專利名稱：微透鏡裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種微透鏡裝置的制造方法，特別是涉及一種改善CMOS影 像感應器靈敏度的微透鏡裝置的制造方法。
背景技術：
微透鏡陣列廣泛運用在影像感應器技術中，例如電荷耦合裝置 (charged coupling device; CCD)影像感應器以及互補式金氧半導體 (complimentary metal-oxide-semiconductor; CM0S)影像感應器。大體而 言，CCD、 CMOS及其他形式的微透鏡陣列將光的圖案(例如影像)轉換成電荷 圖案。
微透鏡陣列通常借由在彩色濾光片或彩色濾光片陣列、介電層及/或其 他基材特征上形成的聚合物層進行圖案化而形成。接著，進行其后的回流 制程及/或加熱方法，以對圖案化的聚合物層加熱，借以產生出每一微透鏡 所需的外型。光感應器形成于其下方的基材中，而每一微透鏡則對準其下 方對應的光感應器。因此，入射至每一微透鏡上的光線對焦于對應的光感 應器。
■彩色濾光片亦可設于微透鏡陣列與下方光感應器陣列之間，如此一來， 經由每一微透鏡對焦的入射光在傳送到對應的光感應器之前，會先穿過彩 色濾光片。因此，可選擇性阻止/允許特定波長或特定波長范圍的光傳到一 個以上的光感應器。彩色濾光片可為一個以上實質連續(xù)層，而每一層以橫 向(與基板平行)實質延伸到整個微透鏡陣列。另一種方式，彩色濾光片可 為分段或以其他方式細分成多個濾光片，而每一濾光片用來阻止/允許不同 波長的光。舉例而言，這樣的濾光片陣列可包括僅允許紅光通過的濾光片、 僅允許綠光通過的其他濾光片以及僅允許藍光通過的其他濾光片。
然而，在同一介質中傳播時，由于藍光波長約430nm，而綠光及紅光的 波長分別為5S0腿及600腿，因此藍光的折射率高于綠光及紅光的折射率高 于。結果，光線一旦穿過彩色濾光片陣列時，產生的藍光、綠光及紅光在 沿著傳播路徑射向光感應器的折射量就會不同。這導致一種以上不同波長 的光不能正確對焦于光感應器上，可能會降低微透鏡-光感應器裝置的準確 度及可信度。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的微透鏡陣列存在的缺陷，而提供 一種新的微透鏡裝置及其制造方法，所要解決的技術問題是使其改善CMOS 影像感應器靈敏度，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。依據(jù)
本發(fā)明提出的一種微透鏡裝置的制造方法，其特征在于至少包含沉積一 微透鏡材料層于一基材上，其中該基材中具有多個光感應器；對該微透鏡 材料層的多個部分進行一曝光顯影步驟，借以自該微透鏡材料層定義出多 個微透鏡材料元件，其中該些微透鏡材料元件包括多個第 一微透鏡材料元 件及多個第二微透鏡材料元件，且每一該些第二纟斂透鏡材料元件的厚度厚 于每一該些第一微透鏡材料元件；以及加熱該些《敖透鏡材料元件以形成一 微透鏡陣列，其中該微透鏡陣列包括多個第一微透鏡陣列元件，而每一 該些第一微透鏡陣列元件對應于該些第一微透鏡材料元件之一；以及多個 第二微透鏡陣列元件，而每一該些第二微透鏡陣列元件對應于該些第二微 透鏡材料元件之一者，其中每一該些第二微透鏡陣列元件的厚度大于每一 該些第 一微透鏡陣列元件的厚度。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。 前述的微透鏡裝置的制造方法，其中所述的微透鏡裝置配置于一多彩 像素化結構中，該些第一微透鏡陣列元件對應于一第一 色彩的多個畫素， 而該些第二微透鏡陣列元件對應于 一 第二色彩的多個畫素。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還采用以下技術方案來實現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種微透鏡裝置，其特征在于至少包含多個光感應器設于一 基材中； 一濾光片陣列；至少一光學透明層設于該濾光片陣列及該些光感 應器之間；以及一微透鏡陣列設于該濾光片陣列的上方且包括具有一第 一焦距的多個第一微透鏡陣列元件；以及具有一第二焦距的多個第二微透 鏡陣列元件，其中該第一焦距及該第二焦距相異。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。 前述的微透鏡裝置，其中所述的微透鏡陣列的 一組成物包括一聚合物 材料。
前述的微透鏡裝置，其中所述的濾光片陣列包括 多個第一濾光元件，其中每一該些第一濾光元件用以傳送一第一波長 的光線；以及
多個第二濾光元件，其中每一該些第二濾光元件用以傳送一第二波長 的光線，且該第二波長異于該第一波長。
前述的微透鏡裝置，其中所述的濾光片陣列更包括多個第三濾光元件，
其中每一該些第三濾光元件用以傳送一第三波長的光線，且該第三波長異 于該第二波長。
前述的微透鏡裝置，其中所述的第一波長為紅光波長，該第二波長為 藍光波長，而第三波長為綠光波長。
前述的微透鏡裝置，其中濾光片陣列包括多個第一濾光元件，其中 每一該些第一濾光元件用以傳送一第一波長的光線，且每一該些第一濾光
元件光學對準于該些第一微透鏡陣列元件的對應一者；以及濾光片陣列更
包括多個第二濾光元件，其中每一該些第二濾光元件用以傳送一第二波長 的光線，且每一該些第二濾光元件光學對準于該些第二微透鏡陣列元件的 對應一者，該第二波長小于該第一波長，以及該第二焦距大于該第一焦距。
前述的微透鏡裝置，其中濾光片陣列包括多個第三濾光元件，其中 每一該些第三濾光元件用以傳送一第三波長的光線，且每一該些第三濾光 元件光學對準于該些第一微透鏡陣列元件的對應一者；以及
該第二波長小于該第三波長。
