專利名稱：具允許電子遷移并發(fā)射光致發(fā)光射線結(jié)構(gòu)的化合物及應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于光學(xué)器件的分子化學(xué)化合物以及使用該化合物的光致發(fā)光猝滅器件(顯示器件)，所述化合物具有允許電子遷移并能發(fā)射光致發(fā)光射線的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
具有能夠吸收高能射線(紫外線、X射線、陰極射線等)且將這些射線轉(zhuǎn)化成波長較長、通常為可見光射線的化合物被稱為發(fā)光體。這種過程稱為發(fā)光。發(fā)光過程可依據(jù)能量供給的形式進(jìn)行劃分。例如，在光致發(fā)光中，電子通過光學(xué)激發(fā)(照射)被激發(fā)至更高的能級(jí)，而在電致發(fā)光中，電子通過對(duì)其施加電場被激發(fā)至更高能級(jí)。
光致發(fā)光猝滅器件(PQDs)是在戶外條件下應(yīng)用光致發(fā)光技術(shù)的顯示裝置，如在強(qiáng)烈陽光下。光致發(fā)光猝滅器件使用外部光線來產(chǎn)生光致激發(fā)光線，這種光線可以通過電壓進(jìn)行調(diào)制。這種顯示器件可以在自動(dòng)發(fā)射模式下運(yùn)行，這種操作模式能夠在外部光線很弱或缺少外光的條件下應(yīng)用。
光致發(fā)光猝滅器件的基本原理已被廣泛了解。涉及的機(jī)理是由激發(fā)狀態(tài)的分裂來控制發(fā)射光的強(qiáng)度。這種分裂產(chǎn)生通過觸點(diǎn)來遷移的電荷載體。因此，光致發(fā)光猝滅器件的機(jī)理進(jìn)行過程與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的相反，在有機(jī)發(fā)光二極管中電荷載體經(jīng)歷與發(fā)射光重組的過程。
選自含有聚(亞乙基乙烯基)(PPV)或聚芴(PFO)基本結(jié)構(gòu)的共軛聚合物目前用作PQDs材料。然而，這種材料已經(jīng)用于高分子有機(jī)發(fā)光二極管，并且當(dāng)這種材料用于PQD設(shè)備時(shí)，只有在2.5×108V/m這樣相對(duì)較高的電場中，才顯示出多于70％的熒光猝滅。
具有非線性光學(xué)特性的給體-受體結(jié)構(gòu)已被公開。Stewart等人的美國專利6288206B1中公開了用于非線性光的手性材料，Sasakit等人的美國專利5745629A中公開了用于非線性光學(xué)用途的聚合物?？墒?，光致發(fā)光射線的發(fā)射在這些專利中并不是最重要，因?yàn)槿Q于吸收特別是折射指數(shù)的電場，優(yōu)先應(yīng)用。甚至在材料基態(tài)時(shí)，顯示出非常強(qiáng)給體-受體相互作用的化合物也不適用于光致發(fā)光猝滅器件，因?yàn)檫@些化合物有高極性而不能釋放電子。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供用于光致發(fā)光猝滅器件的改進(jìn)材料和使用該材料的改進(jìn)的光致發(fā)光猝滅器件。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供能夠擴(kuò)大電場和激發(fā)態(tài)相耦合的化合物。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供通過光致發(fā)光猝滅器件(PQD)中的電場允許調(diào)節(jié)光致發(fā)光射線的化合物，并且該化合物提供高的光致發(fā)光量子的產(chǎn)率，保證高的熒光淬滅，降低光致發(fā)光猝滅需要的電場且顯示發(fā)光特性。
作為本發(fā)明基礎(chǔ)的化合物含有容易遷移電子的體系，在激發(fā)狀態(tài)時(shí)形成偶極。該化合物的結(jié)構(gòu)包含富電子的供電子基團(tuán)(電子給體基團(tuán))，缺電子的受體基團(tuán)(電子受體基團(tuán))，以及在電子給體和受體基團(tuán)之間的共軛橋連單元。
