一種電壓檢測電路和flash存儲器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種電壓檢測電路和FLASH存儲器，電壓檢測電路包括：第一電容模塊，第一電容模塊由至少一個平板電容構(gòu)成，第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別與電荷泵電路的輸出端相連；第二電容模塊，第二電容模塊由至少一個平板電容構(gòu)成，第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別接地；比較器，比較器的第一輸入端分別與第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵、第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵相連，比較器的第二輸入端與預(yù)設(shè)參考電壓的提供端相連，比較器的輸出端與電荷泵電路的控制端相連，當(dāng)比較器的第一輸入端電壓大于或等于預(yù)設(shè)參考電壓時，比較器關(guān)閉電荷泵電路。本發(fā)明實施例的電壓檢測電路可以獲得更準(zhǔn)確的檢測結(jié)果。
【專利說明】
一種電壓檢測電路和FLASH存儲器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電壓檢測電路和一種FLASH存儲器。
【背景技術(shù)】
[0002]FLASH(閃存)存儲器中常常會用到電荷栗電路，電荷栗電路通過電壓檢測電路檢測電荷栗電路的輸出電壓是否達(dá)到目標(biāo)值。
[0003]傳統(tǒng)的電容型電壓檢測電路如圖1所示。圖1中，HV’是電荷栗電路的輸出電壓，REGLVL’是反饋電壓，Vref ’為基準(zhǔn)電壓，CO’為第一電容，Cl’為第二電容，比較器I’將反饋電壓REGLVL’與基準(zhǔn)電壓Vref ’進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果決定電荷栗電路是否繼續(xù)工作。
[0004]圖1所示的電容型電壓檢測電路的反饋響應(yīng)速度快，但是該檢測電路需要精確的電容。而在FLASH存儲器工藝中沒有專門的電容器件，例如M頂(Metal-1nsulator-Metal，金屬-絕緣介質(zhì)-金屬)電容、M0M(Metal-0xide-Metal，金屬-氧化物-金屬)電容等，只將MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)管作為電容使用。MOS管電容值與反型層有關(guān)系，MOS管工作時，電容值不固定，這樣會造成電容型電壓檢測電路的檢測結(jié)果不準(zhǔn)確。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述問題，本發(fā)明實施例的目的在于提供一種電壓檢測電路和一種FLASH存儲器，以解決傳統(tǒng)的電容型電壓檢測電路電容值不固定造成檢測結(jié)果不準(zhǔn)確的問題。
[0006]為了解決上述問題，本發(fā)明實施例公開了一種電壓檢測電路，應(yīng)用于FLASH存儲器，所述FLASH存儲器包括至少一個電荷栗電路、多個浮柵MOS管，每個所述浮柵MOS管的控制柵與浮柵之間具有平板電容，所述電壓檢測電路包括:
[0007]第一電容模塊，所述第一電容模塊由至少一個所述平板電容構(gòu)成，所述第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別與所述電荷栗電路的輸出端相連；
[0008]第二電容模塊，所述第二電容模塊由至少一個所述平板電容構(gòu)成，所述第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別接地；
[0009]比較器，所述比較器的第一輸入端分別與所述第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵、所述第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵相連，所述比較器的第二輸入端與預(yù)設(shè)參考電壓的提供端相連，所述比較器的輸出端與所述電荷栗電路的控制端相連，當(dāng)所述比較器的第一輸入端電壓大于或等于所述預(yù)設(shè)參考電壓時，所述比較器關(guān)閉所述電荷栗電路。
[0010]具體地，當(dāng)所述比較器的第一輸入端電壓小于所述預(yù)設(shè)參考電壓時，維持所述電荷栗電路處于工作狀態(tài)。
[0011 ] 可選地，所述浮柵MOS管為N型浮柵MOS管或P型浮柵MOS管。
[0012]可選地，所述比較器的第一輸入端為反向輸入端，所述比較器的第二輸入端為同向輸入端。
[0013]可選地，所述比較器的第一輸入端為同向輸入端，所述比較器的第二輸入端為反向輸入端。
[0014]本發(fā)明實施例還公開了一種FLASH存儲器，包括至少一個電荷栗電路、多個浮柵MOS管和至少一個所述的電壓檢測電路，每個所述浮柵MOS管的控制柵與浮柵之間具有平板電容，所述至少一個電壓檢測電路與所述至少一個電荷栗電路一一對應(yīng)。
