基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]為了減少工藝變化對(duì)閃存等電路性能的影響,越來越多的模擬電壓需要修整(trimming),即測(cè)量和調(diào)節(jié)。為了降低嵌入式快閃記憶體(EFlash)測(cè)試成本,同測(cè)數(shù)越來越多,而模擬電壓的量測(cè)只能順序執(zhí)行。
[0003]而且,測(cè)試趨勢(shì)在于,模擬電路的測(cè)量和調(diào)節(jié)在測(cè)試流程中所占成本的比重越來越高。所以,為了控制測(cè)試成本,降低模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的時(shí)間勢(shì)在必行。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷,提供一種能夠降低模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的時(shí)間的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,根據(jù)本發(fā)明,提供了一種基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,包括:將模擬電壓的輸出端口當(dāng)作存儲(chǔ)器的輸出連接至存儲(chǔ)器測(cè)試儀的測(cè)試輸入端口 ;在存儲(chǔ)器測(cè)試儀中設(shè)定第一比較電壓和第二比較電壓作為模擬電壓調(diào)節(jié)的目標(biāo)范圍;使得模擬電壓的輸出端口輸出多個(gè)模擬電壓值,并且按順序依次輸入存儲(chǔ)器測(cè)試儀,以讀取輸入的模擬電壓值在存儲(chǔ)器測(cè)試儀中測(cè)得的結(jié)果,而且將讀取的結(jié)果存入預(yù)定文檔;從所述預(yù)定文檔里取出讀取的結(jié)果,查找出讀O和讀I都失敗的結(jié)果所對(duì)應(yīng)的模擬電壓值輸入范圍;將模擬電壓值輸入范圍內(nèi)的中間電壓值選擇為最佳測(cè)試電壓值。
[0006]優(yōu)選地,第一比較電壓大于第二比較電壓。
[0007]優(yōu)選地,存儲(chǔ)器測(cè)試儀在輸入的模擬電壓值大于第一比較電壓時(shí)輸出結(jié)果I。
[0008]優(yōu)選地,存儲(chǔ)器測(cè)試儀在輸入的模擬電壓值小于第二比較電壓時(shí)輸出結(jié)果O。
[0009]優(yōu)選地,存儲(chǔ)器測(cè)試儀在輸入的模擬電壓值小于第一比較電壓且大于第二比較電壓時(shí)輸出讀O和讀I都失敗的結(jié)果。
[0010]優(yōu)選地,按順序?yàn)橛傻偷礁叩捻樞?br>[0011]優(yōu)選地,按順序?yàn)橛傻偷礁叩捻樞颉?br>[0012]優(yōu)選地,所述多個(gè)模擬電壓值中的相鄰兩個(gè)模擬電壓值之間的電壓差相等。
[0013]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法能夠替代復(fù)雜的精密測(cè)量單元測(cè)量把,復(fù)雜的量測(cè)動(dòng)作變成簡單的功能測(cè)試;而且能夠有效地降低大約90%以上的測(cè)試時(shí)間。
【附圖說明】
[0014]結(jié)合附圖,并通過參考下面的詳細(xì)描述,將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征,其中:
[0015]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法的流程圖。
[0016]圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法的示意圖。
[0017]需要說明的是,附圖用于說明本發(fā)明,而非限制本發(fā)明。注意,表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂,下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0019]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法的流程圖,圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法的示意圖。
[0020]如圖1和圖2所示,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法包括:
[0021]第一步驟S1:將模擬電壓的輸出端口當(dāng)作存儲(chǔ)器的輸出連接至存儲(chǔ)器測(cè)試儀的測(cè)試輸入端口;
[0022]第二步驟S2:在存儲(chǔ)器測(cè)試儀中設(shè)定第一比較電壓VOH和第二比較電壓VOL作為模擬電壓調(diào)節(jié)的目標(biāo)范圍;其中,第一比較電壓VOH大于第二比較電壓VOL。
[0023]第三步驟S3:使得模擬電壓的輸出端口輸出多個(gè)模擬電壓值,并且按順序(例如,由低到高的順序或者由低到高的順序)依次輸入存儲(chǔ)器測(cè)試儀,以讀取輸入的模擬電壓值在存儲(chǔ)器測(cè)試儀中測(cè)得的結(jié)果(讀O或I),而且將讀取的結(jié)果存入預(yù)定文檔;優(yōu)選地,所述多個(gè)模擬電壓值中的相鄰兩個(gè)模擬電壓值之間的電壓差相等。
[0024]具體地,存儲(chǔ)器測(cè)試儀在輸入的模擬電壓值大于第一比較電壓VOH時(shí)輸出結(jié)果I。存儲(chǔ)器測(cè)試儀在輸入的模擬電壓值小于第二比較電壓VOL時(shí)輸出結(jié)果O。存儲(chǔ)器測(cè)試儀在輸入的模擬電壓值小于第一比較電壓VOH且大于第二比較電壓VOL時(shí)輸出讀O和讀I都失敗的結(jié)果。