前述的微透鏡裝置，其中濾光片陣列包括多個紅光濾光元件，其中 每一該些紅光濾光元件光學對準于該些第一微透鏡陣列元件的對應者，濾 光片陣列包括多個綠光濾光元件，其中每一該些綠光濾光元件光學對準于 該些第一微透鏡陣列元件的對應一者，濾光片陣列包括多個藍光濾光元件， 其中每一該些藍光濾光元件光學對準于該些第二^f敖透鏡陣列元件的對應一 者，以及該第二焦距大于該第一焦距。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術方案 可知，本發(fā)明的主要技術內容如下
為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種微透鏡裝置的制造方法，其一 實施例至少包括設置一微透鏡材料層于基材上，其中此基材內設有光感 應器。然后，部分的微透鏡材料層經曝光顯影，以定義出樣i透鏡材料元件。 微透鏡材料元件包括第 一微透材料元件及第二微透材料元件，其中每一第 二微透材料元件實質厚于每一第一微透材料元件。之后，加熱微透鏡材料 元件，以形成微透鏡陣列。此微透鏡陣列包括第一孩i透鏡陣列元件及第二 微透鏡陣列元件，每一第一微透鏡陣列元件對應于第一微透鏡材料元件， 而每一第二微透鏡陣列元件對應于第二微透鏡材料元件，其中每一第二微 透鏡陣列元件實質厚于每一第 一微透鏡陣列元件。
在一實施例中，微透鏡裝置的制造方法包括設置一微透鏡材料層于基 材上；對微透鏡材料層的多個部分進行曝光顯影，以定義出第一微透鏡材 料元件及第二微透鏡材料元件；以及加熱第 一微透鏡材料元件及第二微透 鏡材料元件，以形成微透鏡陣列，此微透鏡陣列包括第一微透鏡陣列元件 及第二微透鏡陣列元件，其中每一第一微透鏡陣列元件的焦距實質大于每 一第二微透鏡陣列元件的焦距。
另外，為了達到上述目的，本發(fā)明另提供了一種微透鏡裝置，其于一實
施例至少包括位于基材中的光感應器、彩色濾光片陣列、以及位于彩色濾 光片陣列與光感應器之間的至少一光學透明層。微透鏡陣列位于彩色濾光 片陣列上。微透鏡陣列包括具有第一焦距的第一微透鏡陣列元件及具有第 二焦距的第二微透鏡陣列元件，其中第一焦距與第二焦距實質相異。
借由上述技術方案，本發(fā)明微透鏡裝置及其制造方法至少具有下列優(yōu)
力、
本發(fā)明的微透鏡裝置及其制造方法，其微透鏡陣列包括焦距不同的透
可借-上述焦-^;同的透;竟彌補與此相口關"〗斤射口i異量。因此:透過彩色 濾光片的光入射至每一光感應器陣列的量可實質近似或相等，而達成改善
CMOS影像感應器靈敏度的功效。
上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細說明如下。


圖1是根據(jù)習知技術一個以上觀點所繪示裝置10的至少一部份的剖面
圖2繪示圖1所示裝置10的部分放大圖3根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點繪示于制程中間階段一實施例的 裝置100的至少一部分的剖面圖4根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點繪示于制程后續(xù)階段圖3的裝置 100的剖面圖5根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點繪示于制程后續(xù)階段圖4的裝置 100的剖面圖6繪示在圖5的制程階段裝置100的部分上視圖7根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點繪示在圖5的制程后續(xù)階段裝置 100的部分剖面圖8根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點繪示在圖7的制程后續(xù)階段裝置 100的剖面圖9根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點繪示在圖8的制程后續(xù)階段裝置 100的剖面圖IO根據(jù)繪示在圖5中裝置100的另一實施例的剖面圖； 圖ll根據(jù)繪示圖10的部分裝置200的上視圖12根據(jù)本揭露內容的 一 實施例的一種微透鏡裝置的制造方法的局部
流程圖；以及
圖13根據(jù)繪示圖12的方法300的另一實施例至少一部分的流程圖。
105:基材
具體實施例方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功 效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的微透鏡裝置及其制造 方法其具體實施方式
、結構、特征及其功效，詳細i兌明如后。
可以理解的是，以下揭露內容提供各種不同的實施例或范例，借以實 施各實施例中的不同特征。為筒化本揭露內容，以下以數(shù)個特定例子陳述 各元件及安排。當然，這些元件及安排僅為例示之用，并無意成為限制。 此外，本揭露內容在不同實施例中會重復元件符號及/或文字。重復是為了 簡化并闡明的目的，其本身并非支配所討論的各實施例及/或配置之間的關 系。此外，在說明書中r第一特征形成于第二特征的上方或其上，接下來可 能會包括以直接接觸^式形成第一特征與第二特征的數(shù)個實施例，亦可能 包括在第一特征與第二特征之間形成額外特征的數(shù)個實施例，上述所指的 第 一特征與第二特征并無直接接觸。
5:基材 10:裝置 15:微透鏡陣列 17:微透鏡
20/20a/20b/20c:光感應器 25/30:介電層 32:內凹部4分 35:光闌
40:電性內連線特征 45:平坦層 47:上表面
50/55a/55b/55c:彩色濾光片
56a: 藍光
56b:綠光
56c:紅光
57a/57b/57c:焦3巨
