半導(dǎo)體存儲裝置及其操作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體存儲裝置，可以包括：存儲區(qū)；以及控制器，包括寄存器，寄存器被配置為儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)，并且基于數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)提供給存儲區(qū)，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使能。
【專利說明】半導(dǎo)體存儲裝置及其操作方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2015年3月19日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2015-0038193的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過弓I用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]各種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置，更具體地，涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置及其操作方法。
【背景技術(shù)】
[0004]通過快閃存儲裝置呈現(xiàn)的非易失性存儲裝置能夠減小尺寸并增大容量。此外，非易失性存儲裝置具有高的數(shù)據(jù)處理速度。
[0005]近來，已經(jīng)持續(xù)進(jìn)行了各種研究以提升非易失性存儲裝置的性能。特別地，高速緩存操作已經(jīng)被建議用來支持高速操作。當(dāng)使用高速緩存操作時，在編程操作或讀取操作期間能夠通過管線(pipeline)方法來處理數(shù)據(jù)。
[0006]非易失性存儲器件可以根據(jù)制造工藝和使用計(jì)數(shù)而具有不同的操作特性。此外，最新的非易失性存儲裝置已經(jīng)被設(shè)計(jì)為根據(jù)被應(yīng)用了非易失性存儲裝置的設(shè)備來改變操作特性，由此保證兼容性。
[0007]可以將基于操作模式而定義操作特性的操作參數(shù)儲存在非易失性存儲裝置的特定區(qū)域中，以及可以基于儲存的操作參數(shù)來執(zhí)行編程操作、擦除操作或讀取操作。此外，當(dāng)發(fā)生要改變操作參數(shù)的事件時，要被改變的操作參數(shù)可以首先被儲存然后被讀取。編程操作、擦除操作或讀取操作根據(jù)改變過的操作參數(shù)來執(zhí)行。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]在一個實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體存儲裝置可以包括存儲區(qū)。該半導(dǎo)體存儲裝置也可以包括控制器，控制器包括寄存器，寄存器被配置為儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)，并且基于數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)提供給存儲區(qū)，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使能。
[0009]在一個實(shí)施例中，提供一種半導(dǎo)體存儲裝置的操作方法，該半導(dǎo)體存儲裝置包括存儲區(qū)和用于控制存儲區(qū)的控制器。該操作方法可以包括儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)。該操作方法也可以包括根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)提供給存儲區(qū)，數(shù)據(jù)傳輸使能信號響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使能。
[0010]在一個實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體存儲裝置可以包括存儲區(qū)。該半導(dǎo)體存儲裝置也可以包括控制器，控制器被配置為接收參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令，儲存數(shù)據(jù)或參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)，以及根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來輸出參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)。
【附圖說明】
[0011]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的配置圖；
[0012]圖2是根據(jù)一個實(shí)施例的寄存器的配置圖；
[0013]圖3是根據(jù)一個實(shí)施例的寄存器的電路圖；
[0014]圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的數(shù)據(jù)傳輸使能信號發(fā)生電路的配置圖；
[0015]圖5和圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的參數(shù)輸出控制信號發(fā)生電路的配置圖；
[0016]圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的配置圖；以及
