專利名稱：一種有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光發(fā)射顯示設(shè)備。具體而言，涉及一種有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備及制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，一種自發(fā)射顯示設(shè)備，具有理想的輕薄結(jié)構(gòu)，由簡單的成分組成，并且制造過程簡單。有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備具有視角廣、畫質(zhì)高、對(duì)電影的卓越顯示、色彩純度高、以及適用于移動(dòng)設(shè)備的低功耗和低驅(qū)動(dòng)電流等優(yōu)點(diǎn)。
傳統(tǒng)的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備包括底層、位于底層上的像素電極、位于像素電極上的包括發(fā)射層(EML，emission layer)的有機(jī)層和位于有機(jī)層上的異性電極層。有機(jī)層可以包括位于像素電極和EML之間的空穴注射層(HIL，hole injection layer)和空穴傳輸層(HTL，hole transport layer)；以及位于EML和異性電極之間的電子傳輸層(ETL，electron transport layer)和電子注射層(ElL，electron injection layer)。
可以用如下方法驅(qū)動(dòng)傳統(tǒng)的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備。在像素電極和異性電極之間施加電流，空穴通過HIL和HTL從像素電極注入EML，而電子通過EIL和ETL從異性電極注入EML。注入EML的空穴和電子在EML中結(jié)合形成電子空穴對(duì)。當(dāng)電子空穴對(duì)從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變到基態(tài)的時(shí)候就會(huì)發(fā)射出光。
一般來說，傳統(tǒng)的頂端發(fā)射有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備采用光諧振效應(yīng)，因此，用可能的波長帶來匹配像素電極的厚度和HIL以及HTL的厚度是重要的，其中HIL和HTL位于EML和像素電極之間。通過促進(jìn)來自像素電極即陽極的空穴的注入，HIL提高了功耗效率以及有機(jī)光發(fā)射顯示裝置的預(yù)期使用壽命。通過容易的傳輸空穴和將電子約束在發(fā)射區(qū)域中，HTL提高了空穴的移動(dòng)性和形成電子空穴對(duì)的幾率。
然而，當(dāng)為了延長預(yù)期使用壽命而將傳統(tǒng)的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備的有機(jī)層制造得更薄時(shí)，有較大的幾率會(huì)由于顆粒而產(chǎn)生暗像素。另一方面，當(dāng)為了減少暗像素而將傳統(tǒng)的有機(jī)層制造得更厚時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流增加而效率和預(yù)期使用壽命降低。這樣，將有機(jī)層制造得具有合適的厚度就變得很困難。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實(shí)施例提供了一種有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備。在所述有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備中，分別調(diào)整每個(gè)RGB子像素的HIL和HTL總厚度，從而減少了暗像素的數(shù)目并增加了預(yù)期使用壽命和效率。同時(shí)提供的還有一種制造所述有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備的方法。
提供了一種有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備。該設(shè)備包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層；布置在底層上的第一電極；布置在第一電極上上的有機(jī)發(fā)射層；布置在有機(jī)發(fā)射層上的第二電極；以及布置在第一電極和有機(jī)發(fā)射層之間的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層，其中第一有機(jī)層和第二有機(jī)層在第一像素區(qū)域中具有大約500-700或者2000-2400的總厚度，在第二像素區(qū)域中具有大約1600-2000的總厚度，在第三像素區(qū)域中具有大約200-400的總厚度。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一有機(jī)層是空穴注入層，第二有機(jī)層是空穴傳輸層。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一像素區(qū)域用于顯示紅光。