本發(fā)明的化合物是按以下方式設(shè)計(jì)的在基態(tài)下其給體/受體不會(huì)產(chǎn)生顯著的偶極矩，僅在激發(fā)狀態(tài)下產(chǎn)生。
優(yōu)選的電子給體基團(tuán)是芳香胺或稠環(huán)體系。更優(yōu)選的電子給體基團(tuán)是三苯胺、苯二胺、聯(lián)苯胺、咔唑、噻吩和它們的齊聚物。
共軛橋連單元包括π-共軛碳鍵，優(yōu)選包含在有機(jī)聚合物中，該聚合物選自具有下列基本化學(xué)結(jié)構(gòu)的化合物呈單體、齊聚物、聚合物形式的聚亞苯基亞乙烯基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞苯基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的芴部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞乙烯基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的乙炔基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞蒽基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞萘基部分及其取代產(chǎn)物。
優(yōu)選的電子受體基團(tuán)包括單取代的苯基、二取代的苯基、三取代苯基、芳族多元羧酸的酸酐和酰亞胺、噁唑和稠環(huán)體系。更優(yōu)選的電子受體基團(tuán)含有選自下列的基本化學(xué)結(jié)構(gòu)氟取代苯基、硝基取代苯基、氰基取代苯基、苝四羧酸的酸酐和酰亞胺及其取代物、噁二唑及其取代物、噁唑及其取代化合物、亞芴基及其取代化合物。
上述化合物能夠用于光致發(fā)光猝滅器件。光致發(fā)光猝滅器件的優(yōu)選實(shí)施方案包括玻璃基板；置于所述玻璃基板上的透明導(dǎo)電的銦-錫氧化物層(ITO)；置于所述透明導(dǎo)電的銦-錫氧化物上的厚度在約30至100納米之間的聚(亞乙二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸導(dǎo)電聚合物層；厚度在50至150納米之間、具有給體—受體結(jié)構(gòu)的化合物發(fā)射體層，以及金屬觸點(diǎn)。當(dāng)電壓為15伏時(shí)，一半以上的光致發(fā)光射線可以被抑制。


上述關(guān)于本發(fā)明的方面和優(yōu)勢(shì)通過參考附圖以優(yōu)選的實(shí)施方案具體的描述，將更加明確，其中圖1是本發(fā)明的光致發(fā)光猝滅器件的功能原理示意圖；圖2是本發(fā)明的給體-受體結(jié)構(gòu)基本構(gòu)型的示意圖。
發(fā)明詳述由于給體/共軛橋連單元/受體基團(tuán)的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的化合物特別適用于光致發(fā)光猝滅器件(PQD)。在激發(fā)狀態(tài)下，更強(qiáng)的耦合可以通過增加體積和增加極性來實(shí)現(xiàn)。在激發(fā)狀態(tài)，外加電場可以作用在偶極上并產(chǎn)生電荷分離。
圖1對(duì)PQD的基本原理進(jìn)行了說明。與OLED顯示類似，PQD的設(shè)計(jì)原則上同樣地非常簡單。(超薄的)分子化學(xué)膜鑲嵌在兩層金屬膜之間。材料通過吸收周圍的光線產(chǎn)生激發(fā)態(tài)，隨著光線發(fā)射其輻射能力衰減。通過在兩個(gè)觸點(diǎn)上施加電壓形成電場。電場導(dǎo)致激發(fā)態(tài)分離成通過觸點(diǎn)移動(dòng)的電荷載體。
為了避免腐蝕和化學(xué)降解，全部結(jié)構(gòu)安裝在惰性氣體中并且密封封裝。密封越好，設(shè)備預(yù)期的使用壽命越長。