[0017]圖8和圖9是根據(jù)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的配置圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]將參照附圖來更詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例。在本文中參照為示例性實(shí)施例和中間結(jié)構(gòu)的示意圖的剖視圖來描述示例性實(shí)施例。這樣，可預(yù)期作為例如制造技術(shù)和/或容限的結(jié)果的來自示圖的形狀的變化。因此，實(shí)施例不應(yīng)被解釋為局限于本文中圖示的區(qū)域的特定形狀，而可以包括由例如制造所導(dǎo)致的形狀偏差。在附圖中，可以為了清晰而夸大層和區(qū)域的長度和尺寸。在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。也要理解，當(dāng)一層被稱作在另一層或襯底“上”時，其能夠直接在另一層或襯底上，或者可以存在中間層。也要注意，在說明書中，“連接/耦接”不僅指一個部件直接耦接到另一個部件，也指一個部件通過中間部件而間接地耦接到另一個部件。此外，只要未明確提及，則單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式，反之亦然。
[0019]在本文中參照為示例性實(shí)施例的示意圖的剖視圖和/或平面圖來描述本發(fā)明構(gòu)思。然而，實(shí)施例不應(yīng)為限制性的或者不應(yīng)被解釋為局限于本發(fā)明構(gòu)思。盡管將示出并描述若干實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的原理和精神的情況下，可以在這些示例性實(shí)施例中做出改變。
[0020]參見圖1，描述了根據(jù)一個實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲裝置的配置圖。
[0021]如圖1中所示，半導(dǎo)體存儲裝置100可以包括控制器110和存儲區(qū)120。
[0022]控制器110可以根據(jù)從外部提供的信號來控制存儲區(qū)120的全部操作。
[0023]特別地，控制器110可以從外部設(shè)備接收命令CMD和控制信號(CE(芯片使能)、CLE (命令鎖存使能)、ALE (地址鎖存使能)、RE (讀取使能)、WE (寫入使能)和RB (就緒/繁忙))。外部設(shè)備可以為例如主機(jī)設(shè)備?？刂破?10可以將數(shù)據(jù)1傳輸?shù)酵獠吭O(shè)備或者從外部設(shè)備接收數(shù)據(jù)10?？刂破?10可以將命令CMD解碼并執(zhí)行與解碼結(jié)果相對應(yīng)的操作。
[0024]輸入到控制器110的命令CMD可以包括參數(shù)設(shè)置命令SETPARA和/或參數(shù)獲取命令GETPARA。在這種情形下，根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令SETPARA之后接收到的地址信號和數(shù)據(jù)，控制器110可以將數(shù)據(jù)或參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)儲存在寄存器112的由地址信號指示的對應(yīng)的區(qū)域中。
[0025]響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA而被儲存在寄存器112中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)可以響應(yīng)于參數(shù)獲取命令GETPARA而從寄存器112輸出。參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)也可以被提供給存儲區(qū)120。
[0026]在一個實(shí)施例中，寄存器112可以用多級鎖存器或最好用二級鎖存器來實(shí)施以支持高速緩存操作。此外，為了將儲存在寄存器112中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)輸出，可能需要控制信號以將前級鎖存器的數(shù)據(jù)傳輸?shù)胶蠹夋i存器。
[0027]在一個實(shí)施例中，可以基于在施加參數(shù)獲取命令GETPARA時使能的信號(例如，參數(shù)讀取命令READPARA)來產(chǎn)生用于控制寄存器112的操作的數(shù)據(jù)傳輸使能信號。相應(yīng)地，當(dāng)參數(shù)獲取命令GETPARA被施加時，前級鎖存器的數(shù)據(jù)可以響應(yīng)于參數(shù)讀取命令READPARA而傳輸?shù)胶蠹夋i存器并從寄存器112輸出。
[0028]在一個實(shí)施例中，可以基于在施加參數(shù)設(shè)置命令SETPARA之后施加的命令(例如，建立命令(setup command) SETUP)來產(chǎn)生數(shù)據(jù)傳輸使能信號。因此，在參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令SETPARA而被儲存在寄存器112中之后，前級鎖存器的數(shù)據(jù)可以響應(yīng)于建立命令SETUP來傳輸?shù)胶蠹夋i存器。
[0029]在一個實(shí)施例中，可以基于在施加參數(shù)設(shè)置命令SETPARA之后施加的命令(例如，參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM)來產(chǎn)生數(shù)據(jù)傳輸使能信號。在這種情形下，在參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令SETPARA而被儲存在寄存器112中之后，前級鎖存器的數(shù)據(jù)可以根據(jù)參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM來傳輸?shù)胶蠹夋i存器。
