專利名稱：集成抗反射層與金屬硅化物塊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于集成抗反射層(anti-reflection layer)與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊(salicide block)的方法，特別是可以簡(jiǎn)化光檢測(cè)元件的制造程序的方法。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步以及市場(chǎng)對(duì)小尺寸元件日益增加的需求，將多數(shù)不同功能單元集成在一個(gè)芯片中的微型高功能元件的重要性是日漸重要的，例如同時(shí)使用了光電二極管(photodiode)與晶體管(transistor)的光檢測(cè)元件。但由于任一個(gè)具某特定功能的單元皆有其特定的結(jié)構(gòu)與制造程序，因此在集成多數(shù)不同功能的單元時(shí)，常常會(huì)遇到彼此的制造程序不相容的困擾，特別是當(dāng)某個(gè)單元顯然較為繁復(fù)時(shí)(如互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體)。而最常見的解決方法便是將整個(gè)元件(芯片)分成數(shù)個(gè)部份，而不同部份是分別制造的(即在處理某個(gè)部份時(shí)先將其它部份以光致抗蝕劑等覆蓋)，然而如此做法不可避免地會(huì)遇到制造時(shí)間增加以及反應(yīng)物銷耗量增加等的缺陷。
就常用在諸如數(shù)碼相機(jī)與掃瞄器等的光檢測(cè)元件而言，如

圖1A所示的基本結(jié)構(gòu)示意圖，光檢測(cè)元件是形成在襯底10上并至少包含檢測(cè)器區(qū)域(sensor area)11與晶體管區(qū)域(transistor area)12兩個(gè)部份。在此襯底10上存在多個(gè)絕緣層102，在檢測(cè)器區(qū)域11存在一些彼此間被絕緣層102所分開的摻雜區(qū)101，而在晶體管區(qū)域I2中存在一些由柵極121、源極122、漏極123與間隙壁124所組成的晶體管，并且金屬硅化物125位于柵極121、源極122與漏極123之上。此外介電層13位于襯底10上并覆蓋所有前述的結(jié)構(gòu)，多重內(nèi)連線14位于介電層13上并且可以進(jìn)一步連接到各晶體管，而覆蓋層15則位于介電層13上并完整覆蓋位于多重內(nèi)連線14，并且濾光器16位于檢測(cè)器區(qū)域11內(nèi)的覆蓋層15上。此外，由于濾光器16是用來(lái)讓特定波長(zhǎng)的光線直接投射在特定的摻雜區(qū)101中，因此不僅在任一個(gè)摻雜區(qū)101上通常存在一個(gè)濾光器16，而且除了連接到摻雜區(qū)11邊緣的導(dǎo)線外，不會(huì)有任何不透光的結(jié)構(gòu)(如多重內(nèi)連線14)會(huì)位于任一個(gè)摻雜區(qū)101與相對(duì)應(yīng)的濾光器16之間。
無(wú)論如何，在檢測(cè)器區(qū)域11中，由于經(jīng)濾光器16入射到摻雜區(qū)101的部份光線會(huì)被反射，而由于入射的光線并非總是垂直入射，因此反射光線是任何方向都可能的。顯然地，此時(shí)若反射回去的光線又被不透光的多重內(nèi)連線14所反射，很可能會(huì)造成不同的摻雜區(qū)101相互干擾，造成所謂的交叉干擾現(xiàn)像(crosstalkphenomena)。即任一個(gè)摻雜區(qū)101皆無(wú)法分辨所接收的光線是直接自相對(duì)應(yīng)的濾光器16進(jìn)來(lái)光線還是自多重內(nèi)連線14而來(lái)的雜訊。因此，如圖1B所示必需在形成介電層13前先形成抗反射層17于各摻雜區(qū)101之上，從而確保自任一摻雜區(qū)反射的光線都會(huì)被反射回去，而不會(huì)相互干擾。一般而言，抗反射層17的材料為氮化鈦、鈦或鎢鈦化合物。
除此的外，在晶體管區(qū)域12中，金屬硅化物125的重要性是隨著尺寸縮小而增加的。但由于金屬硅化物125并不需要形成在整個(gè)晶體管區(qū)域12中，因此需要在形成金屬硅化物125之前，先形成自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊18在襯底10上并覆蓋住晶體管區(qū)域12中所有不要形成金屬硅化物125的區(qū)域，如圖1B所示，然后才能進(jìn)入形成金屬硅化物的程序。一般而言，自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊18的村科必需是不會(huì)與金屬反應(yīng)的材料，如四氧乙基硅(TETRAETHYL-ORTHOSILICATE，TEOS)。
由前面的討論可以看出，由于抗反射層17與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊18的材料不同，因此盡管二個(gè)區(qū)域的摻雜區(qū)域101與絕緣層102是可以一起形成以簡(jiǎn)化制造程序，但接下來(lái)的制造程序便需要在二個(gè)區(qū)域中各自進(jìn)行，直到金屬硅化物125已形成好后，才可以再合并二個(gè)區(qū)域的制造程序。無(wú)論如何，由圖1B可以看出二個(gè)區(qū)域基本上不能合并的制造程序只有歸因于結(jié)構(gòu)完全不同的柵極121制造程序、金屬硅化物125制造程序以及濾光器16制造程序。因此如何集成抗反射層17與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊二者的制造程序，便成為簡(jiǎn)化光檢測(cè)元件制造程序與降低程本的重要關(guān)鍵。
