專利名稱：掩膜法制作高溫超導(dǎo)濾波器接觸電極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微波通信技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及高溫超導(dǎo)濾波器制作技術(shù)。
超導(dǎo)濾波器的主要制作步驟為首先在介質(zhì)基片(一般為AlLaO3、MgO等)的正面鍍上一層超導(dǎo)薄膜，背面鍍上一層金屬或超導(dǎo)薄膜作為接地平面；然后用光刻技術(shù)把基片正面的超導(dǎo)薄膜蝕刻成微帶線濾波器圖形。微帶線濾波器圖形、介質(zhì)基片和基片背面的接地平面就構(gòu)成了超導(dǎo)濾波器。一般來說，濾波器圖形的中間部分為一組微帶線諧振器，邊緣為兩根饋線，以與外電路連接來輸入輸出信號。由于外電路為普通金屬材料，與超導(dǎo)材料的直接接觸不夠牢固，同時接觸電阻比較大，直接導(dǎo)致濾波器性能惡化，所以實際制作中要先在饋線上沉積或濺射一層金或銀膜作為接觸電極，再通過接觸電極與外電路進行連接。
以往文獻中公開的制作超導(dǎo)濾波器接觸電極方法一般有兩種剝離法(liftoffprocess)或者用金屬沉積然后蝕刻的方法。前一種方法是在高溫超導(dǎo)電路上涂上一層光刻膠，然后用光刻的方法定出接點圖形和接點位置，去掉光刻膠，再在上面沉積金或銀，最后用一些溶劑去掉光刻膠涂層及它上面的金或銀，就形成所需要的金屬接觸電極。后一種方法是金或銀金屬層直接沉積在高溫超導(dǎo)膜的上面，然后蝕刻處理去掉多余的金屬層。這兩種方法都要進行蝕刻處理，步驟煩瑣，難于控制，容易對超導(dǎo)膜或金屬層造成損害。
本發(fā)明提出的一種高溫超導(dǎo)濾波器接觸電極的制作方法，其特征在于，包括以下步驟(1)在一塊厚金屬平板上挖出一個槽，該槽長度和寬度比濾波器至少各大0.1mm，深度比濾波器厚度至少高0.1mm；(2)將濾波器放置在所說的槽中；(3)在一塊尺寸和濾波器完全相同，厚度為0.1mm到0.2mm的金屬薄片上切割出兩條窄縫，兩條窄縫位置與濾波器上兩條饋線的位置完全相同，尺寸與所需制作的接觸電極的相一致；(4)將上述切有窄縫的皮青銅或磷銅放置在該槽內(nèi)的濾波器上，使濾波器的饋線上需制作接觸電極的部分暴露在窄縫中，用壓片固定該金屬薄片；(5)將上述裝有濾波器和金屬薄片的厚金屬板放入真空室，鍍上金屬膜；(6)取出濾波器，放入通氧的石英管中退火，然后冷卻至室溫；得到制有金屬接觸電極的濾波器。
上述金屬薄片可采用變形小的材料，如皮青銅或磷銅薄片等。
本發(fā)明的良好效果本方法簡單可行，容易控制，不會損傷超導(dǎo)薄膜或金屬膜表面，可為高溫超導(dǎo)電路與外電路的連接提供清潔表面。
本發(fā)明還適用于在其它氧化物薄膜上制作電極的情況。
圖2為本發(fā)明實施例中所用的皮青銅示意圖。
圖3為本發(fā)明實施例中所用的濾波器示意圖。
權(quán)利要求
1.一種高溫超導(dǎo)濾波器接觸電極的制作方法，其特征在于，包括以下步驟(1)在一塊厚金屬平板上挖出一個槽，該槽長度和寬度比濾波器至少各大0.1mm，深度比濾波器厚度至少高0.1mm；(2)將濾波器放置在所說的槽中；(3)在一塊尺寸和濾波器相同，厚度為0.1mm到0.2mm的金屬薄片上切割出兩條窄縫，兩條窄縫位置與濾波器上兩條饋線的位置相同，尺寸與所需制作的接觸電極的相一致；(4)將所述切有窄縫的金屬薄片放置在該槽內(nèi)的濾波器上，使濾波器的饋線上需制作接觸電極的部分暴露在窄縫中，用壓片固定該金屬薄片；(5)將所述裝有濾波器和金屬薄片的厚金屬板放入真空室，鍍上金屬膜；(6)取出濾波器，放入通氧的裝置中退火，然后冷卻至室溫；得到制有金屬接觸電極的濾波器。
全文摘要
本發(fā)明屬于微波通信技術(shù)領(lǐng)域，涉及掩膜法制作高溫超導(dǎo)濾波器接觸電極的方法。包括在一塊厚金屬平板上挖出一個槽，將濾波器放置在所說的槽中；在一塊濾波器相同的金屬薄片上切割出兩條窄縫，其位置與濾波器上兩條饋線的位置相同，尺寸與所需制作的接觸電極的相一致；將金屬薄片放置在該槽內(nèi)的濾波器上，使濾波器的饋線上需制作的接觸電極的部分暴露在窄縫中，用壓片固定該金屬薄片；將所述裝有濾波器和金屬薄片的厚金屬板放入真空室，鍍上金屬膜；取出濾波器，放入通氧的裝置中退火，然后冷至室溫；得到制有金屬接觸電極的濾波器。本發(fā)明可省去蝕刻的煩瑣步驟，避免損害超導(dǎo)膜或金屬層；制作過程簡單易行，并為后續(xù)外引線的接入提供清潔表面。
文檔編號H01P11/00GK1414657SQ0215689
公開日2003年4月30日 申請日期2002年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月20日
發(fā)明者張曉平, 趙永剛, 王玉梅, 姚克賢, 曹必松 申請人:清華大學(xué)