抗硫化的內(nèi)存存儲裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種抗硫化的內(nèi)存存儲裝置，其包含一連接接口單元、多個揮發(fā)性內(nèi)存單元以及一印刷電路板。連接接口單元可用以耦接至一主機系統(tǒng)。印刷電路板可包含多個抗硫化被動組件以及一保護膜，多個抗硫化被動組件可用以控制并傳導一電流至多個揮發(fā)性內(nèi)存單元，保護膜可用以覆蓋印刷電路板，其中多個抗硫化被動組件可包含一抗硫化電阻及一抗硫化排阻。
【專利說明】
抗硫化的內(nèi)存存儲裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明關于一種內(nèi)存存儲裝置，特別是有關于一種可抗硫化的內(nèi)存存儲裝置。
【背景技術】
[0002]內(nèi)存裝置為電子裝置上的一主要組件，其可以存儲或是暫存電子裝置上的數(shù)字數(shù)據(jù)，一般的內(nèi)存裝置可以區(qū)分為Unbuffered Dual Inlined Memory Module(UDIMM)、Registered Dual Inlined Memory Module(RDIMM)以及Small Outline Dual InlinedMemory Module(S0DIMM)。而無論是何種內(nèi)存裝置，其中都包含著一PCB、至少一揮發(fā)性內(nèi)存單元以及多個被動組件，其中揮發(fā)性內(nèi)存單元及被動組件置于PCB上，而被動組件則是用來控制由主機傳輸而來的電流大小。而在正常使用的情況之下，內(nèi)存模塊的壽命可維持五至十年，更甚者，十年以上亦所在多有。
[0003]由于目前電子裝置的普及化，其設置的地點極有可能是位于戶外的場所，使得空氣中的化合物或是水分子接觸到內(nèi)存裝置的機率大增，而造成內(nèi)存裝置的壽命減短。舉例來說，目前內(nèi)存裝置上的電阻均含有銀的成份，當其與空氣中的硫分子接觸到時，則原有含銀的傳導層將會起化學作用而產(chǎn)生硫化銀，使得此傳導層漸漸成為一絕緣體，而最后將導致電流無法通過此電阻并使此內(nèi)存裝置無法再被使用，此硫化銀的示意圖可參考圖1。又或者，當空氣中的水汽過多時，也可能造成內(nèi)存裝置上的被動組件受潮而無法使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于上述習知技藝的問題，本發(fā)明的目的就是在提供一種抗硫化的內(nèi)存存儲裝置，以解決以上的問題。
[0005]基于上述目的，本發(fā)明提供一種抗硫化的內(nèi)存存儲裝置，其包含一連接接口單元、多個揮發(fā)性內(nèi)存單元以及一印刷電路板。連接接口單元可用以耦接至一主機系統(tǒng)。印刷電路板可包含多個抗硫化被動組件以及一保護膜，多個抗硫化被動組件可用以控制并傳導一電流至多個揮發(fā)性內(nèi)存單元，保護膜可用以覆蓋印刷電路板，其中多個抗硫化被動組件可包含一抗硫化電阻及一抗硫化排阻。
[0006 ] 優(yōu)選地，抗硫化電阻的一最佳電阻值為240奧姆。
[0007]優(yōu)選地，抗硫化電阻的電阻值的誤差值介于240奧姆的上下5%區(qū)間內(nèi)。
[0008]優(yōu)選地，抗硫化電阻的電阻值的誤差值介于240奧姆的上下3%區(qū)間內(nèi)。
[0009]優(yōu)選地，抗硫化電阻的電阻值的誤差值介于240奧姆的上下I%區(qū)間內(nèi)。
[0010]優(yōu)選地，抗硫化排阻的一最低電阻值為15奧姆。
[0011]優(yōu)選地，抗硫化排阻的一最高電阻值為39奧姆。
[0012]優(yōu)選地，連接接口單元可為金手指，且金手指的厚度介于20至30微米。
[0013]優(yōu)選地，連接接口單元可為金手指，且金手指的厚度介于35至45微米。
[0014]承上所述，依本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置，其可具有一或多個下述優(yōu)點:
[0015](I)本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置可防止被動組件與空氣中的化合物產(chǎn)生化學反應，而使得此內(nèi)存存儲裝置的壽命得以延長。
[0016](2)本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置的保護膜具有防潮、防塵、防污的功能。
[0017](3)本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置的連接接口單元具有耐磨及耐插拔的特性，并可使訊號傳輸更為穩(wěn)定。
[0018](4)本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置的電阻的誤差值縮小至1%上下，可使流經(jīng)過此電阻的電流的一大小更為精準。
【附圖說明】
[0019]圖1為被動組件產(chǎn)生硫化銀的示意圖。
[0020]圖2為本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置的前視圖。
[0021]圖3為本發(fā)明的本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置的后視圖。
【具體實施方式】
[0022]為利了解本發(fā)明的技術特征、內(nèi)容與優(yōu)點及其所能達成的功效，茲將本發(fā)明配合附圖，并以實施例的表達形式詳細說明如下，而其中所使用的圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書的用，未必為本發(fā)明實施后的真實比例與精準配置，故不應就所附的圖式的比例與配置關系解讀、局限本發(fā)明于實際實施上的權利范圍，合先敘明。
[0023]請參閱圖2及圖3，其為本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置的前視圖及后視圖。在本實施例中，抗硫化的內(nèi)存存儲裝置100以一SOD頂M來舉例實施，其可以包含一連接接口單元10、多個揮發(fā)性內(nèi)存單元20以及一印刷電路板30。其中此多個揮發(fā)性內(nèi)存單元20可以為多個內(nèi)存顆粒，連接接口單元10可以為一金手指，其中此多個揮發(fā)性內(nèi)存單元20與連接接口單元10位于印刷電路板30上。