本發(fā)明的主要目的在于提供可集成抗反射層的制造程序以及自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的制造程序的方法。
本發(fā)明的另一目的是在于提供一種可以同時(shí)形成抗反射層以及自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的方法。
本發(fā)明的目的還包含以相同的村科來(lái)形成抗反射層以及自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊，使得抗反射層與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊二者可以同時(shí)形成。
本發(fā)明的又一目的是提供可實(shí)際應(yīng)用在生產(chǎn)線上的形成抗反射層與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的方法。
本發(fā)明的再一目的則是提供一種光檢測(cè)元件的形成方法，其中防止不同像素(pixel)間交叉干擾現(xiàn)像的抗反射層與確定金屬硅化物位置用的自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊是一并形成的，從而簡(jiǎn)化制程與提升生產(chǎn)效率。
本發(fā)明所提出的較佳實(shí)施例至少包合下列步驟提供至少可分為檢測(cè)器區(qū)域與晶體管區(qū)域的襯底，其中檢測(cè)器區(qū)域至少包含摻雜區(qū)而晶體管區(qū)域至少包含由柵極、源極與漏極所形成的晶體管；形成復(fù)合層在襯底上，此復(fù)合層同時(shí)覆蓋摻雜區(qū)與晶體管，并且可以增大自摻雜區(qū)進(jìn)入復(fù)合層的光線的反射率；以微影蝕刻程序移除部份的復(fù)合層，從而使得柵極的頂部、源極與漏極皆未被復(fù)合層所覆蓋；以及執(zhí)行自行對(duì)準(zhǔn)硅化物程序，形成金屬硅化物在柵極的頂部、源極與漏極之上。
再者，當(dāng)此實(shí)施例是具體應(yīng)用在形成光檢測(cè)元件時(shí)，還進(jìn)一步包合下列步驟移除自行對(duì)準(zhǔn)硅化物程序剩余的反應(yīng)物；形成多個(gè)多重內(nèi)連線在這些晶體管與這些絕緣層的上方，這些多重內(nèi)連線是位于復(fù)合層的上方；以介電層覆蓋襯底，并完成覆蓋這些摻雜區(qū)與這些多重內(nèi)連線；以及形成多個(gè)濾光器在介電層上，其中這些濾光器是位于這些摻雜區(qū)的上方。
顯然地，本發(fā)明的主要特點(diǎn)是以復(fù)合層同時(shí)作為檢測(cè)器區(qū)域的抗反射層以及晶體管區(qū)域的自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊，因此在摻雜區(qū)域與晶體管都形成好后，可以將檢測(cè)器區(qū)域與晶體管區(qū)域的制造程序合并。其中復(fù)合層是由多個(gè)基層交錯(cuò)相疊而成，其中相鄰的數(shù)個(gè)基層的折射率都不同，以改變?nèi)肷涔饩€的方向，并且形成金屬硅化物用的金屬不會(huì)附著在復(fù)合層上。
首先，本發(fā)明的發(fā)明者指出自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊是用來(lái)使形成金屬硅化物用的金屬不會(huì)附著在襯底上不需要形成金屬硅化物的區(qū)域，因此其材料使用介電質(zhì)即可如四氧乙基硅。相對(duì)地，抗反射層是用來(lái)減少入射到襯底的光線的反射強(qiáng)度，因此抗反射層材料的選擇條件應(yīng)是著重在其對(duì)由襯底入射光線的反射率(最好是全反射以徹底消除發(fā)生干擾的可能)。
接著，本發(fā)明的發(fā)明者提出一個(gè)解決此問題的切入點(diǎn)由于一般用來(lái)形成自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的介電層為具有一定折射率的可透光的材料，因此利用光學(xué)上光線自高折射率材料入射到低折射率材料時(shí)可能發(fā)生全反射的概念，可以合理的推知若將不只一層不同折射率的介電質(zhì)相疊而形成一復(fù)合層，此復(fù)合層有可能將特定方向的入射光完全反射回去，亦即可以作為抗反射層用。換句話說(shuō)，本發(fā)明的發(fā)明者指出籍由將多個(gè)介電層相疊成一可具全反射功能的復(fù)合層的作法，可以用形成自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的材料來(lái)形成抗反射層，從而同時(shí)滿足抗反射層改變光線傳播方向與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊適當(dāng)絕緣金屬與部分襯底的需要，亦即可以集成抗反射層制造程序以及自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊制造程序。
圖1A至圖1B是用以解釋抗反射層與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊二者的位置與作用的示意圖；以及圖2A至圖2G是一系列用以解釋本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的各基本步驟的橫截面示意圍。
