專利名稱：適用于超薄型led封裝的基板及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種超薄型LED封裝基板及其封裝方法，且特別是有關(guān) 于一種側(cè)放的超薄型LED。
背景技術(shù)：
近年來由于PDA、手機(jī)的使用普及化，除實(shí)用目的外，已逐漸走向外型 輕、薄、短、小的趨勢，更強(qiáng)調(diào)精致外型、便于攜帶等優(yōu)勢以增加產(chǎn)品的競爭 力。相對的，攜帶式電子產(chǎn)品的零組件的研發(fā)與改良則更加地受到重視。表面黏著型(SMD) LED的體積較其它傳統(tǒng)型LED小，因此目前被廣泛應(yīng) 用于小尺寸的液晶背光源與手機(jī)的按鍵上，其對于質(zhì)量的要求也較一般傳統(tǒng)封 裝體為高。目前薄型LED的厚度約為350微米左右，由于受限于LED晶粒本 身高度及對薄基板的生產(chǎn)能力，尚無法做出低于200微米以下之超薄型LED， 造成實(shí)際應(yīng)用上的限制。由于晶粒本身具有一定的高度，故欲降低LED封裝體的厚度必須縮減其 它組件(例如導(dǎo)線架)的高度或厚度，以減少堆棧LED結(jié)構(gòu)的高度。然而，將組 件厚度變薄會導(dǎo)致其剛性變?nèi)?，容易變形、破裂，使得運(yùn)輸、保存不易，提高 了制造或運(yùn)輸過程中損壞的機(jī)率，相對的成本也隨之增加。因此，需要一種封裝方法，不但可形成較目前更薄的LED封裝結(jié)構(gòu)，更 能使組件保持一定的機(jī)械強(qiáng)度，以確保最佳的的產(chǎn)品質(zhì)量。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種超薄型LED封裝的基板及其 封裝方法，用以改善傳統(tǒng)LED受限于晶粒及基板本身之高度，厚度無法降低 之缺點(diǎn)。本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問題在于，提供一種超薄型LED封裝的基板 及其封裝方法，用以解決制作超薄型LED時(shí)，薄型組件剛性不足，造成制造
或運(yùn)輸不易，及過程中容易導(dǎo)致變形破裂的問題。為達(dá)到上述目的，提出一種適用于超薄型LED封裝的基板，包含一基材 及二接腳裝置。接腳裝置至少具有附著于相互平行第一側(cè)面的第一部，及自第 一部延伸至基板頂面的第二部。其中，第二部分支成多個(gè)正極接腳及負(fù)極接腳 用以承載LED發(fā)光組件，每一正極接腳對應(yīng)一負(fù)極接腳，且相鄰的正極接腳 或負(fù)極接腳具有固定間隔。依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例，正極接腳及負(fù)極接腳分 別具有一寬度，且寬度小于基板的高度。為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，提出一種超薄型LED封裝體，以橫向排列 方式結(jié)合基板與晶粒之間，取代傳統(tǒng)的縱向堆棧以降低厚度。為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，提出一種利用上述基板結(jié)構(gòu)的超薄型LED 封裝基板的封裝方法，該封裝方法敘述如下-首先，提供多個(gè)二端各具有一正極點(diǎn)及一負(fù)極點(diǎn)的發(fā)光組件，以及上述基 板結(jié)構(gòu)，其兩端各具有多個(gè)正極接腳及負(fù)極接腳。接著，將多個(gè)發(fā)光組件放置于基板上，并將發(fā)光組件的正極點(diǎn)及負(fù)極點(diǎn)分別與基板的正極接腳及負(fù)極接腳 接觸。再涂布一導(dǎo)電膠于兩者接觸處，藉由導(dǎo)電膠使發(fā)光組件與基板相互黏合， 用以將發(fā)光組件固接于基板上。之后再在發(fā)光組件與基板之上形成一保護(hù)層， 以產(chǎn)生一具有多個(gè)發(fā)光單元的LED封裝體。最后，切割此具有多個(gè)發(fā)光單元 的LED封裝體，以形成多個(gè)適用于側(cè)放的超薄型LED封裝體。超薄型LED封裝體制造方式是利用預(yù)先設(shè)計(jì)成適用于側(cè)放的LED結(jié)構(gòu)， 并將基板、晶粒及其它組件以縱向堆棧的方式結(jié)合后，再由縱向切割成厚度介 于50 100微米之間的大小，使用時(shí)則將此LED側(cè)放，利用接腳部分與其它 基材結(jié)合即可。