圖2對(duì)給體/共軛橋連單元/受體的分子化學(xué)層的結(jié)構(gòu)安裝原理進(jìn)行了說明。
本發(fā)明所述的化合物的制備可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員眾所周知的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。例如，采用我們所熟悉的模塊化系統(tǒng)可以使單獨(dú)的結(jié)構(gòu)單元彼此連接。產(chǎn)生單體或齊聚物和聚合物的結(jié)構(gòu)。薄的單體和齊聚物層可以在高真空條件下通過蒸汽沉積法制備。適當(dāng)?shù)牟牧显诟哒婵諚l件下從加熱的蒸發(fā)源中蒸發(fā)，并且在高真空條件下在基材表面上沉積形成薄而致密的膜。典型的基本壓力范圍為10-4到10-9毫巴。
根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選的這種電子給體基團(tuán)的基本化學(xué)結(jié)構(gòu)是芳香胺和稠環(huán)體系化合物。優(yōu)選地，電子給體基團(tuán)包括a)三苯胺，b)苯二胺，或?qū)χ乇桨?氨基二苯胺)和c)聯(lián)苯胺，d)咔唑(二吲哚)和e)噻吩和它的齊聚物。具有基本結(jié)構(gòu)為式1a的三苯胺，式1b的苯二胺，式1c的聯(lián)苯胺，式1d的咔唑，以及噻吩和它的齊聚物的化合物代表了特別適用于給體部分的主要結(jié)構(gòu)類型。
結(jié)構(gòu)式1a 結(jié)構(gòu)式1b 結(jié)構(gòu)式1c
結(jié)構(gòu)式1d 本發(fā)明中的共軛橋連單元優(yōu)選選自л-共軛有機(jī)化合物。
更具體的化合物從下列物質(zhì)中選取(a)呈單體、齊聚物、聚合物形式的聚亞苯基亞乙烯基部分及其取代產(chǎn)物，(b)呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞苯基部分及其取代產(chǎn)物，(c)呈單體、齊聚物、聚合物形式的芴部分及其取代產(chǎn)物，(d)呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞乙烯基部分及其取代產(chǎn)物，(e)呈單體、齊聚物、聚合物形式的乙炔基部分及其取代產(chǎn)物，(f)呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞蒽基部分及其取代產(chǎn)物，(g)呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞萘基部分及其取代產(chǎn)物。
具有特別適合的結(jié)構(gòu)來作為共軛橋連單元的化合物包括(a)結(jié)構(gòu)為式2a的呈單體、齊聚物、聚合物形式的聚亞苯基亞乙烯基部分及其取代產(chǎn)物；(b)結(jié)構(gòu)為式2b的呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞苯基部分及其取代產(chǎn)物；(c)結(jié)構(gòu)為式2c的呈單體、齊聚物、聚合物形式的芴部分及其取代產(chǎn)物；(d)結(jié)構(gòu)為式2d的呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞乙烯基部分及其取代產(chǎn)物；(e)結(jié)構(gòu)為式2e的呈單體、齊聚物、聚合物形式的乙炔基部分及其取代產(chǎn)物；(f)結(jié)構(gòu)為式2f的呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞蒽基部分及其取代產(chǎn)物；(g)結(jié)構(gòu)為式2g的呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞萘基及其取代產(chǎn)物。
式2a 其中n從1到20式2b 其中n從1到20