[0025]第四步驟S4:從所述預(yù)定文檔里取出讀取的結(jié)果,查找出讀O和讀I都失敗的結(jié)果所對(duì)應(yīng)的模擬電壓值輸入范圍;
[0026]第五步驟S5:將模擬電壓值輸入范圍內(nèi)的中間電壓值選擇為最佳測(cè)試電壓值。
[0027]由此,后續(xù)的模擬電路的測(cè)量和調(diào)節(jié)就可以使用該最佳測(cè)試電壓值。
[0028]具體地,如圖2所示,前6個(gè)檔位都是讀O通過(P),后5個(gè)檔位都是讀I通過(P);檔位6、7、8、9、10處于模擬電壓的目標(biāo)范圍,讀O讀I都失敗(F),則中間檔位8為最佳檔位。
[0029]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法至少具有下述優(yōu)勢(shì):
[0030](I)能夠替代復(fù)雜的PMU(Precis1n Measurement Unit,精密測(cè)量單元)測(cè)量;
[0031](2)把復(fù)雜的量測(cè)動(dòng)作變成簡單的功能測(cè)試;
[0032](3)能夠有效地降低大約90%以上的測(cè)試時(shí)間。
[0033]此外,需要說明的是,除非特別說明或者指出,否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等,而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0034]可以理解的是,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上,然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾,或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于包括: 將模擬電壓的輸出端口當(dāng)作存儲(chǔ)器的輸出連接至存儲(chǔ)器測(cè)試儀的測(cè)試輸入端口; 在存儲(chǔ)器測(cè)試儀中設(shè)定第一比較電壓和第二比較電壓作為模擬電壓調(diào)節(jié)的目標(biāo)范圍; 使得模擬電壓的輸出端口輸出多個(gè)模擬電壓值,并且按順序依次輸入存儲(chǔ)器測(cè)試儀,以讀取輸入的模擬電壓值在存儲(chǔ)器測(cè)試儀中測(cè)得的結(jié)果,而且將讀取的結(jié)果存入預(yù)定文檔; 從所述預(yù)定文檔里取出讀取的結(jié)果,查找出讀O和讀I都失敗的結(jié)果所對(duì)應(yīng)的模擬電壓值輸入范圍; 將模擬電壓值輸入范圍內(nèi)的中間電壓值選擇為最佳測(cè)試電壓值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,其中第一比較電壓大于第二比較電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,存儲(chǔ)器測(cè)試儀在輸入的模擬電壓值大于第一比較電壓時(shí)輸出結(jié)果I。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,存儲(chǔ)器測(cè)試儀在輸入的模擬電壓值小于第二比較電壓時(shí)輸出結(jié)果O。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,存儲(chǔ)器測(cè)試儀在輸入的模擬電壓值小于第一比較電壓且大于第二比較電壓時(shí)輸出讀O和讀I都失敗的結(jié)果。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,按順序?yàn)橛傻偷礁叩捻樞颉?.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,按順序?yàn)橛傻偷礁叩捻樞颉?.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,所述多個(gè)模擬電壓值中的相鄰兩個(gè)模擬電壓值之間的電壓差相等。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基于存儲(chǔ)器測(cè)試儀的模擬電壓測(cè)量和調(diào)節(jié)的方法,包括:將模擬電壓的輸出端口當(dāng)作存儲(chǔ)器的輸出連接至存儲(chǔ)器測(cè)試儀的測(cè)試輸入端口;在存儲(chǔ)器測(cè)試儀中設(shè)定第一比較電壓和第二比較電壓作為模擬電壓調(diào)節(jié)的目標(biāo)范圍;使得模擬電壓的輸出端口輸出多個(gè)模擬電壓值,并且按順序依次輸入存儲(chǔ)器測(cè)試儀,以讀取輸入的模擬電壓值在存儲(chǔ)器測(cè)試儀中測(cè)得的結(jié)果,而且將讀取的結(jié)果存入預(yù)定文檔;從所述預(yù)定文檔里取出讀取的結(jié)果,查找出讀0和讀1都失敗的結(jié)果所對(duì)應(yīng)的模擬電壓值輸入范圍;將模擬電壓值輸入范圍內(nèi)的中間電壓值選擇為最佳測(cè)試電壓值。
【IPC分類】G11C29/08, G11C29/50
【公開號(hào)】CN105225697
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510694983
【發(fā)明人】索鑫
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2015年10月22日