專利名稱：處理襯底表面的方法
技術領域：
本發(fā)明一般涉及的是對襯底表面的處理或加工。本發(fā)明特別涉及改變硅片表面的方法。
在制造用于半導體和太陽能電池工業(yè)的硅片、硅板或晶片時，晶片要經(jīng)受一系列的機械和/或化學處理步驟，以獲得要求的尺寸和產(chǎn)品性能。下面描述了按現(xiàn)有技術水平制造太陽能電池的一般工藝步驟。
首先硅錠用線鋸切割成薄片，也稱為晶片。切割后為去除所謂的鋸泥要對晶片進行清洗。隨后大多是進行濕法化學鋸損腐蝕，用合適的化學藥劑，特別是堿液，用來去除在切割工序中出現(xiàn)的嚴重損壞層。緊接著對晶片進行清洗和烘干。
晶片或襯底通常是具有硼P型摻雜的單晶體和多晶體硅片。為制成一對太陽能電池的功能必要的P-N結，硅片的一面是N型摻雜的。此N型摻雜通常是借助磷摻雜進行的。在此工序中，襯底或硅片表面通過磷原子的吸附而改變，其中磷源一般是氣體或液體-漿狀的組合物。當硅片在氣體中或用組合物作了相應的停留或涂覆后，通過加熱到通常的800至1000℃，磷原子會在硅表面擴散或積聚或吸附。在此磷摻雜后，硅板具有幾微米厚的、N+型磷摻雜的層。
這種改變表面的方法的問題在于，通常不僅要求的表面(上表面)，還有相對的表面(下表面)和特別是基片周圍的邊緣都通過這種處理都被改變或摻雜，這在以后使用時會導致短路危險，因為邊緣是可導電的。對下表面的額外摻雜，其例如是通過氣體階段摻雜完成的，但在許多應用場合是可接受的，因為隨后通過構成一“鋁背場”，硅板下表面或背面的N+型摻雜通常都會轉化為P+型摻雜，其例如對于太陽能電池隨后的接觸是必要的。但這樣處理的晶片總是具有這樣的邊緣，其具有磷原子，因此是可導電的，對具有以上已提到的缺陷，即在以后使用時存在短路危險的硅片沒有作進一步的處理。
為解決這些問題，現(xiàn)有技術已發(fā)展了不同的方法。例如邊緣可導電的問題這樣解決，即把它機械地磨掉。但磨平例如像拉鋸一樣，可能會在晶體結構上產(chǎn)生缺陷，這會導致電損耗。但這種做法的最大缺點是，對于這種敏感的薄片存在著巨大的折斷危險。
此外還建議，在下表面或背面上存在的導電層在外區(qū)域或邊緣處在激光光束的作用下被中斷。但這種借助激光的邊緣絕緣還沒有建立，且特別在自動操作過程中和在可達到的生產(chǎn)能力方面都會產(chǎn)生問題。此外還存在這樣的危險，即由于在使用激光時在晶片表面上產(chǎn)生的焚燒物質(zhì)的沉淀，下面的工藝步驟和例如相應制成的電池的效率可能會受到影響。
最后還建議，把多個硅板堆疊在一起，并利用等離子體對硅板堆的邊緣進行蝕刻。借助等離子體對邊緣絕緣要求晶片彼此重疊。堆疊工作和及其操作要么由手工完成，要么就用借助機器的自動化，但花費巨大。因此堆疊工藝總是引起生產(chǎn)流程的中斷或轉換，特別是在“批次”生產(chǎn)時，其中晶片在過程輸送器中被傳輸，和在“在線”生產(chǎn)時，其中晶片在輸送帶或輥等上被傳輸，經(jīng)過不同的加工步驟。此外，由于操作復雜，晶片的折斷危險也就高。
DE 100 32 279 A1介紹了只對邊緣進行處理的另一方法。DE 10032 279 A1描述了一種工藝，其通過將邊緣缺陷蝕刻掉，實現(xiàn)對硅太陽能電池的邊緣缺陷的化學鈍化。為此目的，用吸了腐蝕劑的毛氈在硅太陽能電池邊緣上涂上腐蝕劑。
從現(xiàn)有技術中得知的其它工藝通過在酸液槽中進行蝕刻，去除邊緣和襯底一面上的導電層，解決了邊緣導電的問題。例如DE 43 24647 A1和US2001/0029978 A1中描述了一多階段的蝕刻方法，其中襯底完全浸在酸液槽中。因此只在襯底的背面和邊緣進行蝕刻的話，必須把襯底的前面通過一耐酸的光致抗蝕劑或罩子保護起來。
