專利名稱：用于熱輔助記錄系統(tǒng)的方法、系統(tǒng)和計算機程序產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，更具體而言，本發(fā)明涉及利用熱輔助記錄的 數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
計算機的核心是磁盤驅(qū)動器，其通常包括旋轉(zhuǎn)磁盤、具有讀和寫頭的滑 塊、旋轉(zhuǎn)盤上方的懸臂以及擺動懸臂以將讀和/或?qū)戭^置于旋轉(zhuǎn)盤上的選定環(huán)
形道上方的致動臂。當盤不旋轉(zhuǎn)時，懸臂將滑塊偏置成與盤表面接觸；而當 盤旋轉(zhuǎn)時，空氣被與滑塊的氣墊面(ABS)相鄰的旋轉(zhuǎn)盤旋動，使得滑塊騎 在氣墊上，距離旋轉(zhuǎn)盤的表面一微小的距離。當滑塊騎在氣墊上時，寫和讀 頭用來寫磁印到旋轉(zhuǎn)盤且從旋轉(zhuǎn)盤讀信號磁場。讀和寫頭連接到根據(jù)計算機 程序操作的處理電路以實施讀和寫功能。
熱輔助記錄是數(shù)據(jù)記錄方面的新興領(lǐng)域。因此，在開發(fā)該技術(shù)期間遇到 了挑戰(zhàn)。下面的描述提供對一些挑戰(zhàn)的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一實施例的一種方法包括使用加熱裝置，在記錄操作期間在磁介 質(zhì)上引起局部加熱；檢測所述加熱裝置附近的溫度；；險測所述加熱裝置的電 流；以及如果溫度和電流的至少 一種的函數(shù)在可接受的操作區(qū)域之外則采取 行動。
根據(jù)另 一實施例的一種方法包括選擇加熱裝置的初始電流以用于在記 錄操作期間在磁介質(zhì)上引起局部加熱；啟動所述加熱裝置；進行記錄操作； 在所述記錄操作期間監(jiān)測所述加熱裝置附近的溫度；以及如果所述溫度和所 述電流的函數(shù)在可接受的操作區(qū)域之外，則改變操作參數(shù)使得所述溫度和電 流的函數(shù)處于可接受的操作區(qū)域內(nèi)。
根據(jù)又一實施例的一種方法包括在記錄操作期間監(jiān)控用于在磁介質(zhì)上 引起局部加熱的加熱裝置附近的溫度；檢測所述加熱裝置的電流；以及如果所述溫度和電流的函數(shù)移到可接受的操作區(qū)域之外則采取一行動。
根據(jù)一實施例的一種系統(tǒng)包括磁介質(zhì)；以及用于讀和寫所述磁介質(zhì) 的頭，其中所述^f茲介質(zhì)和第二存儲器中的至少一個上存儲有計算機編碼，所 述編碼在執(zhí)行時使驅(qū)動器進行下面的操作
使用加熱裝置在記錄操作期間在磁介質(zhì)上引起局部加熱；
檢測所述加熱裝置附近的溫度；
才企測所述加熱裝置的電流；以及
如果所述溫度和電流的至少 一種的函數(shù)在可接受的操作區(qū)域之外則采 取一行動。
本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點將從下面結(jié)合附圖的詳細描述變得顯然，附圖 以示例方式示出本發(fā)明的原理。


為了全面理解本發(fā)明的本質(zhì)和優(yōu)點，以及優(yōu)選使用模式，請結(jié)合附圖參 考下面的詳細描述。
圖1是^f茲記錄盤驅(qū)動系統(tǒng)的筒圖。
圖2A是利用縱向記錄形式的記錄介質(zhì)的剖面示意圖。
圖2B是用于圖2A的縱向記錄的常規(guī)磁記錄頭和記錄介質(zhì)組合的示意圖。
圖2C是利用垂直記錄形式的^ 茲記錄介質(zhì)。
圖2D是用于在一面進行垂直記錄的記錄頭和記錄介質(zhì)組合的示意圖。 圖2E是本發(fā)明的記錄裝置的示意圖，與圖2D的類似，但用于分別在 介質(zhì)的兩面進行記錄。
圖3是位長度的圖示。
