，填充物36的材料為SiO2，相對于平坦化工序(S202)的干式蝕刻的Ta的蝕刻速率低于SiO2的蝕刻速率，故滿足該條件。
這樣，在平坦化工序(S202)中，因利用具有相比于凹部選擇性迅速除去凸部的傾向的干式蝕刻法，故能夠高效率地除去覆蓋第一掩模層(暫定基底材料)22的側(cè)面的填充物36。而且，通過利用對第一掩模層22的蝕刻速率高的干式蝕刻法，能夠迅速除去記錄要素32A上的第一掩模層22。構(gòu)成凸部的第一掩模層22，由于其寬度而暫時(shí)性產(chǎn)生蝕刻速率之差，但在短時(shí)間內(nèi)全部的第一掩模層22被除去。還有，因停止膜35在平坦化工序(S202)中的蝕刻速率低于第一掩模層22，故能夠抑制停止膜35的加工。如此，通過一個(gè)工序能夠除去第一掩模層22及多余的填充物36而使表面平坦，因此能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)效率的進(jìn)一步提高。
還有，本第二實(shí)施方式中，填充物36的材料為SiO2，第一掩模層(暫定基底材料)22的材料為C，而且，平坦化工序(S202)，采用對第一掩模層22的蝕刻速率高于對填充物36的蝕刻速率，且使用含有O2或O3的加工用氣體的反應(yīng)性離子束蝕刻，但如果選擇對第一掩模層22的蝕刻速率高于對填充物36的蝕刻速率的組合，那么對填充物36的材料、第一掩模層22的材料、平坦化工序(S202)的干式蝕刻方法，沒有特別限制。作為理想的組合例，可以列舉表3的組合。
表3

還有，表3中，表示單獨(dú)使用1種加工用氣體的例子，但如上述第二實(shí)施方式，在對第一掩模層22的蝕刻速率與對填充物36的蝕刻速率的大小關(guān)系不發(fā)生反轉(zhuǎn)的范圍內(nèi)，也可以利用像氧類氣體、H2氣體、NH3氣體及鹵素類氣體這樣的反應(yīng)氣體與惰性氣體的混合氣體。
還有，在前述第一實(shí)施方式的填充物除去工序(S106)及第二實(shí)施方式的平坦化工序(S202)的進(jìn)行過程中，也可以變更加工用氣體的種類。例如，將第一實(shí)施方式的填充物除去工序(S106)或者第二實(shí)施方式的平坦化工序(S202)分成兩個(gè)工序。在剛開始的工序中，可以通過使用以Ar氣體等惰性氣體作為加工用氣體，使對暫定基底材料的蝕刻速率等于或低于對填充物的蝕刻速率；在下一個(gè)工序中，使用Ar氣體和O2、O3氣體等與暫定基底材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的氣體的混合氣體，使對暫定基底材料的蝕刻速率高于對填充物的蝕刻速率也可以。而且，在第一實(shí)施方式的填充物除去工序(S106)及第二實(shí)施方式的平坦化工序(S202)中，也可以使用由多種氣體構(gòu)成的混合氣體作為加工用氣體，而在這些工序的進(jìn)行過程中漸漸地改變混合氣體的比率。例如，在這些工序中，也可以使用惰性氣體與O2或O3氣體的混合氣體作為加工用氣體，而逐漸地增大O2或O3氣體的流量比率。
還有，前述第一及第二實(shí)施方式中，停止膜35的材料為Ta，但如果是填充物除去工序(S106)及平坦化工序(S108、S202)中的蝕刻速率低的材料即可，可以利用其他的非磁性材料作為停止膜35的材料。
而且，在前述第一實(shí)施方式中，停止膜35兼作填充物除去工序用停止膜和平坦化工序用停止膜，但也可以分別形成填充物除去工序用停止膜和平坦化工序用停止膜。
還有，在前述第一實(shí)施方式中，在填充物除去工序(S106)和平坦化工序(S108)之中的任意一個(gè)工序中，產(chǎn)生因蝕刻而損傷記錄層32的問題，而另一個(gè)工序中不發(fā)生因蝕刻而損傷記錄層32的問題時(shí)，也可以只對發(fā)生因蝕刻而損傷記錄層32的問題的工序的蝕刻，使用蝕刻速率低的材料作為停止膜35的材料。
還有，通過第一掩模層22能夠充分地保護(hù)記錄要素32A免遭蝕刻的損傷時(shí)，及若記錄要素32A因蝕刻而受到的影響十分小的時(shí)候，也可以省略停止膜35。這時(shí)，要將多余的填充物36除去，以使填充凹部的填充物36的上表面與記錄要素32A的上表面一致。對于前述第二實(shí)施方式也是同樣。
還有，在前述第一及第二實(shí)施方式中，在記錄層32上加工連續(xù)記錄層20時(shí)，使第一掩模層22殘留在記錄要素32A上并作為暫定基底材料而利用，但在記錄層32上加工連續(xù)記錄層20之后，如圖12所示，可以在記錄層32上成膜暫定基底層50。而且暫定基底層50也形成在凹部34的底面及側(cè)面上。這時(shí)，第一掩模層22的材料，可以不受作為暫定基底層的功能的限制而從適合記錄層加工的材料中適當(dāng)?shù)剡x擇。而且，在記錄層32上加工連續(xù)記錄層20時(shí)，將第一掩模層22殘留在記錄要素32A上，可以再將暫定基底層50形成在其上。這時(shí)，暫定基底層50的材料，只要是在平坦化工序(S106，S202)中的蝕刻速率高于填充物36的材料即可，其材料也可以是與第一掩模層22相同的材料，還可以是與第一掩模層22不同的材料。