依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例，基板的材質(zhì)為導(dǎo)熱材料，發(fā)光組件為透明基 板發(fā)光組件；保護(hù)層的材質(zhì)為透光材質(zhì)。根據(jù)上述發(fā)明內(nèi)容，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可知應(yīng)用本發(fā)明的超薄型LED封 裝體制造方法具有下例優(yōu)點(diǎn)1.應(yīng)用本發(fā)明的超薄型LED封裝體制造方法，可以批次生產(chǎn)的方式制造 超薄型LED，制造出的LED結(jié)構(gòu)是以橫向排列方式結(jié)合基板與晶粒之間，取 代傳統(tǒng)的縱向堆棧以降低厚度，因此不需使用厚度薄、剛性不佳的組件(例如 薄型支架或基板)，可減少制造及運(yùn)輸過程中的損壞。此外，由于制造過程中
仍以縱向堆棧的方式固接各組件之間，最后再切割制成，因此具有操作簡易、 可與現(xiàn)有技術(shù)銜接的優(yōu)點(diǎn)，更可達(dá)到降低成本、提高質(zhì)量的目的。2.本發(fā)明的超薄型LED封裝體的厚度約為50 100微米，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)厚 度為200微米以上的LED封裝體，適用于超薄型電子商品的應(yīng)用。為了使本發(fā)明的構(gòu)成特征、操作方法、目的及優(yōu)點(diǎn)更加容易了解，下面結(jié) 合附圖和具體實(shí)施方式
，進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案。


圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種應(yīng)用于制造超薄型LED的基板示意圖; 圖2是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的發(fā)光組件與基板組合示意圖； 圖3是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的LED封裝體組合示意圖； 圖4是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的切割后的LED封裝體示意圖； 圖5是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的超薄型LED封裝體與基板連接示意圖； 圖6是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的超薄型LED封裝體與基板連接示意圖。 其中附圖標(biāo)記為100:基板102:基材104:第一側(cè)面105:第二側(cè)面106:頂面跳底面111:第一部112:第~"部112a:正極接腳113:第三部121:第一部122:第_^部122a:負(fù)極接腳123:第三部140:高度150:寬度200:發(fā)光組件210:正極點(diǎn)220:負(fù)極點(diǎn)222:導(dǎo)電膠300:保護(hù)層310:寬度500:基材600:基材具體實(shí)施方式
請參照圖1，圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種應(yīng)用于制造超薄型LED
的基板示意圖?；錓OO包含一基材102、接腳裝置110及接腳裝置120?；?材102具有相互平行的一對第一側(cè)面104、與第一側(cè)面垂直相交的一對第二側(cè) 面105、 一頂面106及一底面108。二接腳裝置分別具有一第一部111/121 、第二部112/122及第三部113/123。 第一部111/121分別附著于相對的第一側(cè)面104，第二部112/122則分別自第 一部111/121延伸至頂面106，并分支成多個(gè)正極接腳112a及負(fù)極接腳122a， 且每一正極接腳112a對應(yīng)一負(fù)極接腳122a，且相鄰的正極接腳或負(fù)極接腳具 有固定間隔。其中，正極接腳112a及負(fù)極接腳122a，是用以承載發(fā)光組件； 第二部112/122及第三部113/123可用以與其它基材電性連接。其中，基材可設(shè)計(jì)為具有一高度140，正極接腳112a及負(fù)極接腳122a分 別具有一寬度150，且接腳的寬度小于基材高度。依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例，基材102的材質(zhì)為導(dǎo)熱材料，至少包含金屬、 塑料、鉆石鍍膜、奈米碳管、陶瓷材料(例如氧化鋁、氮化鋁)或復(fù)合材料。