圖4是磁介質(zhì)的記錄層中的材料的矯頑力與溫度的曲線圖。 圖5是用于局部加熱磁介質(zhì)以用于熱輔助寫入的系統(tǒng)的系統(tǒng)圖。 圖6是激光器中值壽命與溫度倒數(shù)的關(guān)系的曲線圖，電流過載(current overstress )疊加在曲線圖的頂軸上。
圖7是根據(jù)一實施例的處理的流程圖。 圖8是#4居一實施例的處理的流程圖。 圖9是根據(jù)一實施例的處理的流程圖。
具體實施例方式
下面的描述是用于示出本發(fā)明的基本原理，而無意限制這里要求保護的 發(fā)明概念。此外，這里描述的特定特征能以各種可行組合和替代的形式與這 里描述的其他特征組合使用。
除非這里另外明確定義，否則全部術(shù)語給出其最寬可行解釋，包括說明 書隱含的意義，以及本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的和/或字典、論文等中定義的意義。
下面的描述公開了磁存儲系統(tǒng)的若干優(yōu)選實施例，以及其操作和/或組成 部件，和/或用于》茲存儲系統(tǒng)的測試/可靠性系統(tǒng)和方法。
在一普通實施例中， 一種方法包括使用加熱裝置，在記錄操作期間在 磁介質(zhì)上引起局部加熱；檢測加熱裝置附近的溫度；檢測加熱裝置的電流； 以及如果溫度和電流的至少一種的函數(shù)(function)在可接受的操作區(qū)域之 外則采耳又一4亍動。
在另一普通實施例中， 一種方法包括選擇加熱裝置的初始電流以用于 在記錄操作期間在磁介質(zhì)上引起局部加熱；啟動所述加熱裝置；進行記錄操 作；在記錄操作期間監(jiān)視加熱裝置附近的溫度；以及如果溫度和電流的函數(shù) 在可接受的操作區(qū)域之外，則改變操作參數(shù)使得溫度和電流的函數(shù)處于可接 受的操作區(qū)域內(nèi)。
在另一普通實施例中， 一種方法包括在記錄操作期間監(jiān)視用于在磁介 質(zhì)上引起局部加熱的加熱裝置附近的溫度；纟全測加熱裝置的電流；如果溫度 和電流的函數(shù)移到可接受的操作區(qū)域之外則采取一行動。
在另一普通實施例中，系統(tǒng)例如驅(qū)動器或驅(qū)動器陣列、計算機等實現(xiàn)這 里公開的方法。
現(xiàn)在參照圖1，示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的盤驅(qū)動器100。如圖1所示， 至少一個可旋轉(zhuǎn)的》茲盤112支承于主軸(Spindle ) 114上且被盤驅(qū)動馬達118
旋轉(zhuǎn)。每個盤上的磁記錄是盤112上環(huán)形圖案的同心數(shù)據(jù)道(未示出)的形式。
至少一個滑塊113位于盤112附近，每個滑塊113支承一個或更多磁讀 /寫頭121。當盤旋轉(zhuǎn)時，滑塊113徑向移動進出于盤表面112之上，從而頭 121可訪問盤的記錄所需數(shù)據(jù)的不同的道。每個滑塊113借助于懸臂115連 接至致動臂119。懸臂H5提供微小的彈力，其偏置滑塊113倚靠著盤表面
7122。每個致動臂119連接至致動裝置127。如圖1所示的致動裝置127可以 是音圈馬達(VCM)。 VCM包括可在固定磁場中移動的線圈，線圈移動的 方向和速度被控制器129提供的馬達電流信號所控制。
在盤存儲系統(tǒng)操作期間，盤112的旋轉(zhuǎn)在滑塊113與盤表面122之間產(chǎn) 生氣墊，其對滑塊施加向上的力或舉力。因此在正常運行期間氣墊平衡懸臂 115的微小的彈力并支承滑塊113離開盤表面且稍微位于盤表面上方一小的 基本恒定的間距處。