[0015]本發(fā)明實施例包括以下優(yōu)點:將由至少一個平板電容構(gòu)成的第一電容模塊和由至少一個平板電容構(gòu)成的第二電容模塊作為電壓檢測電路中的電容，設(shè)置第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別與電荷栗電路的輸出端相連，第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別接地，以及將比較器的第一輸入端分別與第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵、第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵相連，比較器檢測第一電容模塊和第二電容模塊之間的電壓，并當(dāng)該電壓大于或等于預(yù)設(shè)參考電壓時，關(guān)閉電荷栗電路。由于平板電容為浮柵MOS管中不受反型層影響的平板電容，平板電容的電容值在浮柵MOS管工作時固定，因此，本發(fā)明實施例的電壓檢測電路可以獲得更準(zhǔn)確的檢測結(jié)果。
【附圖說明】
[0016]圖1是傳統(tǒng)的電容型電壓檢測電路；
[0017]圖2是本發(fā)明的一種電壓檢測電路實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本發(fā)明的一種電壓檢測電路具體實施例中各平板電容的連接示意圖。
【具體實施方式】
[0019]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0020]參照圖2，示出了本發(fā)明的一種電壓檢測電路實施例的結(jié)構(gòu)框圖，其中，電壓檢測電路I應(yīng)用于FLASH存儲器，F(xiàn)LASH存儲器包括至少一個電荷栗電路2、多個浮柵MOS管3，每個浮柵MOS管3的控制柵CG與浮柵FG之間具有平板電容。
[0021]參照圖2，電壓檢測電路I具體可以包括如下模塊:
[0022]第一電容模塊10，第一電容模塊10由至少一個平板電容構(gòu)成，第一電容模塊10中各平板電容對應(yīng)的浮柵FG分別與電荷栗電路2的輸出端相連，電荷栗電路2輸出電壓HV;第二電容模塊20，第二電容模塊20由至少一個平板電容構(gòu)成，第二電容模塊20中各平板電容對應(yīng)的浮柵FG分別接地；比較器30，比較器30的第一輸入端分別與第一電容模塊10中各平板電容對應(yīng)的控制柵CG、第二電容模塊20中各平板電容對應(yīng)的控制柵CG相連，比較器30的第二輸入端與預(yù)設(shè)參考電壓的提供端相連，預(yù)設(shè)參考電壓的提供端提供預(yù)設(shè)參考電壓Vref，比較器30的輸出端與電荷栗電路2的控制端相連，當(dāng)比較器30的第一輸入端電壓REGLVL大于或等于預(yù)設(shè)參考電壓Vref時，說明電荷栗電路2的輸出電壓HV達(dá)到目標(biāo)值，比較器30關(guān)閉電荷栗電路2。
[0023]具體地，當(dāng)比較器30的第一輸入端電壓REGLVL小于預(yù)設(shè)參考電壓Vref時，說明電荷栗電路2的輸出電壓HV未達(dá)到目標(biāo)值，維持電荷栗電路2處于工作狀態(tài)，直至比較器30的第一輸入端電壓REGLVL大于或等于預(yù)設(shè)參考電壓Vref。
[0024]具體地，預(yù)設(shè)參考電壓Vref可以根據(jù)上述目標(biāo)值、第一電容模塊10的大小和第二電容模塊20的大小等因素進(jìn)行設(shè)置?？蛇x地，浮柵MOS管可以為N型浮柵MOS管或P型浮柵MOS管。
[0025]可選地，比較器30的第一輸入端為反向輸入端，比較器30的第二輸入端為同向輸入端，或比較器30的第一輸入端為同向輸入端，比較器30的第二輸入端為反向輸入端。
[0026]具體地，第一電容模塊10中至少一個平板電容的個數(shù)、第一電容模塊10的電容大小，以及第二電容模塊20中至少一個平板電容的個數(shù)、第二電容模塊20的電容大小可以根據(jù)電荷栗電路2的輸出電壓HV和預(yù)設(shè)參考電壓Vref進(jìn)行設(shè)置。
[0027]參照圖3，在本發(fā)明的一個具體實施例中，第一電容模塊10中至少一個平板電容的個數(shù)為I個，第二電容模塊20中至少一個平板電容的個數(shù)為2個，第一電容模塊10中平板電容對應(yīng)的控制柵CG與比較器30的第一輸入端相連，即第一電容模塊1中平板電容對應(yīng)的控制柵CG的電壓為電壓REGLVL，第一電容模塊1中平板電容對應(yīng)的浮柵FG與電荷栗電路2的輸出端相連，即第一電容模塊1中平板電容對應(yīng)的浮柵FG的電壓為電壓HV;第二電容模塊20中各平板電容對應(yīng)的控制柵CG分別與比較器30的第一輸入端相連，即第二電容模塊20中各平板電容對應(yīng)的控制柵CG的電壓為電壓REGLVL，第二電容模塊20中各平板電容對應(yīng)的浮柵FG分別接地。其中，圖3中，N+為N井的引出端，P+為P井的引出端。
[0028]由于控制柵CG沒有寄生電容，所以比較器30的第一輸入端沒有寄生電容。雖然浮柵FG有相對于P型襯底的寄生電容，但電荷栗電路2的輸出端、地的寄生電容并不影響電壓檢測電路I檢測電壓。因此，本發(fā)明實施例中，平板電容為不受反型層影響的平板電容，平板電容的電容值在浮柵MOS管工作時固定，電壓檢測電路I可以獲得更準(zhǔn)確的檢測結(jié)果。
