本申請涉及計(jì)算機(jī)存儲，特別是涉及一種存儲裝置的編程驗(yàn)證方法和編程方法、電子設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、nand閃存中存在的錯誤由多種效應(yīng)引起的噪聲所造成，主要包括編程/擦除噪聲、數(shù)據(jù)保留噪聲、讀干擾和編程干擾噪聲。其中，讀干擾和數(shù)據(jù)保留噪聲所引發(fā)的可靠性問題在nand閃存中廣泛存在，成為nand閃存錯誤的主要來源。如何提升nand閃存的可靠性當(dāng)前已成為國內(nèi)外科研院所和產(chǎn)業(yè)界研究的熱點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N存儲裝置的編程驗(yàn)證方法和編程方法、電子設(shè)備及介質(zhì)。

2、本申請采用的一個技術(shù)方案是提供一種存儲裝置的編程驗(yàn)證方法，存儲裝置包括至少一個存儲塊，每一存儲塊包括至少一個存儲頁，每一存儲頁包括若干存儲單元，方法包括：

3、在目標(biāo)存儲塊中目標(biāo)存儲頁的目標(biāo)存儲單元編程結(jié)束后，獲取編程態(tài)的目標(biāo)存儲單元的第一電壓；

4、響應(yīng)于第一電壓大于第一驗(yàn)證電壓，判斷擦除態(tài)的存儲單元的當(dāng)前第二電壓是否大于第二驗(yàn)證電壓；其中，第一驗(yàn)證電壓大于第二驗(yàn)證電壓；

5、若否，則確定所述目標(biāo)存儲頁編程成功；

6、若是，則確定所述目標(biāo)存儲塊編程失敗。

7、其中，第二驗(yàn)證電壓大于目標(biāo)存儲塊的預(yù)設(shè)閾值電壓，其中，預(yù)設(shè)擦除態(tài)電壓為存儲塊在壽命終期的擦除態(tài)閾值電壓。

8、其中，第二驗(yàn)證電壓大于預(yù)設(shè)最低閾值電壓；其中，預(yù)設(shè)最低閾值電壓為多個存儲塊中擦除態(tài)的閾值電壓最高的存儲塊在壽命終期對應(yīng)的擦除態(tài)閾值電壓。

9、其中，第二驗(yàn)證電壓小于數(shù)據(jù)讀取電壓。

10、其中，第一驗(yàn)證電壓大于數(shù)據(jù)讀取電壓。

11、其中，響應(yīng)于第一電壓小于或等于第一驗(yàn)證電壓，判斷目標(biāo)存儲單元的當(dāng)前編程脈沖的脈沖電壓的次數(shù)是否到達(dá)閾值次數(shù)；

12、若是，則確定目標(biāo)存儲塊編程失?。?/p>

13、若否，則增加當(dāng)前編程脈沖的脈沖電壓值，并增加當(dāng)前脈沖的脈沖次數(shù)；

14、利用增加脈沖電壓值后的當(dāng)前編程脈沖對目標(biāo)存儲單元編程。

15、其中，確定目標(biāo)存儲塊編程失敗之后，包括：

16、對存儲裝置中的下一個存儲塊進(jìn)行編程操作。

17、本申請采用的另一個技術(shù)方案是提供一種存儲裝置的編程方法，方法應(yīng)用于電子設(shè)備，電子設(shè)備包括處理器與處理器耦接的存儲裝置，存儲裝置包括至少一個存儲塊，每一存儲塊包括至少一個存儲頁，每一存儲頁包括若干存儲單元，方法包括：

18、向存儲裝置發(fā)送編程指令，以使存儲裝置向目標(biāo)存儲塊進(jìn)行編程操作；

19、接收編程失敗信號或編程成功信號；

20、其中，編程失敗信號或編程成功信號由以下方式得到：

21、在存儲裝置在目標(biāo)存儲塊中目標(biāo)存儲頁的目標(biāo)存儲單元編程結(jié)束后，獲取編程態(tài)的目標(biāo)存儲單元的第一電壓；

22、響應(yīng)于第一電壓大于第一驗(yàn)證電壓，判斷擦除態(tài)的存儲單元的第二電壓是否大于第二驗(yàn)證電壓；其中，第一驗(yàn)證電壓大于第二驗(yàn)證電壓；