請參照圖2，圖2是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的發(fā)光組件與基板組合示意圖。 發(fā)光組件200的一側(cè)面二端分別具有一正極點(diǎn)210及一負(fù)極點(diǎn)220，用以電性 連接基板上的接腳。依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例，系將至少一發(fā)光組件200放置 于基板100上，并將發(fā)光組件200的正極點(diǎn)210及負(fù)極點(diǎn)220分別與基板的正 極接腳112a及負(fù)極接腳122a接觸。并涂布一導(dǎo)電膠222于此二接觸處，藉由 導(dǎo)電膠222使發(fā)光組件200與基板100相互黏合，用以將發(fā)光組件200固接于 基板100上。依照本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，發(fā)光組件200的厚度是介于40 80微米之間。發(fā)光組件200可為透明基板發(fā)光組件，例如藍(lán)寶石基板發(fā)光組 件。再參照圖3，圖3是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的LED封裝體組合示意圖。一 保護(hù)層300形成于發(fā)光組件200與基板100之上，包覆發(fā)光組件200與基板 100，以產(chǎn)生一具有至少一發(fā)光單元的LED封裝體。依照本發(fā)明的一較佳實(shí)施 例，保護(hù)層的材質(zhì)為一透光材質(zhì)，例如高透光性樹脂。其中，高透光性樹脂至 少包含環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯聚合物、聚甲基丙烯酸甲 酯、壓克力、硅膠或上述的任意組合。請參照圖4，圖4是本發(fā)明一較佳實(shí)施例之切割后的LED封裝體示意圖。 如圖3所示的LED封裝體接著被以縱向切割，形成至少一適用于側(cè)放的超薄
型LED封裝體。依照本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，縱向切割后的LED封裝體的基 板側(cè)邊具有一寬度310，尺寸介于50 100微米之間，且寬度310小于基板高 度亂請參照圖5,圖5是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的超薄型LED封裝體與基板連 接示意圖。將圖4所示的切割后的LED封裝體側(cè)放，利用接腳部分與其它基 材500(例如印刷電路板、金屬基材等)結(jié)合。其中，此基材500與此側(cè)放的超 薄型LED封裝體的組裝方向(自基板、發(fā)光組件到保護(hù)層)呈平行關(guān)系，即利用 導(dǎo)電膠將接腳裝置的第一部111/121及第二部112/122的側(cè)邊固定于基材500 上，并與基材500電性連接。值得注意的是，將切割后的LED封裝體側(cè)放時(shí)， 圖4所示的寬度310成為此側(cè)放的LED封裝體的厚度，即介于50 100微米 之間。請參照圖6，圖6是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的超薄型LED封裝體與基板 連接示意圖。是將一切割后的LED封裝體側(cè)放，利用導(dǎo)電膠將接腳裝置的第 三部113/123與基材600結(jié)合。其中，此基材600與此側(cè)放的超薄型LED封 裝體的組裝方向(自基板、發(fā)光組件到保護(hù)層)呈垂直關(guān)系，即利用基板的第一 面及第二面上的接腳邊緣部分以導(dǎo)電膠固定于基材600上，并與基材600電性 連接。此側(cè)放的LED封裝體的厚度，介于50 100微米之間。根據(jù)上述，可知應(yīng)用本發(fā)明的超薄型LED封裝體制造方法具有下例優(yōu)點(diǎn) 首先，應(yīng)用本發(fā)明之超薄型LED封裝體制造方法，可以批次生產(chǎn)的方式 制造超薄型LED,制造出的LED結(jié)構(gòu)其基板與晶粒之間系以橫向排列方式配 置，取代傳統(tǒng)的縱向堆棧以降低厚度，因此不需使用厚度薄、剛性不佳的組件 (例如薄型支架或基板)，可減少制造及運(yùn)輸過程中的損壞，達(dá)到降低成本、提 高質(zhì)量的目的。此外，由于制造過程中仍以縱向堆棧的方式固接各組件之間，最后再切割 制成，因此具有操作簡易、可與現(xiàn)有技術(shù)銜接的優(yōu)點(diǎn)。再者，本發(fā)明的超薄型LED封裝體的厚度約為50 100微米，遠(yuǎn)低于傳 統(tǒng)厚度為200微米以上的LED封裝體，適用于超薄型電子商品的應(yīng)用。