主要部分的標(biāo)號(hào)10襯底101摻雜區(qū)102絕緣層11檢測(cè)器區(qū)域12晶體管區(qū)域121柵極122源極123漏極124間隙壁125金屬硅化物13介電層14多重內(nèi)連線15覆蓋層16濾光器20襯底201絕緣層21檢測(cè)器區(qū)域22晶體管區(qū)域23摻雜區(qū)241柵極242源極243漏極244間隙璧25復(fù)合層26金屬硅化物27第一介電層28多重內(nèi)連線
29第二介電層295濾光器以下將以本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，一種集成抗反射層與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的方法，來(lái)具體介紹本發(fā)明的主要內(nèi)容，請(qǐng)參照?qǐng)D2A到圖2D所描繪的各基本步驟如圖2A所示，提供襯底20，襯底20至少可分為檢測(cè)器區(qū)域21與晶體管區(qū)域22，其中檢測(cè)器區(qū)域21至少包含摻雜區(qū)23而晶體管區(qū)域22至少包含由柵極241、源極242、漏極243與間隙壁244所形成的晶體管。在此檢測(cè)器區(qū)域21與晶體管區(qū)域22是以絕緣層201所分開。
如圖2B所示，形成復(fù)合層25在襯底20上，復(fù)合層25同時(shí)也覆蓋住摻雜區(qū)23與晶體管。在此復(fù)合層25是用以增大自摻雜區(qū)23進(jìn)入復(fù)合層25的光線的反射率，亦即是用作為抗反射層。
在此復(fù)合層25是由多個(gè)基層所交錯(cuò)相疊而成，其中每一個(gè)基層的折射率皆與相鄰的其它基層的折射率不同。由于當(dāng)光自高折射率材料進(jìn)入低折射串材料時(shí)可能會(huì)發(fā)生全反射，但光自低折射率材料進(jìn)入高折射率材料時(shí)不可能會(huì)發(fā)生全反射，因此籍由適當(dāng)?shù)卣{(diào)整各基層的折射率與厚度等因素，顯然可以使自摻雜區(qū)23進(jìn)入復(fù)合層25的光線被完全反射(至少大幅降低通過復(fù)合層25的機(jī)率)。亦即即使形成復(fù)合層25的材料是透光的介電質(zhì)，但復(fù)合層25仍可以發(fā)揮抗反射層的作用。當(dāng)然各基層之間折射率與厚度等的關(guān)系視實(shí)際的需要來(lái)調(diào)整，但大致上越靠近摻雜區(qū)23的基層的折射率越高，越遠(yuǎn)離摻雜區(qū)23的基層的折射率越低。
一般而言，復(fù)合層25的材料至少包含等離子體增強(qiáng)四氧乙基硅(plasmaenhanced TEOS)以及等離子體增強(qiáng)氮化硅(Plasma enhanced silicon nitride)等可透光的介電質(zhì)，而且為了配合晶體管區(qū)域22中自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的需要通常是由至少一層的等離子體增強(qiáng)四氧乙基硅層與至少一層的等離子體增強(qiáng)氮化硅層所交錯(cuò)相疊而成。在此等離子體增強(qiáng)四氧乙基硅層一般是以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積程序所形成的，而等離子體增強(qiáng)氮化硅層是以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積程序所形成的。并且，復(fù)合層25的厚度大約為500埃。
如圖2C所示，以一微影蝕刻程序移除部份的復(fù)合層25，從而使得柵極241的頂部、源極242與漏極243皆未被復(fù)合層25所覆蓋。其中柵極241頂部的材料為多晶硅。
如圖2D所示，執(zhí)行一自行對(duì)準(zhǔn)硅化物程序，從而形成金屬硅化物26在間極241的頂部、源極242與淡極243之上。在此由于復(fù)合層25的村科和已知技術(shù)中自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的材料相當(dāng)，因此以復(fù)合層25作為自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊并不會(huì)有任何的不良副作用。
顯然地，在此實(shí)施例中復(fù)合層25除了在形成金屬硅化物26于晶體管區(qū)域22的過程中，發(fā)揮了自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的功能外；被形成在摻雜區(qū)域23上的復(fù)合層25也可以發(fā)揮抗反射層的功能。換言之，本發(fā)明是一種成功地集成了抗反射層的制造程序以及自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的制造程序的方法。特別是由于形成復(fù)合層25的過程只是連續(xù)形成不只一層的介電質(zhì)層而已，因此這個(gè)方法還是一種可實(shí)際地應(yīng)用在生產(chǎn)線上的方法。
再者，當(dāng)此實(shí)施例被實(shí)際應(yīng)用在提供一種形成光檢測(cè)元件的方法時(shí)，還至少包含下列數(shù)個(gè)基本步驟如圖2E所示，移除自行對(duì)準(zhǔn)硅化物程序剩余的反應(yīng)物，并形成第一介電層27覆蓋復(fù)合層25與金屬硅化物26之上。