[0030]在一個實(shí)施例中，可以基于施加參數(shù)設(shè)置命令SETPARA之后施加的命令(例如，建立命令SETUP和參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM)來產(chǎn)生數(shù)據(jù)傳輸使能信號。在這種情形下，在參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令SETPARA而被儲存在寄存器112中之后，在建立命令SETUP被施加之后數(shù)據(jù)傳輸使能信號可以被使能直到參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM被禁止，使得前級鎖存器中的數(shù)據(jù)能夠傳輸?shù)胶蠹夋i存器。
[0031]當(dāng)參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)被儲存然后被輸出時，儲存在寄存器112中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)可以響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA或參數(shù)獲取命令GETPARA而輸出。結(jié)果，可以輸出參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)，而不執(zhí)行用于操作寄存器112的不必要的虛設(shè)操作。
[0032]當(dāng)需要改變半導(dǎo)體存儲裝置100的操作特性時，可以從外部設(shè)備(諸如，主機(jī))提供參數(shù)設(shè)置命令SETPARA，但不局限為如此。
[0033]存儲區(qū)120可以包括半導(dǎo)體存儲單元陣列和用于半導(dǎo)體存儲單元陣列的存取電路單元。存取電路單元可以包括行控制單元、列控制單元、輸入/輸出電路單元和電壓提供單元等。
[0034]在一個實(shí)施例中，存儲單元陣列可以包括多個塊。此外，包括在每個塊中的多個半導(dǎo)體存儲單元可以通過串結(jié)構(gòu)(string structure)而電親接在字線WL與位線BL之間。例如，形成存儲單元陣列的存儲單元可以包括快閃存儲單元。存儲單元可以用單級單元或多級單元來實(shí)施。
[0035]半導(dǎo)體存儲裝置可以包括一個或更多個存儲區(qū)120。
[0036]參見圖2，示出了根據(jù)一個實(shí)施例的寄存器的配置圖。
[0037]如圖2中所示，寄存器200可以包括第一儲存單元210、傳輸單元220和第二儲存單元230。
[0038]第一儲存單元210可以在從外部設(shè)備(諸如，主機(jī))提供了用于儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)的位置信息(即，第一地址信號ADD1)時被使能。此外，第一儲存單元210可以根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA而產(chǎn)生的寫入信號WT來儲存數(shù)據(jù)DATA (即，參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù))。
[0039]傳輸單元220可以響應(yīng)于數(shù)據(jù)傳輸使能信號ESDLE來將第一儲存單元210的數(shù)據(jù)DATA傳輸?shù)降诙Υ鎲卧?30。
[0040]第二儲存單元230可以在從外部設(shè)備(諸如，主機(jī))提供了用于儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)的位置信息(即，第二地址信號ADD2)時被使能。此外，第二儲存單元230可以根據(jù)基于參數(shù)獲取命令GETPARA而產(chǎn)生的讀取信號RD來將通過傳輸單元220傳輸?shù)臄?shù)據(jù)DATA輸出。
[0041]參見圖3，不出了根據(jù)一個實(shí)施例的寄存器的電路圖。
[0042]如圖3中所示，寄存器300可以包括第一儲存單元310、傳輸單元320和第二儲存單元330。
[0043]第一儲存單元310可以包括輸入單元312和第一鎖存器314。第二儲存單元330可以包括第二鎖存器332和輸出單元334。
[0044]更具體地，輸入單元312可以在第一地址信號ADDl被提供時被使能。輸入單元312也可以將寫入信號WT和數(shù)據(jù)DATA施加到第一鎖存器314。第一鎖存器314可以暫時地儲存從輸入單元312提供的寫入信號WT和數(shù)據(jù)DATA。
[0045]傳輸單元320可以響應(yīng)于數(shù)據(jù)傳輸使能信號ESDLE來驅(qū)動。此外，傳輸單元320可以輸出與第一鎖存器314的寫入信號WT相對應(yīng)的讀取信號RD以及與第一鎖存器314的數(shù)據(jù)DATA相對應(yīng)的數(shù)據(jù)DATA。
[0046]參見圖4，描述了根據(jù)一個實(shí)施例的數(shù)據(jù)傳輸使能信號發(fā)生電路的配置圖。
[0047]如上所述，數(shù)據(jù)傳輸使能信號ESDLE可以根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令SETPARA或參數(shù)獲取命令GETPARA來使能。
[0048]在一個實(shí)施例中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號發(fā)生電路可以響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA或參數(shù)獲取命令GETPARA來產(chǎn)生參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE。數(shù)據(jù)傳輸使能信號發(fā)生電路也可以響應(yīng)于參數(shù)輸出控制信號CL_SDLE來產(chǎn)生數(shù)據(jù)傳輸使能信號ESDLE。圖4圖示了該配置的示例。