式2c 其中n從1到20式2d 其中n從1到20式2e 其中n從1到20式2f 其中n從1到20式2g
其中n從1到20在上面和下面的結(jié)構(gòu)式中，*代表連接了電子給體和電子受體的點(diǎn)。
優(yōu)選的電子受體化合物的基本結(jié)構(gòu)是一、二和/或三取代的苯基、芳族多元羧酸的酸酐和酰亞胺、噁唑和稠環(huán)體系。
優(yōu)選地，它們是(a)氟取代的苯基(一、二和/或三取代)；(b)硝基取代的苯基，；優(yōu)選是間位和對(duì)位取代的苯基；(c)氰基取代的苯基，優(yōu)選是一或二取代苯基；(d)苝四羧酸的酸酐和酰亞胺及其取代產(chǎn)物；(e)萘四羧酸的酸酐和酰亞胺及其取代產(chǎn)物；(f)噁二唑及其取代產(chǎn)物；(g)噁唑和它的取代產(chǎn)物；和(h)亞芴基部分及其取代產(chǎn)物。
特別適合電子受體的化合物包括結(jié)構(gòu)為式3a-3c的氟取代的苯基，結(jié)構(gòu)為式3d-3e的硝基取代的苯基，結(jié)構(gòu)為式3f-3h的氰基取代的苯基，結(jié)構(gòu)為式3i的苝四羧酸的酸酐和酰亞胺，結(jié)構(gòu)為式3j的萘四羧酸的酸酐和酰亞胺，結(jié)構(gòu)為式3k的噁二唑和它的取代產(chǎn)物，結(jié)構(gòu)為式3l的噁唑和它的取代產(chǎn)物，和結(jié)構(gòu)為式3m的亞芴基和它的取代產(chǎn)物。
[式3b] [式3c] [式3d] [式3e] [式3g] [式3h] [式3i] [式3j] [式3k] [式3m] 更優(yōu)選的具有允許電子遷移并可發(fā)射光致發(fā)光射線結(jié)構(gòu)的化合物是式4a到4c的單體或齊聚物形式的、具有給體/橋/受體結(jié)構(gòu)的化合物，化合物還包括聚合物分子主鏈上含有給體和受體的、式5a的三苯胺-噁二唑化合物，聚合物分子主鏈上含有給體和受體基團(tuán)、式5b的苯二胺-三氟代苯化合物以及聚合物分子主鏈上含有給體且支鏈上含有受體、式5c的聯(lián)苯胺-二(噁二唑)化合物。
結(jié)構(gòu)為式4a的三苯胺-噁二唑的不對(duì)稱化合物、結(jié)構(gòu)為式4a的苯二胺-三氟代苯組合的不對(duì)稱化合物和結(jié)構(gòu)為式4c的苯二胺-二(三氟代苯)組合的對(duì)稱化合物具有基于小分子水平的給體-受體材料的典型結(jié)構(gòu)。
[式4c] [式5a]
其中n從100到2000[式5b] 其中n從100到2000[式5c] 其中n從100到2000在本發(fā)明另外一個(gè)實(shí)施方案中，根據(jù)本發(fā)明的共軛橋連單元具有額外的支鏈或者側(cè)鏈以及為改善溶解性而結(jié)合上的取代基。優(yōu)選使用枝鏈烷基或烷氧基，優(yōu)選碳原子數(shù)在4至14之間。電子給體基團(tuán)和受體基團(tuán)可以與橋連單元與主鏈相連，可以與橋連單元的支鏈或側(cè)鏈相連，還可以作為橋連單元的支鏈或側(cè)鏈。
本發(fā)明的化合物特別適用于光致發(fā)光猝滅器件。它們具有發(fā)光特征，保證高的熒光猝滅，要求的電場低于1.5×108V/m就可以猝滅一半以上未加電場的光致發(fā)光射線，此外，還能產(chǎn)生高量子產(chǎn)量的光致發(fā)光射線。典型的熒光量子產(chǎn)量高于40％。具有式5a，5b，5c結(jié)構(gòu)的材料特別適用。
本發(fā)明中使用聚合物作為發(fā)光材料以薄膜層結(jié)合于PQD顯示器件的光致發(fā)光猝滅顯示器件具有以下結(jié)構(gòu)。
顯示器件基于透明的基板，優(yōu)選涂敷了透明導(dǎo)電的銦-錫氧化物(ITO)的玻璃基板制造的。
ITO層是旋轉(zhuǎn)涂敷了聚(亞乙二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸導(dǎo)電聚合物的層。這層聚合物能夠平復(fù)表面上的任何凸凹不平。優(yōu)選的層厚度在30至100納米之間。