如圖2F所示，先形成多個(gè)多重內(nèi)連線28在第一介電層27上，再以第二介電層29覆蓋在第一介電層27與多重內(nèi)連線28之上。這些多重內(nèi)連線28是位于晶體管與絕緣層201的上方，并且通常是連接到晶體管當(dāng)然也可以耦合到摻雜區(qū)23。
如圖2G所示，形成多個(gè)濾光器(color filter)295在第二介電層29上，這些濾光器295是位于摻雜區(qū)23的上方。其中濾光器295的可能種類至少包含紅光線濾光器、藍(lán)光線濾光器以及彩色光濾光器，并且一般來(lái)說(shuō)，每一個(gè)摻雜區(qū)23的上方皆有一個(gè)濾光器295。
此外，隨著半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)的日漸復(fù)雜，襯底20還包含多個(gè)電阻器(resistor)(未顯示于各圖示)，這些電阻器是耦合到所述這些晶體管，以及被復(fù)合層25所完全覆蓋，并且是用以提供完整電路所需要的電阻。一般而言，電阻器位于絕緣層201上的多晶硅結(jié)構(gòu)，并且通常這些多晶硅結(jié)構(gòu)是與各晶體管的柵極241頂部的多晶硅部份一起形成的。
籍由比較圖2G與圖1B，可以看出由于在此方法中復(fù)合層25可以有效地扮演抗反射層的角色，因此不透光的多重內(nèi)連線28使任何一個(gè)摻雜區(qū)23接收到自其它摻雜區(qū)23反射的光線的機(jī)率可以降至最低。換句話說(shuō)，本發(fā)明可以有效地阻止交叉干擾現(xiàn)像，因此是一個(gè)適用于光檢測(cè)元件制造程序的方法。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修正，均應(yīng)包含在下述的申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種集成抗反射層與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的方法，其特征在于，至少包含提供一襯底，所述襯底至少可分為一檢測(cè)器區(qū)域與一晶體管區(qū)域，其中所述檢測(cè)器區(qū)域至少包含一摻雜區(qū)而所述晶體管區(qū)域至少包含由一柵極、一源極與一漏極所形成的一晶體管；形成一復(fù)合層在所述襯底上，所述復(fù)合層同時(shí)覆蓋所述摻雜區(qū)與所述晶體管，在此所述復(fù)合層用來(lái)增大自所述摻雜區(qū)進(jìn)入所述復(fù)合層的光線的反射率；以一微影蝕刻程序移除部份的所述復(fù)合層，從而使得所述柵極的頂部、所述源極與所述漏極皆未被所述復(fù)合層所覆蓋以及執(zhí)行一自行對(duì)準(zhǔn)硅化物程序，從而形成一金屬硅化物在所述柵極的頂部、所述源極與所述汲極之上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述檢測(cè)器區(qū)域與所述晶體管區(qū)域是以一絕緣層所分開。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極頂部的材料為多晶硅。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合層是由多個(gè)基層所交錯(cuò)相疊而成。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中每一個(gè)所述基層的折射率皆與相鄰的其它所述基層的折射率不同。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中越靠近所述摻雜區(qū)的所述基層的折射率越高，越遠(yuǎn)離所述摻雜區(qū)的所述基層的折射率越低。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合層的材料至少包含等離子體增強(qiáng)四氧乙基硅以及等離子體增強(qiáng)氮化硅。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合層是由至少一層的等離子體增強(qiáng)四氧乙基硅層與至少一層的等離子體增強(qiáng)氮化硅層交錯(cuò)相疊而成。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)四氧乙基硅層是以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積程序所形成的。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)氮化硅層是以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積程序所形成的。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合層的厚度大約為500埃。