60:間隙層
100:裝置
115:微透鏡材料
115':微透鏡陣列
117:樣i透鏡胞
117a/117b:微透4竟材料元件
117a， /117b，孩吏透鏡胞
120:光感應器
130:介電層
135:光學對準特征
145:平坦層
150:彩色濾光片陣列
170/172:圖案化光阻元件
200:裝置
270/270a/270b:圖案化光阻元件 300/305:方法
310/320/330/340/350/360/370/38 0/390/400/410/420/:步驟 dl/d2/d4/d5:才黃向尺寸 d3/d6:側向偏移請參照圖1，其根據(jù)習知技術一個以上觀點所繪示裝置10的至少一部 份的剖面圖。裝置10可為或可包括微透鏡-光感應器裝置。舉例而言，此
裝置10包括微透鏡陣列15,而微透鏡陣列15包括多個微透鏡17，其中每 個微透鏡17以垂直或其他方式光學地對準多個光感應器20中的相對一者。 光感應器20可包括在基材5中散布或以其他方式形成的光二極管及/或其 他感應器。
本揭露內容的觀點可應用及/或輕易適用于微透鏡陣列，其中此些微透 鏡陣列除了其他應用之外，利用電荷耦合元件(CCD)以及互補式金氧半導體 (CMOS)的影像感應器(例如主動像素感應器)的應用。就其本身而論，光感 應器20可至少包含習知及/或未來發(fā)展的影像感應裝置。
此裝置10可包括基材5或至少暫時形成在基材5上或從基材5形成， 并包括在基材5上形成的多個層。舉例而言，在圖1所繪示的例示實施例 中，在基材5上形成的介電層25(至少以相對于基材5的橫向方向)將每一 光感應器20與其鄰近的光感應器20予以電性隔離。
基材5可至少包含元素半導體(例如晶硅、多晶硅、非晶硅及鍺)、化 合物半導體(例如碳化硅及碎化鎵)、合金半導體(例如硅鍺、磷砷化鎵、砷 化鋁銦、砷化鋁鎵及磷化鎵銦)、上述的組合及/或其他材料。基材5亦可 至少包含在絕緣材上的半導體材料，例如絕緣層上覆硅 (sil icon-on-insulator; SOI)基材、藍寶石上覆硅(si 1 icon on sapphire; S0S)基材、或薄膜電晶體(thin film transistor; TFT)層覆蓋玻璃及/或 其他材料。
介電層25可至少包含氮化硅(例如四氮化三硅[Si凡])、氮氧化硅(例 如SixNyOz)、氧化硅、二氧化硅及/或其他材料。介電層25可為實質光學上 透明，且可借由化學氣相沉積(chemical vapor exposition; CVD)、電漿 輔助化學氣相沉積(plasma enhanced CVD; PECVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition; PVD)、原子層沉積(atomic layer deposition; ALD)、 蒸鍍(evaporation)、旋涂(spin-on coating)及/或其他制程形成。在一實 施例中，介電層25的厚度介于約l微米(ium)至約5(U敖米之間，然而其他 厚度的介電層25亦在本揭露內容的范疇內。
另一介電層30形成于介電層25及光感應器20上。此介電層30以及 裝置10的其他層及/或其他特征可包括多于一層，而此多于一層更包括組 成及/或制程相異的多個層。介電層30可至少包含氮化硅(例如Si3N4)、氮 氧化硅(例如SixNyOz)、氧化硅、二氧化硅及/或其他材料。介電層30亦可 為介電系數(shù)低于或等于約3.9的低介電系數(shù)(low-k)介電層。介電層30可 借由CVD、 PECVD、 PVD、 ALD、蒸鍍、旋涂及/或其他制程形成。在一實施例 中，介電層30的厚度介于約0. 2微米至約50微米之間，然而其他厚度的
介電層30亦在本揭露內容的范疇內。
介電層30可包括多個光闌(optical stop) 35或類似結構，此些光闌或 類似結構定義出多個孔徑，而每一孔徑對應于來自對應的微透鏡17胞(eel 1) 的預設傳播光徑。舉例而言，光闌35可實質消除或減少從任何不與特定光 感應器20對應的微透鏡17胞入射至特定光感應器20的光量。也就是說， 每一光闌35及/或類似結構可實質將此特定光感應器20的曝光，限定于來 自與光感應器20垂直對準或以其他方式對準的微透鏡17胞傳播的光線。
請再參閱圖1的例示實施例，介電層30的內凹部份32可相對于介電 層30的較厚部分內縮。裝置10可包括設于介電層30內凹部份32的接觸、 接面(land)及/或電性內連線特征40。
裝置10亦可包括設于介電層20的至少一部份上的平坦層45。平坦層 45具有實質平坦的上表面47，其上形成一彩色濾光片50。平坦層45的組 成包括導體材料及/或介電材料。舉例而言，除了其他材料之外，平坦層45 可至少包含氧化硅及/或氮化硅。平坦層45亦可具有至少某種程度的光學 透明度，除了其他實施例之外，平坦層45為實質光學上透明的。平坦層45 的平坦度可經由化學機械平坦(chemical-mechanical planarizing; CMP) 法[CMP亦指化學機械研磨(chemical-mechanical pol ishing)]達成。不過， 亦可選^t奪性使用或另外使用其他平坦化的方法，例如熱流、光阻回蝕刻、 犧牲光阻回蝕刻、旋涂、及/或其他方法，以使上表面47成為實質平坦面。 舉例而言，在一實施例中，平坦層45包括一層以上，其部4分或實質至少包 含樹脂或聚合物材料，例如以丙烯酸聚合物為主的負型光阻。