[0049]當(dāng)寄存器112、200或300未正在執(zhí)行高速緩存操作時，在參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE被使能的情形下，無論原始控制信號MC_SDLE如何數(shù)據(jù)傳輸使能信號發(fā)生電路400都可以使能數(shù)據(jù)傳輸使能信號ESDLE。
[0050]在一個實(shí)施例中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號發(fā)生電路400可以包括高速緩存操作判定單元401、參數(shù)輸出判定單元403和數(shù)據(jù)傳輸判定單元405。
[0051]高速緩存操作判定單元401可以判定寄存器112、200或300是否正在執(zhí)行高速緩存操作。當(dāng)寄存器112、200或300未正在執(zhí)行高速緩存操作時，標(biāo)志信號CACHEPGMFLAG或CACHEREADFLAG可以具有邏輯低態(tài)，標(biāo)志信號CACHEPGMFLAG或CACHEREADFLAG指示是否對寄存器112、200或300執(zhí)行編程操作或讀取操作。相應(yīng)地，當(dāng)高速緩存操作未被執(zhí)行時，用或非(NOR)門實(shí)施的高速緩存操作判定單元401的輸出信號可以具有邏輯高電平。
[0052]參數(shù)輸出判定單元403可以響應(yīng)于高速緩存操作判定單元401的輸出信號和參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE來判定是否輸出參數(shù)。當(dāng)由于施加了參數(shù)設(shè)置命令SETPARA或參數(shù)獲取命令GETPARA而需要輸出參數(shù)時，參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE可以具有邏輯高電平。因此，用與(AND)門實(shí)施的參數(shù)輸出判定單元403的輸出信號可以具有邏輯高電平。
[0053]數(shù)據(jù)傳輸判定單元405可以響應(yīng)于參數(shù)輸出判定單元403的輸出信號和原始控制信號MC_SDLE來產(chǎn)生數(shù)據(jù)傳輸使能信號ESDLE。當(dāng)數(shù)據(jù)傳輸判定單元405的輸出信號處于邏輯高電平時，或者當(dāng)寄存器112、200或300未正在執(zhí)行高速緩存操作但參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE具有邏輯高電平時，無論原始控制信號MC_SDLE如何都可以輸出處于邏輯高電平的數(shù)據(jù)傳輸使能信號ESDLE。對于該操作，數(shù)據(jù)傳輸判定單元405可以用或(OR)門來實(shí)施，但并不局限于這樣的配置。
[0054]參見圖5和圖6，示出了根據(jù)實(shí)施例的參數(shù)輸出控制信號發(fā)生電路的配置圖。
[0055]如上所述，參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE可以基于響應(yīng)于參數(shù)獲取命令GETPARA而產(chǎn)生的參數(shù)讀取命令READPARA來產(chǎn)生；可以基于響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA而施加的建立命令SETUP來產(chǎn)生；可以基于響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA而施加的參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM來產(chǎn)生；或者可以基于響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA而施加的建立命令SETUP和參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM來產(chǎn)生。
[0056]首先，圖5圖示了其中參數(shù)輸出控制信號發(fā)生電路根據(jù)參數(shù)讀取命令READPARA、建立命令SETUP或參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM來產(chǎn)生參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE的示例。此外，響應(yīng)于參數(shù)獲取命令GETPARA而被使能的信號包括參數(shù)讀取命令READPARA。
[0057]參數(shù)輸出控制信號發(fā)生電路500可以包括接收參數(shù)讀取命令READPARA、建立命令SETUP或參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM作為第一輸入信號的脈沖發(fā)生單元510。參數(shù)輸出控制信號發(fā)生電路500也可以從第一輸入信號的延遲反相信號產(chǎn)生參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE0
[0058]第一輸入信號READPARA、SETUP或SETCNFM可以由延遲單元511和反相器單元513延遲并反相，以及被產(chǎn)生為第二輸入信號。
[0059]作為反相器單元513的輸出信號的第一輸入信號READPARA、SETUP或SETCNFM和第二輸入信號可以輸入到邏輯電路單元515。當(dāng)兩個輸入信號都處于高電平時，邏輯電路單元515可以輸出處于邏輯高電平的參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE。在一個實(shí)施例中，邏輯電路單元515可以用AND門來實(shí)施，但不局限為這樣的配置。
[0060]圖6圖示了其中參數(shù)輸出控制信號發(fā)生電路根據(jù)建立命令SETUP和參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM來產(chǎn)生參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE的示例。