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種適用于超薄型LED封裝的基板，其特征在于，至少包含一基材，具有相互平行的一對第一側(cè)面、與該對第一側(cè)面垂直相交的一對第二側(cè)面、一頂面及一底面；二接腳裝置，分別具有一第一部，附著于該對第一側(cè)面，用以與其它基材電性連接；一第二部，自該第一部延伸至該頂面，并分支成多個(gè)正極接腳及負(fù)極接腳用以承載LED發(fā)光組件，其中每一正極接腳對應(yīng)一負(fù)極接腳，且相鄰的正極接腳或負(fù)極接腳具有固定間隔；其中，該基材具有一高度，每一該些正極接腳及負(fù)極接腳分別具有一寬度，且該寬度小于該高度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于超薄型LED封裝的基板，其特征在于， 更包含一第三部，分別自該第一部延伸至該底面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于超薄型LED封裝的基板，其特征在于， 其中該基材的材質(zhì)為導(dǎo)熱材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于超薄型LED封裝的基板，其特征在于， 其中該導(dǎo)熱材料至少包含金屬、塑料、鉆石鍍膜、奈米碳管、陶瓷材料或復(fù)合 材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的適用于超薄型LED封裝的基板，其特征在于， 其中該陶瓷材料為氧化鋁、氮化鋁或其組合。
6. —種利用權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)的超薄型LED封裝的基板的封裝 方法，其特征在于，該封裝方法包含提供多個(gè)發(fā)光組件，每一該些發(fā)光組件的二端各具有一正極點(diǎn)及一負(fù)極占.放置該些發(fā)光組件在該基材上，且每一該些發(fā)光組件的該正極點(diǎn)及該負(fù)極 點(diǎn)分別與該正極接腳及該負(fù)極接腳接觸-，涂布一導(dǎo)電膠于接觸處，藉由該導(dǎo)電膠使該些發(fā)光組件與該基板相互黏 合，用以將該些發(fā)光組件固接于該基板上；形成一保護(hù)層在該些發(fā)光組件與該基板之上，以產(chǎn)生一具有多個(gè)發(fā)光單元的LED封裝體；以及切割該具有多個(gè)發(fā)光單元的LED封裝體，以形成多個(gè)適用于側(cè)放的超薄 型LED。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的超薄型LED封裝的基板的封裝方法，其特征在 于，其中該LED封裝體的切割寬度為50 100微米。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的超薄型LED封裝的基板的封裝方法，其特征在 于，其中該發(fā)光組件為透明基板發(fā)光組件。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的超薄型LED封裝的基板的封裝方法，其特征在 于，其中該發(fā)光組件為藍(lán)寶石基板發(fā)光組件。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的超薄型LED封裝的基板的封裝方法，其中該保 護(hù)層的材質(zhì)為透光材質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種適用于超薄型LED封裝的基板及其封裝方法?；灏换募案街诨膬啥说慕幽_裝置，并分支成多個(gè)正極接腳及負(fù)極接腳。其中，接腳的寬度小于基材的高度。超薄型LED的封裝方法包含將多個(gè)發(fā)光組件的正極點(diǎn)及負(fù)極點(diǎn)分別與正極接腳及負(fù)極接腳接觸，并利用導(dǎo)電膠相互黏合。再形成一保護(hù)層，以產(chǎn)生一具有多個(gè)發(fā)光單元的LED封裝體，最后進(jìn)行切割以形成多個(gè)適用于側(cè)放的超薄型LED。
文檔編號H01L21/60GK101132035SQ20061010993
公開日2008年2月27日 申請日期2006年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月24日
發(fā)明者張正宜 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司