本發(fā)明的聚合物在適合的有機(jī)溶劑如甲苯、二甲苯、氯仿或氯苯中通過旋涂敷形成薄膜。相應(yīng)的，根據(jù)式5(a)，5(b)，5(c)的發(fā)光聚合物被涂敷成50至150納米之間的厚度的層。
這種結(jié)構(gòu)是在高真空下沉積金屬觸點(diǎn)完成的。這些金屬選自鋁、鈣、鐿、銀、鈦、鎂、鋅和銦。還可以結(jié)合使用這些金屬與堿金屬或堿土金屬的氟化物或氧化物的薄絕緣層。
為了實(shí)現(xiàn)這一目的，在高真空條件下通過熱蒸汽沉積工藝沉積得到的1納米厚的氟化鋰是優(yōu)選的。在氟化鋰薄層上，優(yōu)選是通過蒸汽沉積再涂上一層典型厚度為50-200納米的鋁層。這種結(jié)構(gòu)通過密封完成，優(yōu)選玻璃，用粘合劑來密封達(dá)到氣密。
當(dāng)陽光照射時(shí)這種結(jié)構(gòu)放射出光致發(fā)光光線。通過在金屬觸點(diǎn)和ITO觸點(diǎn)之間施加電壓可以減少光致發(fā)光的強(qiáng)度。相對(duì)于ITO觸點(diǎn)來說金屬觸點(diǎn)是正極。當(dāng)施加15伏電壓時(shí)，一半以上的光致發(fā)光光線被抑制。
根據(jù)本發(fā)明的化合物電子遷移容易發(fā)生，只有在激發(fā)態(tài)它才表現(xiàn)出偶極，其化學(xué)結(jié)構(gòu)為由共軛橋連單元把電子給體/電子受體連接起來的結(jié)構(gòu)。由于這種化合物顯示了發(fā)射性，高光致發(fā)光猝滅效率并且提供高光致發(fā)光量子產(chǎn)量，該化合物特別適合應(yīng)用于光致發(fā)光猝滅器件。
雖然本發(fā)明已經(jīng)參考優(yōu)選的實(shí)施方案進(jìn)行了特別的描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)理解的是在不偏離由下述權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍下，可以作出形式上和具體的改動(dòng)。
權(quán)利要求
1.一種化合物，包含電子給體基團(tuán)；電子受體基團(tuán)；以及共軛橋連單元，上述電子給體基團(tuán)和電子受體基團(tuán)通過所述的共軛橋連單元互相連接，其中該化合物具有容易遷移的電子，只在激發(fā)狀態(tài)具有偶極特征，同時(shí)該化合物能夠發(fā)射光致發(fā)光射線。
2.權(quán)利要求1的化合物，其中電子給體基團(tuán)是芳香胺或稠環(huán)體系。
3.權(quán)利要求1的化合物，其中電子給體基團(tuán)選自三苯胺，苯二胺和聯(lián)苯胺。
4.權(quán)利要求1的化合物，其中電子給體基團(tuán)選自咔唑、噻吩及其齊聚物。
5.權(quán)利要求1的化合物，其中電子給體基團(tuán)選自式1a至1d的化合物、噻吩及其齊聚物式1a 式1b 式1c ，和式1d
6.權(quán)利要求1的化合物，其中共軛橋連單元具有π-共軛碳鍵。
7.權(quán)利要求6的化合物，其中所述π-共軛碳鍵以一種選自下述的化學(xué)基本結(jié)構(gòu)包含于一種有機(jī)聚合物中，所述化學(xué)基本結(jié)構(gòu)為呈單體、齊聚物、聚合物形式的聚亞苯基亞乙烯基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞苯基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的芴部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞乙烯基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞乙炔基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞蒽基部分及其取代產(chǎn)物，呈單體、齊聚物、聚合物形式的亞萘基部分及其取代產(chǎn)物。