[0024]值得一提的是，上述的內(nèi)存存儲裝置以SODIMM來舉例實施，但不以此為限，亦可以以ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module(ECC UDIMM)、ECC Small Outline DualIn-Line Memory Module^Load Reduced DIMM(LRDIMM)、UDIMM、RDIMM來舉例實施。
[0025]如圖所示，連接接口單元10可用以耦接至一主機系統(tǒng)，其耦接的方式將連接接口單元10插入至主機系統(tǒng)上主板上的內(nèi)存插槽，進而進行電力或是數(shù)據(jù)的傳送。其中，此連接接口單元10的厚度可介于20?30微米之間，而優(yōu)選的情況是，此連接接口單元10的厚度可介于35?45微米之間，以具備耐磨與耐插拔的功能。
[0026]此外，此印刷電路板30包含多個抗硫化被動組件31以及一保護膜32，其中多個抗硫化被動組件31可包含一抗硫化電阻311及一抗硫化排阻312，其可用以控制并傳導一電流至揮發(fā)性內(nèi)存單元20，其中此電流是由主機系統(tǒng)透過連接接口單元10所提供。
[0027]保護膜32用以覆蓋印刷電路板30。更進一步地說明，此保護膜32可以利用一涂層防護(conformal coating)技術來覆蓋在印刷電路板30上，以提供防潮、防塵、防污以及增加印刷電路板30上組件耐磨的能力。
[0028]在一實施例中，當抗硫化被動組件31為一抗硫化電阻311時，在溫度25度C下，則抗硫化電阻311的一最佳電阻值為240奧姆，且抗硫化電阻311的電阻值的誤差值介于240奧姆的上下5%區(qū)間內(nèi)。
[0029]在一優(yōu)選的實施例中，當抗硫化被動組件31為一抗硫化電阻311時，在溫度25度C下，則抗硫化電阻311的一最佳電阻值為240奧姆，且抗硫化電阻311的電阻值的誤差值介于240奧姆的上下3 %區(qū)間內(nèi)。
[0030]在一優(yōu)選的實施例中，當抗硫化被動組件31為一抗硫化電阻311時，在溫度25度C下，則抗硫化電阻311的一最佳電阻值為240奧姆，抗硫化電阻311的電阻值的誤差值介于240奧姆的上下I %區(qū)間內(nèi)。
[0031]在一優(yōu)選的實施例中，當抗硫化被動組件31為一抗硫化排阻312時，在溫度25度C下，則抗硫化排阻312的一最低電阻值為15奧姆且其最高電阻值為39奧姆，其中此抗硫化排阻312包含四個相同的電阻。更進一步的說明，此抗硫化排阻312的規(guī)格可以為8P4R或是4P2Rο在本實施例中，抗硫化排阻312內(nèi)的四個電阻個數(shù)僅為舉例實例，并不以此為限，在實際應用上可視使用者的需求來設計包含多個電阻的一抗硫化排阻。
[0032]值得一提的是，本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置采用了誤差值極低的抗硫化電阻或是抗硫化排阻，其可以有效地避免較大的電流流通經(jīng)過內(nèi)存存儲裝置，進而造成內(nèi)存存儲裝置的損壞。
[0033]由上述可以得知，本發(fā)明的抗硫化的內(nèi)存存儲裝置使用抗硫化被動組件以取代現(xiàn)有的被動組件，并利用保護膜來加強防塵及防水的功效，進而有效地維持內(nèi)存存儲裝置上的導電性，故可有效地延長使用壽命。
[0034]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于后附的權利要求書中。
【主權項】
1.一種抗硫化的內(nèi)存存儲裝置，其特征在于，所述內(nèi)存存儲裝置包含: 連接接口單元，用以耦接至主機系統(tǒng)； 多個揮發(fā)性內(nèi)存單元；以及 印刷電路板，包含多個抗硫化被動組件以及保護膜，所述多個抗硫化被動組件用以控制并傳導電流至所述多個揮發(fā)性內(nèi)存單元，所述保護膜用以覆蓋所述印刷電路板； 其中所述多個抗硫化被動組件包含抗硫化電阻及抗硫化排阻。2.如權利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其特征在于，所述抗硫化電阻的最佳電阻值為240奧姆。3.如權利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其特征在于，所述抗硫化電阻的電阻值的誤差值介于240奧姆的上下5%區(qū)間內(nèi)。4.如權利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其特征在于，所述抗硫化電阻的電阻值的誤差值介于240奧姆的上下3%區(qū)間內(nèi)。5.如權利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其特征在于，所述抗硫化電阻的電阻值的誤差值介于240奧姆的上下I %區(qū)間內(nèi)。6.如權利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其特征在于，所述抗硫化排阻的最低電阻值為15奧姆。7.如權利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其特征在于，所述抗硫化排阻的最高電阻值為39奧姆。8.如權利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其特征在于，所述連接接口單元為金手指，且所述金手指的厚度介于20至30微米。9.如權利要求1所述的內(nèi)存存儲裝置，其特征在于，所述連接接口單元為金手指，且所述金手指的厚度介于35至45微米。
【文檔編號】G11C11/401GK105931663SQ201610348460
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年5月24日
【發(fā)明人】張志亮, 周明煌
【申請人】宇瞻科技股份有限公司