專(zhuān)利名稱(chēng)：超導(dǎo)磁體的低渦流致冷劑回路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及超導(dǎo)磁體的冷卻方法和裝置，具體地說(shuō)，涉及冷卻用于磁共振成像(MRI)系統(tǒng)的磁體。
背景技術(shù)：
有各種各樣的使用超導(dǎo)磁體的磁成像系統(tǒng)。成像系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例就是磁共振成像(MRI)系統(tǒng)。MRI系統(tǒng)用來(lái)使患者身體的一部分成像。
超導(dǎo)MRI系統(tǒng)通常利用一個(gè)通常具有多個(gè)線圈的超導(dǎo)磁體。在磁體內(nèi)部提供成像容積。將人體或材料置于成像容積內(nèi)，檢測(cè)圖像或信號(hào)，然后所述圖像或信號(hào)由處理器(例如計(jì)算機(jī))處理。
大部分現(xiàn)有的超導(dǎo)MRI磁體由鈮鈦材料制成，利用致冷器冷卻到4.2K的溫度。典型的超導(dǎo)磁體致冷器包括液氦容器、一個(gè)或兩個(gè)隔熱屏以及真空容器。隔熱屏阻止環(huán)境大氣對(duì)液氦容器的輻射。使來(lái)自這種輻射的熱負(fù)載與向致冷器提供冷卻的冷凍機(jī)(例如低溫冷卻器)平衡。
但是，除了來(lái)自環(huán)境大氣的熱量之外，還有其它的熱源。例如，當(dāng)致冷器組件暴露在磁場(chǎng)中，例如來(lái)自MRI梯度線圈的邊緣磁場(chǎng)時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生渦流。這些渦流產(chǎn)生焦耳熱，增加了制冷器需去除的熱負(fù)載。而且，這些渦流在圖像容積中產(chǎn)生的磁場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的成像質(zhì)量有負(fù)面的影響。解決此問(wèn)題的現(xiàn)有方法包括降低超導(dǎo)線圈和致冷組件區(qū)域內(nèi)的AC場(chǎng)強(qiáng)。但這通常導(dǎo)致對(duì)系統(tǒng)性能的不利影響。

發(fā)明內(nèi)容
按照本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面，提供一種用于超導(dǎo)磁體的低渦流致冷劑回路，它包括至少一個(gè)包括電導(dǎo)材料的第一冷卻線圈；以及至少一個(gè)包括在所述第一冷卻線圈中的電絕緣體，電絕緣體設(shè)置成抑制由于第一冷卻線圈和渦流感應(yīng)場(chǎng)源之間的電感耦合而在致冷劑回路中的感應(yīng)的渦流環(huán)路。
按照本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面，提供一種冷卻超導(dǎo)磁體的方法，速方法包括提供至少與第一冷卻線圈熱接觸的超導(dǎo)磁體，所述第一冷卻線圈包括至少一個(gè)電絕緣體，所述電絕緣體設(shè)置成抑制由于第一冷卻線圈和渦流感應(yīng)場(chǎng)源之間的電感耦合而感應(yīng)的渦流環(huán)路并且使致冷劑通過(guò)第一冷卻線圈。
按照本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面，提供一種MRI系統(tǒng)，它包括超導(dǎo)磁體和低渦流致冷劑回路，所述低渦流致冷劑回路至少具有與超導(dǎo)磁體熱接觸的第一冷卻線圈。
按照本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面，提供一種形成冷卻帶的方法，所述方法包括提供第一冷卻線圈和第二冷卻線圈，所述第一和第二冷卻線圈具有基本上半圓的部分；以及把所述第一和第二冷卻線圈固定到柔性支架上，使得所述第一和第二冷卻線圈形成基本上圓形的形狀。