盤存儲系統(tǒng)的各種部件運行時被控制單元129產(chǎn)生的控制信號例如訪問 控制信號和內(nèi)部時鐘信號所控制。通常，控制單元129包括邏輯控制電路、 存儲裝置和微處理器?？刂茊卧?29產(chǎn)生控制信號以控制各種系統(tǒng)操作，例 如線123上的驅(qū)動馬達控制信號和線128上的頭定位和尋道控制信號。線128 上的控制信號提供期望的電流曲線以優(yōu)化地移動和定位滑塊113到盤112上 的期望數(shù)據(jù)道。讀和寫信號借助于記錄通道125傳達到讀/寫頭121且從讀/ 寫頭121傳出。
上面對普通磁盤存儲系統(tǒng)的描述以及圖1的圖示僅用于說明。應意識到， 盤存儲系統(tǒng)可包括多個盤和致動器，每個致動器可支承多個滑塊。
還可為盤驅(qū)動器和主機(集成或外置)之間的通訊提供接口以發(fā)送和接 收數(shù)據(jù)且用于控制盤驅(qū)動器的操作以及將盤驅(qū)動器的狀態(tài)傳達到主機，全部 都如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的那樣。
在普通的頭中，感應寫頭包括嵌入在一個或更多絕緣層(絕緣堆疊)中 的線圈層，該絕緣堆疊位于第一和第二極片層之間。在寫頭的氣墊面(ABS) 處，間隙通過間隙層形成于第一和第二極片層之間。極片層可以在背間隙處 連接。電流傳導通過線圈層，其在極片中產(chǎn)生磁場。磁場跨過ABS處的間 隙彌散以用于寫f茲場信息的位在移動介質(zhì)上的道中，例如在旋轉(zhuǎn)〗磁盤上的環(huán) 形道中。
第二極片層具有從ABS延伸到展開點(flare point)的極尖部分和從展 開點延伸到背間隙的軛部分。展開點是第二極片開始變寬(展開)以形成軛 的位置。展開點的布置直接影響產(chǎn)生來在記錄介質(zhì)上寫信息的磁場的幅度。 因為磁通在沿窄的第二極尖的長度行進時衰減，所以縮短第二極尖將增大到 達記錄介質(zhì)的磁通。因此，通過積極地將展開點放置得接近ABS能優(yōu)化性
6匕 3匕。圖2A示意性示出常規(guī)記錄介質(zhì)，例如與常規(guī)磁盤記錄系統(tǒng)一起使用的 記錄介質(zhì)，諸如圖3A所示的。該介質(zhì)用于在介質(zhì)本身的平面內(nèi)或平行于該 平面記錄磁脈沖。記錄介質(zhì)(該示例中為記錄盤)基本上包括合適的非磁材 料例如玻璃的支承襯底200和上面的合適的常規(guī)石茲層的涂層202。
圖2B示出常規(guī)記錄/回放頭204 (可優(yōu)選為薄膜頭)與常規(guī)記錄介質(zhì)(例 如圖2A所示的)之間的操作關(guān)系。
圖2C示意性示出基本垂直于記錄介質(zhì)表面的磁脈沖取向。對于這樣的 垂直記錄，介質(zhì)包括具有高磁導率的材料的下層212。該下層212又提供有 上面的優(yōu)選相對于下層212具有高矯頑力的磁材料的涂層214。
圖2C和2D (未按比例繪制)示出具有垂直頭218的存儲系統(tǒng)的兩個實 施例。圖2D所示的記錄介質(zhì)包括上面關(guān)于圖2C描述的高磁導率下層212 和上面的》茲材料涂層214兩者。然而，這些層212和214都示出為應用到合 適的襯底216。通常還有稱為"交換中斷"層或"中間層，，的額外層(未示 出)在層212與214之間。
通過該結(jié)構(gòu)，在記錄頭的極之間延伸的磁通量線環(huán)行進出記錄介質(zhì)涂層 的外表面，記錄介質(zhì)的高磁導率下層使磁通線沿基本垂直于介質(zhì)表面的方向 穿過該涂層，乂人而以其石茲化軸基本垂直于介質(zhì)表面的石l^永沖的形式記錄信息 在介質(zhì)的硬》茲涂層中。磁通通過軟-茲下涂層212引導返回到頭218的返回層 (Pl)。
圖2E示出類似結(jié)構(gòu)，其中襯底216在其兩個相反面的每個上承載層212 和214，合適的記錄頭218與介質(zhì)每個面上的石茲涂層214的外表面相鄰地定 位。