在一個(gè)實(shí)施例中，第二像素區(qū)域用于顯示綠光。在一個(gè)實(shí)施例中，第三像素區(qū)域用于顯示藍(lán)光。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種制造有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備的方法。該方法包括在底層上生成多數(shù)個(gè)第一電極；在底層上定義第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域；生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層，第一有機(jī)層和第二有機(jī)層在第一像素區(qū)域中具有大約500-700或者2000-2400的總厚度，在第二像素區(qū)域中具有大約1600-2000的總厚度，在第三像素區(qū)域中具有大約200-400的總厚度；在底層上生成定義了第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的發(fā)射層以及在發(fā)射層之上生成第二電極。
在一個(gè)實(shí)施例中，該方法進(jìn)一步包括在生成第二電極之前，在發(fā)射層之上生成空穴阻隔層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層包括在第一像素區(qū)域中用第一掩膜生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；在第二像素區(qū)域中用第二掩膜生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；在第三像素區(qū)域中用第三掩膜生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一有機(jī)層是空穴注入層，第二有機(jī)層是空穴傳輸層。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層包括在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第一傳輸層的第一原料膜；利用熱傳輸方法在第三像素區(qū)域中生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第二傳輸層的第二原料膜；利用熱傳輸方法在第二像素區(qū)域中生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第三傳輸層的第三原料膜；利用熱傳輸方法在第一像素區(qū)域中生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層； 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中提供了一種有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備。該設(shè)備包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層；多數(shù)個(gè)第一電極，每個(gè)第一電極被布置在第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域或第三像素區(qū)域中；多數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)射層，每個(gè)有機(jī)發(fā)射層被布置在第一電極中的相應(yīng)一個(gè)上；布置在有機(jī)發(fā)射層之上的第二電極；布置在第一像素區(qū)域中的，具有大約500-700或2000-2400總厚度的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；布置在第二像素區(qū)域中的，具有大約1600-2000總厚度的第三有機(jī)層和第四有機(jī)層；布置在第三像素區(qū)域中的，具有大約200-400總厚度的第五有機(jī)層和第六有機(jī)層。
本發(fā)明的上述和其他特征將在實(shí)施例中結(jié)合附圖進(jìn)行說明，在附圖中 圖1A、1B和1C是本發(fā)明的示范性實(shí)施例的剖視圖，示意了一種制造有機(jī)光發(fā)射顯示裝置的方法； 圖2A、2B和2C是每個(gè)單位像素上所形成的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖； 圖3A是紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)子像素的暗像素平均數(shù)目曲線圖； 圖3B是與綠色子像素的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層總厚度對(duì)應(yīng)的暗像素比率柱狀圖； 圖4A和圖4B分別是對(duì)于紅、綠、藍(lán)子像素的亮度-時(shí)間曲線圖和發(fā)光度-時(shí)間曲線圖； 圖5A、5B、5C、5D、5E和5F是本發(fā)明的示范性實(shí)施例的剖視圖，示意了一種為每個(gè)子像素生成有機(jī)層的方法； 圖6A、6B、6C、6D和6E是本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例的剖視圖，示意了一種為每個(gè)子像素生成有機(jī)層的方法。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合包含示范性實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加充分的說明。在附圖中，為了清楚而放大了層和區(qū)域的厚度。相同的標(biāo)號(hào)用于表示相同的組元。
