專(zhuān)利名稱(chēng)：含有薄層金屬－有機(jī)物混合層的降低反射的顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種含有薄的(薄層)金屬-有機(jī)物混合層(MOML)的顯示器件。薄的金屬-有機(jī)物混合層含有在基材中的金屬納米顆粒。當(dāng)參照有機(jī)發(fā)光器件(OLED)說(shuō)明薄的金屬-有機(jī)物混合層時(shí)，可以理解該薄的金屬-有機(jī)物混合層也適于其它類(lèi)似應(yīng)用和顯示器件。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光器件(OLED)表示用于顯示應(yīng)用的有希望的技術(shù)。典型的有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極、含有一種或多種電致發(fā)光有機(jī)材料的發(fā)光區(qū)域；以及第二電極；其中第一電極和第二電極其中之一起空穴注入陽(yáng)極的作用，而另一電極起電子注入陰極的作用，并且其中第一電極和第二電極其中之一是前電極而另一電極是后電極。前電極是透明的(或者至少部分透明)，而后電極通常是高反光的。當(dāng)在第一電極和第二電極之間施加電壓時(shí)，光從發(fā)光區(qū)域發(fā)射出并且透過(guò)透明的前電極。當(dāng)觀察者在高亮環(huán)境下時(shí)，反射的后電極向觀察者反射大部分環(huán)境照明，從而與器件的自發(fā)光導(dǎo)致顯示的圖像“褪色”相比較，可以產(chǎn)生高對(duì)比度的反射照明。
為了提高電致發(fā)光顯示的對(duì)比度，通常使用諸如在美國(guó)專(zhuān)利No.4,287,449中所述的光吸收層或者使用諸如在美國(guó)專(zhuān)利No.5,049,780中所述的光干涉部件，從而減少環(huán)境照明反射。
公知的有機(jī)發(fā)光器件的另一問(wèn)題源自在陰極中使用具有低功函并且因此具有高反應(yīng)性的金屬。由于其高反應(yīng)性，這種陰極材料在環(huán)境條件下是不穩(wěn)定的并且與大氣中的O2和水反應(yīng)以形成非發(fā)光黑斑。例如，參見(jiàn)，Burrows等“Reliablity And Degradation Of Organic Light Emitting Device”Appl.Phys.Lett.Vol.65，pp.2922-2924(1994)。為了減少這種環(huán)境效應(yīng)，有機(jī)發(fā)光器件通常在諸如少于10ppm的濕氣的嚴(yán)格條件下制造后立即密封。
在顯示器件中減少環(huán)境光的反射方面的近期其它開(kāi)發(fā)已經(jīng)涉及金屬-有機(jī)物混合層，例如在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?0/117,812，其公布號(hào)為No.2002/0180349，現(xiàn)在美國(guó)專(zhuān)利號(hào)No.6,841,932以及在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)No.10/401,238，其公布號(hào)為No.2003/0234609中公開(kāi)的混合層。在美國(guó)專(zhuān)利No.6,750,609中公開(kāi)了其它減少光反射的方法。在此將這此申請(qǐng)和專(zhuān)利結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考。
本發(fā)明的其它相關(guān)文獻(xiàn)包括下述美國(guó)專(zhuān)利No.4,652,794；美國(guó)專(zhuān)利No.6,023,073；Liang-Sun Hung等人“Reduction of Ambient Light Reflection InOrganic Light-Emitting Diodes”，Advance Materials Vol.13，pp.1787-1790(2001)；Liang-Sun Hung等人美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)No.09/577,092(申請(qǐng)日2000年5月24日)；EP 1 160 890 A2(要求以上申請(qǐng)序列號(hào)No.09/577,092的美國(guó)專(zhuān)利的優(yōu)先權(quán)；日本早期公開(kāi)專(zhuān)利文獻(xiàn)No.8-222374(早期
公開(kāi)日1996年08月30日)；O.Renault等人“A Low Reflectivity Multilayer Cathode ForOrganic Light-Emitting Diodes”，Thin Solid Films，Vol.379，pp.195-198(2000)；WO 01/08240 A1；WO 01/06816 A1；David Johnson，等人Technical Paper 33.3，“Contrast Enhancement of OLED Displays”，httpwww.luxell.com/pdfs/OLEDtech ppr.pdf，pp.1-3(2001年4月)；Junji Kido等人“Bright organicelectroluminescent devices having a metal-doped electron-injecting layer”，AppliedPhysics Letters Vol.73，pp.2866-2868(1998)；Jae-Gyoung Lee等人“Mixingeffect of chelate complex and metal in organic light-emitting diodes”，AppliedPhysics Letters Vol.72，pp.1757-1759(1998)；Jingsong Huang等人，“Low-voltage organic electroluminescent devices using pin structures”AppliedPhysics Letters Vol.80，pp.139-141(2002)；L.S.Hung等人“Sputter depositionof cathods in organic light emitting diodes”Applied Physics Letters Vol.86，pp.4607-4612(1999)；EP 0 977 287 A2；EP 0 977 288 A2；Hany Aziz，等人“Reduced reflectance cathode for organic light-emitting devices using metalorganic mixtures”Applied Physics Letters Vol.83，pp.186-188(2003)；以及H.Michelle Grandin等人“Light-Absorption Phenomena in NovelLow-Reflectance Cathodes For Organic Light-Emitting Devices UtilizingMetal-Organic Mixtures”，Advanced Materials，Vol.15，No.23，2021-2024(2003)。
在此將上述專(zhuān)利、申請(qǐng)和文獻(xiàn)結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考。
在現(xiàn)在已經(jīng)放棄的序列號(hào)為No.09/800,716美國(guó)專(zhuān)利(申請(qǐng)日2001年5月8日)中提交了與本申請(qǐng)可能相關(guān)的其它文獻(xiàn)，這些其它文獻(xiàn)為美國(guó)專(zhuān)利No.4,885,211；美國(guó)專(zhuān)利No.5,247,190；美國(guó)專(zhuān)利No.4,539,507；美國(guó)專(zhuān)利No.5,151,629；美國(guó)專(zhuān)利No.5,150,006；美國(guó)專(zhuān)利No.5,141,671；美國(guó)專(zhuān)利No.5,846,666；美國(guó)專(zhuān)利No.5,516,577；美國(guó)專(zhuān)利No.6,057,048；美國(guó)專(zhuān)利No.5,227,252；美國(guó)專(zhuān)利No.5,276,381；美國(guó)專(zhuān)利No.5,593,788；美國(guó)專(zhuān)利No.3,172,862；美國(guó)專(zhuān)利No.4,356,428；美國(guó)專(zhuān)利No.5,601,903；美國(guó)專(zhuān)利No.5,935,720；美國(guó)專(zhuān)利No.5,728,801；美國(guó)專(zhuān)利No.5,942,340；美國(guó)專(zhuān)利No.5,952,115；美國(guó)專(zhuān)利No.4,720,432；美國(guó)專(zhuān)利No.4,769,292；美國(guó)專(zhuān)利No.6,130,001；Bemius等人“developmental prograess of electroluminescentpolymeric materials and devices”SPIE Conference on Organic Light EmittingMaterials and Devices III，Denver，Colo.，July 1999，SPIE，Vol.3797，pp.129-137；Baldo等人“highly efficient organic phosphorescent emission from organicelectroluminescent devices”Nature Vol.395，pp151-154(1998)；以及Kido等人“White light emitting organic electroluminescent device using lanthanidecomplexes”，Jpn.J.Appl.Phys.Vol.35，pp.L394-L396(1996)。