[0029]綜上所述，本發(fā)明實施例的電壓檢測電路包括以下優(yōu)點:將由至少一個平板電容構(gòu)成的第一電容模塊和由至少一個平板電容構(gòu)成的第二電容模塊作為電壓檢測電路中的電容，設(shè)置第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別與所述電荷栗電路的輸出端相連，第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別接地，以及將比較器的第一輸入端分別與所述第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵、所述第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵相連，比較器檢測第一電容模塊和第二電容模塊之間的電壓，并當(dāng)該電壓大于或等于預(yù)設(shè)參考電壓時，關(guān)閉電荷栗電路。由于平板電容為浮柵MOS管中不受反型層影響的平板電容，平板電容的電容值在浮柵MOS管工作時固定，因此，本發(fā)明實施例的電壓檢測電路可以獲得更準(zhǔn)確的檢測結(jié)果。
[0030]另外，本發(fā)明實施例還公開了一種FLASH存儲器，包括至少一個電荷栗電路2、多個浮柵MOS管3和至少一個上述的電壓檢測電路I，每個浮柵MOS管3的控制柵CG與浮柵FG之間具有平板電容，至少一個電壓檢測電路I與至少一個電荷栗電路2--對應(yīng)。
[0031]本發(fā)明實施例的FLASH存儲器包括以下優(yōu)點:由于電壓檢測電路中，電容為浮柵MOS管中不受反型層影響的平板電容，平板電容的電容值在浮柵MOS管工作時固定，因此，本發(fā)明實施例的FLASH存儲器可以獲得更準(zhǔn)確的檢測結(jié)果。
[0032]由于FLASH存儲器包括電壓檢測電路，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見電壓檢測電路實施例的部分說明即可。
[0033]本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。
[0034]盡管已描述了本發(fā)明實施例的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明實施例范圍的所有變更和修改。
[0035]最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0036]以上對本發(fā)明所提供的一種電壓檢測電路和一種FLASH存儲器，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進(jìn)行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項】
1.一種電壓檢測電路，應(yīng)用于FLASH存儲器，其特征在于，所述FLASH存儲器包括至少一個電荷栗電路、多個浮柵MOS管，每個所述浮柵MOS管的控制柵與浮柵之間具有平板電容，所述電壓檢測電路包括: 第一電容模塊，所述第一電容模塊由至少一個所述平板電容構(gòu)成，所述第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別與所述電荷栗電路的輸出端相連； 第二電容模塊，所述第二電容模塊由至少一個所述平板電容構(gòu)成，所述第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的浮柵分別接地； 比較器，所述比較器的第一輸入端分別與所述第一電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵、所述第二電容模塊中各平板電容對應(yīng)的控制柵相連，所述比較器的第二輸入端與預(yù)設(shè)參考電壓的提供端相連，所述比較器的輸出端與所述電荷栗電路的控制端相連，當(dāng)所述比較器的第一輸入端電壓大于或等于所述預(yù)設(shè)參考電壓時，所述比較器關(guān)閉所述電荷栗電路。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓檢測電路，其特征在于，當(dāng)所述比較器的第一輸入端電壓小于所述預(yù)設(shè)參考電壓時，維持所述電荷栗電路處于工作狀態(tài)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓檢測電路，其特征在于，所述浮柵MOS管為N型浮柵MOS管或P型浮柵MOS管。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓檢測電路，其特征在于，所述比較器的第一輸入端為反向輸入端，所述比較器的第二輸入端為同向輸入端。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓檢測電路，其特征在于，所述比較器的第一輸入端為同向輸入端，所述比較器的第二輸入端為反向輸入端。6.—種FLASH存儲器，其特征在于，包括至少一個電荷栗電路、多個浮柵MOS管和至少一個根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的電壓檢測電路，每個所述浮柵MOS管的控制柵與浮柵之間具有平板電容，所述至少一個電壓檢測電路與所述至少一個電荷栗電路一一對應(yīng)。
【文檔編號】G11C16/30GK105895159SQ201610249064
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年4月20日
【發(fā)明人】陳曉璐, 劉銘, 胡俊
【申請人】北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司, 合肥格易集成電路有限公司