彩色濾光片50配置用來吸收、轉向及/或以其他方式避免特定顏色的 入射光的傳送，從而避免特定光線傳到光感應器20。舉例而言，彩色濾光 片50僅容許特定波長的光通過。然而，如圖l所示的實施例，彩色濾光片 50可為彩色濾光元件的陣列，其中每個彩色濾光元件容許數(shù)種波長的一種 光線通過。譬如，圖l所示的彩色濾光片50陣列可包括Y又容:^午紅光通過的 彩色濾光片55a、僅容許綠光通過的彩色濾光片55b、以及僅容許藍光通過 的彩色濾光片55c。另一種方式，彩色濾光片55a僅容許青藍(cyan)光通過， 彩色濾光片55b僅容許洋紅(magenta)光通過，而彩色濾光片55c僅容許黃 光通過。不過，彩色濾光片50陣列并不限于上述紅-綠-藍(RGB)及青藍-洋 紅-黃(CMY)的色彩配置。舉例而言，可配置其他實施例的彩色濾光片，以 容許結合其他波長的光及/或其他數(shù)量波長的光通過(例如少于或多于圖1 所示的三種不同波長的彩色濾光元件)。
為了配合別處用于制造裝置10的特定制程技術，可選擇彩色濾光片50 陣列的組成及制程。舉例而言，上述的組成及制程可包括用于量產0. 8 jLim、 0.6 jum、 0.5 jim、 0.35 |um、 0.30 jum、 0.25 jim、 0.22 jam、 0.18 jum、 0.15 jum、 0.13 jam、 193 nm、 90 nm、 80 nm、 65咖、45 nm及/或其 他制程技術，除了上述制程技術之外，尚包括那些目前由臺灣積體電路制 造股份有限公司所提供或企劃的技術。在一實施例中，彩色濾光片50陣列 至少包含以丙烯酸聚合物為主的負型光阻，而此負型光阻包含多種色素。 可能視裝置10的最終用途而定，可選擇彩色濾光片50陣列的組成及/或制 程，以達到預定的像素化(pixilation)。舉例而言，裝置10可最終運用于 數(shù)位相機，其中可運用彩色濾光片50陣列以達到數(shù)百萬畫素。
裝置10更可包括間隙層60，例如可用來調整其上方的微透鏡陣列15 與其下方的光感應器20之間的距離。舉例而言，間隙層60的厚度可介于 約O. 2微米(um)至約50 iam之間，然而間隙層60亦可能為其他厚度，就 如同省略間隙層60的實施例一^:。間隙層60的組成亦可實質類似于平坦 層45,例如實質光學透明的組成，且可經由與用于形成平坦層4相近的一 個以上制程而形成間隙層60。
關于基材5、光感應器20、介電層25及介電層30、光闌35、內連線 特征40、平坦層45、彩色濾光片50、間隙層60以及微透鏡陣列15的組成 及/或制程可為習知。例如，上述元件實質至少包含二氧化硅，除了其他制 程之外，其可借由旋涂、離子植入氧、賊鍍、熱氧化、原子層沉積(ALD)、 電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、及/或高密度 電漿化學氣相沉積(HDP-CVD)形成。舉例而言，可借由PECVD而利用四乙氧 基硅曱烷(tetraethoxysilane; TEOS)形成上述二氧化硅元件。其他的例子 包括上述元件實質上至少包含氮化硅，其中氮化硅元件可借由離子植入氮、 賊鍍、ALD、 PECVD、 LPCVD及/或HDP-CVD等制程形成。舉例而言，可借由 LPCVD而利用六氯二珪乙烷(hexachlorodisilane; HCD)及氨(ammonia; NH3) 形成上述氮化硅元件。當然，亦可使用其他組成及/或制程形成上述一種以 上的元件。
在描述的實施例中，形成微透鏡陣列15先于間隙層6G上涂布微透鏡 材料。舉例而言，微透鏡材料可包括樹脂或聚合物材料，其中聚合物材料 可例如以丙烯酸聚合物為主的負型光阻。接著，利用習知微影制程將微透 鏡材料曝光顯影后，借此定義出多個分離的微透鏡材料元件，而每一微透 鏡材料元件部份或實質類似于多面體。之后，利用回流制程及/或其他加熱 方法形成每一微透鏡17的凸面輪廓。然后，每一微透鏡17與其他微透鏡 17相比，具有實質相同的剖面輪廓(如圖1所示)。舉例而言，微透鏡陣列 15中每一微透鏡17在間隙層60上(或以與平坦層45的上表面47垂直的方 向)延伸至實質相同高度，而微透鏡陣列15中每一微透鏡17具有實質相同 的曲率。
請參照圖2,其繪示圖1所示裝置10的部分放大圖。前述習知用于形
成微透鏡陣列15的制程中，由于不同的彩色濾光片55a、彩色濾光片55b 及彩色濾光片55c，其折射率亦有差異，結果微透鏡17胞的焦距不同。
舉例而言，繪示于圖2的實施例包括配置只使藍光對焦于光感應器20a 的彩色濾光片55a、只使綠光對焦于光感應器20b的彩色濾光片55b、以及 只使紅光對焦于光感應器20c的彩色濾光片55c。然而，不同色的藍光56a、 綠光56b及紅光56c穿過厚度及折射率相同的平坦層45及介電層3(1的各 部分。為此，由于在穿過相同介質時，藍光56a的波長會比綠光56b波長 少約20%,亦比紅光56c波長少約30%，所以在穿過平坦層45及介電層30 時，藍光56a的折射率會高于綠光56b及紅光56c。故此，藍光56a的焦距 57a就短于綠光56b的焦距57b及紅光56c的焦距57c。
因此，以上述觀點選擇或配置微透鏡陣列15，在這個例子中，三個焦 距57a、焦距57b及焦距57c的中點(median)為焦距57b，結果焦點58b與 光感應器20b實質一致。另外，綠光56b與紅光56c的波長差距不到約10%， 因此紅光56c的折射率實質上與綠光56b的折射率相近。因此，紅光56c 的焦點58c亦與其光感應器20c實質一致。然而，因為藍光56a的折射率 實質大于綠光56b的折射率，所以藍光56a的焦點58a就無法與光感應器 20a —致，正如圖2所示。
請參照圖3 ，其根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點，繪示于制程中間階段， 一實施例的裝置100的至少一部分的剖面圖。除了以下:R供的部分外，此 裝置100可實質近似于圖1及/或圖2所示的裝置10。