在此將上述專(zhuān)利、申請(qǐng)和文獻(xiàn)結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考。
還需要提供適于在用于顯示器件的減少光反射層中使用的化合物。另外，還需要提供適于在顯示器件中使用的減少光反射層的新結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以更快、更輕松或更廉價(jià)的制造。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的許多方面，一種顯示器件包括陰極、陽(yáng)極和設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光區(qū)域；以及金屬-有機(jī)物混合層(MOML)，包含i)含有金屬的材料；以及ii)有機(jī)材料，其中所述金屬-有機(jī)物混合層具有約5nm至約175nm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的，一種顯示器件包括第一電極；第二電極；設(shè)置在所述第一和第二電極之間的發(fā)光區(qū)域；以及含有多層金屬-有機(jī)物混合層的減少光反射層，各金屬-有機(jī)物混合層含有金屬和有機(jī)材料，其中所述減少光反射區(qū)域具有從約10nm至約175nm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，一種顯示器件包括第一電極；第二電極；發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在所述第一和第二電極之間；以及減少-光反射區(qū)域，含有多層金屬-有機(jī)物混合層，各金屬-有機(jī)物混合層含有金屬和有機(jī)材料，其中所述減少光反射區(qū)域具有從約10nm至約175nm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，一種顯示器件包括第一電極；第二電極；發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在所述第一和第二電極之間；以及減少光反射區(qū)域，含有多層金屬-有機(jī)物混合層，各金屬-有機(jī)物混合層含有金屬和有機(jī)材料，其中所述減少光反射區(qū)域具有從約10nm至約100nm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，一種顯示器件包括第一電極；第二電極；發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在所述第一和第二電極之間；以及減少光反射區(qū)域，含有多層金屬-有機(jī)物混合層，各金屬-有機(jī)物混合層含有金屬和有機(jī)材料，其中所述減少光反射區(qū)域具有從約30nm至約50nm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明又一方面，一種顯示器件包括陽(yáng)極；陰極；設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光區(qū)域；以及含有銀(Ag)以及有機(jī)材料的單層金屬-有機(jī)物混合層(MOML)，其中所述MOML含有在MOML中體積百分比為從約5％至約30％的量的銀(Ag)，以及所述MOML具有下述厚度之一i)從約10nm至約60nm；以及ii)從約100nm至160nm。
根據(jù)本發(fā)明又一方面，一種顯示器件包括陽(yáng)極；陰極；設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光區(qū)域；以及含有銀(Ag)以及有機(jī)材料的單層金屬-有機(jī)物混合層(MOML)，其中所述MOML含有在MOML中體積百分比為約22％量的銀(Ag)，以及所述MOML具有從約10nm至約60nm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明又一方面，一種顯示器件包括陽(yáng)極；陰極；設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光區(qū)域；以及含有銀(Ag)以及有機(jī)材料的單層金屬-有機(jī)物混合層(MOML)，其中所述MOML含有在MOML中體積百分比為約15％量的銀(Ag)，以及所述MOML具有從約100nm至約160nm的厚度。
將參照附圖和下面的說(shuō)明描述本發(fā)明的這些和其它非限制性方面或?qū)嵤┓绞健?br>

下面簡(jiǎn)要說(shuō)明附圖，其用于表示這里公開(kāi)的示例性實(shí)施方式并且不用于限制這些示例性實(shí)施方式。
圖1所示為包括設(shè)置在第二電極和發(fā)光區(qū)域之間的薄的MOML層的顯示器件的示意性截面圖；圖2所示為包括作為陽(yáng)極一部分的薄MOML的顯示器件的示意性截面圖；圖3所示為包括作為陰極一部分的薄MOML的顯示器件的示意性截面圖；圖4所示為包括作為發(fā)光區(qū)域一部分的薄MOML的顯示器件的示意性截面圖；圖5所示為包括在顯示器件的電極之外的薄MOML的顯示器件的示意性截面圖；圖6所示為包括多層薄MOML的顯示器件的示意性截面圖；圖7所示為根據(jù)實(shí)施例I制備且在陰極中包括單層薄MOML的顯示器件的示意性截面圖；圖8所示為根據(jù)實(shí)施例I制備且在陰極中包括多層薄MOML的顯示器件的示意性截面圖；以及圖9所示為對(duì)于含有不同濃度的Ag的單層薄MOML中反射率與MOML厚度的關(guān)系曲線(xiàn)圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及一種含有薄金屬-有機(jī)物混合層的顯示器件。薄金屬-有機(jī)物混合層具有減少光反射特性并且能夠起減少光反射層的作用。根據(jù)本發(fā)明的顯示器件通常包括第一電極、第二電極、設(shè)置在所述第一電極和第二電極之間的發(fā)光區(qū)域、以及薄金屬-有機(jī)物混合層。薄金屬-有機(jī)物混合層含有金屬材料和有機(jī)材料并且具有小于175nm的總厚度，以及在實(shí)施方式中，總的層厚從約5nm至約175nm。薄金屬-有機(jī)物混合層可以位于或設(shè)置在顯示器件的任意位置。例如，薄金屬-有機(jī)物混合層可以設(shè)置在第一電極和發(fā)光區(qū)域之間；第二電極和發(fā)光區(qū)域之間；作為第一電極的一部分；作為第二電極的一部分；作為發(fā)光區(qū)域的一部分；或者位于第一電極或第二電之一的外側(cè)。
顯示器件可以含有薄金屬-有機(jī)物混合層，該薄金屬-有機(jī)物混合層含有單層薄金屬-有機(jī)物混合層、多層薄金屬-有機(jī)物混合層。在單層結(jié)構(gòu)中，MOML的厚度通常小于175nm。單層MOML的厚度根據(jù)金屬濃度可以在約10nm至約60nm的范圍，或約100nm至約160nm。在含有多層薄金屬-有機(jī)物混合層的顯示器件中，金屬-有機(jī)物混合層可以由適于用于顯示器件的一層或多層的其它層分隔開(kāi)。另外，多層金屬-有機(jī)物混合層可以被認(rèn)為是形成一區(qū)域或區(qū)，在該區(qū)域或區(qū)中多層金屬-有機(jī)物混合層彼此接觸，即呈層疊結(jié)構(gòu)，或者多層金屬-有機(jī)物混合層由一層或多層分隔開(kāi)。在薄金屬-有機(jī)物混合層具有多層結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式中，薄MOML的總厚度小于175nm。在實(shí)施方式中，含有多層MOML的薄MOML可以具有從約10nm至約175nm的厚度。在實(shí)施方式中，含有多層MOML的薄MOML可以具有從約10nm至約100nm的厚度。在實(shí)施方式中，含有多層MOML的薄MOML可以具有從約30nm至約50nm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明又一方面，一種顯示器件包括陽(yáng)極；陰極以及設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光區(qū)域；以及含有銀(Ag)和有機(jī)材料的單層金屬-有機(jī)物混合層(MOML)，其中所述MOML含有在MOML中體積百分比為約22％的銀(Ag)；并且所述MOML具有從約10nm至約60nm的厚度。
根據(jù)本發(fā)明再一方面，一種顯示器件包括陽(yáng)極；陰極；設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光區(qū)域；以及含有銀(Ag)和有機(jī)材料的單層金屬-有機(jī)物混合層(MOML)，其中所述MOML含有在MOML中體積百分比為約15％的銀(Ag)；并且所述MOML具有從約100nm至約160nm的厚度。