8.權(quán)利要求6的化合物，其中共軛橋連單元選自式2a至2g式2a n取值范圍在1至20之間，式2b n取值范圍在1至20之間，式2c n取值范圍在1至20之間，式2d n取值范圍在1至20之間，式2e n取值范圍在1至20之間，式2f n取值范圍在1至20之間，式2g n取值范圍在1至20之間。
9.權(quán)利要求1的化合物，其中電子受體基團(tuán)選自單取代的苯基、二取代的苯基、三取代的苯基、芳族多元羧酸的酸酐和酰亞胺、噁唑和稠環(huán)體系。
10.權(quán)利要求9的化合物，其中電子受體基團(tuán)具有基本的化學(xué)結(jié)構(gòu)，選自氟取代苯基、硝基取代的苯基、氰基取代的苯基、苝四羧酸的酸酐和酰亞胺及其取代化合物、萘四羧酸的酸酐和酰亞胺、噁二唑及其取代化合物、噁唑及其取代化合物和亞芴基及其取代化合物。
11.權(quán)利要求9的化合物，其中電子受體基團(tuán)選自式3a至3m的化合物[式3a] [式3b] [式3c] [式3d] [式3e] [式3f] [式3g] [式3h] [式3i] [式3j] [式3k] [式3l] 和[式3m]
12.權(quán)利要求1的化合物，選自下列式4a至4c的化合物式4a 式4b 和式4c
13.權(quán)利要求1的化合物，選自下列式5a至5c的化合物式5a 其中n取值范圍在100-2000之間，式5b 其中n取值范圍在100-2000之間，式5c 其中n取值范圍在100-2000之間。
14.權(quán)利要求1的化合物，其中電子給體基團(tuán)是芳香胺或稠環(huán)，共軛橋連單元具有π-共軛碳鍵，電子受體基團(tuán)選自單取代苯基、二取代苯基、三取代苯基、芳族多元羧酸的酸酐和酰亞胺、噁唑和稠環(huán)體系。
15.權(quán)利要求14的化合物，其中所述共軛橋連單元是具有主鏈和支鏈或側(cè)鏈的聚合物，所述支鏈或側(cè)鏈上具有烷基或烷氧基團(tuán)。
16.一種光致發(fā)光猝滅器件，包含權(quán)利要求1的化合物。
17.權(quán)利要求16的光致發(fā)光猝滅器件，其中需要不低于1.5×108V/m的電場來猝滅一半的光致發(fā)光射線。
18.權(quán)利要求16的光致發(fā)光猝滅顯示器件，包括玻璃基板；透明導(dǎo)電的銦-錫氧化物(ITO)層置于所述玻璃基板上；置于所述透明導(dǎo)電的銦-錫氧化物上、厚度在30至100納米之間的聚(亞乙二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸導(dǎo)電聚合物層；厚度在50至150納米之間的發(fā)射聚合物層，所述發(fā)射聚合物層材料含有下列式5a-5c的化合物式5a 其中n取值范圍在100至2000之間，式5b 其中n取值范圍在100至2000之間，式5c 其中n取值范圍在100至2000之間；金屬觸點(diǎn)；和厚度在50至200納米之間的鋁層。
19.權(quán)利要求18的光致發(fā)光猝滅器件，在金屬觸點(diǎn)和鋁層之間還包含一層絕緣薄膜。
20.權(quán)利要求18的光致發(fā)光猝滅器件，其中當(dāng)施加15伏電壓時(shí)有超過一半的光致發(fā)光射線被抑制。
全文摘要
一種具有電子給體基團(tuán)和電子受體基團(tuán)，以及處于電子給體基團(tuán)和電子受體基團(tuán)之間的共軛橋連單元的化合物。該化合物容易遷移電子，能夠發(fā)射光致發(fā)光射線。僅在該化合物處于激發(fā)狀態(tài)時(shí)出現(xiàn)偶極特征。該化合物適合應(yīng)用于光學(xué)器件，特別是可以用于光致發(fā)光猝滅設(shè)備。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1519235SQ200310114718
公開日2004年8月11日 申請(qǐng)日期2003年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月29日
發(fā)明者M·雷德克, M 雷德克 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社