按DE 43 24 647 A1和US2001/0029978 A1的蝕刻方法不僅特別耗費時間，因為需要專門的工序來鋪上和去除保護層，而且還需要投入額外的材料。特別的是由于保護層的鋪上和去除工序，還可能會對待處理的襯底造成損壞。如果鋪上的保護層是錯誤的或被損壞了，則會有這樣的危險，即襯底的前面在蝕刻時被損壞，此襯底就不能用了。
因此，所有這些在現(xiàn)有技術中已描述的方法都是把兩個表面(上表面和下表面)在其導電方面分隔開來，但它們都具有前面提到的部分嚴重問題。
因此本發(fā)明的目的在于，提供一種對硅片的單面進行處理的方法，其中可以拋棄在現(xiàn)有技術水平的工藝步驟中，在不需處理的前面或上表面上加上保護層或罩子的工序，且此方法優(yōu)選可在生產(chǎn)線上實施。
本發(fā)明還示出了，襯底兩個表面中只有一個能夠被選來處理。這種單面的處理包括例如對兩個表面中的一個進行蝕刻、涂覆或清洗。按照一個實施例，例如對于相應的襯底如硅片，只有其上表面或下表面能夠通過蝕刻改變，為此構成短路的問題就以簡單的方式得以解決。為更好地理解，下面關于表面的蝕刻都是把對襯底單面的處理作為例子的。
按照一個特別優(yōu)選的實施例，本發(fā)明的方法是在連續(xù)工藝中實施，其中襯底特別是硅片的下表面(在期望的情況下還包括周圍的邊緣)用位于液槽中的蝕刻液弄濕。
應該指出的是，如果只期望或要求對襯底的一單面上進行處理，則按本發(fā)明的方法是特別適合的。按一優(yōu)選的實施例，本發(fā)明的方法規(guī)定，襯底優(yōu)選以硅片的形式，在磷摻雜后，進行單面蝕刻，以去除磷摻雜的層。硅片的僅一個單面完全或部分地或局部地與一液狀的組合物接觸，所述組合物優(yōu)選包括NaOH、KOH、HF、HNO3、帶O3的HF和/或帶氧化劑的HF，例如氧化酸。
為此，硅片基本是水平設置的，待蝕刻的面用蝕刻液潤濕，所述蝕刻液位于一液槽中。蝕刻液至硅片下表面的距離這樣選擇，即襯底待蝕刻的面(在期望的情況下還包括周圍的邊緣)被潤濕，但對面的表面不會被弄濕。
應該指出的是，此蝕刻步驟優(yōu)選直接在磷摻雜后進行，因為磷玻璃蝕刻大多是濕化學下進行的，按本發(fā)明的邊緣絕緣能夠在同一裝置中節(jié)省空間且節(jié)約費用地進行。但專業(yè)人員都知道，本發(fā)明的這一步驟也可以在其它時間進行。唯一重要的是，按本發(fā)明的蝕刻要在對給定的襯底的背面或下表面施加金屬接觸之前進行。
按本發(fā)明的方法的一優(yōu)選實施例，襯底面和襯底周圍的邊緣都能以此處描述的方式處理。
按一實施例，襯底沉入到具有液體組合物的液槽中，其中沉入量可按照襯底的厚度、重量和表面特征和液體組合物的表面應力由專業(yè)人員輕易地調(diào)整。通過例如對處理池液位的精確調(diào)整，不僅下表面，還有邊緣都能被處理到，這按本發(fā)明是特別優(yōu)選的。
對于專業(yè)人員都清楚的是，按本發(fā)明的處理不僅可通過沉入到液槽中，還可以其它方式進行，只要保證，確實只有一面，在期望的情況下還包括邊緣都能被蝕刻劑潤濕，并因此改變。例如按另一實施例，還可設置兩個大小不同的容器，其中較小的容器里含有液狀的組合物，并被較大的容器包圍。較小的容器用液體裝滿，并通過與大容器的連接實現(xiàn)供料。這種供料傳輸可以例如持續(xù)地借助泵實現(xiàn)，并這樣設置，即一定量的蝕刻液總是溢入外池(較大的容器)中，其中液體從這里優(yōu)選再次抽回到內(nèi)池(較小的容器)中。液體組合物的泵這樣起作用，即液位總是比較小容器的周圍邊緣高一點，其中液體的液位和容器邊緣高度之間的差還與所用蝕刻介質(zhì)的表面應力有關。用這個裝置，待處理的硅片作為生產(chǎn)線的一部分很容易，水平地在液體上傳輸，因此硅片的下表面能夠被潤濕，而硅片不會碰到較小內(nèi)容器的側壁而損壞。