為了本發(fā)明公開(kāi)，可以應(yīng)用下述定義。通常，除非其它表述，術(shù)語(yǔ)“層”指具有與相鄰層的組合物根據(jù)i)層中組分的濃度；以及ii)構(gòu)成各個(gè)層的組合物的組分這兩個(gè)方面其中至少之一不同的成分的單一涂層。例如，如果相鄰的層具有包含相同組分但濃度不同的組合物則被認(rèn)為是單獨(dú)的層。請(qǐng)注意，這里所使用的術(shù)語(yǔ)“金屬-有機(jī)物混合層”包括限定了特定減少光反射區(qū)域或區(qū)的單層金屬-有機(jī)物混合層或多層金屬-有機(jī)物混合層。術(shù)語(yǔ)“區(qū)”指單層，諸如2、3、4、5或更多層的多層，和/或一個(gè)或多個(gè)“區(qū)”。這里使用的術(shù)語(yǔ)“區(qū)”，諸如參照電荷傳輸區(qū)(例如，空穴傳輸區(qū)和電子傳輸區(qū))、發(fā)光區(qū)以及減少光反射區(qū)，是單層、多層、單一功能區(qū)域、或多個(gè)功能區(qū)域。“光發(fā)射區(qū)域”和“發(fā)光區(qū)域”可以互換。
參照附圖可以得到對(duì)這里所公開(kāi)的工序和裝置的更全面的理解。為了方便和容易證明本發(fā)明，這些圖僅是示意性表示，并且因此并不意欲表示顯示器件及其部件的相對(duì)大小以及尺寸，和/或定義或限制示例性實(shí)施方式的范圍。
雖然為了清晰，下面的說(shuō)明中使用的具體地術(shù)語(yǔ)，但是這些術(shù)語(yǔ)意欲僅指為了說(shuō)明在附圖中選擇的實(shí)施方式的特定結(jié)構(gòu)，并且并不意欲定義或限制本發(fā)明的范圍。在附件和下面的說(shuō)明中，可以理解相似的標(biāo)號(hào)是指功能相似的部件。
圖1-5描述了根據(jù)本發(fā)明包括減少光反射層的顯示器件的示例性實(shí)施方式。參照?qǐng)D1，有機(jī)發(fā)光器件110包括第一電極120、發(fā)光區(qū)域130、第二電極150以及設(shè)置在第一電極150和發(fā)光區(qū)域130之間的薄金屬-有機(jī)物混合層140。
參照?qǐng)D2，有機(jī)發(fā)光器件210包括陽(yáng)極220、發(fā)光區(qū)域230、陰極240。陽(yáng)極220含有陽(yáng)極金屬以及薄MOML222。
參照?qǐng)D3，有機(jī)發(fā)光器件310包括陽(yáng)極320、發(fā)光區(qū)域330、以及陰極340。陰極340含有根據(jù)本發(fā)明的薄金屬-有機(jī)物混合層341以及附加層342?？梢岳斫?，諸如在圖4中所示器件的顯示器件可以包括諸如層342的一層或多層附加層。諸如層342的附加層，可以是例如保護(hù)層或區(qū)域。在含有一層或多層這種附加層的陰極中，減少光反射層用作電子注入接觸。減少光反射層形成為接觸發(fā)光區(qū)域330。
參照?qǐng)D4，薄金屬-有機(jī)物混合層所示為發(fā)光區(qū)域的一部分。在圖4中，有機(jī)發(fā)光器件410包括第一電極420、發(fā)光區(qū)域430以及第二電極440。發(fā)光區(qū)域430含有第一電荷傳輸區(qū)431、光發(fā)射區(qū)432以及第二電荷傳輸區(qū)433。如圖4所示，第二電荷傳輸區(qū)433含有薄金屬-有機(jī)物混合層433A以及電荷傳輸層433B。第一電極可以是陰極或陽(yáng)極，并且第二電極可以是陰極或陽(yáng)極。另外，第一電荷傳輸區(qū)431能夠是空穴傳輸區(qū)(同時(shí)第二電荷傳輸區(qū)是電子傳輸區(qū))或者電子傳輸區(qū)(同時(shí)第二電荷傳輸區(qū)是空穴傳輸區(qū))。
可以理解薄金屬-有機(jī)物混合層可以位于發(fā)光區(qū)域中任意位置。例如，MOML能夠位于電子傳輸區(qū)內(nèi)部(并且因此視為電子傳輸區(qū)的一部分)或者位于空穴傳輸區(qū)內(nèi)部(其中電子傳輸區(qū)和空穴傳輸區(qū)相當(dāng)于相同層的的功能區(qū)域或者含有發(fā)光區(qū)域的二層、三層或更多層)。薄金屬-有機(jī)物混合層還可以位于電子傳輸區(qū)和發(fā)光區(qū)之間，或者位于空穴傳輸區(qū)和光發(fā)射區(qū)之間。
參照?qǐng)D5，顯示器件為薄金屬-有機(jī)物混合層位于或者設(shè)置在電極之外。在圖5中，有機(jī)發(fā)光器件510包括第一電極520、發(fā)光區(qū)域530、第二電極540以及位于第二電極540之外的薄金屬-有機(jī)物混合層550。第一電極可以是陽(yáng)極或者陰極并且第二電極可以是陰極或者陽(yáng)極。
現(xiàn)在參照?qǐng)D6，示出了包括多層薄金屬-有機(jī)物混合層的顯示器件。在圖6中，有機(jī)發(fā)光器件610包括第一電極620、發(fā)光區(qū)域630、以及第二電極640。第二電極640含有薄金屬-有機(jī)物混合層641和附加層642。薄金屬-有機(jī)混合區(qū)域641含有三層分開(kāi)的薄金屬-有機(jī)物混合層641A、641B和641C。如同這里所使用的，如果相鄰的層的組合物根據(jù)薄金屬-有機(jī)物混合層的組分或該組分在層中的濃度或比例不同彼此不同，則相鄰的薄金屬-有機(jī)物混合層可以被認(rèn)是分開(kāi)的層。即，如果在各層中以不同的濃度表示各組分，具有相同組分的相鄰薄金屬-有機(jī)物混合層，即相同的金屬材料和有機(jī)材料，可以認(rèn)為是分開(kāi)的層。為了公開(kāi)，具有完全相同組合物的相鄰薄金屬-有機(jī)物混合層可以認(rèn)為是單層薄金屬-有機(jī)物混合層。雖然MOML示為諸如陰極的第二電極的一部分，但是可以理解含有多層MOML的薄MOML可以是包括諸如陽(yáng)極的第一電極的一部分、發(fā)光區(qū)域的一部分、可以設(shè)置在第一電極和第二電極之一與發(fā)光區(qū)域之間，或者可以位于第一電極或第二電極之一外部。
雖然在圖中未示出，但是可以理解諸如圖1-8中的OLED的顯示器件可以包括鄰近第一電極或第二電極之一的基板，例如，鄰近陽(yáng)極或陰極之一?；旧贤该鞯幕灏ǜ鞣N適宜的材料，例如，聚合物組分、玻璃、石英等。適宜的聚合物組分包括但不限于諸如MYLAR的聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚砜等。其它基板材料可以選自例如能夠有效地支持其它層并且不會(huì)干擾器件功能特性的材料。
不透明基板能夠含有各種適宜材料，例如包括諸如MYLAR的聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚砜等的聚合物組分，其可以含有諸如碳黑的顏料或染料。該基板還能夠含有諸如非晶硅、多晶硅、單晶硅等的硅。能夠與基板一起使用的另一類(lèi)材料是諸如金屬化合物的陶瓷，如金屬氧化物、金屬鹵化物、金屬氫氧化物、金屬硫化物等。
在實(shí)施方式中，基板可以具有例如從約10微米到約5,000微米的厚度。在另一實(shí)施方式中，基板可以具有從約25微米至約1,000微米的厚度。
薄金屬-有機(jī)物混合層包含i)含有金屬的材料；以及ii)有機(jī)材料，并且具有小于175nm的厚度。在實(shí)施方式中，薄層金屬-有機(jī)物混合層具有從約10nm至約70nm的厚度。在另一實(shí)施方式中，薄層金屬-有機(jī)物混合層具有從約30nm至約50nm的厚度。在含有多層MOML的薄MOML中，各MOML在一實(shí)施方式中可以具有從約1nm至約95nm的厚度，在另一實(shí)施方式中可以具有從約1nm至約45nm的厚度。
適宜在薄MOML中使用的金屬包括但不限于有光吸收特性的金屬和金屬化合物。這些金屬包括但不限于例如Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Nm、Tc、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、B、Al、Ga、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Se、Te、Ce、Nd、Sm以及Eu。在實(shí)施方式中，術(shù)語(yǔ)“金屬”包括Sb、Se以及Te。在又一實(shí)施方式中，金屬合金可以用于形成MOML。金屬合金中的一金屬可以認(rèn)為是含有金屬的材料；金屬合金中的另一金屬可以認(rèn)為是MOML中的附加的一種或多種組分。例如，組合有有機(jī)材料的二元金屬合金可以認(rèn)為是三元MOML。
用于薄MOML的金屬化合物可以是金屬鹵化物(例如氟、氯、溴、碘)、金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、金屬碳化物以及金屬硼化物。金屬鹵化物包括但不限于例如LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、CsF、CsCl、MgF2、CaF2、SrF2、AlF3、AgCl、AgF以及CuCl2。金屬氧化物能夠包括但不限于Li2O、Ca2O、Cs2O、In2O3、SnO2、ZnO、ITO、Cu2O、CuO、Ag2O、NiO、TiO、Y2O3、ZrO2、Cr2O3。金屬氫氧化物能夠包括但不限于例如AgOH。金屬氮化物能夠包括但不限于LaN、YN以及GaN。金屬硫化物包括但不限于ZnS、Sb2S3、Sb2S5以及CdS。金屬碳化物包括但不限于Li2C、FeC以及NiC。金屬硼化物能夠包括但不限于CaB6。
金屬材料還可以含有在美國(guó)專(zhuān)利序列號(hào)No.11/133,753[20031599-US-NP]中所述的金屬納米顆粒，在此引入該專(zhuān)利作為參考。
如同這里所述，公知的一些金屬化合物具有導(dǎo)電性以及光吸收性。在實(shí)施方式中，有機(jī)化合物與這些金屬的混合物能夠?qū)崿F(xiàn)含有根據(jù)本發(fā)明的薄MOML的器件的特性。在實(shí)施方式中，在MOML中使用的含有金屬的材料可以是金屬化合物、即能夠?qū)щ娪帜軌蛭展獾木唧w金屬化合物諸如Ag2O、Cu2O、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、NiO、V2O5、ZnS、ZnO、In2O3、SnO2。