磁記錄的持續(xù)目標在于最大化磁介質(zhì)的每單位面積存儲的位的數(shù)量。這 樣做的一種途徑是增大介質(zhì)上每道的位數(shù)，例如通過減小沿數(shù)據(jù)道方向的位 長度。參照圖3，示出磁介質(zhì)上位長度(L)減小的進展，大致稱為第A代、 第B代和第C代。然而，減小位長度能導致由于諸如熱擾動的問題引起的 數(shù)據(jù)從盤丟失。特別地，隨著位尺寸減小，反轉(zhuǎn)位的^茲極所需的能量作為體 積比溫度的函數(shù)而減小，如公式l所示
E-AV/kT 公式l, 其中E是反轉(zhuǎn)位的極性所需的能量或熱，V是位所占據(jù)的磁介質(zhì)的體積，A 是介質(zhì)中磁晶粒的各向異性，k是玻爾茲曼常數(shù)，T是溫度。隨著體積減小，
9反轉(zhuǎn)位所需的能量減小，且熱擾動能導致數(shù)據(jù)丟失。由于減小位的體積是期
望的，但是數(shù)據(jù)丟失是不能接受的，所以在工作溫度下位材料的各向異性必
須較高從而防止位由于例如熱擾動而反轉(zhuǎn)，該反轉(zhuǎn)能導致數(shù)據(jù)丟失。因此，
選擇具有更高各向異性的磁介質(zhì)是期望的。
向具有非常高的矯頑力的磁介質(zhì)進行寫入變得困難，因為磁介質(zhì)的增大
的各向異性或矯頑力使得盤對寫入(改變位的取向)更加抵抗。為了克服對
寫入的增大的抵抗性，磁介質(zhì)可被加熱以減d 、使磁位再取向所需的磁通量。
圖4公開了矯頑力(以奧斯特制測量)對溫度(以開爾文制測量)的曲線圖
400 (僅是示例性的)。如圖所示，在室溫(RT)下，^茲介質(zhì)的矯頑力在實際 可寫的矯頑力水平(如虛線405所示)之上，在虛線405之下對盤的寫入是 可行的，優(yōu)選用常規(guī)寫入技術(shù)，在虛線405之上石茲介質(zhì)是穩(wěn)定的且熱擾動不 容易導致位反轉(zhuǎn)。磁介質(zhì)可被加熱以減小矯頑力到闊值405之下，允許對磁
介質(zhì)寫入。因此，通過加熱石茲介質(zhì)，；磁介質(zhì)將進入能更容易地使位取向的狀 態(tài)，由此使得數(shù)據(jù)存儲在^t介質(zhì)上。
圖5示出局部加熱磁介質(zhì)501以用于熱輔助寫入的系統(tǒng)。磁介質(zhì)501沿 箭頭504的方向移動。就在被加熱的部分到達頭的寫極503之前，加熱裝置 502例如利用激光束506加熱》茲介質(zhì)。這導致由于與頭的寫極503相鄰的介 質(zhì)的溫度增大而磁介質(zhì)具有減小的各向異性。在磁介質(zhì)501的被加熱的部分 移動經(jīng)過頭的寫極503之后，磁介質(zhì)501的溫度迅速降低從而磁介質(zhì)501的 各向異性回到較高的、更穩(wěn)定的水平。
示例性加熱裝置可使用光束、電子束、輻照等。例如，激光可被使用。 在另一方法中，電子發(fā)射體可釆用電子錐(electron cone)以將從其發(fā)射的 電子聚焦到介質(zhì)上。
使用諸如激光器的加熱裝置加熱磁介質(zhì)時遇到的一個問題是，很多加熱 裝置由于過熱或電流過載而易于失效。使用激光器作為示例性加熱裝置，激 光器必須能夠加熱磁介質(zhì)至足夠高的溫度以降低磁材料的各向異性至能夠 產(chǎn)生記錄的程度，但系統(tǒng)中的損耗4艮可能因激光器/頭而異。因此，激光器有 時會變熱和/或高于期望的電流水平。這又會降低加熱裝置的壽命。 一旦加熱 裝置失效，z磁介質(zhì)會不能寫入。下面的說明公開了與加熱裝置有關(guān)的用于品 質(zhì)保證、報警、調(diào)整等的幾種方法。
繼續(xù)利用激光器作為示例性加熱裝置，圖6公開了激光器中值壽命(小時的對數(shù)坐標)與溫度倒數(shù)的關(guān)系的曲線圖600，電流過載疊加在曲線圖的 頂軸上(任意電流單位的對數(shù)坐標)。隨著點從圖左向右移動，溫度倒數(shù)和
電流都增加。隨著點向圖上部移動，激光器的壽命增加。線601是失效線，
表示隨著激光器溫度增加，激光器將遭受熱疲勞或失效，導致由于增加溫度