圖1為低渦流致冷劑回路的示意圖，示出本發(fā)明的若干實(shí)施例。
圖2A為按照本發(fā)明實(shí)施例的冷卻帶示意圖。
圖2B為按照本發(fā)明另一實(shí)施例的冷卻帶示意圖。
圖3A為按照本發(fā)明另一實(shí)施例的冷卻帶截面圖。
圖3B為按照本發(fā)明另一實(shí)施例的冷卻帶截面圖。
圖4A為按照本發(fā)明實(shí)施例形成冷卻帶的方法的示意圖。
圖4B為圖4A的冷卻帶的詳細(xì)視圖。
圖4C為圖4A的冷卻帶的另一詳細(xì)視圖。
圖5示出按照本發(fā)明實(shí)施例的MRI的示意圖。
零件表100低渦流致冷劑回路102第一冷卻線圈104第一電絕緣體106輸入部分108輸出部分110半圓部分112彎道114填充片116柔性支架118第二冷卻線圈120第二電絕緣體122冷卻帶123多支管124液態(tài)致冷劑儲(chǔ)存器126致冷劑儲(chǔ)存器中的加熱器128隔熱屏130隔熱屏冷卻線圈131A隔熱屏冷卻線圈的輸入部分131B隔熱屏冷卻線圈的輸出部分132隔熱屏冷卻線圈電絕緣體134低溫冷卻器135A低溫冷卻器的第一級(jí)135B低溫冷卻器的第二級(jí)136冷凝器138第一壓力安全閥
140第二壓力安全閥142單向閥200線圈冷卻支回路202隔熱屏支回路300MRI系統(tǒng)302超導(dǎo)磁體304孔306梯度線圈308RF線圈310RF屏蔽312MRI機(jī)殼具體實(shí)施方式
本發(fā)明已經(jīng)實(shí)現(xiàn)可以減少?gòu)某瑢?dǎo)磁體系統(tǒng)(例如MRI系統(tǒng))的渦流環(huán)路產(chǎn)生的熱量而不降低超導(dǎo)線圈和冷卻器組件區(qū)域中的AC場(chǎng)強(qiáng)?？梢酝ㄟ^(guò)利用低渦流致冷劑回路冷卻超導(dǎo)磁體來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。具體地說(shuō)，其作法是提供一些冷卻線圈，所述冷卻線圈具有包括在其中的至少一個(gè)電絕緣體，以便抑制由所述冷卻線圈和渦流感應(yīng)場(chǎng)源的電感耦合引起的感應(yīng)磁場(chǎng)。
圖1示出本發(fā)明低渦流致冷劑回路100的實(shí)施例的幾個(gè)方面。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，低渦流致冷劑回路100包括至少一個(gè)冷卻線圈102。通常，冷卻線圈由不銹鋼或銅制成，以便于構(gòu)建適合在致冷劑溫度下工作的密封回路。但具有合適的導(dǎo)熱率的任何材料都可使用。
通常，用作密封冷卻管的材料也是導(dǎo)電的。由于這些材料導(dǎo)電，所以由于冷卻線圈102和各種電磁場(chǎng)源(例如磁場(chǎng)源和AC場(chǎng)源)的電感耦合的緣故，可能在冷卻線圈102中感應(yīng)渦流。為抑制這些感應(yīng)的渦流環(huán)路，至少將一個(gè)電絕緣體104包括在冷卻線圈102中。就是說(shuō)，制造冷卻線圈102時(shí)冷卻線圈102的一部分用一種非導(dǎo)電材料制作。例如，冷卻線圈102的一部分用陶瓷管制造。通過(guò)使用陶瓷管，冷卻線圈102中的電流通路被中斷，阻止了感應(yīng)渦流的產(chǎn)生。
在圖2B的本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，冷卻線圈102具有輸入部分106、輸出部分108和半圓部分110。通常，液態(tài)致冷劑通過(guò)冷卻線圈102底部的輸入部分106引入冷卻線圈102，隨著熱量被冷卻線圈102吸收，部分液態(tài)致冷劑蒸發(fā)。致冷劑蒸汽和任何剩余的液態(tài)致冷劑通過(guò)冷卻線圈102上部的輸出部分108逸出冷卻線圈102。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，半圓形部分110用來(lái)冷卻MRI 300的超導(dǎo)磁體(圖5)。但是，半圓形部分也可設(shè)計(jì)來(lái)冷卻其它應(yīng)用中的超導(dǎo)磁體，例如磁分離器、電機(jī)或發(fā)電機(jī)等。