[0061]參數(shù)輸出控制信號發(fā)生電路600可以包括脈沖發(fā)生單元610，脈沖發(fā)生單元610在建立命令SETUP被使能之后使能參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE直到參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令SETCNFM被禁止。
[0062]第二輸入信號SETCNFM可以通過延遲單元611延遲預(yù)設(shè)時間并被提供給邏輯電路單元613。此時，可以將第一輸入信號SETUP與第二輸入信號SETCNFM —起提供給邏輯電路單元613。在其中兩個輸入信號都不處于低電平的時段，邏輯電路單元613可以輸出處于邏輯高電平的參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE。在一個實(shí)施例中，邏輯電路單元613可以用OR門來實(shí)施，但不局限為這樣的配置。
[0063]同樣地，當(dāng)參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)被儲存并被輸出時，參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE可以根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令SETPARA或參數(shù)獲取命令GETPARA來產(chǎn)生。然后，當(dāng)寄存器112、200或300未正在執(zhí)行高速緩存操作時，數(shù)據(jù)傳輸使能信號ESDLE可以根據(jù)參數(shù)輸出控制信號CI_SDLE來使能。此外，儲存在寄存器112、200或300中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)可以響應(yīng)于使能的數(shù)據(jù)傳輸使能信號ESDLE來輸出。相應(yīng)地，半導(dǎo)體存儲裝置能夠輸出參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)而不執(zhí)行用于操作寄存器112、200或300的不必要的虛設(shè)操作。
[0064]參見圖7，描述了根據(jù)一個實(shí)施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的配置圖。
[0065]在圖7中圖示的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)70可以包括存儲器控制器710和半導(dǎo)體存儲裝置720。
[0066]存儲器控制器710可以被配置為根據(jù)主機(jī)的請求來訪問半導(dǎo)體存儲裝置720。為了此操作，存儲器控制器710可以包括處理器711、工作存儲器713、主機(jī)接口 715和存儲器接口 717。
[0067]處理器711可以控制存儲器控制器710的全部操作。此外，工作存儲器713可以儲存存儲器控制器710的操作所需的應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)和控制信號。
[0068]主機(jī)接口 715可以執(zhí)行協(xié)議轉(zhuǎn)換以在主機(jī)與存儲器控制器710之間交換數(shù)據(jù)/控制信號。此外，存儲器接口 717可以執(zhí)行協(xié)議轉(zhuǎn)換以在存儲器控制器710與半導(dǎo)體存儲裝置720之間轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)/控制信號。
[0069]例如，半導(dǎo)體存儲裝置720可以包括圖1到圖6中圖示的包括寄存器的半導(dǎo)體存儲裝置。半導(dǎo)體存儲裝置720可以包括具有半導(dǎo)體存儲元件的存儲單元陣列、地址解碼器、控制器和電壓發(fā)生器等。相應(yīng)地，根據(jù)來自主機(jī)的參數(shù)改變命令，半導(dǎo)體存儲裝置720可以將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)儲存在寄存器中。半導(dǎo)體存儲裝置720也可以響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA或參數(shù)獲取命令GETPARA來將儲存在寄存器中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)輸出。
[0070]圖7中圖示的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)可以被用作磁盤設(shè)備、便攜式電子設(shè)備的內(nèi)部/外部存儲卡、圖像處理器或其他應(yīng)用芯片組等。
[0071]設(shè)置在存儲器控制器710中的工作存儲器也可以用以上示出的圖1到圖6中圖示的半導(dǎo)體存儲裝置來實(shí)施。
[0072]參見圖8和圖9，描述了根據(jù)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的配置圖。
[0073]首先，圖8中圖示的電子系統(tǒng)80可以包括處理器801、存儲器控制器803、半導(dǎo)體存儲裝置805、輸入/輸出設(shè)備807和功能模塊800。
[0074]存儲器控制器803可以根據(jù)處理器801的控制來控制半導(dǎo)體存儲裝置805的數(shù)據(jù)處理操作(例如，編程操作或讀取操作)。
[0075]被編程在半導(dǎo)體存儲裝置805中的數(shù)據(jù)可以根據(jù)處理器801和存儲器控制器803的控制而通過輸入/輸出設(shè)備807輸出。為了此操作，輸入/輸出設(shè)備807可以包括顯示設(shè)備和揚(yáng)聲器設(shè)備等。
[0076]此外，輸入/輸出設(shè)備807可以包括輸入設(shè)備，通過該輸入設(shè)備能夠輸入用于控制處理器801的操作的控制信號或要被處理器801處理的數(shù)據(jù)。