引起的較短的激光器壽命。線602是失效線，表示隨著輸入到激光器的電流 增加，激光器將遭受電流過載疲勞或失效，導致隨電流增加而較短的激光器 壽命。線601和線602下方呈現(xiàn)的區(qū)域603是用于激光器的優(yōu)選的操作范圍， 從而確保激光器不會由于過熱或電流過載而失效，且點605是用于最大化激 光器壽命并避免激光器失效的理想操作條件。線601和線602上方呈現(xiàn)的區(qū) 域604表示會導致過早的激光器失效的操作范圍。
圖7示出根據(jù)一實施例的方法700。作為選項，本方法700可在圖1-6 的功能和架構(gòu)的環(huán)境中實現(xiàn)。然而，方法700當然可以在任何所需環(huán)境中實 現(xiàn)。還應該注意，上述定義在本說明書中都適用。
繼續(xù)參照圖7，在操作702中，使用加熱裝置來在記錄操作期間在磁介 質(zhì)上引M部加熱。上面的描述示出了用于引起這樣的局部加熱的可行方法 和裝置，盡管任何類型的加熱裝置都可以采用。
在操作704中，加熱裝置附近的溫度被檢測，例如在驅(qū)動器中的某處， 其可以是加熱裝置上或附近的溫度、滑塊或頭上或附近的溫度、外殼角落或 側(cè)面附近的環(huán)境溫度等。該溫度測量可利用置于加熱裝置附近的熱偶 (thermocouple)完成。該溫度也可以通過分析讀回信號確定，該讀回信號 的強度是溫度的函數(shù)。盡管這測量加熱裝置的環(huán)境溫度，但是其作為激光器 操作溫度的足夠近似。
在操作706中，檢測加熱裝置的電流，例如通過監(jiān)視控制加熱裝置的電 路的饋線(feed line)或地線、加熱裝置的電源水平等。為了測量激光器的 電流，電阻可與激光器的電流路徑串聯(lián)，對應于該電流的電壓可施加到控制 裝置。
在操作708中，如果溫度和/或電流的函數(shù)在可接受的操作區(qū)域之外則采 取一行動，該區(qū)域可預先確定。在一種方法中，溫度和電流的函數(shù)包括溫度 和電流的乘積或總和。用于計算這樣的乘積或總和的示意性公式如下所示
尸< iog(r + 乂 + 乂) 公式2
iip < iog(r +爿+ r + /z) 戶< iog(r +附)
P < log(^ + ")
公式3 公式4 公式5
其中T是溫度，A是電流，t是時間(例如加熱器工作的時間、驅(qū)動器使用 的時間、 一些重復的時間周期等)，j、 h、 m和n是一些常數(shù)或變量。相應 地，當函數(shù)P高于預定的閾值，即在可接受的操作區(qū)域外時，則采取一些行 動。這些公式的派生和/或組合也可被采用。
如上所述，可以采取一種或多種行動。在一種方法中，激光器的輸出可 通過控制裝置調(diào)整至處于優(yōu)選操作范圍之內(nèi)。
在另一方法中，釆取行動包括輸出警報。這種警報可觸發(fā)或包括給用戶 的表示存儲系統(tǒng)和/或其部件(例如頭)的可能故障的輸出。這樣的警報還可 以或者替代地推薦或指示用戶備份存儲裝置上存儲的數(shù)據(jù)。其它類型的警報 也可提供給用戶、管理員等。此外，這樣的警報可采用圖形警才良、聲音警報、 電子消息等方式。
在又一方法中，所述行動包括禁用加熱裝置。這種禁用可以是臨時或永 久的。在前一情況中， 一旦溫度足夠低使得溫度和電流的函數(shù)回到可接受的 操作區(qū)域中，則加熱裝置可被啟用。在后一情況中，盡管這會停用特定頭的 寫入器(writer),但只要頭上的傳感器可操作則已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)可以讀回。 相應地，在具有多個頭的一實施例中，驅(qū)動器只是以降低的重寫能力繼續(xù)操 作。在其它方法中，在盤的面對所述加熱裝置的面上存在的數(shù)據(jù)被拷貝到盤 的另一面和/或其它盤。