根據(jù)本發(fā)明的金屬-有機(jī)物混合層具有減少光反射特性。因此，金屬-有機(jī)物混合層、含有多層金屬-有機(jī)物混合層的含有金屬-有機(jī)物混合層可以稱(chēng)為減少光反射層、減少光反射區(qū)域、以及/或減少光反射區(qū)。
適宜用于MOML的有機(jī)材料能夠是例如在制造顯示器件的發(fā)光區(qū)域中使用的電致發(fā)光材料，這里將要說(shuō)明這種電致發(fā)光材料。例如，適宜用于MOML的有機(jī)材料包括分子(小分子)有機(jī)化合物以及聚合物，分子有機(jī)化合物諸如金屬羥喹啉酸化合物、金屬螯合物、芳香叔胺、吲哚并咔唑、卟啉類(lèi)化合物、酞菁染料、三嗪、蒽和噁二唑；聚合物諸如聚噻吩、聚芴、聚苯撐、聚苯胺以及聚對(duì)苯乙烯。其它能夠在薄MOML中使用的有機(jī)化合物包括聚碳酸酯、聚乙烯、聚苯乙烯、有機(jī)染料和顏料(例如桔黃顏料、香豆素以及其它稠合芳族環(huán)化合物)。適宜的有機(jī)材料的其它實(shí)施例包括但不限于三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ3)或者8-羥基喹啉的其它適宜絡(luò)合物。
陽(yáng)極能夠含有適宜的正電荷注入材料，諸如氧化銦錫(ITO)、硅、氧化錫以及具有從約4eV至約6eV的功函的金屬，諸如金、鉑和鈀。其它適宜用于陽(yáng)極的材料包括但不限于導(dǎo)電的碳、諸如具有例如功函等于或大于約4eV并且在實(shí)施方式中為從約4eV至約6eV的π-共軛聚合物，例如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等?；旧贤该鞯年?yáng)極能夠含有例如氧化銦錫(ITO)、非常薄的基本上透明的金屬層，該層含有功函范圍從約4eV至約6eV的金屬，諸如金和鈀等，其厚度為例如多約10埃至約200埃，并且在實(shí)施方式中從約30埃至約100埃。在美國(guó)專(zhuān)利No.4,885,211和No.5,703,436中公開(kāi)了其它適宜形式的陽(yáng)極，在此引入該專(zhuān)利作為參考。陽(yáng)極還能夠含有在待審美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)No.10/117,812中公開(kāi)金屬-有機(jī)物混合層(MOML)，在此結(jié)合該專(zhuān)利的內(nèi)容作為參考。另外，陽(yáng)極可以含有根據(jù)本發(fā)明的薄MOML。陽(yáng)極的厚度范圍從約10埃至約50,000埃，具有根據(jù)陽(yáng)極材料的電學(xué)和光學(xué)常數(shù)決定的所需范圍。陽(yáng)極厚度的一個(gè)示例性范圍從約300埃至約3,000埃。當(dāng)然，也能夠使用該范圍之外的厚度。
陰極能夠含有適宜的電子注入材料，諸如包括高功函組分的金屬，諸如具有從約4eV至約6eV的功函的金屬，或者低功函組分的金屬，諸如具有從約2eV至約4eV的功函的金屬。陰極能夠含有低功函(小于約4eV)金屬和至少一其它金屬的混合物。低功函金屬和第二或其它金屬的比例從小于約0.1重量百分比至約99.9重量百分比。低功函金屬的示例性實(shí)施例包括但不限于諸如鋰或鈉的堿金屬、諸如鈹、鎂、鈣或鋇的2A族或堿土金屬；以及包括稀土金屬以及諸如鈧、釔、鑭、鈰、銪、鋱或錒的錒族金屬的III族金屬。鋰、鎂和鈣是優(yōu)選的低功函金屬。適宜形成陰極的材料包括但不限于在美國(guó)專(zhuān)利No.4,885,211、No.4,720,432和No.5,703,436中公開(kāi)的Mg-Ag合金陰極，在此將這些專(zhuān)利的內(nèi)容結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考。其它適宜的陰極含有在此結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)No.10/117,812以及在此引入其全部?jī)?nèi)容作為參考的美國(guó)專(zhuān)利No.5,429,884中公開(kāi)的金屬-有機(jī)物混合層(MOML)。陰極還可以包括與該申請(qǐng)同日提交的在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)No.11/133,753[20031599-US-NP]中所述的減少光反射層，在此引入其全部?jī)?nèi)容作為參考。由諸如鋁和銦的具有其它高功函金屬的鋰合金也可以形成陰極。
基本上透明的陰極能夠含有非常薄基本上透明的金屬層，該層由諸如Mg、Ag、Al、Ca、In、Li具有功函范圍從約2eV至約4eV的金屬以及它們的合金構(gòu)成，所述合金諸如Mg∶Ag合金，含有體積百分比為從約80-95％的Mg，體積百分比為約20％至約5％的Ag；Li∶Al合金，含有體積百分比為從約90-99％的Al，以及體積百分比為從約10％至約1％的Li；等等。該層具有厚度例如從約10埃至約200埃，并且在實(shí)施方式中從約30埃至約100埃。當(dāng)然，也能夠使用該范圍之外的厚度。
在實(shí)施方式中，陰極可以含有一層或多層附加層。陰極的一層或多層附加層能夠含有至少一金屬和/或至少一無(wú)機(jī)材料。能夠在附加層中使用的適宜的示例性材料包括但不限于Mg、Ag、Al、In、Ca、Sr、Au、Li、Cr及其混合物。能夠在附加層使用的適宜的示例性無(wú)機(jī)材料包括但不限于SiO、SiO2、LiF、MgF2及其混合物。
一層或多層附加層彼此之間能夠具有相同或不同的功能。例如，陰極的一層或多層能夠含有金屬或者基本上由金屬材料以形成具有低方塊電阻(例如小于10Ω/□)的導(dǎo)電層。另外，陰極的一層或多層附加層通過(guò)形成鈍化層(例如濕氣隔離物)能夠保護(hù)金屬-有機(jī)物混合層不受環(huán)境的影響，該鈍化層能夠防止或者至少減小環(huán)境濕氣滲透到MOML、發(fā)光區(qū)域以及陽(yáng)極。同時(shí)，陰極的一層或多層能夠起到熱保護(hù)層的作用以提高對(duì)設(shè)備在高溫下短路的保護(hù)。例如，在美國(guó)專(zhuān)利No.6,614,175中更詳細(xì)地公開(kāi)有能夠在從約60℃至約110℃的溫度下提供這種保護(hù)，在此引入該專(zhuān)利作為參考。
例如，陰極的厚度范圍從約10nm至約1000nm。還能夠使用該范圍之外的厚度。
在本發(fā)明OLED中使用的陰極和陽(yáng)極可以是單層或者可以包括兩層、三層或多層。例如，電極可以由電荷注入層(即，電子注入層或空穴注入層)和保護(hù)層構(gòu)成。然而，在實(shí)施方式中，電荷注入層可以認(rèn)為與電極不同。
電子注入層能夠包括非常薄基本上透明的金屬層，該層由功函從約2eV至約4eV諸如Mg、Ag、Al、Ca、In、Li的金屬以及其合金構(gòu)成，諸如Mg∶Ag合金，含有體積百分比為從約80％至95％的Mg，體積百分比為約20％至約5％的Ag；以及Li∶Al合金，含有體積百分比為從約90％至99％的Al，以及體積百分比為從約10％至約1％的Li；等等，該層具有厚度例如從約10埃至約200埃，并且在實(shí)施方式中中從約30埃至約100埃。當(dāng)然，也能夠使用該范圍之外的厚度。電子注入層還能夠包括非常薄的絕緣材料，諸如在美國(guó)專(zhuān)利No.5,457,565、No.5,739,635中公開(kāi)的氧化物材料或者堿金屬化合物，在此將這些專(zhuān)利結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考。
空穴注入層能夠由適宜的正電荷注入材料構(gòu)成，諸如氧化銦錫(ITO)、硅、氧化錫以及功函為從約4eV至約6eV的金屬構(gòu)成，諸如金、鉑和鈀。其它適宜用于空穴注入層的材料包括但不限于導(dǎo)電的碳、諸如具有例如功函等于或大于約4eV尤其是從約4eV至約6eV的π-共軛聚合物，例如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等?；旧贤该鞯目昭ㄗ⑷氩牧嫌煞浅１』旧贤该鞯慕饘賹訕?gòu)成，該層含有功函的范圍從約4eV至約6eV的金屬，諸如金、鈀等，其厚度為例如從約10埃至約200埃并且在實(shí)施方式中從約10埃至約100埃。當(dāng)然，還能夠使用該范圍之外的厚度。在美國(guó)專(zhuān)利No.4,885,211和No.5,703,436中公開(kāi)了其它適宜形式的空穴注入材料，在此結(jié)合該專(zhuān)利作為參考。
還能夠包括在陽(yáng)極和/或陰極上的保護(hù)層以增加熱穩(wěn)定性，增加環(huán)境穩(wěn)定性、和/或以一些其它方式提高有機(jī)發(fā)光器件的性能。能夠用于增加有機(jī)發(fā)光器件的熱穩(wěn)定性的保護(hù)層的實(shí)施例包括SiO、SiO2或者其混合物。在美國(guó)專(zhuān)利No.6,765,348和No.6,614,175中公開(kāi)了其它實(shí)施例，在此將這些專(zhuān)利結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考。能夠用于增加有機(jī)發(fā)光器件的環(huán)境穩(wěn)定性的保護(hù)層的實(shí)施例是含有諸如Ag、Al、In或Au的穩(wěn)定金屬的層。能夠用于增加有機(jī)發(fā)光器件的環(huán)境穩(wěn)定性的保護(hù)層的其它實(shí)施例是由例如在美國(guó)專(zhuān)利No.5,059,861中所述的低功函金屬構(gòu)成的層。例如，保護(hù)層的厚度從約20nm至約5,000nm。在實(shí)施方式中，厚度從約50nm至500nm。