還可選用浸泡方法。其中液體在液槽中的高度應調(diào)得足夠低，如果硅片在浸泡曲線的最低點，則只會潤濕硅片的下表面，在期望的情況下還包括邊緣。
應該指出的是，本發(fā)明建議的單面潤濕和對襯底的處理，在此示出的實施例中能夠以不同的方式實現(xiàn)或支持，其中它們主要區(qū)分為主動(直接)和被動(間接)濕潤。
主動或直接濕潤按本發(fā)明這樣理解，即要求的襯底單面處理直接由襯底穿過處理液得以保證，按本發(fā)明，待處理的襯底下表面的水平至少在短時間內(nèi)位于處理液最大液位之下。在主動潤濕的框架內(nèi)，例如襯底能夠沉到液體中或液體在池中的液位完全或部分被提升，其中按本發(fā)明還包括襯底下沉和液體液位上升的結合。
例如池的表面在一位置，襯底在這個位置被導入到池中，可通過相應設置和對準的液體進口，局部地上升到表面的下方。此外，池面還可通過在襯底下方的氣泡吹氣，例如用壓縮空氣，被部分地提升，因此襯底下表面的潤濕同樣也可保證。
相反按本發(fā)明應這樣理解被動或間接潤濕，待處理的襯底下表面在整個處理過程中都位于液體液位之上，因此潤濕只能通過系統(tǒng)的構件或元件間接地完成，所述構件或元件一面與液體接觸，并促成襯底下表面的潤濕。在此處需指出的是，待處理的襯底面通過與中間的構件接觸需要全部(整個表面的)潤濕或只需要部分潤濕，因為通過硅片表面的吸濕特性可以保證，即使下表面的部分潤濕也可以在最短的時間內(nèi)通過一構件實現(xiàn)整個表面的潤濕。
關于元件和構件，其可以是為間接潤濕設置的，應該指出的是，它們要么是所述傳輸系統(tǒng)的組成部分，要么這樣設置在液槽上，即它們至少部分能從液體中突出來或擴張出來。相應地，按本發(fā)明的相同固定的、旋轉的或在高度上可移動的構件都可以考慮。優(yōu)選通過其表面特性和/或通過構件的造型(例如通過利用毛細管效果)，保證為與襯底下表面接觸而規(guī)定的范圍被潤濕，實現(xiàn)待處理表面的潤濕，而襯底本身不與液槽接觸。此構件例如是指一潤濕輥，其在池中的液體中旋轉，并通過此旋轉運動吸入蝕刻液，借助它位于液位上方的襯底下表面能被潤濕。如同已闡述過的一樣，按本發(fā)明還可使用其它構造的構件例如(在高度上可移動的)桌子、銷釘或印章，因為令人驚訝的是，即使與襯底下表面只有一個點狀的接觸，都足以保證整個表面的潤濕。
使用傳輸系統(tǒng)，用來在本發(fā)明的工藝框架內(nèi)傳輸待處理的襯底，基本都可實現(xiàn)主動和被動潤濕。在主動潤濕的情況下，待處理的襯底是通過液體傳導，而在被動潤濕情況下則是通過傳輸系統(tǒng)相應構造的元件實現(xiàn)。
按本發(fā)明，在下面附加參考

圖1進一步描述示例的傳輸系統(tǒng)的適宜性。
按本發(fā)明的一個實施例，襯底被放在一傳輸系統(tǒng)上，例如輥道式傳輸系統(tǒng)。在這種情況下，襯底借助多個依次設置、水平對齊的傳輸滾輪(1)得以傳輸。按上面定義的主動潤濕的意思，各個傳輸滾輪優(yōu)選這樣設置在液槽中，即滾輪的上邊緣大概位于池面的高度上，也就是說液體的液體上邊緣處，因此襯底的下表面通過與池面的直接接觸被潤濕。在這種情況下，可能在襯底邊緣上構成一半月板。隨后剪力和表面應力的相互作用把襯底向下壓，保證它與滾輪無浮動地接觸。因此用輥道式傳輸系統(tǒng)可實現(xiàn)襯底受控制和精確的傳輸。