此裝置100包括基材105,其中此基材105實質近似于圖1所示的一個 以上的基材5、介電層25及光感應器20。舉例而言，基材105可包括例如 圖1所示的基材5及/或介電層25的元件?；?05或裝置100的其他部 分亦包括光感應器120陣列，其中此光感應器120陣列實質近似于圖1所 示的光感應器20。此裝置100又包括于基材105上形成的介電層130,其 中此介電層130實質近似于圖1所示的介電層30。此裝置100更包括埋設 于介電層130的光學對準特征135，其中此光學對準特征135實質近似于圖 1所示的光闌35。此裝置100另包括于前述介電層130上形成的平坦層145， 其中此平坦層145實質近似于圖1所示的介電層30。此裝置100尚包括于 前述平坦層145上形成的彩色濾光片陣列150，其中此彩色濾光片陣列150 實質近似于圖1所示的彩色濾光片50陣列。
請參照圖4，其根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點，繪示于制程后續(xù)階段， 圖3的裝置100的剖面圖，其中微透鏡材料115已形成于彩色濾光片陣列 150上。微透鏡材料115可直接形成于彩色濾光片陣列150上。然而其他實 施例中，在形成微透鏡材料115前，可于彩色濾光片陣列150上形成一層 以上的其他層。舉例而言，在形成微透鏡材料115于彩色濾光片陣列150
上之前，可形成間隙層于彩色濾光片陣列150上，而此間隙層例如實質近似于圖1的間隙層60。
微透鏡材料115可至少包含氮化硅、樹脂或聚合物材料，其中聚合物材料可例如以丙烯酸聚合物為主的負型光阻。除了其他制程外，借由旋涂制程、濺鍍、光阻涂布制程、ALD、 PECVD、 LPCVD及/或HDP-CVD的一個以 上的制程，可形成微透鏡材料115于彩色濾光片陣列150上。在一實施例 中，于彩色濾光片陣列150上的微透鏡材料115的組成及/或形成方法，實 質近似于圖1所示用于形成微透鏡胞117的微透鏡材料的組成及/或形成方 法。
請參照圖5,其根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點，繪示于制程后續(xù)階段， 圖4的裝置100的剖面圖，其中數(shù)個圖案化光阻元件170形成于微透鏡材 料115上。關于此圖案化光阻元件170的組成、其于微透鏡材料115上的 沉積方法及其圖案化方法可為習知。在一實施例中，此圖案化的光阻l70 的形成，借由涂布正型或負型光阻材料于微透鏡材料115上，爾后進行一 個以上的曝光顯影步驟，以定義出預定圖案。圖秉化光阻元件的圖案 可實質近似于即將自微透鏡材料115形成微透鏡胞的預設圖案，，然而在本 發(fā)明揭露內容范圍內，不同實施例的近似程度不盡相同。
請參照圖6，其繪示在圖5的制程階段，裝置100的部分上視圖，其中 繪有數(shù)個圖案化光阻元件170。每個圖案化光阻元件170可實質相同。舉例 而言，每個圖案化光阻元件170可具有實質方形的足跡(footprint)，如此 一來，其橫向尺寸dl與橫向尺寸d2就實質相等，如圖6所示。再者，如 圖6的所示，每個圖案化光阻元件170可實質平行于每個相鄰的圖案化光 阻元件170,及/或以相同的側向偏移d3與每個相鄰的圖案化光阻元件170 呈橫向并列。不過，其他形狀及方位的圖案化光阻元件170亦落入本揭露 內容的范圍內。
在形成圖案化光阻元件170后，正如圖6的實施例所示，微透鏡材料 115會進行一初次曝光步驟。在此初次曝光步驟中，圖案化光阻元件170作 為光罩，借此避免與圖案化光阻元件170相對應的^[鼓透鏡材料115的多個 部分曝光(這些部分可例如實質位于圖案化光阻元件170下方的微透鏡材料 115的多個部分，從而借由圖案化光阻元件170實質遮住曝光能量)。之后， 圖案化光阻元件170可借由蝕刻或其他方式剝除，而留下局部曝光但未顯 影的微透鏡材料115層。
請參照圖7,其根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點，繪示在圖5的制程后 續(xù)階段，裝置100的部分剖面圖，其中多個圖案化光阻元件172形成于局 部曝光但未顯影的微透鏡材料115上。此微透鏡材料115層隨后進行一額 外的曝光步驟，以進一步就-微透鏡材料115與多個畫素相對應的多個部分
進行曝光，其中這些畫素有關介于彩色濾光片陣列150與基材105之間具
有較短波長及/或較高折射的畫素。
此些圖案化光阻元件172可實質近似于圖5及圖6所示的圖案化光阻 元件170。然而，形成在微透鏡材料115上的圖案化光阻元件172,其數(shù)量 可實質少于在圖5及圖6曾述及微透鏡材料115進行初次微影曝光步驟所 使用的圖案化光阻元件170的數(shù)量。
舉例而言，當裝置10;欲包括三色像素化結構(pixilation scheme)時， 圖案化光阻元件172的數(shù)量比圖案化光阻元件170的數(shù)量少于約33%。然而， 在一些實施例中，畫素總數(shù)量無法就不同顏色的畫素均分。舉例而言，在 RGB像素化結構中，綠色畫素及/或紅色畫素的數(shù)量實質上會是藍色畫素數(shù) 量的兩倍或兩倍以上的其他倍數(shù)。在這樣的實施例中，圖案化光阻元件172 的數(shù)量可能與圖案化光阻元件170的數(shù)量不同，前述差異有可能大于或小 于約33°/。。
根據(jù)一實施例，圖案化光阻元件172與圖案化光阻元件170的數(shù)量不 同，假設除了各色的彩色濾光片之外，所有的畫素都相同，圖案化光阻元 件1'72如與畫素的數(shù)量相同，這些數(shù)量的畫素，例如圖1及圖2提及RGB 結構里相同數(shù)量的藍色畫素，就會焦距不足。舉例而言，在RGB像素化結 構中，圖案化光阻元件172的數(shù)量可約略等于"X Y，，，其中"X"為畫 素總數(shù)，而"Y，，為特定色的畫素總數(shù)，而此特定色的畫素需要雙重微影曝 光以達到可接受的焦距。