23、若否，則確定編程態(tài)的目標(biāo)存儲頁編程成功，向處理器反饋編程成功信號；

24、若是，則確定編程態(tài)的目標(biāo)存儲塊編程失敗，向處理器反饋編程失敗信號。

25、本申請采用的另一個技術(shù)方案是提供一種電子設(shè)備，電子設(shè)備包括處理器與處理器耦接的存儲裝置，存儲裝置包括多個存儲塊，每一存儲塊包括若干存儲單元，處理器和存儲裝置配合，以實(shí)現(xiàn)如上述的編程驗(yàn)證方法和/或編程方法。

26、本申請采用的另一個技術(shù)方案是提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)用于存儲程序數(shù)據(jù)，程序數(shù)據(jù)在被計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)，用以實(shí)現(xiàn)如上述的編程驗(yàn)證方法和/或編程方法。

27、本申請的有益效果是：在目標(biāo)存儲塊中目標(biāo)存儲頁的目標(biāo)存儲單元的編程結(jié)束后，獲取目標(biāo)存儲單元的第一電壓，當(dāng)?shù)谝浑妷捍笥诘谝或?yàn)證電壓時(shí)，判斷擦除態(tài)的目標(biāo)單元的第二電壓是否大于第二驗(yàn)證電壓，若是則確定目標(biāo)存儲塊編程失敗，若否則確定目標(biāo)存儲頁編程成功。本申請的編程驗(yàn)證方法能夠針對目標(biāo)存儲頁的存儲單元在編程中，擦除態(tài)的存儲單元可能出現(xiàn)的擦除電壓過大而引起的目標(biāo)存儲頁讀干擾問題，提供一種可行的編程驗(yàn)證方式，提高了目標(biāo)存儲頁的數(shù)據(jù)可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種存儲裝置的編程驗(yàn)證方法，其特征在于，所述存儲裝置包括至少一個存儲塊，每一所述存儲塊包括至少一個存儲頁，每一所述存儲頁包括若干存儲單元，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二驗(yàn)證電壓大于所述目標(biāo)存儲塊的預(yù)設(shè)閾值電壓，其中，預(yù)設(shè)閾值電壓為所述存儲塊在壽命終期的擦除態(tài)閾值電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二驗(yàn)證電壓大于預(yù)設(shè)最低閾值電壓；其中，所述預(yù)設(shè)最低閾值電壓為多個存儲塊中擦除態(tài)的閾值電壓最高的存儲塊在壽命終期對應(yīng)的擦除態(tài)閾值電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述方法，其特征在于，所述第二驗(yàn)證電壓小于數(shù)據(jù)讀取電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一驗(yàn)證電壓大于所述數(shù)據(jù)讀取電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，響應(yīng)于所述第一電壓小于或等于所述第一驗(yàn)證電壓，判斷所述目標(biāo)存儲單元的當(dāng)前編程脈沖的脈沖次數(shù)是否大于或等于閾值次數(shù)；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定所述目標(biāo)存儲塊編程失敗之后，包括：

8.一種存儲裝置的編程方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括處理器與所述處理器耦接的存儲裝置，所述存儲裝置包括至少一個存儲塊，每一所述存儲塊包括至少一個存儲頁，每一所述存儲頁包括若干存儲單元，所述方法包括：

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括處理器與所述處理器耦接的存儲裝置，所述存儲裝置包括多個存儲塊，每一所述存儲塊包括若干存儲單元，所述處理器和所述存儲裝置配合，以實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的方法。

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲介質(zhì)存儲有程序指令，所述程序指令被執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的方法。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了存儲裝置的編程驗(yàn)證方法和編程方法、電子設(shè)備及介質(zhì)，該編程驗(yàn)證方法包括：在目標(biāo)存儲塊中目標(biāo)存儲頁的目標(biāo)存儲單元編程結(jié)束后，獲取編程態(tài)的目標(biāo)存儲單元的第一電壓；響應(yīng)于第一電壓大于第一驗(yàn)證電壓，判斷擦除態(tài)的存儲單元的第二電壓是否大于第二驗(yàn)證電壓；其中，第一驗(yàn)證電壓大于第二驗(yàn)證電壓；若否，則確定目標(biāo)存儲頁編程成功；若是，則確定目標(biāo)存儲塊編程失敗。本申請的編程驗(yàn)證方法能夠針對目標(biāo)存儲頁的存儲單元在編程中，擦除態(tài)的存儲單元可能出現(xiàn)的閾值電壓過大而引起的目標(biāo)存儲頁讀干擾問題，提供一種可行的編程驗(yàn)證方式，提高了目標(biāo)存儲頁的數(shù)據(jù)可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：宣鑫科,陶偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海江波龍數(shù)字技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21