重要的是，液槽的高度相對于傳輸系統(tǒng)能夠被調(diào)整得這樣準確，即下表面和在可能情況下襯底邊緣都能被潤濕，但各自的上表面都不會潤濕。傳輸系統(tǒng)的構造還必須實現(xiàn)襯底和液槽中液體之間的接觸。
按一特別優(yōu)選的實施例，至少兩個支承元件(3)位于傳輸滾輪(1)上，所述支承元件優(yōu)選能夠在兩個槽口(2)的范圍內(nèi)設置在傳輸滾輪上的。支承元件之間的距離由待處理襯底的寬度決定。在主動潤濕的情況下，關于上面?zhèn)鬏敐L輪定位的描述在本實施例中也適用于支承元件。
按上面定義的被動潤濕的意思，傳輸滾輪自身或支承元件執(zhí)行對襯底下表面的全部或部分潤濕。
傳輸滾輪優(yōu)選由至少兩部分構成，由軸元件和至少一個圍繞軸元件的示蹤元件。此軸元件可以具有純粹的穩(wěn)定器功能，或具有穩(wěn)定軸承的功能。它優(yōu)選是指承載軸。軸的材料，其既不會與傳輸物接觸，也不會與在某種情況下有腐蝕特性的化學環(huán)境相接觸，可以只需以機械和熱量為著眼點進行選擇。按本發(fā)明，所述材料是抗彎曲的。相反，示蹤元件由于穩(wěn)定的承載軸允許一定的熱量公差。對于材料起決定用用的是，它既不會與零擔貨物，也不會與周圍的介質(zhì)起反應?？箯澢某休d軸保證，傳輸物在與傳輸方向垂直的方向上保持在一規(guī)定的直線上。因此可實現(xiàn)傳輸滾輪在沿著其整個長度上的同步運轉，這對于具有多個傳輸軌跡的寬滾輪，和對于平面的、易碎的傳輸物來說特別重要的。
在一優(yōu)選的實施例中，軸元件由碳纖維合成物制成。碳纖維合成物具有很高的熱量和機械穩(wěn)定性，因此特別適合作為承載軸用在溫度變化的地方。
在一優(yōu)選的實施例中，承載軸相對于處理傳輸物的介質(zhì)，例如通過密封圈被封進內(nèi)部。此介質(zhì)，其按本發(fā)明是一種濕法化學池，只與示蹤元件的外部接觸，此液體介質(zhì)不能進入到示蹤元件的內(nèi)部、承載軸上或在承載軸和示蹤元件之間可能存在的固定元件上。此密封圈是可設置為液體密封的，甚至在一定程度上是氣密的，因此有害的水氣不會進入到示蹤元件的內(nèi)部。
示蹤元件可組合為任意的長度，傳輸滾輪例如由具有任意多示蹤元件的軸組成。傳輸滾輪的制造商或經(jīng)銷商可以非常靈活的滿足顧客的要求，而不必進行復雜的庫存管理。因為示蹤元件可用于不同長度的傳輸滾輪，所以它是批量生產(chǎn)的物品，這降低了生產(chǎn)成本。
示蹤元件可以例如接插、互相擰住、與夾子相連或彼此焊接在一起。
在一優(yōu)選的實施例中，待處理的襯底實際支承在承載元件(3)上，其具有與工件相適應的靜態(tài)摩擦性能，其中承載元件如已提到的一樣除傳輸功能外還可用于被動潤濕。這些元件應同樣在熱量和化學方面都是穩(wěn)定的。使用由加有少量氟的橡膠制成的O形環(huán)已被證明是適合生產(chǎn)太陽能電池的。因為直徑被承載元件的繃緊，比示蹤元件的差數(shù)要大，傳輸物就只經(jīng)受一點狀的接觸，必要時潤濕。這與線狀接觸相反，有利于保護傳輸物，同時保證與周圍介質(zhì)的良好接觸。
在另一有利的實施例中，示蹤元件由塑料制成。眾所周知，塑料容易加工，提供了許多不同的特性，其按傳輸滾輪的應用和使用場合進行選擇。例如使用聚乙烯、氟塑料或聚偏氟乙烯都證明是可行的。這些材料一直到超過80攝氏度是熱穩(wěn)定的，是可焊接的，具有一定的化學穩(wěn)定性，不會引起金屬污染，且磨損小。
本發(fā)明一有利的改進在于，示蹤元件是可驅動的。也就是說，以下是可能的，即動力不是施加在承載軸上，并從承載軸傳遞到示蹤元件上的，而是動力直接在示蹤元件上起作用。具有這種示蹤元件的傳輸滾輪可以裝配在一起，構成特別同步運轉的傳輸系統(tǒng)。將最適宜的牽引力傳輸至傳輸物上。