[0077]在一個實(shí)施例中，存儲器控制器803可以被實(shí)施為處理器801的一部分。存儲器控制器803也可以被實(shí)施為與處理器801分離的芯片組。
[0078]半導(dǎo)體存儲裝置805可以包括具有半導(dǎo)體存儲元件的存儲單元陣列、地址解碼器、控制器和電壓發(fā)生器等。在一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體存儲裝置805可以包括以上描述的圖1到圖6中圖示的具有寄存器的半導(dǎo)體存儲裝置。因此，根據(jù)來自主機(jī)的參數(shù)改變命令，半導(dǎo)體存儲裝置805可以將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)儲存在寄存器中。半導(dǎo)體存儲裝置805也可以響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA或參數(shù)獲取命令GETPARA來將儲存在寄存器中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)輸出。
[0079]功能模塊800可以包括根據(jù)圖8中圖示的電子系統(tǒng)80的應(yīng)用示例的能夠執(zhí)行選定功能的模塊。圖8圖示通信模塊809和圖像傳感器811作為功能模塊800的示例。
[0080]通信模塊809可以提供在其中電子系統(tǒng)80能夠通過有線通信網(wǎng)絡(luò)或無線通信網(wǎng)絡(luò)來交換數(shù)據(jù)和控制信號的通信環(huán)境。
[0081]圖像傳感器811可以將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字圖像信號。圖像傳感器811也可以將數(shù)字圖像信號傳輸?shù)教幚砥?01和存儲器控制器803。
[0082]當(dāng)電子系統(tǒng)80包括通信模塊809時，圖8的電子系統(tǒng)80可以用作便攜式通信設(shè)備(諸如，無線通信終端)。當(dāng)電子系統(tǒng)80包括圖像傳感器811時，電子系統(tǒng)80可以用作被附接了數(shù)字相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)或數(shù)字相機(jī)與數(shù)字?jǐn)z像機(jī)中的一種的電子系統(tǒng)。電子系統(tǒng)可以包括PC、筆記本電腦或移動通信終端等。
[0083]參見圖9，圖9中圖示的電子系統(tǒng)90可以包括卡接口 901、存儲器控制器903和半導(dǎo)體存儲裝置905。
[0084]圖9圖示了存儲卡或智能卡的示例。圖9的電子系統(tǒng)90可以用作PC卡、多媒體卡、嵌入式多媒體卡、安全數(shù)字卡和USB驅(qū)動器中的任意一種。
[0085]卡接口 901可以根據(jù)主機(jī)的協(xié)議來接口主機(jī)與存儲器控制器903之間的數(shù)據(jù)交換。在一個實(shí)施例中，卡接口 901可以指能夠支持主機(jī)所使用的協(xié)議的硬件?？ń涌?901也可以指安裝在能夠支持主機(jī)所使用的協(xié)議的硬件上的軟件?？ń涌?901也可以指信號傳輸方案。
[0086]存儲器控制器903可以控制半導(dǎo)體存儲裝置905與卡接口 901之間的數(shù)據(jù)交換。
[0087]半導(dǎo)體存儲裝置905可以包括圖1到圖6中圖示的具有寄存器的半導(dǎo)體存儲裝置。半導(dǎo)體存儲裝置905可以包括具有半導(dǎo)體存儲元件的存儲單元陣列、地址解碼器、控制器和電壓發(fā)生器等。因此，根據(jù)來自主機(jī)的參數(shù)改變命令，半導(dǎo)體存儲裝置905可以將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)儲存在寄存器中。半導(dǎo)體存儲裝置905也可以響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令SETPARA或參數(shù)獲取命令GETPARA來將儲存在寄存器中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)輸出。
[0088]雖然以上已經(jīng)描述了特定的實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，描述的實(shí)施例僅作為示例。相應(yīng)地，描述的半導(dǎo)體存儲裝置不應(yīng)基于以上描述的實(shí)施例來限制。相反地，描述的半導(dǎo)體存儲裝置應(yīng)當(dāng)僅由所附權(quán)利要求書結(jié)合以上的描述和附圖來限制。
[0089]通過以上實(shí)施例可以看出，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案。
[0090]技術(shù)方案1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括:
[0091]存儲區(qū)；以及
[0092]控制器，包括寄存器，寄存器被配置為儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)，并且基于數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)提供給存儲區(qū)，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使能。
[0093]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，寄存器包括:
[0094]第一儲存單元，被配置為根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令和第一地址信號來儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)；