圖2A示出另一實(shí)施例的冷卻線圈102。在此實(shí)施例中，冷卻線圈102包括多個(gè)彎道112，形成垂直于半圓形部分110的弧線的蛇形線。此實(shí)施例的冷卻線圈102可對(duì)軸向長(zhǎng)度較長(zhǎng)的線圈提供冷卻，而同時(shí)又保持線圈內(nèi)部的導(dǎo)熱通路較短，從而使熱量能從這種線圈中去除而線圈末端不會(huì)有不可接受的溫度升高。
圖4A-4C示出基于圖2A所示實(shí)施例的附加特征。最好，冷卻線圈102中的彎道112是成角度的，使得這樣冷卻管102內(nèi)液態(tài)致冷劑中的氣泡在重力作用下向上流動(dòng)(圖4C)。通常，彎道112的角度ρ大于0度。但是，只要角度至少為0度，即，不是負(fù)數(shù)，氣泡就不會(huì)陷在冷卻線圈102中。這樣，冷卻線圈102就不會(huì)被蒸汽阻塞。
或者，在冷卻線圈102中的彎道112之間可以包括一些填充片114。最好，填充片的高度大致等于冷卻線圈102的厚度。通常，填充片用聚合材料制成，最好是酚醛聚合物。而且，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，冷卻線圈102的直徑小于7mm。更好的是，冷卻線圈102的直徑大于3mm，小于7mm。
當(dāng)按照上述實(shí)施例制造低渦流冷卻器線圈100時(shí)，首先將冷卻線圈102做成半圓形并固定到支架116上，帶有或不帶有填充片114均可?；蛘?，將冷卻線圈102和填充片固定到柔性支架116上，再?gòu)澢砂雸A形。然后使具有填充片114和冷卻線圈102的支架116與超導(dǎo)線圈熱接觸。
本發(fā)明以前的實(shí)施例涉及使用單個(gè)冷卻線圈102。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中(示于圖4A)，在附加第二冷卻線圈118的情況下形成冷卻帶122，第二冷卻線圈118至少具有包括在其中的第二電絕緣體120。和第一冷卻線圈102一樣，第二電絕緣體120設(shè)置成抑制由第二冷卻線圈118與渦流感應(yīng)場(chǎng)源的電感耦合引起的感應(yīng)磁場(chǎng)。而且，第一和第二冷卻線圈102和118都具有基本上半圓形的部分110。最好，把第一和第二冷卻線圈102和118設(shè)置成彼此相對(duì)，以便形成具有基本上為圓形的冷卻帶122。
可以將冷卻帶122包裹在超導(dǎo)線圈302的周?chē)员銓?duì)超導(dǎo)線圈302的整個(gè)外圍提供冷卻(圖3)。而且，如果超導(dǎo)線圈的軸向長(zhǎng)度較長(zhǎng)，可以提供多個(gè)冷卻帶122。如果提供多個(gè)冷卻帶122，那么，也可以提供多支管123(圖1)以便在多個(gè)冷卻帶122之間分配致冷劑。
在圖3B所示的本發(fā)明又一實(shí)施例中，在多個(gè)冷卻帶122中至少有一部分是組合在超導(dǎo)線圈302的繞組內(nèi)。這種實(shí)施例可以用在粗的超導(dǎo)線圈302中，不然超導(dǎo)線圈302中就會(huì)有過(guò)熱點(diǎn)。而且，這種實(shí)施例可以和前一個(gè)實(shí)施例相組合。亦即，多個(gè)冷卻帶122可以包括在超導(dǎo)線圈302的繞組內(nèi)以及沿超導(dǎo)線圈302的軸向上。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，低渦流致冷劑回路100包括液態(tài)致冷劑儲(chǔ)存器124，其中的液體可流到冷卻帶122的第一和第二冷卻線圈102、118(圖1)。最好，液態(tài)致冷劑儲(chǔ)存器124位于第一和第二冷卻線圈102、118之上，其中液體可流到位于第一和第二冷卻線圈102、118底部的輸入部分106。在這種結(jié)構(gòu)的情況下，液態(tài)致冷劑通過(guò)冷卻帶122向上流動(dòng)。這種配置有助于液態(tài)致冷劑所形成的任何蒸汽通過(guò)冷卻帶122的流動(dòng)，因而阻止冷卻帶122中形成蒸汽阻塞。