在再一方法中，采取行動包括減小加熱裝置的電流。優(yōu)選地，電流減小 到足以使函數(shù)返回到可接受的區(qū)域。這種方法在制造、質(zhì)量保證測試期間和 /或使用中的驅(qū)動器中尤其有用。同樣，系統(tǒng)中的損耗因裝置而異，因此，這 種方法允許調(diào)整系統(tǒng)以提供可接受的寫入配置且同時最大化加熱裝置的壽 命。相應地，在一普通實施例中，可采用迭代(iterative)方法設(shè)置加熱裝置 的電流。例如，記錄操作期間可監(jiān)視溫度和/或功率且測量讀回信號。電流可 以是交互過程的一部分，該交互過程中讀回信號被最大化至一點，該點處加 熱裝置(或頭本身)的預期壽命在可接受范圍內(nèi)。
在加熱裝置的電流被減d 、的實施例中，加熱裝置以減小的電流使用以在 用于寫數(shù)據(jù)到磁介質(zhì)的記錄操作期間在磁介質(zhì)上引起局部加熱。嘗試從磁介質(zhì)讀該數(shù)據(jù)，如果數(shù)據(jù)從》茲介質(zhì)成功讀出，則以減小的電流進行進一步的記 錄操作。如果數(shù)據(jù)沒有從磁介質(zhì)成功讀出，則可以進行例如前述的進一步行 動。例如，該進一步行動可包括輸出警報、進一步減小加熱裝置的電流、禁 用加熱裝置等中的一種或多種。
圖8示出根據(jù)另一實施例的方法800。在操作802中，選擇加熱裝置的 初始電流以用于在記錄操作期間在磁介質(zhì)上引起局部加熱。在操作804中， 啟動所述加熱裝置。在操作806中，進行記錄操作。在操作808中，在記錄 操作期間監(jiān)視加熱裝置附近的溫度，如果溫度和電流的函數(shù)在可接受的操作 區(qū)域之外，則在操作810中改變操作參數(shù)使得溫度和電流的函數(shù)處于可接受 的操作區(qū)域之內(nèi)。
在一方法中，改變操作參數(shù)包括減小加熱裝置的電流。在一示例性實施 例中，加熱裝置以減小的電流使用以在用于寫入數(shù)據(jù)到磁介質(zhì)的記錄操作中 在磁介質(zhì)上引起局部加熱。然后再次監(jiān)視加熱裝置附近的溫度，并嘗試從磁 介質(zhì)讀該數(shù)據(jù)。如果數(shù)據(jù)乂人;茲介質(zhì)成功讀出，則以減小的電流進行進一步的 記錄操作。如果數(shù)據(jù)沒有從一磁介質(zhì)成功讀出，則進行例如前述的進一步行動。
在另一方法中，改變操作參數(shù)包括減小用來引起熱突出的加熱器的電 流。這會降低加熱裝置附近的溫度。
同樣，加熱裝置可以是激光器或其它類型的加熱裝置。另外，函數(shù)同樣 可以是溫度和/或電流的乘積。
圖9示出了根據(jù)再一實施例的方法900。在操作902中，在記錄操作期 間監(jiān)視用于在磁介質(zhì)上引起局部加熱的加熱裝置附近的溫度，然后在操作 904中檢測加熱裝置的電流，以及在操作906中，如果溫度和電流的函數(shù)移 到可接受的操作區(qū)域之外則采取一行動。
同樣，采取行動可包括輸出警報、臨時禁用加熱裝置、最小化加熱裝置 的使用(諸如通過優(yōu)選地在正常操作期間使用其它頭寫入)等。
應該注意，這里給出的用于各種實施例中的至少一些的方法可以全部或 部分地以硬件(例如邏輯電路)、軟件、手工、使用專用設(shè)備等和其組合來 實現(xiàn)。
本發(fā)明的實施例還能以計算機程序產(chǎn)品的形式提供，該計算機程序產(chǎn)品 包括其上具有計算機編碼的計算機可讀介質(zhì)。計算機可讀介質(zhì)可包括能夠存 儲用于計算機使用的計算機編碼的任何介質(zhì)，包括光學介質(zhì)例如只讀和可寫
13CD和DVD、磁存儲器、半導體存儲器(例如閃存和其它便攜存儲卡等)、 RAM等。另外，這樣的軟件是可下載的或另外地能從一個計算裝置通過網(wǎng) 絡(luò)、無線連接、非易失存儲裝置等傳送到另一計算裝置。