換個方式表達，假設紅綠藍畫素比為5: 4: 3，這樣每4個綠色畫 素及每3個藍色畫素就有5個紅色畫素，將紅綠畫素的數(shù)量總合與所有畫 素(即紅、綠、藍畫素)的總合相比，其比例實質遵循9: 12，因此圖案化光 阻元件172的數(shù)量約75%。當然，這個例子所舉的數(shù)目為假想設計出的，僅 以此實例說明圖案化光阻元件172與圖案化光阻元件170的數(shù)量有何相關。 換言之，除了其他比例之外，實際的紅綠藍畫素比可為約l: 1: 1、 2: 1: 1、 1: 2: 1、或2: 2: 1。因此，除了其他比例之外，圖案化光阻元件 172與圖案化光阻元件170的it量比可為約2: 3、 3: 4、或4: 5。
據(jù)此觀之，本發(fā)明所屬技術領域的技術人員顯見在只經過一次微影曝 光步驟或以其他習知方式而形成的情況下，圖案化光阻元件172的預設位 置實質與那些焦距足夠的畫素位置一致。結果，在進行初次微影曝光步驟
時，圖案化光阻元件170可用來保護部分的微透鏡材料115，不過在進行第 二微影曝光步驟時，圖案化光阻元件172就無法保護部分的微透鏡材料115， 例如RGB像素化結構中與藍色畫素相關的部分，在第二微影曝光步驟時就 會暴露于微影曝光能量下。不過，第二微影曝光步驟的效力會比第一微影 曝光步驟來得弱。
舉例而言，第一微影曝光步驟是將微透鏡材料115暴露出的部分(即未
被圖案化光阻元件170保護的部分)實質延伸至微透鏡材料115的厚度；反 之，第二微影曝光步驟是將微透鏡材料115額外暴露出的部分(即未被圖案 化光阻元件172保護的部分)僅延伸至微透鏡材料115的部分厚度。在另一 實施例中，前述二微影曝光步驟的效力可實質相等，即關于所產生曝光部 分的深度，可延伸至微透鏡材料115的厚度。也就是說，第一微影曝光步 驟可對未被圖案化光阻元件170保護的微透鏡材料115的約一半厚度曝光， 而第二微影曝光步驟可對微透鏡材料115的前述部分的剩余厚度再曝光， 同時也對先前被圖案化光阻元件170保護的微透鏡材料115的前述部分的 部份厚度曝光。
在本揭露內容范圍的任一及其他方案中，于第二微影曝光步驟時，微 透鏡材料115的曝光部分的深度(即先前被圖案化光阻元件170保護、但在 第二微影曝光步驟未被圖案化光阻元件172保護的那些部分)，會隨著特定 實施例而改變。舉例而言，第二微影曝光步驟可對在第一微影曝光步驟時 ^t透鏡材料115的曝光部分約50%的厚度進行曝光。不過在本揭露內容的范 圍內，此一l史值可介于約20%至約80%。
請參照圖8,其根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點，繪示在圖7的制程后 續(xù)階段，裝置100的剖面圖，其中圖案化光阻元件172以與先前移除圖案 化光阻元件170實質相似的方式加以移除。之后，對經雙重曝光的《敞透鏡 材料115進行顯影。結果如圖8所示，微透鏡材料115在第二微影曝光步 驟被圖案化光阻元件172保護的部分已形成分離的微透鏡材料元件117a, 而微透鏡材料115在第二微影曝光步驟未被圖案化光阻元件172保護的部 分則已形成分離的微透鏡材料元件117b。每一微透鏡材料元件117a及微透 鏡材料元件117b實質對準于下方基材形成的對應的光感應器，其中微透鏡 材料元件117a實質厚于微透鏡材料元件117b。微透鏡材料元件117b的厚 度約為微透鏡材料元件117厚度的50%,不過在本揭露內容的范圍內，此一 數(shù)值可介于約20%至約80%。
請參照圖9,其根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點，繪示在圖8的制程后 續(xù)階段，裝置100的剖面圖，其中微透鏡材料元件117a及微透鏡材料元件 117b已經歷一次以上的回流及/或其他加熱制程的處理，借此形成至少包含 微透鏡胞117a'及微透鏡胞117b'的微透鏡陣列115'。微透鏡胞117a' 及微透鏡胞117b，可實質近似于圖1及圖2所示的微透鏡陣列15的微透鏡 胞17。然而，微透鏡胞117a，與微透鏡胞117b，的厚度不同。因此，每一 微透鏡胞117b，的厚度為每一微透鏡胞117a，的約一半厚度，然而其他安 排方式亦在本揭露內容范圍之內。再者，正如圖9的虛線所指出的，每一 微透鏡胞117a，及每一微透鏡胞117b，的焦距已經修飾，如此一來，盡管
通過彩色濾光片陣列150的每一元件的光線實質上迥異，每一微透鏡胞
117a，及每一孩i透鏡胞117b，的焦點實質上還是落于相對應的光感應器120。 請參照圖10，其才艮據(jù)繪示在圖5中裝置100的另一實施例的剖面圖，
其中裝置IOO在本圖中的圖號為200。圖10的制程階段除了以下所述的部
分外，實質上與圖5所繪示的制程階段相同。
也就是說，在圖10所繪的實施例中，圖案化光阻元件270已形成于微
透鏡材料115上。此圖案化光阻元件270的組成及制程實質近似于圖5的
圖案化光阻元件170。不過，如下所述，圖案化光阻元件270在外型上并不
全然相同。
圖ll根據(jù)繪示圖10的部分裝置200的上視圖。請同時參照圖10及圖 11，相較于其他圖案化光阻元件270b, —些圖案化光阻元件270a的足跡較 大。不過所有的圖案化光阻元件270a及圖案化光阻元件270b仍具有大致 方形的足跡，然而其他外型亦在本發(fā)明范圍之內。圖案化光阻元件270a的 橫向尺寸d4及橫向尺寸d5比圖案化光阻元件270b的^f黃向尺寸dl及橫向 尺寸(12大約20%，然而在本揭露內容的范圍內，此一差距可介于約5%至約 50%之間。盡管圖案化光阻元件270a及的尺寸較大，不過圖案化光阻元件 270a及圖案化光阻元件270b的側向長度(pitch)仍維持實質固定，如此一 來，每一圖案化光阻元件270a與每一相鄰圖案化光阻元件270b的側向偏 移d6,比兩相鄰的圖案化光阻元件270b的側向偏移d3，可少約30%至約 40%。