在另一優(yōu)選實(shí)施例中，低渦流致冷劑回路100包括至少一個(gè)隔熱屏128。隔熱屏128阻止環(huán)境大氣對(duì)超導(dǎo)磁性裝置(例如MRI)中超導(dǎo)磁體的輻射。最好，隔熱屏128包括至少一個(gè)圍繞在隔熱屏128周?chē)母魺崞晾鋮s線圈130。將某一溫度的致冷劑通過(guò)輸入部分131A引入隔熱屏冷卻線圈130，并在消除隔熱屏128的熱量后以較高溫度通過(guò)輸出部分131B輸出。最好，和冷卻帶122中的冷卻線圈102、118一樣，隔熱屏冷卻線圈130包括至少一個(gè)電絕緣體132，以便抑制由隔熱屏冷卻線圈和渦流感應(yīng)場(chǎng)源之間的電感耦合引起的感應(yīng)磁場(chǎng)。
在另一實(shí)施例中，隔熱屏128周?chē)梢杂卸鄠€(gè)隔熱屏冷卻線圈130。如果配有多個(gè)隔熱屏冷卻線圈130，也可配有多支管123，以便在多個(gè)隔熱屏冷卻線圈130之間分配致冷劑。
最好，低渦流致冷劑回路100包括低溫冷卻器134以及以熱力方式與低溫冷卻器134連接的冷凝器136。更好的是，冷卻線圈102、118上部的輸出部分液體連接到冷凝器136。在此實(shí)施例中，可以將汽化的致冷劑導(dǎo)入冷凝器136中，液化，然后送到液體致冷劑儲(chǔ)存器124中再次使用。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，低溫冷卻器134具有兩級(jí)135A、135B。在此實(shí)施例中，冷凝器136A以熱力方式連接到低溫冷卻器134的第二級(jí)135B，而隔熱屏冷卻線圈130以熱力方式連接到低溫冷卻器134的第一級(jí)135A。而且，在此實(shí)施例中，低渦流致冷劑回路100可以描述為包括兩個(gè)支回路(線圈冷卻支回路200和隔熱屏支回路202)。線圈冷卻支回路200包括液態(tài)致冷劑儲(chǔ)存器124、冷卻帶122和冷凝器136。隔熱屏支回路202包括隔熱屏冷卻線圈130、低溫冷卻器134的第一級(jí)135A。
在本實(shí)施例的優(yōu)選方面，線圈冷卻支回路200和隔熱屏支回路202可以用第一壓力安全閥138連接。如果線圈冷卻支回路200中的壓力超過(guò)預(yù)置壓力，來(lái)自線圈冷卻支回路200的致冷劑蒸汽可以釋放到隔熱屏支回路202中。這樣，預(yù)置壓力使低溫冷卻器的第二級(jí)135B的冷卻容量與來(lái)自冷卻帶122的熱負(fù)載平衡。
或者，可以包括第二壓力安全閥140，以便將隔熱屏支回路202排放到大氣。如果隔熱屏支回路202中的壓力超過(guò)預(yù)置壓力，那么，隔熱屏支回路202中的致冷劑蒸汽就可排放到大氣，以降低隔熱屏支回路202中的壓力，從而降低低渦流致冷劑回路100中的壓力。最好，在工作時(shí)低渦流致冷劑回路100中的壓力總是高于大氣壓力。這樣，大氣壓力就不會(huì)由于空氣從低渦流致冷劑回路100的外部進(jìn)入的緣故而阻礙低渦流致冷劑回路100的工作。
此外，可以在低溫冷卻器的第一級(jí)135A和隔熱屏冷卻線圈的饋入部分之間包括單向閥142。單向閥142對(duì)隔熱屏支回路202中蒸汽壓力提供附加的控制。亦即，在冷卻過(guò)程中和在冷卻系統(tǒng)因停電或冷卻系統(tǒng)中的機(jī)械故障而失效時(shí)，單向閥可確保冷的致冷劑向下流到隔熱屏冷卻線圈130中并從隔熱屏128中去除熱量。