12.一種形成光檢測(cè)元件的方法，其特征在于，至少包含提供一襯底，所述襯底至少包含多個(gè)摻雜區(qū)、多個(gè)晶體管與多個(gè)絕緣層形成一復(fù)合層在底上并覆蓋所有的所述摻雜區(qū)、所述晶體管與所述絕緣層，在此所述復(fù)合層用來(lái)增大自所述襯底進(jìn)入所述復(fù)合層的光線的反射率；執(zhí)行一微影蝕刻程序，從而定義隨后要形成金屬硅化物的區(qū)域并移除位于所述區(qū)域部分的所述復(fù)合層，其中所述區(qū)域至少包含多個(gè)柵極的頂部、多個(gè)源極與多個(gè)漏極；執(zhí)行一自行對(duì)準(zhǔn)硅化物程序，從而形成一金屬硅化物在所述柵極頂部、所述源極與所述漏極之上；移除所述自行對(duì)準(zhǔn)硅化物程序剩余的反應(yīng)物；形成一第一介電層在所述復(fù)合層與所述金屬硅化物上；形成多個(gè)多重內(nèi)連線在所述第一介電層上，所述多重內(nèi)連線位于所述晶體管與所述絕緣層的上方；以一第二介電層覆蓋所述第一介電層與所述多重內(nèi)連線；以及形成多個(gè)濾光器在所述第二介電層上，所述濾光器位于所述摻雜區(qū)的上方。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述襯底還包含多個(gè)電阻器。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述電阻器是位于所述絕緣層上的多晶硅結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述多晶硅結(jié)構(gòu)是與所述晶體管的柵極頂部的多晶硅部份一起形成的。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)電阻器耦合到所述晶體管。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合層也完全覆蓋所述電阻器。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合層是由多個(gè)基層交錯(cuò)相疊而成。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，每一個(gè)所述基層的折射率皆與相鄰的其它所述基層的折射率不同。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，越靠近所述襯底的所述基層的折射率越高，越遠(yuǎn)離所述襯底的所述基層的折射率越高。
21.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合層的材料至少包合電槳增強(qiáng)四氧乙基硅和等離子體增強(qiáng)氮化硅。
22.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合層是由至少一層的等離子體增強(qiáng)四氧乙基硅層與至少一層的等離子體增強(qiáng)氮化硅層交錯(cuò)相疊而成。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)四氧乙基硅層是以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積程序形成的。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)氮化硅層是以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積程序形成的。
25.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合層的厚度大約為500埃。
26.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)多重內(nèi)連線連接到所述晶體管。
27.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)多重內(nèi)連線是耦合到所述摻雜區(qū)。
28.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述濾光器的可能種類至少包含紅光線濾光器、藍(lán)光線濾光器以及彩色光濾光器。
29.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，每一個(gè)所述摻雜區(qū)的上方皆有一個(gè)所述濾光器。
全文摘要
一種集成抗反射層與自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊的方法,至少包含:提供至少可分為檢測(cè)器區(qū)域與晶體管區(qū)域的襯底其中檢測(cè)器區(qū)域至少包含摻雜區(qū)而晶體管區(qū)域至少包含由柵極、源極與漏極所形成的晶體管;形成復(fù)合層在襯底上,此復(fù)合層同時(shí)覆蓋摻雜區(qū)與晶體管,并且是用以增大自摻雜區(qū)進(jìn)入復(fù)合層的光線的反射率;以微影蝕刻程序移除部分的復(fù)合層,用來(lái)使得柵極的頂部、源極與漏極皆未被復(fù)合層所覆蓋;以及執(zhí)行自行對(duì)準(zhǔn)硅化物程序,形成金屬硅化物在柵極的頂部、源極與漏極之上。本方法的主要特點(diǎn)是復(fù)合層可以同時(shí)作為檢測(cè)器區(qū)域的抗反射層以及晶體管區(qū)域的自行對(duì)準(zhǔn)硅化物塊,其中復(fù)合層是由多個(gè)基層交錯(cuò)相疊而成,并且相鄰的數(shù)個(gè)基層的折射率都不同。
文檔編號(hào)H01L21/82GK1336688SQ00122618
公開日2002年2月20日 申請(qǐng)日期2000年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月2日
發(fā)明者陳重堯, 林震賓, 劉鳳銘 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司