還有，在前述第一及第二實(shí)施方式中，將第一掩模層22、第二掩模層24、抗蝕層26形成在連續(xù)記錄層20之上，并根據(jù)4個(gè)步驟的干式蝕刻分割連續(xù)記錄層20，而第一掩模層22兼作暫定基底材料，但如果能夠?qū)⑦B續(xù)記錄層20以高精度分割，那么對抗蝕層、掩模層的材料、層疊數(shù)、厚度等沒有特別限定。例如，也可以省略第二掩模層。而且，也可以省略第二掩模層22及第一掩模層兩者并將抗蝕層直接形成在連續(xù)記錄層上，而將抗蝕層作為掩模層分割連續(xù)記錄層的同時(shí)，使抗蝕層兼作暫定基底材料。
還有，在前述第一及第二實(shí)施方式中，通過偏壓濺射法填充物36進(jìn)行成膜，但例如也可以利用不施加偏壓功率的濺射法、CVD法、IBD法等其他的成膜方法，對填充物36進(jìn)行成膜。
還有，在前述第一實(shí)施方式中，在填充物成膜工序(S104)之后緊接著執(zhí)行填充物除去工序(S106)，而在第二實(shí)施方式中，在填充物成膜工序(S104)之后緊接著執(zhí)行平坦化工序(S202)，但也可以使填充物36成膜之后，以與填充物36不同材質(zhì)的覆蓋材料在填充物36之上進(jìn)一步成膜，而后執(zhí)行填充物除去工序(S106)或平坦化工序(S202)。這時(shí)，填充物除去工序(S106)(在第二實(shí)施方式中是平坦化工序(S202))中，最好是選擇覆蓋材料及蝕刻方法，使得對覆蓋材料的蝕刻速率低于對填充物36的蝕刻速率。而且，這時(shí)，也可以用填充物36與覆蓋材料兩者對凹部34進(jìn)行填充。例如，在填充物成膜工序(S104)中，以比凹部34的深度稍微薄的厚度用填充物36在凹部34內(nèi)進(jìn)行成膜，而通過對其上用覆蓋材料進(jìn)行成膜，從而可以用填充物36及覆蓋材料兩者填充凹部34。
還有，在前述第一及第二實(shí)施方式中，連續(xù)記錄層20(記錄要素32A)的材料為CoCr合金，但例如也可以使用含有鐵族元素(Co、Fe(鐵)、Ni)的其他合金、這些的層疊體等其他材料。
還有，在前述第一及第二實(shí)施方式中，連續(xù)記錄層20之下形成有基底層14、反鐵磁性層15、軟磁性層16、取向?qū)?8，但根據(jù)磁記錄介質(zhì)的種類，對連續(xù)記錄層20下層的結(jié)構(gòu)可以進(jìn)行適當(dāng)更改。例如，可以省略基底層14、反鐵磁性層15、軟磁性層16、取向?qū)?8之中的一個(gè)或兩個(gè)以上的層。此外，還可以直接在基板上形成連續(xù)記錄層。
還有，在前述第一及第二實(shí)施方式中，磁記錄介質(zhì)30，其記錄層32等只形成在基板12的一側(cè)，但本發(fā)明也能適用于在基板的兩側(cè)具備記錄層的兩側(cè)記錄式磁記錄介質(zhì)的制造。
還有，在前述第一及第二實(shí)施方式中，磁記錄介質(zhì)30，是在軌道徑向以細(xì)微的間隔分割記錄層32的垂直記錄型的離散軌道類型的磁盤，但本發(fā)明當(dāng)然也能適用于在軌道圓周方向(扇形的方向)以細(xì)微的間隔分割記錄層的磁盤、在軌道徑向及軌道圓周方向的兩個(gè)方向以細(xì)微的間隔分割的磁盤、具有凹凸圖案連續(xù)著的記錄層的掌上(PERM)型的磁盤、記錄層呈現(xiàn)螺旋形狀的磁盤的制造。還有，本發(fā)明也能適用于具有面內(nèi)記錄型的記錄層的磁記錄介質(zhì)的制造。還有，本發(fā)明也能適用于MO等光磁盤、并用磁熱的熱輔助型磁盤、尤其是具有磁帶等磁盤形狀以外的其他凹凸圖案的記錄層的磁記錄介質(zhì)的制造。
本發(fā)明例如能夠利用于離散軌道介質(zhì)、晶格介質(zhì)等具有凹凸圖案的記錄層的磁記錄介質(zhì)的制造。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括被加工體制作工序，制作具有在基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成的記錄層及在該記錄層的至少凸部之上形成的暫定基底材料的被加工體；填充物成膜工序，在前述被加工體之上成膜與前述暫定基底材料不同的填充物而填充前述凹凸圖案的凹部；填充物除去工序，通過干式蝕刻法，將前述填充物中相比于前述記錄層的凸部的上表面而在與前述基板相反一側(cè)形成的多余部分的至少一部分除去，以使在前述記錄層的凸部之上形成的前述暫定基底材料的至少側(cè)面露出；平坦化工序，通過對前述暫定基底材料的蝕刻速率高于對前述填充物的蝕刻速率的蝕刻法，除去前述暫定基底材料而使表面平坦化。
2.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序中的蝕刻法，是利用具有與前述暫定基底材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而除去該暫定基底材料的特性的反應(yīng)氣體的干式蝕刻法。
3.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，前述填充物除去工序中，從相對于前述被加工體表面的法線而傾斜的方向，對該被加工體照射加工用氣體。
4.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述填充物除去工序中，采用對前述暫定基底材料的蝕刻速率等于或低于對前述填充物的蝕刻速率的干式蝕刻法。