顯示器件可以?xún)?yōu)選地含有位于陽(yáng)極和空穴傳輸層之間的緩沖層。緩沖層基本上起實(shí)現(xiàn)所需的從陽(yáng)極注入空穴電荷并且提高陽(yáng)極和空穴傳輸層之間的粘接，從而提高器件的操作穩(wěn)定性。能夠在緩沖層中使用的適宜材料包括半導(dǎo)體有機(jī)材料，諸如卟啉衍生物，如在此結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考的美國(guó)專(zhuān)利No.4,356,429中公開(kāi)的1，10，15，20-四苯基-21H，23H-卟啉銅(II)；酞菁銅、四甲基酞菁銅；酞菁鋅；酞菁二氧化鈦；酞菁鎂等。還能夠使用這些和其它適宜材料的混合物。能夠在緩沖層中使用的其它適宜材料包括半導(dǎo)體和絕緣金屬化合物，例如諸如MgO、Al2O3、BeO、BaO、AgO、SrO、SiO、SiO2、ZrO2、CaO、Cs2O、Rb2O、Li2O、K2O和Na2O的金屬氧化物以及如LiF、KCl、NaCl、CsCl、CsF和KF的金屬鹵化物。緩沖層能夠具有從約1nm至約100nm的厚度。用于緩沖層的示例性厚度范圍從約5nm至約25nm。用于緩沖層的其它示例性厚度范圍從約1nm至約5nm。
在實(shí)施方式中，本發(fā)明顯示器件的發(fā)光區(qū)域包括至少一電致發(fā)光材料。電致發(fā)光材料不是關(guān)鍵并且可以是適宜在顯示器件中用作電致發(fā)光材料的任意材料。適宜的有機(jī)電致發(fā)光材料包括諸如聚(對(duì)苯乙烯)(PPV)、聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)1，4-對(duì)苯乙烯(MEHPPV)以及聚(2，5-二烷氧基對(duì)苯乙烯基)(PDMeOPV)以及在此引入作為參考的美國(guó)專(zhuān)利No.5,247,190中公開(kāi)的其它材料的聚對(duì)苯撐乙烯；諸如聚(對(duì)苯撐)(PPP)、梯形-聚-對(duì)-苯撐(LPPP)、和聚(四氫芘)(PHTP)的聚乙烯；以及諸如聚(9，9-二-正-辛基芴-2，7，-二基)、聚(2，8-(6，7，12，12-四烷基茚并芴)以及諸如芴-胺共聚物的含芴的共聚物的聚芴(參見(jiàn)例如，Bemius等人“Developmental Progress ofElectroluminescent Polymeric Materials and Devices”P(pán)roceedings of SPIEConference on Organic Light Emitting Materials and Devices III，Denver，Colo.，July 1999，Volume 3797，p.129)。
另一類(lèi)能夠在發(fā)光區(qū)域中使用的有機(jī)電致發(fā)光材料包括但不限于在美國(guó)專(zhuān)利No.4,539,507、No.5,151,629、No.5,150,006、No.5,141,671和No.5,846,666中公開(kāi)的金屬羥喹啉酸化合物，在此引入各專(zhuān)利作為參考。示例性實(shí)施例包括三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ3)、以及雙(8-羥基喹啉酸)-(4-苯并苯酚)鋁鹽(BAlq)。這類(lèi)材料的其它實(shí)施例包括三(8-羥基喹啉酸)鎵鹽、雙(8-羥基喹啉酸)鎂鹽、雙(8-羥基喹啉酸)鋅鹽、三(5-甲基-8-羥基喹啉酸)鋁鹽、三(7-丙基-8-羥基喹啉酸)鋁鹽、雙[苯并{f}-8-喹啉酸]鋅鹽、雙(10-羥基苯并[h]喹啉酸)鈹鹽等以及在美國(guó)專(zhuān)利No.5,846,666(在此結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考)中公開(kāi)的金屬硫代羥喹啉酸化合物，諸如雙(8-喹啉硫羥酸)鋅鹽、雙(8-喹啉硫羥酸)鎘鹽、三(8-喹啉硫羥酸)鎵鹽、三(8-喹啉硫羥酸)銦鹽、雙(5-甲基喹啉硫羥酸)鋅鹽、三(5-甲基喹啉硫羥酸)鎵鹽、三(5-甲基喹啉硫羥酸)銦鹽、雙(5-甲基喹啉硫羥酸)鎘鹽、雙(3-甲基喹啉硫羥酸)鎘鹽、雙(5-甲基喹啉硫羥酸)鋅鹽、雙[苯并{f}-8-喹啉硫羥酸]鋅鹽、雙[3-甲基苯并{f}-8-喹啉硫羥酸]鋅鹽、雙[3，7-二甲基苯并{f}-8-喹啉硫羥酸]鋅鹽等的金屬硫代羥喹啉酸化合物。
更具體地說(shuō)，能夠在發(fā)光區(qū)域中使用的有機(jī)電致發(fā)光材料含有芪衍生物，諸如在此引入作為參考的美國(guó)專(zhuān)利No.5,516,577中公開(kāi)的芪衍生物。適用的芪衍生物的非限制性實(shí)施例為4，4′，-雙(2，2，-二苯基乙烯基)聯(lián)苯。
另一類(lèi)可以在混合層中使用的雙極傳輸材料含有蒽，諸如，例如2-t-丁基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，10-二(2-萘基)蒽、9，10-二-苯基蒽、9，9-雙[4(9-蒽基)苯基]芴以及9，9-雙[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]芴。在其它適宜的蒽是在申請(qǐng)序列號(hào)為No.09/208,172(相應(yīng)EP1009044A2)中美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)的蒽、以及在美國(guó)專(zhuān)利No.5,972,247中公開(kāi)的蒽、以及美國(guó)專(zhuān)利No.5,935,721中公開(kāi)的蒽、以及美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)為No.09/771,311中公開(kāi)的蒽，在此結(jié)合該專(zhuān)利作為參考。
又一類(lèi)適于在發(fā)光區(qū)域中使用的有機(jī)電致發(fā)光材料為在申請(qǐng)序列號(hào)為No.08/829,398的美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)的噁二唑金屬螯化物，在此將該專(zhuān)利結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考。這些材料包括雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[5-聯(lián)苯基-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[5-聯(lián)苯基-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鈹；雙(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鋰；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對(duì)甲苯基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對(duì)甲苯基-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[5-(對(duì)叔丁基苯基)-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[5-(對(duì)叔丁基苯基)-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(3-氟苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(4-氟苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(4-氟苯基)-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[5-(4-氯苯基)-2-(2-羥基苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(4-甲氧基苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基-4-甲基苯基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-u-(2-羥基萘基)-5-苯基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對(duì)吡啶基-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-對(duì)吡啶基-1，3，4-噁二唑]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(2-硫代苯基)-1，3，4-噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-硫代噁二唑]鋅；雙[2-(2-羥基苯基)-5-苯基-1，3，4-硫代噁二唑]鈹；雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-硫代噁二唑]鋅；和雙[2-(2-羥基苯基)-5-(1-萘基)-1，3，4-硫代噁二唑]鈹?shù)?，以及?000年1月21日提交的序列號(hào)為No.09/489,144美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)以及在美國(guó)專(zhuān)利No.6,057,048中公開(kāi)的那些三嗪，在此結(jié)合各專(zhuān)利作為參考。發(fā)光區(qū)域還可以包括含量范圍在從重量百分比為約0.01％到約25％的摻雜劑。