在一實施例中，在具有許多示蹤元件的組合中，第一邊緣元件具有裝置用來傳輸驅動力，第二邊緣示蹤元件具有裝置用來可旋轉的支承。通過裝在傳動軸上的耦合元件，其與第一邊緣示蹤元件是可相連接的，此驅動力可傳輸?shù)絺鬏敐L輪上。此耦合元件還具有裝置用來容納承載軸。如果傳輸滾輪從傳輸位置上移開，則第二個邊緣示蹤元件首先從承載軸上松開，整個傳輸滾輪圍繞耦合元件搖動，緊接著傳輸滾輪從耦合元件上移開。
用來可旋轉支承的裝置可以由一上半罩和下半罩組成，其中下半罩固定在傳輸系統(tǒng)的壁板上，并用來支承傳輸滾輪，第二上半罩可松開的固定，用來實現(xiàn)制動。
示蹤元件的寬度優(yōu)選至少與待傳輸工件的寬度一致，因此工件的寬度側只會擱在示蹤元件上。優(yōu)選每個示蹤元件上只容納一個工件，也就是說示蹤元件的寬度和傳輸物的寬度是幾乎相同的。
在傳輸滾輪一有利的實施例中，將固定環(huán)裝在承載軸上，其中示蹤元件的內(nèi)直徑至少在一個位置處比固定環(huán)的直徑小。因此固定環(huán)避免了示蹤元件能夠在承載軸上作更大的移動。這在溫度變化的情況下是特別重要的，如果承載軸和示蹤元件的材料膨脹得不同，則可能會引起它們之間彼此相對的移動。
固定環(huán)優(yōu)選由金屬制成，因為金屬可很好地折彎成軸，并在此處夾緊。
對于在不同溫度下的應用，細微的長度改變應該不會影響整個傳輸滾輪的穩(wěn)定性。因在本發(fā)明另一有利的實施例中，此示蹤元件設置有補償褶縫，在它上面熱膨脹得以平衡。此補償褶縫通常由在示蹤元件材料上內(nèi)部中空的凸面組成，其通過在縱向上的延伸吸收由溫度引起的材料膨脹。如果補償褶縫不位于傳輸物的支承點之間，則支承穩(wěn)定性既使在溫度引起長度變化時也是穩(wěn)定的。此外，如果示蹤元件總是固定在承載軸上，則示蹤的直線性也能保持。
如果按本發(fā)明的傳輸滾輪組裝成一傳輸系統(tǒng)，則特別能夠保證傳輸物的有規(guī)律輸送。
在傳輸系統(tǒng)的一優(yōu)選改進中，每個傳輸滾輪都被驅動。在這種情況下，每個傳輸滾輪都承受相同的力傳輸，因此也承受相同的負載。
因為通過本發(fā)明建議的傳輸系統(tǒng)可實現(xiàn)較高的生產(chǎn)能力，同時對傳輸物也特別輕柔，特別適合在按本發(fā)明的方法的框架內(nèi)使用。
還需提出的是，還可以使用可替代的傳輸系統(tǒng)實施例，即沒有使用傳輸滾輪。例如襯底也可以在旋轉的皮帶、鏈條或繩索上傳輸。傳輸系統(tǒng)的另一傳輸方案是運行的橫杠。在這種系統(tǒng)中使用了兩個或多個橫杠，其交替地把襯底向前輸送。第一橫杠向前移動時，則第二橫杠向后移動。在此情況下，第二橫杠在液槽中設置得更深，與襯底沒有直接接觸。如果第一橫杠或上橫杠到達了其可能的傳輸行程的終點，第二橫杠或下橫杠到達了其起點，則下橫杠就會被提升，因此襯底就會與兩個橫杠相接觸。隨后上橫杠將下沉，因此可以再次回到液槽的起點，下橫杠則向前移動。
在這種橫杠傳輸系統(tǒng)的傳統(tǒng)實施例中，橫杠用偏心輪支承在可旋轉的軸上，也就是說它們不間斷地朝上和朝下移動。然而，為保證對襯底的單面處理，襯底在主動潤濕的情況下必須總是停留在同一高度上。按上面定義的被動潤濕的意思，傳統(tǒng)橫杠傳輸系統(tǒng)的更改及其應用，每個專業(yè)人員來都很清楚此處描述的知識。