[0095]第二儲存單元，被配置為根據(jù)參數(shù)獲取命令和第二地址信號來輸出參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)；以及
[0096]傳輸單元，被配置為基于數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將儲存在第一儲存單元中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)傳輸?shù)降诙Υ鎲卧?，?shù)據(jù)傳輸使能信號響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使會K。
[0097]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)獲取命令而被使能的信號來產(chǎn)生。
[0098]技術(shù)方案4.如技術(shù)方案3所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，響應(yīng)于參數(shù)獲取命令而被使能的信號包括參數(shù)讀取命令。
[0099]技術(shù)方案5.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的信號來產(chǎn)生。
[0100]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案5所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的信號包括建立命令。
[0101]技術(shù)方案7.如技術(shù)方案5所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的信號包括參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令。
[0102]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的多個信號來產(chǎn)生。
[0103]技術(shù)方案9.如技術(shù)方案8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的所述多個信號包括建立命令和參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令。
[0104]技術(shù)方案10.—種半導(dǎo)體存儲裝置的操作方法，所述半導(dǎo)體存儲裝置包括存儲區(qū)以及用于控制存儲區(qū)的控制器，所述操作方法包括:
[0105]儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)；以及
[0106]根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)提供給存儲區(qū)，數(shù)據(jù)傳輸使能信號響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使能。
[0107]技術(shù)方案11.如技術(shù)方案10所述的操作方法，其中，將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)提供給存儲區(qū)的步驟包括步驟:
[0108]響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令和第一地址信號來將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)儲存在第一儲存單元中；
[0109]基于數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將儲存在第一儲存單元中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)傳輸?shù)降诙Υ鎲卧?，?shù)據(jù)傳輸使能信號響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使能；以及
[0110]將傳輸?shù)降诙Υ鎲卧臄?shù)據(jù)輸出到存儲區(qū)。
[0111]技術(shù)方案12.如技術(shù)方案10所述的操作方法，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)獲取命令而被使能的信號來產(chǎn)生。
[0112]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案12所述的操作方法，其中，響應(yīng)于參數(shù)獲取命令而被使能的信號包括參數(shù)讀取命令。
[0113]技術(shù)方案14.如技術(shù)方案10所述的操作方法，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的信號來產(chǎn)生。
[0114]技術(shù)方案15.如技術(shù)方案14所述的操作方法，其中，響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的信號包括建立命令。
[0115]技術(shù)方案16.如技術(shù)方案14所述的操作方法，其中，響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的信號包括參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令。
[0116]技術(shù)方案17.如技術(shù)方案10所述的操作方法，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的多個信號來產(chǎn)生。
[0117]技術(shù)方案18.如技術(shù)方案17所述的操作方法，其中，響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的所述多個信號包括建立命令和參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令。