圖案化光阻元件270a對應于上述需要透鏡焦距較長的畫素，例如圖7 的圖案化光阻元件172不能取代圖5的圖案化光阻元件170。舉例而言，圖 案化光阻元件270a可對應于RGB像素化結構中的藍色畫素，然而圖案化光 阻元件270b可對應于紅色畫素及綠色畫素。對于后續(xù)用于將圖案化光阻元 件270a與圖案化光阻元件270b的圖案轉移至微透鏡材料115層的微影制 程能量而言，圖案化光阻元件270a是半透明的。圖案化光阻元件270b亦 可為半透明的，然而其透明的程度與圖案化光阻元件27 0a不同。
因此，在微影曝光步驟時，實質位于圖案化光阻元件270a下方的微透 鏡材料115部分會局部曝光。也就是說，上面的部分會曝光，而下面的部 分不會曝光。然后，利用微影顯影步驟，由微透鏡材料115定義出圖8中 的微透鏡材料元件117a及微透鏡材料元件117b。之后，可運用一個以上回 流及/或其他加熱制程形成圖9的微透鏡胞117a，與孩i透鏡胞117b，。
因此，根據(jù)本揭露內容一個以上的觀點，可經由習知材料及制程，形 成彩色濾光片陣列及光感應器，并可經由習知材料及制程，于彩色濾光片 陣列及光感應器上形成微透鏡陣列，然而微透鏡陣列亦可包括焦距不同的
時，可借由上述焦距不同的透鏡彌補與此相關的折射變異量。因此，透過 彩色濾光片的光入射至每一光感應器陣列的量可實質近似或相等。
本揭露內容范圍內，在用于制造微透鏡元件的方法中，經由其中一個
以上實施例的觀點，可達成此些及/或其他可能的優(yōu)點。其中一種方法300 是以流程圖至少局部繪示于圖12中。
此方法300包括在步驟310中，形成微透鏡材料于彩色濾光片陣列及 光感應器陣列上。隨后，于步驟320中，形成第一光阻層于微透鏡材料上。 之后，于步驟330中，圖案化第一光阻層，以形成第一光阻元件，其中第 一光阻元件的外型、位置及方位，實質均與即將形成的微透鏡陣列的個別 光學元件相對應。然后，在步驟340中，第一光阻元件用于對部分的微透 鏡材料進行初次曝光，其中部分的微透鏡材料位于即將形成的微透鏡陣列 的每一光學元件的邊緣外。
接著，于步驟350中，剝除第一光阻元件，—并于步驟360中，形成第 二光阻層于局部曝光的微透鏡材料上。隨后，于步驟370中，圖案化第二 光阻層，以形成第二光阻元件，其中第二光阻元件的外型、位置及方位， 實質均與微透鏡陣列的個別光學元件相對應，而當以習知制程制造時，微 透鏡陣列將對應于紅色畫素及綠色畫素，或者對應于具有有效焦距的畫素。 之后，于步驟380中，第二光阻元件用于對部分的微透鏡材料進行額外曝 光，其中此部分的微透鏡材料位于微透鏡陣列的上述光學元件的邊緣內， 且此微透鏡材料的上述光學元件，例如藍色畫素，需要較長焦距。
然后，于步驟390中，剝除第二光阻元件，而歷經兩次曝光的微透鏡 材料層于步驟400中進行顯影，借此定義出高度不同且分離的微透鏡材料 元件，其中此些微透鏡材料元件對應于傳輸用的每一彩色濾光元件的波長。 接著，在步驟410中，高度不同且分離的微透鏡材料元件經歷回流制程， 其中回流制程定義出每一微透鏡的凸面、透鏡型的表面。因此，可增加微 透鏡矩陣的每一光學元件對應于畫素的焦距，否則因波長較短會降低對應 的畫素每丈感性。
請參照圖13，其根據(jù)繪示圖12的方法300的另一實施例至少一部分的 流程圖，其中方法300在本圖中的圖號為305。方法305包括在步驟310中， 形成微透鏡材料于彩色濾光片陣列及光感應器陣列上。隨后，于步驟420 中，形成光阻層于微透鏡材料上。之后，于步驟330進行圖案化后，光阻 層包括第一光阻元件及第二光阻元件，其中每一第一光阻元件及第二光阻 元件的外型、位置及方位，實質均與微透鏡陣列的個別光學元件相對應。 以習知制程制造時(例如在RGB結構中的紅色畫素及綠色畫素)，每一第一 光阻元件對應于焦距足夠的畫素，然而每一第二光阻元件對應于焦距不足 的畫素(例如在RGB結構中的藍色畫素)。相較于第一光阻元件，第二光阻 元件對于微影制程曝光能量的半透明度較大。舉例而言，第一光阻元件可 為實質不透明的，然而第二光阻元件可為半透明的(例如介于半透明與不透 明中間)。
然后，在步驟340中，第一光阻元件及第二光阻元件用于對部分的微 透鏡材料進行曝光。被第一光阻元件保護的微透鏡材料的部分不會受到曝 光能量照射，至少保護的程度比第二光阻元件來得大，而第二光阻元件至 少局部半透明，因此被第二光阻元件保護的微透鏡材料的部分僅能局部免 于曝光能量照射。
隨后，于步驟390中，剝除第一光阻元件及第二光阻元件，而曝光后 的微透鏡材料層于步驟400中進行顯影，其中此些^f效透鏡材料元件對應于 傳輸用的每一彩色濾光元件的波長，借此定義出高度不同且分離的微透鏡 材料元件。接著，在步驟410中，高度不同且分離的微透鏡材料元件經歷 回流制程，其中回流制程定義出每一微透鏡的凸面、透鏡型的表面。如同 方法300，可增加微透鏡矩陣的每一光學元件對應于畫素的焦距，否則因波 長較短會降低對應的畫素敏感性。
據(jù)此觀之，本揭露內容提出微透鏡裝置的制造方法，其于一實施例至 少包括設置一微透鏡材料層于基材上，其中此基材內設有光感應器。然后， 部分的微透鏡材料層經曝光顯影，以定義出微透鏡材料元件。微透鏡材料 元件包括第 一微透材料元件及第二微透材料元件，其中每一 第二微透材料 元件實質厚于每一第一微透材料元件。之后，加熱微透鏡材料元件，以形 成微透鏡陣列。此微透鏡陣列包括第 一微透鏡陣列元件及第二微透鏡陣列 元件，每一第一微透鏡陣列元件對應于第一微透鏡材料元件，而每一第二 微透鏡陣列元件對應于第二微透鏡材料元件，其中每一第二微透鏡陣列元 件實質厚于每一第 一微透鏡陣列元件。