因此按本發(fā)明的方法特別優(yōu)選在一連續(xù)式的裝置中運行，因為在這樣一種“在線”生產(chǎn)的情況下，就不需要其它對硅片的額外手工操作。此外按本發(fā)明，背面/邊緣絕緣還可以用氧化物蝕刻在同一裝置中進行，因此加工鏈更簡單且成本更低。此外，通過應用按本發(fā)明的方法，也實現(xiàn)了這樣的太陽能電池設想，即電池的背面沒有整個面的“鋁背面場”(ALBSF)。因為在本發(fā)明的方法中，在電池背面的N形摻雜層完全被去除。所以不必再為了構成P形摻雜區(qū)域，而通過構成ALBSF來平衡這一摻雜。這就給電池背面的構造留下了許多可能性，并使無ALBSF電池方案的實現(xiàn)變得更加簡單。
依照不同的(連續(xù)的或不連續(xù)的)工藝方法，液體的組合物需要輔助材料，例如為避免或減小氣泡，其中這種輔助材料可由專業(yè)人員在考慮實際要求的情況下很容易地選擇。在選擇合適的輔助材料時，特別是在連續(xù)工藝中，需注意，晶片由于可能形成的氣泡不能獲得太大的浮力，其可能會影響傳輸?shù)男剩驗榫梢砸虼藭ヅc相應輸送裝置的接觸。因此一優(yōu)選的實施例建議，蝕刻溶液包含至少一種添加劑，其大體上可以在化學反應時把產(chǎn)生的氣體集結起來，從而基片下表面上的氣泡構成就會大大減少。
需指出的是，按本發(fā)明的方法不僅用于晶片或太陽能電池的兩面電絕緣，而且還適合用來實施其它的濕式化學處理，其中用液體介質(zhì)只對襯底的單面進行處理是必要或是被期望的，例如在清洗和涂覆的情況下。
權利要求
1.用來在液槽中對硅片進行單面處理的方法，其特征在于，硅片下表面的處理在液槽中進行，其上表面不必事先被保護或蒙住。
2.按權利要求1的方法，其特征在于，硅片在連續(xù)工藝中連續(xù)地處理。
3.按權利要求2的方法，其特征在于，硅片以其下表面沉入到液槽中。
4.按權利要求1的方法，其特征在于，硅片在生產(chǎn)線中通過位于液槽中的處理液水平地傳輸。
5.按權利要求4的方法，其特征在于，使用池作為液槽，該池的周圍邊緣低于處理液的液位高度。
6.按權利要求1至5中之一的方法，其特征在于，硅片的邊緣也被處理。
7.按權利要求1至6中之一的方法，其特征在于，此處理是指蝕刻并在一種液體組合物中進行，其含有NaOH、KOH、HF、HNO3、帶O3的HF和/或帶氧化劑的HF，例如氧化酸。
8.按權利要求7的方法，其特征在于，氧化劑是氧化酸。
9.按權利要求7或8的方法，其特征在于，液體組合物包含至少一種附加物，用來集結在蝕刻時產(chǎn)生的氣體。
10.對硅片進行單面處理的方法，其特征在于，硅片在生產(chǎn)線的范圍中通過位于液槽中的處理液水平地輸送，其中對硅片下表面進行處理，上表面不必事先被保護或蒙住。
11.按權利要求10的方法，其特征在于，硅片在生產(chǎn)線上以其下表面沉入到液槽中。
12.按權利要求10的方法，其特征在于，硅片在生產(chǎn)線上通過位于液槽中的處理液水平地傳輸。
13.按權利要求12的方法，其特征在于，使用池作為液槽，該池的周圍邊緣比處理液的液位低。
14.按權利要求10的方法，其特征在于，生產(chǎn)線包含多個傳輸滾輪。
15.按權利要求14的方法，其特征在于，傳輸滾輪分別設置在軸元件上。
16.按權利要求15的方法，其特征在于，每個軸元件相對于處理液是液體密封地被包封。
17.按權利要求10至16中之一的方法，其特征在于，硅片的邊緣也被處理。
全文摘要
本發(fā)明一般涉及對襯底表面的處理或加工。本發(fā)明特別涉及改變硅片表面的方法。
文檔編號H01L21/306GK101015037SQ200480043087
公開日2007年8月8日 申請日期2004年3月22日 優(yōu)先權日2004年3月22日
發(fā)明者F·德拉哈耶 申請人:里納特種機械有限責任公司