圖1A、1B和1C是本發(fā)明的示范性實(shí)施例的剖視圖，示意了一種制造有機(jī)光發(fā)射顯示裝置的方法； 請(qǐng)參考圖1A，緩沖層105置于底層100之上。在一些實(shí)施例中，底層100可以是透明的絕緣底層。在不同的實(shí)施例中，底層100可以由玻璃或者塑料構(gòu)成。這里，緩沖層105抑制了底層100上產(chǎn)生的濕氣和雜質(zhì)的擴(kuò)散，同時(shí)通過控制結(jié)晶過程中的熱傳導(dǎo)速度促進(jìn)了半導(dǎo)體層的平滑結(jié)晶。
接下來，半導(dǎo)體層110形成于緩沖層105之上。這里，半導(dǎo)體層110是這樣形成的將非晶硅層至于緩沖層105上、使其結(jié)晶、然后予以構(gòu)圖。
然后，門絕緣體115至于緩沖層105和半導(dǎo)體層110之上、這里，門絕緣體115由二氧化硅層或者氮化硅層或者兩者的復(fù)合層構(gòu)成，采用物理汽相淀積(PVD，physical vapor deposition)或者化學(xué)汽相淀積(CVD，chemical vapor deposition)。
隨后，通過在門絕緣體115上沉積門電極材料并予以構(gòu)圖來形成門電極120。這里，當(dāng)對(duì)門電極材料構(gòu)圖時(shí)，可以同時(shí)在預(yù)先設(shè)定的區(qū)域中形成數(shù)據(jù)線、掃描線、公共電源線或者電容電極中的至少一種。
并且，在整個(gè)底層的表面形成層間絕緣層125，從而保護(hù)類似門電極120這樣的元件。
另外，蝕刻層間絕緣層125和門絕緣體115中預(yù)先設(shè)定的區(qū)域，以形成暴露半導(dǎo)體層110上預(yù)先設(shè)定的源/漏區(qū)域的接觸孔；然后，將源/漏電極材料沉積并構(gòu)圖在底層100上從而形成分別接觸到半導(dǎo)體層110的源漏區(qū)域的源漏電極130。
這里，當(dāng)源/漏電極材料構(gòu)圖時(shí)，可以形成數(shù)據(jù)線、掃描線、公共電源線或者電容電極中的至少一種。這里，形成源漏電極130就形成了薄膜晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、門絕緣體、門電極和源漏電極。
并且，在底層100上形成鈍化層135和平面化層140中的至少一個(gè)。這里，鈍化層135是用于保護(hù)鈍化層135之下元件的絕緣層，平面化層140是用于去除由平面化層140之下的元件引起的階梯式覆蓋。
請(qǐng)參考圖1B，通過在平面化層140和鈍化層135上進(jìn)行部分蝕刻來生成通行孔洞145，以暴露源/漏電極130的一部分。
進(jìn)一步，在底層上沉積第一電極材料并予以構(gòu)圖，以生成與源電極或漏電極130相連的第一電極150。這里，第一電極150可以是透明導(dǎo)體材料，例如氧化銦錫(ITO，indium-tin oxide)或者氧化銦鋅(IZO，indium zincoxide)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電極150是陽極電極；在其他實(shí)施例中，第一電極可以是陰極電極。
進(jìn)一步，通過在底層100上放置絕緣材料并予以構(gòu)圖來生成像素定義層155，暴露了第一電極150的預(yù)定區(qū)域。這里，像素定義層155導(dǎo)致像素區(qū)域。像素區(qū)域是第一電極150上由像素定義層155暴露的預(yù)定區(qū)域。
這里，請(qǐng)參考圖1A和圖1B，將門電極材料或者源/漏電極材料構(gòu)圖以形成掃描線、數(shù)據(jù)線和公共電源線。這里，通過生成掃描線、數(shù)據(jù)線和公共電源線來定義一個(gè)子像素。作為有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備中最小單元的子像素，是用于發(fā)射紅(R)、綠(G)或者藍(lán)(B)色光線。有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備中包括若干子像素。
圖1C表示了作為顯示器最小單元的單元像素，所述顯示器用于顯示梯度。單元像素至少包括分別顯示紅色、綠色和藍(lán)色的三個(gè)子像素。
像素定義層155定義了三個(gè)像素區(qū)域，這三個(gè)像素區(qū)域是第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3。
這里，第一像素區(qū)域P1可以包括有機(jī)層160a，有機(jī)層160a包括放置于第一電極150a上的、適于顯示紅光的有機(jī)EML。第二像素區(qū)域P2可以包括有機(jī)層160b，有機(jī)層160b包括放置于第一電極150b上的、適于顯示綠光的有機(jī)EML。第三像素區(qū)域P3可以包括有機(jī)層160c，有機(jī)層160c包括放置于第一電極150c上的、適于顯示藍(lán)光的有機(jī)EML。