為了對(duì)低渦流致冷劑回路100中的壓力提供更進(jìn)一步的控制，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，將加熱器126置于致冷劑儲(chǔ)存器124內(nèi)。只要致冷劑儲(chǔ)存器124內(nèi)的壓力降低到預(yù)置壓力以下，加熱器126就接通。這樣，可以使低溫冷卻器134的冷卻容量與來(lái)自冷卻帶122的熱負(fù)載平衡。
圖5示出包括低渦流致冷劑回路100的MRI系統(tǒng)300。MRI系統(tǒng)300包括設(shè)置在機(jī)殼312中的若干超導(dǎo)磁體302、隔熱屏128、梯度線圈306、RF線圈3 08以及RF屏蔽310。機(jī)殼312包括患者用的中心孔304。在此實(shí)施例中，冷卻帶122位于超導(dǎo)磁體302的線圈的外表面上。而且，隔熱屏線圈130位于兩個(gè)隔熱屏128的外表面上。
在此實(shí)施例中，冷卻帶122可以包括如圖2B所示的具有簡(jiǎn)單半圓形狀的冷卻線圈102、118，或如圖2A所示的蛇形線彎道112。而且，和要求機(jī)殼312中有致冷劑容器的先有技術(shù)的MRI系統(tǒng)不同，本發(fā)明的MRI系統(tǒng)300不需要內(nèi)部致冷劑容器。在按照本發(fā)明的MRI系統(tǒng)中，液態(tài)致冷劑儲(chǔ)存器124可以位于機(jī)殼312之外，通過(guò)管道進(jìn)行連接(未示出)。
而且，如果停電或冷卻系統(tǒng)中有機(jī)械故障，液態(tài)致冷劑儲(chǔ)存器124中致冷劑的潛熱可以用來(lái)提供ride through(從冷卻機(jī)件失效到因溫度升高到超過(guò)超導(dǎo)材料的臨界溫度而失去超導(dǎo)性的時(shí)限)。在ridethrough期間，低渦流致冷劑回路100中的壓力升高，兩個(gè)壓力安全閥138和140都開(kāi)啟。從冷卻帶122蒸發(fā)出來(lái)的致冷劑流入隔熱屏支回路，經(jīng)過(guò)隔熱屏冷卻線圈130，排到大氣。最好，如果低溫冷卻器124失效，那么液態(tài)致冷劑儲(chǔ)存器124中的致冷劑為ride through提供至少4小時(shí)的潛在冷卻。更好的是，液態(tài)致冷劑儲(chǔ)存器124中的致冷劑為ride through提供至少12小時(shí)的潛在冷卻。
此處提出的優(yōu)選實(shí)施例是為了說(shuō)明。但所述說(shuō)明不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明范圍的限制。所以，本專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員可以想到各種修改、改編和替代方案而不背離要求保護(hù)的發(fā)明概念的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于超導(dǎo)磁體的低渦流致冷劑回路(100)，它包括包括導(dǎo)電材料的至少第一冷卻線圈(102)；以及包括在所述第一冷卻線圈(102)中的至少一個(gè)電絕緣體(104)，所述電絕緣體設(shè)置成阻止由所述第一冷卻線圈(102)和渦流感應(yīng)場(chǎng)源之間的電感耦合在所述致冷劑回路(100)中引起的感應(yīng)渦流環(huán)路。
2.如權(quán)利要求1所述的致冷劑回路(100)，其特征在于還包括第二冷卻線圈(118)，所述第二冷卻線圈(118)具有被包括在其中的至少一個(gè)第二電絕緣體(120)，所述第二電絕緣體(120)設(shè)置成抑制由所述第二冷卻線圈(118)和渦流感應(yīng)場(chǎng)源之間的電感耦合引起的感應(yīng)磁場(chǎng)，其中，所述第一和第二冷卻線圈(102)、(118)具有基本上半圓的部分(110)，并且所述第一和第二冷卻線圈(102)、(118)彼此相關(guān)地設(shè)置成形成基本上圓形的冷卻帶(122)。