在一實施例中，微透鏡裝置的制造方法包括設置一^f敖透鏡材料層于基 材上；對微透鏡材料層的多個部分進行曝光顯影，以定義出第一微透鏡材 料元件及第二微透鏡材料元件；以及加熱第 一微透鏡材料元件及第二微透 鏡材料元件，以形成微透鏡陣列，此微透鏡陣列包括第 一微透鏡陣列元件 及第二微透鏡陣列元件，其中每一第 一微透鏡陣列元件的焦距實質大于每 一第二微透鏡陣列元件的焦距。
本揭露內容更采用 一種微透鏡裝置，其于一實施例至少包括位于基材 中的光感應器、彩色濾光片陣列、以及位于彩色濾光片陣列與光感應器之 間的至少一光學透明層。微透鏡陣列位于彩色濾光片陣列上。微透鏡陣列 包括具有第 一焦距的第 一微透鏡陣列元件及具有第二焦距的第二微透鏡陣 列元件，其中第一焦距與第二焦距實質相異。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式
上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，當可利 用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍 內。
權利要求
1、一種微透鏡裝置的制造方法，其特征在于至少包含沉積一微透鏡材料層于一基材上，其中該基材中具有多個光感應器；對該微透鏡材料層的多個部分進行一曝光顯影步驟，借以自該微透鏡材料層定義出多個微透鏡材料元件，其中該些微透鏡材料元件包括多個第一微透鏡材料元件及多個第二微透鏡材料元件，且每一該些第二微透鏡材料元件的厚度厚于每一該些第一微透鏡材料元件；以及加熱該些微透鏡材料元件以形成一微透鏡陣列，其中該微透鏡陣列包括多個第一微透鏡陣列元件，而每一該些第一微透鏡陣列元件對應于該些第一微透鏡材料元件之一者；以及多個第二微透鏡陣列元件，而每一該些第二微透鏡陣列元件對應于該些第二微透鏡材料元件之一者，其中每一該些第二微透鏡陣列元件的厚度大于每一該些第一微透鏡陣列元件的厚度。
2、 根據(jù)權利要求l所述的微透鏡裝置的制造方法，其特征在于其中所 述的微透鏡裝置配置于一多彩像素化結構中，該些第一微透鏡陣列元件對 應于一第一色彩的多個畫素，而該些第二微透鏡陣列元件對應于一第二色 彩的多個畫素。
3、 一種微透鏡裝置，其特征在于至少包含 多個光感應器設于一基材中； 一濾光片陣列；至少一光學透明層設于該濾光片陣列及該些光感應器之間；以及 一微透鏡陣列設于該濾光片陣列的上方且包括 具有一第一焦距的多個第一微透鏡陣列元件；以及 具有一第二焦距的多個第二微透鏡陣列元件， 其中該第 一 焦距及該第二焦距相異。
4、 根據(jù)權利要求3所述的微透鏡裝置，其特征在于其中所述的微透鏡 陣列的一組成物包括一聚合物材料。
5、 根據(jù)權利要求3所述的微透鏡裝置，其特征在于其中所述的濾光片 陣列包括多個第 一濾光元件，其中每一該些第一濾光元件用以傳送一第一波長 的光線；以及多個第二濾光元件，其中每一該些第二濾光元件用以傳送一第二波長 的光線，且該第二波長異于該第一波長。
6、 根據(jù)權利要求5所述的微透鏡裝置，其特征在于其中所述的濾光片 陣列更包括多個第三濾光元件，其中每一該些第三濾光元件用以傳送一第 三波長的光線，且該第三波長異于該第二波長。
7、 根據(jù)權利要求6所述的微透鏡裝置，其特征在于其中所述的第一波 長為紅光波長，該第二波長為藍光波長，而第三波長為綠光波長。
8、 根據(jù)權利要求3所述的微透鏡裝置，其特征在于其中濾光片陣列包括多個第一濾光元件，其中每一該些第一濾光元件用以 傳送一第一波長的光線，且每一該些第一濾光元件光學對準于該些第一微 透鏡陣列元件的對應一者；以及濾光片陣列更包括多個第二濾光元件，其中每一該些第二濾光元件用 以傳送一第二波長的光線，且每一該些第二濾光元件光學對準于該些第二 微透鏡陣列元件的對應 一者，該第二波長小于該第一波長，以及該第二焦距大于該第一焦距。
9、 根據(jù)權利要求8所述的微透鏡裝置，其特征在于其中濾光片陣列包括多個第三濾光元件，其中每一該些第三濾光元件用以 傳送一第三波長的光線，且每一該些第三濾光元件光學對準于該些第一微 透鏡陣列元件的對應一者；以及該第二波長小于該第三波長。
10、 根據(jù)權利要求3所述的微透鏡裝置，其特征在于其中濾光片陣列包括多個紅光濾光元件，其中每一該些紅光濾光元件光學 對準于該些第 一微透鏡陣列元件的對應 一者，濾光片陣列包括多個綠光濾光元件，其中每一該些綠光濾光元件光學 對準于該些第一^:透鏡陣列元件的對應一者，濾光片陣列包括多個藍光濾光元件，其中每一該些藍光濾光元件光學 對準于該些第二微透鏡陣列元件的對應一者，以及 該第二焦距大于該第一焦距。
全文摘要
一種微透鏡裝置及其制造方法，該微透鏡裝置的制造方法，借由沉積微透鏡材料層于基材上，其中基材包括光感應器。接著，微透鏡材料層經曝光及顯影后，定義出微透鏡材料元件，其包括第一微透鏡材料元件及第二微透鏡材料元件。每一第二微透鏡材料元件的厚度實質厚于每一第一微透鏡材料元件。之后，加熱微透鏡材料元件而形成微透鏡陣列，其包括第一微透鏡陣列元件及第二微透鏡陣列元件，而每一第一微透鏡陣列元件及每一第二微透鏡陣列元件分別對應于第一微透鏡材料元件及第二微透鏡材料元件。本發(fā)明還公開了該微透鏡裝置。本發(fā)明能改善CMOS影像感應器靈敏度。
文檔編號H01L27/146GK101105543SQ200710106750
公開日2008年1月16日 申請日期2007年6月15日 優(yōu)先權日2006年7月10日
發(fā)明者張志光, 張筆政, 翁福田, 鄧世杰, 郭晉辰, 高銘昌 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司