這里，在構(gòu)成一個(gè)單元像素的第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3上生成第二電極165。在一個(gè)實(shí)施例中，第二電極165是陰極電極。在其他實(shí)施例中，第二電極可以是陽極電極。通過生成多個(gè)這樣的單元像素就可以形成有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備。
圖2A、2B和2C是每個(gè)單位像素上所形成的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。圖2A、2B和2C表示了圖3C中的第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3的有機(jī)層結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖2A、2B和2C，第一有機(jī)層210a、210b和210c，第二有機(jī)層220a、220b和220c，第三有機(jī)層230a、230b和230c，第四有機(jī)層240a、240b和240c以及第五有機(jī)層250a、250b和250c分別依次堆疊在第一電極150a、150b和150c上。第二電極165在第五有機(jī)層250a、250b和250c上生成。
這里，第一有機(jī)層210a、210b和210c可以是HIL，第二有機(jī)層220a、220b和220c可以是HTL，第三有機(jī)層230a、230b和230c可以是EML，第四有機(jī)層240a、240b和240c可以是ETL，第五有機(jī)層250a、250b和250c可以是EIL。
這里，雖然沒有在圖2A、2B和2C中表示出來，但是可以分別在第三有機(jī)層230a、230b、230c和第四有機(jī)層240a、240b、240c之間形成空穴阻隔層(HBL，hole blocking layer)。
這里，第一有機(jī)層210a、210b、210c即HIL，和第二有機(jī)層220a、220b、220c即HTL的總厚度可以設(shè)定為在第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3中具有合適的值。
首先，發(fā)光效率隨著共振效應(yīng)變化，而共振效應(yīng)取決于紅光子像素、綠光子像素G和藍(lán)光子像素B中第一有機(jī)層和第二有機(jī)層的總厚度。表1中給出了分別針對(duì)紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)光效率與第一有機(jī)層和第二有機(jī)層總厚度之間的關(guān)系。
表1
請(qǐng)參考表1，對(duì)于紅光和綠光，即使當(dāng)?shù)谝挥袡C(jī)層和第二有機(jī)層的總厚度變化時(shí)，顏色特性也能得到一定程度的滿足。因此，如表1所示，最有效率的厚度范圍，對(duì)于紅光約為500-700或者2000-2400，對(duì)于綠光約為200-400或者1600-2000。選擇最有效率的厚度范圍。對(duì)于藍(lán)光，當(dāng)對(duì)顏色特性進(jìn)行限制到y(tǒng)色軸小于0.09，則可以選擇在該限定值內(nèi)的最有效率厚度，大約為200-400或者1200-1600。
從而，紅色子像素的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層總厚度可以是約為500-700或者2000-2400，綠色子像素第一有機(jī)層和第二有機(jī)層總厚度可以是約為200-400或者1600-2000，藍(lán)色子像素第一有機(jī)層和第二有機(jī)層總厚度可以是約為200-400或者1200-1600。
圖3A是紅、綠、藍(lán)子像素的暗像素平均數(shù)目曲線圖。圖3B是與綠色子像素的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層總厚度對(duì)應(yīng)的暗像素比率柱狀圖。
請(qǐng)參考圖3A和圖3B，為了調(diào)節(jié)包含三個(gè)組合的子像素的單元像素的白平衡，每個(gè)色彩的子像素的亮度是不相同的。例如，綠色的亮度最高。如圖3A所示，如果將紅綠藍(lán)三色子像素的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層的總厚度設(shè)為相同以調(diào)整白平衡，則在藍(lán)色和紅色子像素上產(chǎn)生的暗像素較少，而在具有最大亮度的綠色子像素上產(chǎn)生的暗像素較多。需要注意的是，如圖3B所示，當(dāng)綠色子像素的有機(jī)層滿足諧振條件并且具有合適厚度時(shí)，綠色子像素的暗像素?cái)?shù)目顯著減少。這樣，綠色子像素的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層可以被構(gòu)造得厚些。
圖4A和圖4B分別是對(duì)于紅、綠、藍(lán)子像素的亮度-時(shí)間曲線圖和發(fā)光度-時(shí)間曲線圖。