5.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述填充物除去工序中，采用對前述暫定基底材料的蝕刻速率高于對前述填充物的蝕刻速率的干式蝕刻法。
6.按照權(quán)利要求5所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，將相對于前述填充物除去工序的干式蝕刻的蝕刻速率低于前述暫定基底材料的蝕刻速率的填充物除去工序用停止膜，形成在前述暫定基底材料及前述記錄層之間。
7.按照權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述填充物除去工序中，采用具有與前述填充物及前述暫定基底材料的其中之一選擇性發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而將其除去的特性的反應(yīng)氣體。
8.按照權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述填充物除去工序中，使用離子束蝕刻。
9.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，將相對于前述平坦化工序的蝕刻的蝕刻速率低于前述暫定基底材料的蝕刻速率的平坦化工序用停止膜，形成在前述暫定基底材料及前述記錄層之間。
10.按照權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，以掩模層覆蓋與在前述基板之上形成的連續(xù)記錄層中的前述凹凸圖案的凸部相當(dāng)?shù)牟糠?，并通過蝕刻法除去前述連續(xù)記錄層中從前述掩模露出的部分，來形成前述凹凸圖案的記錄層，而且，將殘留在該記錄層的凸部之上的前述掩模層作為前述暫定基底材料的至少一部分使用。
11.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括被加工體制作工序，制作具有在基板之上以規(guī)定的凹凸圖案形成的記錄層及在該記錄層的至少凸部之上形成的暫定基底材料的被加工體；填充物成膜工序，在前述被加工體之上成膜與前述暫定基底材料不同的填充物而填充前述凹凸圖案的凹部；平坦化工序，通過對前述暫定基底材料的蝕刻速率高于對前述填充物的蝕刻速率的蝕刻法，將前述填充物中相比于前述記錄層的凸部的上表面而在與前述基板相反一側(cè)形成的多余部分以及前述暫定基底材料除去而使表面平坦化。
12.按照權(quán)利要求11所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述平坦化工序中，采用具有與前述暫定基底材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而除去該暫定基底材料的特性的反應(yīng)氣體。
13.按照權(quán)利要求11所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，將相對于前述平坦化工序的干式蝕刻的蝕刻速率低于前述暫定基底材料的蝕刻速率的平坦化工序用停止膜，形成于前述暫定基底材料及前述記錄層之間。
14.按照權(quán)利要求11所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述平坦化工序中，從相對于前述被加工體表面的法線而傾斜的方向，對該被加工體照射加工用氣體。
15.按照權(quán)利要求11～14中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在前述被加工體制作工序中，以掩模層覆蓋與在前述基板之上形成的連續(xù)記錄層中的前述凹凸圖案的凸部相當(dāng)?shù)牟糠郑⑼ㄟ^蝕刻法除去前述連續(xù)記錄層中從前述掩模露出的部分，來形成前述凹凸圖案的記錄層，而且，將殘留在該記錄層的凸部之上的前述掩模層作為前述暫定基底材料的至少一部分使用。
全文摘要
一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，能夠制造具有凹凸圖案的記錄層且表面充分平坦的磁記錄介質(zhì)。制作具有在基板(12)上以規(guī)定的凹凸圖案形成的記錄層(32)及在該記錄層(32)的至少記錄要素(32A)(凸部)上形成的第一掩模層(暫定基底材料)(22)的被加工體(10)，并在被加工體(10)上成膜與第一掩模層(22)不同的填充物(36)而填充凹部(34)，而且，通過干式蝕刻法除去填充物(36)多余部分中的至少一部分，以使第一掩模層(22)的至少一側(cè)面露出，并通過對第一掩模層(22)的蝕刻速率高于對填充物(36)的蝕刻速率的蝕刻法，除去第一掩模層(22)而使表面平坦化。
文檔編號(hào)G11B5/66GK1815570SQ20051013143
公開日2006年8月9日 申請日期2005年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月13日
發(fā)明者諏訪孝裕, 大川秀一, 島川和也 申請人:Tdk股份有限公司