雖然上面已經(jīng)描述了各種實施例，但是將理解，它們僅以示例的方式給 出，而不是用于限制。因此，優(yōu)選實施例的幅度和范圍不應受到任何上述示 范性實施例的限制，而應僅由所附權(quán)利要求及其等價物定義。
權(quán)利要求
1. 一種方法，包括使用加熱裝置，在記錄操作期間在磁介質(zhì)上引起局部加熱；檢測所述加熱裝置附近的溫度；檢測所述加熱裝置的電流；以及如果所述溫度和電流的至少一種的函數(shù)在可接受的操作區(qū)域之外，則采取一行動。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述加熱裝置是激光器。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在封閉所述磁介質(zhì)的殼中利用熱偶檢 測所述溫度。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中利用從所述》茲介質(zhì)讀出數(shù)據(jù)的傳感器 -險測所述溫度。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述函數(shù)包括所述溫度和所述電流的 乘積。
6. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中采取所述行動包括輸出警報。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中采取所述行動包括禁用所述加熱裝置。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中在所述溫度和電流的函數(shù)回到所述可 接受的操作區(qū)域內(nèi)時，重新啟用所述加熱裝置。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中采取所述行動包括減小所述加熱裝置 的電流。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，還包括以減小的電流使用所述加熱裝置，在用于寫數(shù)據(jù)到磁介質(zhì)的記錄操作期 間在該》茲介質(zhì)上？ 1起局部加熱；嘗試/人所述》茲介質(zhì)讀所述數(shù)據(jù)；如果所述數(shù)據(jù)從^茲介質(zhì)成功讀出，則以減小的電流進行進一步的記錄操 作；以及如果所述數(shù)據(jù)沒有從所述,茲介質(zhì)成功讀出，則采取進一步行動。
11. 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中采取進一步行動包括輸出警報、進 一步減小所述加熱裝置的電流和禁用所述加熱裝置中的至少一種。
12. —種方法，包4舌選擇加熱裝置的初始電流以用于在記錄操作期間在磁介質(zhì)上引起局部力口熱 ，啟動所述加熱裝置； 進行記錄操作；在所述記錄操作期間監(jiān)視所述加熱裝置附近的溫度；以及 如果所述溫度和所述電流的函數(shù)在可接受的操作區(qū)域之外，則改變操作 參數(shù)以使得所述溫度和電流的函數(shù)處于可接受的操作區(qū)域內(nèi)。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中改變所述操作參數(shù)包括減小所述加 熱裝置的電流。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，還包括以所述減小的電流使用所述加熱裝置，在用于寫入數(shù)據(jù)到磁介質(zhì)的記錄 4喿作期間在》茲介質(zhì)上弓1起局部加熱； 再次監(jiān)視所述加熱裝置附近的溫度； 嘗試從所述磁介質(zhì)讀所述數(shù)據(jù)；如果所述數(shù)據(jù)從所述》茲介質(zhì)成功讀出，則以所述減小的電流進行進一步 的記錄操作；如果所述數(shù)據(jù)沒有從所述磁介質(zhì)成功讀出，則采取進一步行動。
15. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中改變所述操作參數(shù)包括減小加熱器 的電流，所述加熱器用于選擇性地引起熱突出。
16. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述加熱裝置是激光器。
17. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述函數(shù)包括所述溫度和所述電流 的乘積。
18. —種方法，包括在記錄操作期間監(jiān)視用于在磁介質(zhì)上引起局部加熱的加熱裝置附近的 溫度;檢測所述加熱裝置的電流；以及如果所述溫度和電流的函數(shù)移到可接受的操作區(qū)域之外，則采取一行動。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中采取所述行動包括輸出警報。
20. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中采取所述行動至少包括臨時禁用所述加熱裝置。
21. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中采取所述行動包括最小化所述加熱 裝置的使用。
22. —種系統(tǒng)，包括 磁介質(zhì)；及用于讀和寫所述i茲介質(zhì)的頭，其中所述磁介質(zhì)和第二存儲器中的至少一個上存儲有計算機編碼，所述 編碼在執(zhí)行時使得驅(qū)動器進行下面的操作使用加熱裝置，在記錄操作期間在磁介質(zhì)上5)起局部加熱； 檢測所述加熱裝置附近的溫度； 沖企測所述加熱裝置的電流；以及如果所述溫度和電流的至少 一種的函數(shù)在可接受的操作區(qū)域之外， 則采耳又一行動。
23. 如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中所述加熱裝置是激光器。
24. 如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中在封閉所述^茲介質(zhì)的殼中利用熱偶 4全測所述溫度。
25. 如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中利用從所述磁介質(zhì)讀出數(shù)據(jù)的傳感 器^r測所述溫度。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于熱輔助記錄系統(tǒng)的方法、系統(tǒng)和計算機程序產(chǎn)品。根據(jù)一實施例的一種方法包括使用加熱裝置，在記錄操作期間在磁介質(zhì)上引起局部加熱；檢測所述加熱裝置附近的溫度；檢測所述加熱裝置的電流；以及如果溫度和電流的至少一種的函數(shù)在可接受的操作區(qū)域之外則采取一行動。根據(jù)另一實施例的一種方法包括選擇加熱裝置的初始電流以用于在記錄操作期間在磁介質(zhì)上引起局部加熱；啟動所述加熱裝置；進行記錄操作；在所述記錄操作期間監(jiān)視所述加熱裝置附近的溫度；以及如果所述溫度和所述電流的函數(shù)在可接受的操作區(qū)域之外，則改變操作參數(shù)使得所述溫度和電流的函數(shù)處于可接受的操作區(qū)域內(nèi)。
文檔編號G11B11/105GK101499297SQ20091000338
公開日2009年8月5日 申請日期2009年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者杰弗里·S·利爾 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司