本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例中，藍(lán)色子像素的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層的總厚度較薄。然而，參考圖4A，藍(lán)色子像素具有最短的預(yù)期使用壽命，因此其亮度隨時(shí)間減弱的速度比其他具有不同預(yù)期使用壽命的顏色更快，導(dǎo)致出現(xiàn)色移，即藍(lán)色顯示為偏綠或偏黃的顏色。為了解決這個(gè)問題，如圖4B所示，藍(lán)色子像素的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層總厚度被設(shè)為較薄(B_薄曲線)，而綠色子像素的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層總厚度被設(shè)為較厚(G_厚曲線)。從而，藍(lán)色的預(yù)期使用壽命可以接近綠色的預(yù)期使用壽命。
這里，在圖4A中給出了紅、綠、藍(lán)三色的亮度-時(shí)間曲線。在圖4B中，G_薄表示具有較薄的第一和第二有機(jī)層的綠色的發(fā)光度，G_厚表示具有較厚的第一和第二有機(jī)層的綠色的發(fā)光度，B_薄表示具有較薄的第一和第二有機(jī)層的藍(lán)色的發(fā)光度，B_厚表示具有較厚的第一和第二有機(jī)層的藍(lán)色的發(fā)光度。
這樣，返回參考圖2A、2B和2C，在第二像素區(qū)域中顯示綠色的第一和第二有機(jī)層210b和220b較厚，以避免第一和第二電極之間的短路電流，所述短路電流會(huì)降低發(fā)光效率并縮短預(yù)期使用壽命。另一方面，第三像素區(qū)域中顯示藍(lán)色的第一和第二有機(jī)層210b和220b較薄，因?yàn)轭A(yù)期使用壽命和發(fā)光效率隨著有機(jī)層總厚度的增加而降低。
這里，即使在第一像素區(qū)域中，顯示紅色的有機(jī)層的第一有機(jī)層210a和第二有機(jī)層210b較薄，也不會(huì)產(chǎn)生暗像素。并且，即使所述層較厚，也不會(huì)降低預(yù)期使用壽命和效率。因此，這些層可以薄也可以厚。
這樣，第一像素區(qū)域P1中的第一有機(jī)層210a和第二有機(jī)層210b具有大約500-700或者2000-2400的總厚度，第二像素區(qū)域P2中的第一有機(jī)層220a和第二有機(jī)層220b具有大約1600 to 2000的總厚度，第三像素區(qū)域P3中的第一有機(jī)層230a和第二有機(jī)層230b具有大約200 to 400的總厚度。
這里，第一像素區(qū)域P1可以包括紅色子像素，第二像素區(qū)域P2可以包括綠色子像素，第三像素區(qū)域P3可以包括藍(lán)色子像素。
圖5A、5B、5C、5D、5E和5F是本發(fā)明的示范性實(shí)施例的剖視圖，示意了一種為每個(gè)子像素生成有機(jī)層的方法； 請(qǐng)參考圖5A，在底層300上形成若干元件層310。在一些實(shí)施例中，底層300可以是透明絕緣底層。類似圖1A和圖1B中描述的底層100，底層300可以由玻璃或者塑料形成。
第一子像素電極320a，第二子像素電極320b和第三子像素電極320c分別連接到第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3中生成的元件層310的源/漏電極。像素定義層330做得暴露第一子像素電極320a、第二子像素電極320b和第三子像素電極320c的特定區(qū)域。
進(jìn)一步，參考圖5B，第一掩膜340a布置于底層300之上；在第一像素區(qū)域之中的第一子像素電極320a上，第一有機(jī)層350a和第二有機(jī)層350b沉積(D1)為具有大約500-700或者2000-2400的總厚度。
參考圖5C，第二掩膜340b布置于底層300之上；在第二像素區(qū)域之中的第二子像素電極320b上，第一有機(jī)層360a和第二有機(jī)層360b沉積(D2)為具有大約1600-2000的總厚度， 參考圖5D，第三掩膜340c布置于底層300之上；在第三像素區(qū)域之中的第三子像素電極320c上，第一有機(jī)層370a和第二有機(jī)層370b沉積(D3)為具有大約200-400的總厚度， 參考圖5E，第四掩膜340d布置于底層300之上；組合的第三、第四和第五有機(jī)層380a、380b和380c依次沉積(D4)在分別位于像素區(qū)域P1、P2和P3的第一子像素電極320a，第二子像素電極320b和第三子像素電極320c之上。
參考圖5F，在第一、第二和第三像素區(qū)域P1、P2和P3上生成第二電極390，以完成構(gòu)造有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，在所述有機(jī)光顯示設(shè)備中，第一像素區(qū)域P1中的第一和第二有機(jī)層350a和350b具有大約500-700或者2000-2400的總厚度，第二像素區(qū)域P2中的第一和第二有機(jī)層360a和360b具有大約1600-2000的總厚度，第三像素區(qū)域P3中的第一和第二有機(jī)層370a和370b具有大約200-400的總厚度，而在P1、P2和P3的第一和第二有機(jī)層的頂面上覆蓋有相同厚度的第三、第四和第五有機(jī)層380a、380b和380c。
圖6A、6B、6C、6D和6E是本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例的剖視圖，示意了一種為每個(gè)子像素生成有機(jī)層的方法。