能夠在發(fā)光區(qū)域中使用的摻雜劑材料的實(shí)施例包括熒光材料，諸如香豆素、二氰基亞甲基吡喃、聚甲炔、氧雜苯并蒽、氧雜蒽、吡喃鎓、喹諾酮(carbostyl)、苝等。另一類(lèi)適用的熒光材料是喹吖啶酮染料。喹吖啶酮染料的示例性實(shí)施例包括喹吖啶酮、2-甲基喹吖啶酮、2，9-二甲基喹吖啶酮、2-氯喹吖啶酮、2-氟喹吖啶酮、1，2-苯并喹吖啶酮、N，N’-二甲基喹吖啶酮、N，N’-二甲基-2-甲基喹吖啶酮、N，N’-二甲基-2，9-二甲基喹吖啶酮、N，N’-二甲基-2-氯喹吖啶酮、N，N’-二甲基-2-氟喹吖啶酮、N，N’-二甲基-1，2-苯并喹吖啶酮等，其公開(kāi)在美國(guó)專(zhuān)利No.5,227,252、No.5,276,381、以及No.5,593,788中，在此將各專(zhuān)利結(jié)合進(jìn)來(lái)作為參考。另一類(lèi)能夠使用的熒光材料是稠環(huán)熒光染料。示例性的適用的稠環(huán)熒光染料包括如美國(guó)專(zhuān)利No.3,172,862(在此引用該專(zhuān)利作為參考)所公開(kāi)的二萘嵌苯、紅熒烯、蒽、六苯并苯、菲(phenanthrecene)、芘等等。同時(shí)，熒光材料包括諸如在美國(guó)專(zhuān)利No.4,356,429和No.5,516,577(在此引用各專(zhuān)利作為參考)所公開(kāi)的丁二烯，諸如1，4-二苯基丁二烯和四苯基丁二烯、和芪等。可以使用的熒光材料的其它實(shí)施例為美國(guó)專(zhuān)利No.5,601,903中公開(kāi)的那些，在此引用該專(zhuān)利作為參考。
另外，能夠在發(fā)光區(qū)域中使用的發(fā)光摻雜劑是為美國(guó)專(zhuān)利No.5,935,720(在此引入該專(zhuān)利作為參考)中公開(kāi)的熒光染料，例如4-(二氰基亞甲基)-2-1-丙基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)；鑭系元素金屬螯合物，例如三(乙酰丙酮基)(鄰二氮雜菲)鋱、三(乙酰丙酮基)(鄰二氮雜菲)銪、以及三(噻吩甲酰三氟丙酮基)(鄰二氮雜菲)銪，以及在Kido等“White light emitting organic electroluminescentdevice using lanthanide complexes”，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.35，p.L394-L396(1996)中公開(kāi)的那些，其通過(guò)引用的方式全文包括在本申請(qǐng)中；以及磷光材料，例如在Baldo等，“Highly efficient organic phosphorescent emission fromorganic electroluminescent devices”，Letters to Nature，Vol.395，p.151-154(1998)所述的包含導(dǎo)致強(qiáng)自旋-軌道耦合的重金屬原子的有機(jī)金屬化合物，其通過(guò)引用的方式全文包括在本申請(qǐng)中。優(yōu)選的實(shí)施例包括2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-膦鈀(II)(PtOEP)和色度三(2-苯基吡啶)銪(Ir(ppy)3)。
發(fā)光區(qū)域能夠包括具有空穴傳輸特性的一種或多種材料。能夠在發(fā)光區(qū)域中使用的空穴傳輸材料的實(shí)施例包括如在此引入作為參考的美國(guó)專(zhuān)利No.5,728,801所述的聚吡咯、聚苯胺、聚(亞苯基亞乙烯基)、聚噻吩、聚芳胺，及它們的衍生物，以及已知的半導(dǎo)體有機(jī)材料；卟啉衍生物，例如在此引入作為參考的美國(guó)專(zhuān)利No.4,356,429中公開(kāi)的1，10，15，20-四苯基-21H，23H-卟啉銅(II)；酞菁銅、四甲基酞菁銅、酞菁鋅、酞菁二氧化鈦、酞菁鎂等。
能夠用于該發(fā)光區(qū)域中的具體類(lèi)型的空穴傳輸材料為芳香叔胺，例如在美國(guó)專(zhuān)利No.4,539,507中公開(kāi)的芳香叔胺，在此引入作為參考。適宜的示例性的芳香叔胺包括但不局限于雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷；N，N，N-三(對(duì)甲苯基)胺、1，1-雙(4-二-對(duì)甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷；1，1-雙(4-二-對(duì)甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷；N，N’-二苯基-N，N’-雙(3-甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N’-二苯基-N，N’-雙(3-甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N’-二苯基-N，N’-雙(4-甲氧基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N，N’，N’-四-對(duì)甲苯基-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N’-二-1-萘基-N，N’-二苯基-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)；它們的混合物等。另一類(lèi)芳香叔胺為多環(huán)芳香胺。多環(huán)芳香胺的實(shí)施例包括但不局限于N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]苯胺；N，N--雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對(duì)甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-對(duì)甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-對(duì)甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-對(duì)甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對(duì)甲苯胺；N，N-雙-(4’-(N-苯基-N-對(duì)氯苯基氨基)-4-聯(lián)苯基)-間甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間氯苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-間甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間氯苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對(duì)甲苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-對(duì)氯苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-對(duì)甲苯基氨基)4-聯(lián)苯基]-間氯苯胺；N，N-雙-[4’-(N-苯基-N-間甲苯基氨基)-4-聯(lián)苯基]-1-氨基萘，它們的混合物等；4，4’-雙(9-咔唑基)-1，1’-聯(lián)苯基化合物，例如4，4’-雙(9-咔唑基)-1，1’-聯(lián)苯基以及4，4’-雙(3-甲基-9-咔唑基)-1，1’-聯(lián)苯基等。
能夠用于發(fā)光區(qū)域的另一具體類(lèi)的空穴傳輸材料為吲哚并咔唑類(lèi)，諸如在美國(guó)專(zhuān)利No.5,942,340和美國(guó)專(zhuān)利No.5,952,115公開(kāi)的吲哚并咔唑類(lèi)，在此引入作為參考，例如5，11-二-萘基-5，11-二氫化吲哚并[3，2-b]咔唑和2，8-二甲基-5，11-二萘基-5，11-二氫化吲哚并[3，2-b]咔唑；N，N，N’N’-四芳基聯(lián)苯胺，其中芳基可以選自苯基、間甲苯基、對(duì)甲苯基、間甲氧基苯基、對(duì)甲氧基苯基、1-萘基、2-萘基等。N，N，N’N’-四芳基聯(lián)苯胺的示例性實(shí)施例為N，N-二-1-萘基-N，N’-二苯基-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺；N，N’-雙(3-甲氧基苯基)-N，N’-二苯基-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺等。能夠在發(fā)光區(qū)域中使用的適宜空穴傳輸材料是萘基取代的聯(lián)苯胺衍生物。
發(fā)光區(qū)域還能夠包括具有電子傳輸能力的一種或多種材料。能夠在發(fā)光區(qū)域中使用的電子傳輸材料的實(shí)施例是聚芴，例如聚(9，9-二正辛基芴-2，7-二基)、聚(2，8-(6，7，12，12-四烷基茚并芴)以及包含芴的共聚物，例如芴-胺共聚物，如Bernius等，Proceedings of SPIE Conference on Organic LightEmitting Materials and Devices III，Denver，Cob.，1999年7月，Vol.3797，p.129所述。
能夠在發(fā)光區(qū)域中使用的電子傳輸材料的其它實(shí)施例能夠選自金屬羥喹啉酸化合物、噁二唑金屬螯化物、三嗪化合物以及芪化合物，上述已經(jīng)詳細(xì)給出了這些化合物的實(shí)施例。