3.如權(quán)利要求2所述的致冷劑回路(100)，其特征在于還包括多個(gè)冷卻帶(122)和多支管(123)，其中，所述多支管(123)適合于在所述多個(gè)冷卻帶(122)之間分配致冷劑。
4.一種冷卻超導(dǎo)磁體(302)的方法，所述方法包括提供與包括至少一個(gè)電絕緣體(104)的至少一個(gè)第一冷卻線圈熱接觸的超導(dǎo)磁體(302)，所述電絕緣體(104)設(shè)置成阻止由所述第一冷卻線圈(102)和渦流感應(yīng)場(chǎng)源之間的電感耦合引起的感應(yīng)渦流環(huán)路；以及使致冷劑通過(guò)所述第一冷卻線圈(102)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于還包括提供與所述超導(dǎo)磁體(302)熱接觸的第二冷卻線圈(118)，所述第二冷卻線圈(118)包括至少一個(gè)第二電絕緣體(120)，所述第二電絕緣體(120)設(shè)置成抑制由所述第二冷卻線圈(118)和渦流感應(yīng)場(chǎng)源之間的電感耦合引起的感應(yīng)磁場(chǎng)，其中，所述第一和第二冷卻線圈(102)、(118)具有基本上半圓的部分(110)，并且所述第一和第二冷卻線圈(102)、(118)彼此相關(guān)地設(shè)置成形成基本上圓形的冷卻帶(122)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述使致冷劑通過(guò)的步驟包括將位于所述冷卻帶上方的致冷劑儲(chǔ)存器中的致冷劑饋入所述第一和第二冷卻線圈(102)、(118)，并且所述一和第二冷卻線圈(102)、(118)都具有上部(108)和底部(106)，所述致冷劑饋入底部(106)并從上部(108)退出。
7.一種磁共振成像系統(tǒng)(300)，它包括超導(dǎo)磁體(302)；以及低渦流致冷劑回路(100)，所述低渦流致冷劑回路(100)具有與所述超導(dǎo)磁體(302)熱接觸的至少一個(gè)第一冷卻線圈(102)。
8.如權(quán)利要求7所述的磁共振成像系統(tǒng)(300)，其特征在于所述第一冷卻線圈(102)包括導(dǎo)電材料和至少一個(gè)包括在該第一冷卻線圈(102)中的電絕緣體(104)，所述電絕緣體(104)設(shè)置成抑制由所述第一冷卻線圈(102)和渦流感應(yīng)場(chǎng)源之間的電感耦合引起的感應(yīng)磁場(chǎng)。
9.一種形成冷卻帶(122)的方法，所述方法包括提供第一冷卻線圈(102)和第二冷卻線圈(118)，所述第一和第二冷卻線圈(102)、(118)具有基本上半圓的部分(110)；以及將所述第一和第二冷卻線圈(102)、(118)這樣固定到柔性支架(116)上，使得所述第一和第二冷卻線圈(102)、(118)形成基本上圓形的形狀。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述第一和第二冷卻線圈(102)、(118)具有形成蛇形線形狀的多個(gè)彎道(112)。
全文摘要
一種用于超導(dǎo)磁體(302)的低渦流致冷劑回路(100)，它包括用導(dǎo)電材料制成的至少一個(gè)第一冷卻線圈(102)和至少一個(gè)包括在第一冷卻線圈(102)中的電絕緣體(104)。電絕緣體(104)設(shè)置成阻止由第一冷卻線圈(102)和渦流感應(yīng)場(chǎng)源之間的電感耦合引起的感應(yīng)渦流環(huán)路。
文檔編號(hào)H01F6/04GK1619720SQ20041009576
公開(kāi)日2005年5月25日 申請(qǐng)日期2004年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月19日
發(fā)明者X·黃, P·S·湯普森, D·T·瑞安, G·A·萊曼, T·J·哈文斯 申請(qǐng)人:通用電氣公司