請(qǐng)參考圖6A，在底層400上形成若干元件層410。在一些實(shí)施例中，底層400可以是透明絕緣底層。類似圖1A和圖1B中描述的底層100，底層400可以由玻璃或者塑料形成。
在元件層410上生成第一子像素電極420a、第二子像素電極420b和第三子像素電極420c并將其連接到元件層410的源/漏電極。
像素定義層430被做成暴露第一子像素電極420a、第二子像素電極420b和第三子像素電極420c的預(yù)定區(qū)域。
光熱轉(zhuǎn)換層510和第一原料膜500a被布置在底層400上，其中該原料膜由總厚度約為200-400的第一原料-第一有機(jī)膜520a和第一原料-第二有機(jī)膜520b構(gòu)成。
參考圖6B，當(dāng)?shù)谝辉夏?00a被制造為接觸到底層400后，以預(yù)設(shè)的距離發(fā)射激光530，將第一原料-第一有機(jī)膜520a和第一原料-第二有機(jī)膜520b的一部分移動(dòng)到第三像素區(qū)域P3中的第三子像素電極420c上，從而在第三像素區(qū)域P3中形成第一和第二有機(jī)層430a和430b。這里，由于激光530的光能被轉(zhuǎn)化為光熱轉(zhuǎn)化層510的熱能，并且第一原料-第一有機(jī)膜520a和第一原料-第二有機(jī)膜520b的一部分與第一原料膜500a分離，在第一原料膜500a上生成的第一原料-第一有機(jī)膜520和第一原料-第二有機(jī)膜520b被移動(dòng)到第三子像素電極420c上。
然后，將第一原料膜500a從底層400上移除。
參考圖6C，生成接觸到底層400的第二原料膜500b，所述第二原料膜包括第二原料-第一有機(jī)膜530a和第二原料-第二有機(jī)膜530b；然后以預(yù)設(shè)的距離發(fā)射激光530，從而在第二像素區(qū)域P2中形成具有大約1600-2000總厚度的第一和第二有機(jī)層440a和440b。
參考圖6D，生成接觸到底層400的第三原料膜500c，所述第三原料膜包括第三原料-第一有機(jī)膜540a和第三原料-第二有機(jī)膜540b；然后以預(yù)設(shè)的距離發(fā)射激光530，從而在第一像素區(qū)域P1中形成具有大約500-700或者2000-2400總厚度的第一和第二有機(jī)層450a和450b。
參考圖6E，生成接觸到底層400的第四原料膜500d，所述第四原料膜包括第四原料-第三有機(jī)膜550a和第四原料-第四有機(jī)膜550b和第四原料-第五有機(jī)膜550c；然后以預(yù)設(shè)的距離發(fā)射激光530，從而在第一、第二和第三像素區(qū)域P1、P2和P3中分別形成第三有機(jī)層450c、440c和430c，第四有機(jī)層450d，440d和430d以及第五有機(jī)層450e，440e和430e。
這里，在各像素區(qū)域中生成的第三、第四和第五有機(jī)層具有相同的厚度。
然后，在底層400上生成第二電極(未示出)，就完成了有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備。
本發(fā)明提供了有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備和制造該設(shè)備的方法。
雖然此處描述了本發(fā)明的若干實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該清楚，對(duì)于所描述的實(shí)施例的形式和細(xì)節(jié)可以作不同的修改，這些修改不脫離由附加的權(quán)利要求及其等同替換所定義的本發(fā)明的精神和保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層；布置在底層上的第一電極；布置在第一電極上上的有機(jī)發(fā)射層；布置在有機(jī)發(fā)射層上的第二電極；以及布置在第一電極和有機(jī)發(fā)射層之間的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層，其中第一有機(jī)層和第二有機(jī)層在第一像素區(qū)域中具有大約500-700或者2000-2400的總厚度，在第二像素區(qū)域中具有大約1600-2000的總厚度，在第三像素區(qū)域中具有大約200-400的總厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，其中第一有機(jī)層是空穴注入層，第二有機(jī)層是空穴傳輸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，其中第一像素區(qū)域用于顯示紅光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，其中第二像素區(qū)域用于顯示綠光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，其中第三像素區(qū)域用于顯示藍(lán)光。