在發(fā)光區(qū)域除有機(jī)電致發(fā)光材料還包括一種或多種空穴傳輸材料和/或一種或多種電子傳輸材料的實(shí)施方式中，有機(jī)電致發(fā)光材料、空穴傳輸材料和/或電子傳輸材料能夠以單獨(dú)的層形成，諸如在美國(guó)專(zhuān)利No.4,539,507，No.4,720,432以及No.4,769,292中公開(kāi)的OLED；或者能夠在同一層中從而形成兩種或更多材料的混合區(qū)域，諸如在美國(guó)專(zhuān)利No.6,130,001、No.6,393,339、No.6,393,250以及No.6,614,175中公開(kāi)的OLED。在此引入這些專(zhuān)利和專(zhuān)利申請(qǐng)的內(nèi)容作為參考。
發(fā)光區(qū)域的厚度可以例如從約1nm至約1000nm變化。在實(shí)施方式中，發(fā)光區(qū)域的厚度是從約20nm至約200nm，以及在其它實(shí)施方式中，從約50nm至約150nm。
如此所述，根據(jù)本發(fā)明的薄金屬-有機(jī)物混合層可是單層MOML結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)MOML是單層結(jié)構(gòu)時(shí)，薄MOML具有通常在從約5nm至約165nm范圍內(nèi)的厚度。在含有Ag作為金屬的單層MOML中，MOML的厚度通常i)當(dāng)Ag錐是從約20％至約30％時(shí)為從約10nm至約60nm；以及ii)當(dāng)Ag錐從約10至約18％時(shí)為從約100nm至約160nm。在實(shí)施方式中，薄層MOML或區(qū)域可以具有包括2、3、4、5層或更多層MOML的多層結(jié)構(gòu)。多層MOML中各MOML的總厚度通常在從約5nm至約170nm的范圍內(nèi)。在實(shí)施方式中，多層MOML的厚度在從約15nm至約75nm的范圍。在另實(shí)施方式中，多層MOML的厚度在從約110nm至約170nm的范圍。在多層薄層MOML結(jié)構(gòu)中，MOML各單層具有從約5nm至約95nm的厚度。
在實(shí)施方式中，含有金屬的材料在薄MOML中占有體積百分比從約5％至約50％的量，而有機(jī)材料在薄MOML中占有體積百分比從約50％至約5％的量。在另一實(shí)施方式中，含有金屬的材料在薄MOML中占有體積百分比從約5％至約30％的量，而有機(jī)材料在薄MOML中占有體積百分比從約90％至約70％的量。在再一實(shí)施方式中，含有金屬的材料在MOML中占體積百分比從約5％至約40％的量。
在一實(shí)施方式中，薄MOML是含有Ag和一或多有機(jī)材料的單層結(jié)構(gòu)，其中薄MOML含有在MOML中體積百分比為從約5％至約30％的量的Ag并且具有從約10nm至約60nm的厚度或者從約100nm至約160nm的厚度。在另一實(shí)施方式中，薄MOML含有在MOML中體積百分比從約20％至約30％的量的Ag并且具有從約10nm至約60nm的厚度。在又一實(shí)施方式中，薄MOML含有在MOML中體積百分比為從約10％至約18％的量的Ag并且具有從約100nm至約160nm的厚度。
可以采用任意適宜的技術(shù)以形成根據(jù)本發(fā)明的薄MOML層和顯示器件。適宜的技術(shù)包括但不限于，物理熱氣相沉積(PVD)、旋轉(zhuǎn)涂覆、濺射、電子束、電弧、化學(xué)氣相沉積(CVD)等。例如，在PVD中，減少光反射層通過(guò)在真空下由熱源共蒸發(fā)金屬和基材以及通過(guò)掩模在所需的基板/表面上液化/沉積氣體形成。控制各種材料的蒸發(fā)率以獲得所需的金屬顆粒大小和以及金屬和基材組分的所需比率。
這里所述的薄金屬-有機(jī)物混合層適宜在顯示器件中使用以減少在器件中環(huán)境光的反射。反射的減少可以根據(jù)例如太陽(yáng)/眼睛-總反射百分率(Sun/Eye-Integrated Reflectance Percentage，SEIR％)。SEIR是總的百分?jǐn)?shù)，分子是反射離諸如OLED的顯示器件的入射光，分母是在可視光譜(在400-700nm范圍內(nèi)的入射光)中整個(gè)可視范圍內(nèi)的總和并且加權(quán)人眼在整個(gè)范圍上的靈敏度。與沒(méi)有包括任何MOML的顯示器件相比，含有這里所述的薄MOML減少至少約30％的光反射，并且在實(shí)施方式中，減少至少約50％的光反射。在實(shí)施方式中，采用根據(jù)本發(fā)明的薄金屬-有機(jī)物混合層的顯示器件可以具有小于約50％的反射度。在另一實(shí)施，反射率小于約20％。在又一實(shí)施方式中，反射率小于約10％。
雖然已經(jīng)參照OLED說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的薄金屬-有機(jī)物混合層的使用，但是可以理解這種薄金屬-有機(jī)物混合層可以應(yīng)用于任意種類(lèi)的OLED或其它顯示器件。例如，根據(jù)本發(fā)明的薄金屬-有機(jī)物混合層可以適于在分子(小分子)基OLED、樹(shù)枝狀聚合物基OLED、聚合物基OLED、在光發(fā)射區(qū)中包括分子和聚合物材料二者的混合OLED、在光發(fā)射區(qū)域中含有有機(jī)和無(wú)機(jī)材料二者的混合OLED、無(wú)機(jī)電致發(fā)光或磷光器件、液晶顯示(LCD)、等離子顯示器件等。
參照下述的實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明并且理解含有根據(jù)本發(fā)明金屬-有機(jī)物混合層的顯示器件。這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明而不意欲以任何方式限制本發(fā)明。
實(shí)施例1下面表1中的實(shí)施例1-24概括了含有薄層光反射減小層的簡(jiǎn)化實(shí)施的OLED器件。實(shí)施例1是不包括任何MOML的對(duì)照器件。實(shí)施例2-10包括單層MOML，實(shí)施例11-24含有2層或3層的多層薄層MOML。
在圖7和圖8示出了簡(jiǎn)化以實(shí)施實(shí)施例2-24中實(shí)施例的普通結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D7，有機(jī)發(fā)光器件所示為包括單層薄層MOML。在圖7中，有機(jī)發(fā)光器件710包括陽(yáng)極720、發(fā)光區(qū)域730、以及陰極740。陰極740含有任意的電子注入層742、薄層MOML744、以及保護(hù)層746。參照?qǐng)D8，有機(jī)發(fā)光器件810包括陽(yáng)極820、發(fā)光區(qū)域830、以及陰極840。陰極840含有任意的電子注入層842、保護(hù)層846、含有單獨(dú)的金屬-有機(jī)物混合層844A、844B以及任意的844C的多層薄層MOML844。
利用物理氣相沉積在涂覆有ITO的玻璃基板上以真空(5×10-6托)制造所有器件，其中玻璃基板利用UV-臭氧清潔預(yù)清洗過(guò)。在實(shí)施例1-24中，光發(fā)射區(qū)域含有兩層i)用作空穴傳輸區(qū)的60nm的NPB層；以及ii)用于提供光發(fā)射和電子傳輸?shù)?5nmAlQ3層。NPB和AlQ3層順序沉積在涂覆有ITO的基板上，其中ITO用作空穴注入陽(yáng)極。在實(shí)施例2-24的器件中，陰極含有薄MOML、保護(hù)層以及任意的電子注入層(參見(jiàn)表1)。括號(hào)內(nèi)的數(shù)字指以毫微米(nm)為單位的層的厚度。表1總結(jié)了從反射率測(cè)量得到的結(jié)果，并且在太陽(yáng)/眼睛總反射百分率(SEIR％)中示出。
參照實(shí)施例1中的器件說(shuō)明制備含有作為陰極一部分的單層薄MOML的器件。在該實(shí)施例中單層MOML含有Ag和AlQ3。在范圍從0(例如，沒(méi)有MOML)至300nm的不同厚度的幾個(gè)器件中評(píng)估分別含有體積百分比為15％、17％、22％的Ag的MOML。在波長(zhǎng)為555nm下評(píng)價(jià)器件的反射率。圖9所示為具有不同Ag濃度的單層MOML的MOML厚度與反射率的圖。如圖9所示，通過(guò)改變MOML中金屬的濃度和/或厚度可以控制和/或優(yōu)化反射率。
雖然已經(jīng)描述了具體實(shí)施方式
，但是對(duì)于發(fā)明人或者其它熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以預(yù)知各種替代方式、改進(jìn)、變型、改良和基本上等效物。因此所附的權(quán)利要求書(shū)意欲包括所有的替代方式、改進(jìn)、變型、改良和基本上的等效物。
表1

表1(續(xù)表)

權(quán)利要求