[0118]技術(shù)方案19.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括:
[0119]存儲區(qū)；以及
[0120]控制器，被配置為接收參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令，儲存數(shù)據(jù)或參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)，以及根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來輸出參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)。
[0121]技術(shù)方案20.如技術(shù)方案19所述的半導(dǎo)體存儲裝置，還包括:
[0122]寄存器，包括多級鎖存器且被配置為支持高速緩存操作。
[0123]技術(shù)方案21.如技術(shù)方案21所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號被使能直到參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令被禁止。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括: 存儲區(qū)；以及 控制器，包括寄存器，寄存器被配置為儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)，并且基于數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)提供給存儲區(qū)，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使能。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，寄存器包括: 第一儲存單元，被配置為根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令和第一地址信號來儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)； 第二儲存單元，被配置為根據(jù)參數(shù)獲取命令和第二地址信號來輸出參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)；以及 傳輸單元，被配置為基于數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將儲存在第一儲存單元中的參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)傳輸?shù)降诙Υ鎲卧瑪?shù)據(jù)傳輸使能信號響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使能。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)獲取命令而被使能的信號來產(chǎn)生。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，響應(yīng)于參數(shù)獲取命令而被使能的信號包括參數(shù)讀取命令。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的信號來產(chǎn)生。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的信號包括建立命令。7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的信號包括參數(shù)設(shè)置確認(rèn)命令。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中，數(shù)據(jù)傳輸使能信號根據(jù)響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令而被使能的多個信號來產(chǎn)生。9.一種半導(dǎo)體存儲裝置的操作方法，所述半導(dǎo)體存儲裝置包括存儲區(qū)以及用于控制存儲區(qū)的控制器，所述操作方法包括: 儲存參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)；以及 根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸使能信號來將參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)提供給存儲區(qū)，數(shù)據(jù)傳輸使能信號響應(yīng)于參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來使能。10.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括: 存儲區(qū)；以及 控制器，被配置為接收參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令，儲存數(shù)據(jù)或參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)，以及根據(jù)參數(shù)設(shè)置命令或參數(shù)獲取命令來輸出參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù)。
【文檔編號】G11C16/26GK105989884SQ201510634530
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年9月29日
【發(fā)明人】印銀奎
【申請人】愛思開海力士有限公司