6.一種制造有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備的方法，包括在底層上生成多數(shù)個(gè)第一電極；在底層上定義第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域；生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層，第一有機(jī)層和第二有機(jī)層在第一像素區(qū)域中具有大約500-700或者2000-2400的總厚度，在第二像素區(qū)域中具有大約1600-2000的總厚度，在第三像素區(qū)域中具有大約200-400的總厚度；在底層上生成定義了第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的發(fā)射層；以及在發(fā)射層之上生成第二電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括在生成第二電極之前，在發(fā)射層之上生成空穴阻隔層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層包括在第一像素區(qū)域中用第一掩膜生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；在第二像素區(qū)域中用第二掩膜生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；在第三像素區(qū)域中用第三掩膜生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中第一有機(jī)層是空穴注入層，第二有機(jī)層是空穴傳輸層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層包括在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第一傳輸層的第一原料膜；利用熱傳輸方法在第三像素區(qū)域中生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第二傳輸層的第二原料膜；利用熱傳輸方法在第二像素區(qū)域中生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第三傳輸層的第三原料膜；利用熱傳輸方法在第一像素區(qū)域中生成第一有機(jī)層和第二有機(jī)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中第一有機(jī)層是空穴注入層，第二有機(jī)層是空穴傳輸層。
12.一種有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層；多數(shù)個(gè)第一電極，每個(gè)第一電極被布置在第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域或第三像素區(qū)域中；多數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)射層，每個(gè)有機(jī)發(fā)射層被布置在第一電極中的相應(yīng)一個(gè)上；布置在有機(jī)發(fā)射層之上的第二電極；布置在第一像素區(qū)域中的、具有大約500-700或2000-2400總厚度的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層；布置在第二像素區(qū)域中的、具有大約1600-2000總厚度的第三有機(jī)層和第四有機(jī)層；布置在第三像素區(qū)域中的、具有大約200-400總厚度的第五有機(jī)層和第六有機(jī)層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，其中第一電極是陽極電極，第二電極是陰極電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，其中第一、第三和第五有機(jī)層是空穴注入層，第二、第四和第六有機(jī)層是空穴傳輸層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括布置在第二電極和每個(gè)有機(jī)發(fā)射層之間的電子注入層和電子傳輸層。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備，其中第一像素區(qū)域用于顯示紅光，第二像素區(qū)域用于顯示綠光，第三像素區(qū)域用于顯示藍(lán)光。
全文摘要
公開了一種有機(jī)光發(fā)射顯示設(shè)備以及制造方法。該設(shè)備包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層；布置在底層上的第一電極；布置在第一電極上上的有機(jī)發(fā)射層；布置在有機(jī)發(fā)射層上的第二電極；以及布置在第一電極和有機(jī)發(fā)射層之間的第一有機(jī)層和第二有機(jī)層。第一有機(jī)層和第二有機(jī)層在第一像素區(qū)域中具有大約500－700或者2000－2400的總厚度，在第二像素區(qū)域中具有大約1600－2000的總厚度，在第三像素區(qū)域中具有大約200－400的總厚度。
文檔編號(hào)H01L21/82GK1953202SQ20061015067
公開日2007年4月25日 申請(qǐng)日期2006年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月21日
發(fā)明者金恩雅, 樸峻永 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社