1.一種顯示器件，包括陽(yáng)極；陰極；設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光區(qū)域；該發(fā)光區(qū)域優(yōu)選地含有有機(jī)電致發(fā)光材料；以及減少光反射的金屬-有機(jī)物混合層，包含i)含有金屬的材料；以及ii)有機(jī)材料，其中所述金屬-有機(jī)物混合層具有從約5nm至約170nm的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層具有從約10nm至約60nm的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層具有從約100nm至約160nm的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層含有在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約5％至約50％的所述含有金屬的材料以及在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約50％至約5％的所述有機(jī)材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約5％至30％。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬是Ag。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬是Ag，而其有機(jī)混合層含有在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約5％至約30％的量的所述金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬是Ag，而其有機(jī)混合層含有在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約20％至約30％的量的所述金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬是Ag，而其有機(jī)混合層含有在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約5％至約30％的量的所述金屬。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬是Ag，而其有機(jī)混合層含有在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約10％至約18％的量的所述金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層夾在所述陰極和所述發(fā)光區(qū)域之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層夾在所述陽(yáng)極和所述發(fā)光區(qū)域之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層含有多層金屬-有機(jī)物混合層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述發(fā)光區(qū)域含有有機(jī)電致發(fā)光層。
15.一種顯示器件，包括第一電極；第二電極；發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在所述第一和第二電極之間；所述發(fā)光區(qū)域任意地含有有機(jī)電致發(fā)光材料；以及減少-光反射區(qū)域，含有多層金屬-有機(jī)物混合層，各金屬-有機(jī)物混合層含有金屬和有機(jī)材料，其中所述減少光反射區(qū)域具有從約10nm至約175nm的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其特征在于，所述減少光反射區(qū)域的各單一金屬-有機(jī)物混合層具有多約5nm至約170nm的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其特征在于，所述減少光反射區(qū)域具有從約10nm至約100nm的厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其特征在于，所述減少光反射區(qū)域具有從約30nm至約50nm的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其特征在于，所述多層金屬-有機(jī)物混合層中各層獨(dú)立地含有占金屬-有機(jī)物混合層體積百分比從約5％至約50％量的所述金屬。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示器件，其特征在于，在所述多層金屬-有機(jī)物混合層其中至少之一層的所述金屬是Ag。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示器件，其特征在于，所述多層金屬-有機(jī)物混合層中各層含有Ag。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其特征在于，所述多層金屬-有機(jī)物混合層中各層獨(dú)立地含有在金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約10％至約40％量的所述金屬。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示器件，其特征在于，在所述多層金屬-有機(jī)物混合層其中至少之一層的所述金屬是Ag。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其特征在于，所述減少光反射區(qū)域夾在所述陰極和所述發(fā)光區(qū)域之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其特征在于，所述所述減少光反射區(qū)域夾在所述陽(yáng)極和所述發(fā)光區(qū)域之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其特征在于，所述發(fā)光區(qū)域含有有機(jī)電致發(fā)光層。
27.一種顯示器件，包括(i)陽(yáng)極；(ii)發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在所述陽(yáng)極上；所述發(fā)光區(qū)域任意地含有有機(jī)電致發(fā)光材料；(iii)任意層，含有電子注入材料且設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)域之上；(iv)單層金屬-有機(jī)物混合層，設(shè)置在下述二者之上(a)所述任意電子注入材料；以及(b)所述發(fā)光區(qū)域；并且所述單層金屬-有機(jī)物混合層含有含Ag材料以及有機(jī)材料，其中所述含Ag材料在所述金屬-有機(jī)物混合層中占有體積百分比從約5％至約30％的量，而所述金屬-有機(jī)物混合層具有下述厚度之一(a)從約10nm至約60nm；以及b)從約100nm至約160nm；以及(v)陰極。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層具有從約10nm至約60nm的厚度。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層具有從約100nm至約160nm的厚度。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層i)含有在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約20％至約30％量的Ag；以及ii)具有從約10nm至約60nm的厚度。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層含有在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為約22％量的Ag。
32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層i)含有在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為從約10％至約18％量的Ag；以及ii)具有從約100nm至約160nm的厚度。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的顯示器件，其特征在于，所述金屬-有機(jī)物混合層含有在所述金屬-有機(jī)物混合層中體積百分比為約15％量的Ag。
34.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示器件，其特征在于，具有含有電子注入材料的所述任意層。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的顯示器件，其特征在于，所述電子注入材料選自Ca、Li、K、Na、Mg、Al、In、Y、Sr、Cs、Cr、Ba、Sc以及它們的化合物。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的顯示器件，其特征在于，所述含有電子注入材料的所述層具有從約0.1nm至約10nm的厚度。
37.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示器件，其特征在于，所述發(fā)光區(qū)域含有有機(jī)電致發(fā)光層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包括含有金屬(含金屬材料)以及有機(jī)材料且具有小于175nm的厚度的薄金屬－有機(jī)物混合層(MOML)的顯示器件。薄金屬－有機(jī)物混合層可以是單層或多層結(jié)構(gòu)。通過(guò)改變MOML的厚度以及MOML中金屬組分及其濃度可以控制器件的反射率。
文檔編號(hào)H01L51/52GK1866575SQ20061008101
公開(kāi)日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月20日
發(fā)明者H·阿茲茲, 波波維克, J·A·科甘, 納曼尼亞·斯蒂丹諾維奇 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社