專利名稱：發(fā)光二極管制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種盡可能保持銀本身所具備的電氣性質(zhì)和反射度，同時加強銀層與半導(dǎo)體層的粘附性的發(fā)光二極管制造方法。
背景技術(shù)：
具有金屬反射層的現(xiàn)有氮化鎵系發(fā)光二極管，大多采用電氣性質(zhì)或反射度好的銀薄膜，可是銀的反射度雖好，由于其與現(xiàn)有半導(dǎo)體層的接觸性欠佳，工藝中經(jīng)常發(fā)生剝離現(xiàn)象，從而給量產(chǎn)帶來困難。
另一種方法是，采用粘附性好的其他類型的金屬形成反射膜，雖然其粘附性有所提高，卻減低了其反射度。
解決上述問題的又一種方法是，在半導(dǎo)體層和銀層之間形成鎳、鉻、鈦等薄膜層，以此加強粘附性，但是這種金屬薄膜層的反射度低，無法達到原來的目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是要解決上述這些問題，提供一種提高銀層和半導(dǎo)體層的粘附性，同時保持銀固有的反射度的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明制作的發(fā)光二極管，其作為反射膜使用的銀膜和半導(dǎo)體層的粘附性得到提升，同時保持了銀固有的反射特性，使反射度增加，從而得到高亮度發(fā)光二極管。另外，提高了制造芯片時劃片及切片工序的效率，使發(fā)光二極管制造工藝的整體效率得以提升。


下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
圖1為具有反射膜的現(xiàn)有發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)圖2為本發(fā)明的金屬網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)3為本發(fā)明的芯片結(jié)構(gòu)及整體晶片形狀具體實施方式
圖1是整體鍍其他金屬層的現(xiàn)有發(fā)光二極管的簡單結(jié)構(gòu)圖。如圖所示，所鍍金屬層包括鎳、鉻、鈦等。
本發(fā)明提供的方法是，如圖2所示，將鎳、鉻、鈦等金屬以網(wǎng)狀形態(tài)進行涂鍍，使晶片與銀金屬進行接觸，從而緩解反射度減低的問題，另一方面，以網(wǎng)狀形態(tài)涂鍍粘附性高的金屬，從而提高銀層和半導(dǎo)體層之間的粘附性。
圖3同時展示了這種二極管的形狀及晶片的整體形狀。如果用這種方法鍍銀層，那么，待器件制造工藝結(jié)束，將晶片切割成芯片的劃片工序和切片工序中，不再發(fā)生銀膜的粘附性欠佳而產(chǎn)生的剝離現(xiàn)象(金屬層脫落現(xiàn)象)，保證切割質(zhì)量，很大程度上可以提升芯片生產(chǎn)效率。
另外，由于保持了銀本身的反射度特性，可以得到出光效率好的高亮度發(fā)光二極管。
權(quán)利要求
1.一種由襯底、生長在襯底上的半導(dǎo)體薄膜、位于上述薄膜上的反射膜電極組成的發(fā)光器件，其特征在于部分涂鍍的第一金屬；并鍍于上述第一金屬層上面，而大與第一金屬層面積的金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于上述第一金屬層與半導(dǎo)體薄膜層接合，形成網(wǎng)狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于上述第一金屬層是在半導(dǎo)體薄膜層上的透光性電極或氧化膜上形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于上述第一金屬層呈現(xiàn)各種形態(tài)的幾何圖形，或者由分開的線段組合而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于上述第一金屬層至少包括鉻、鎳、鈦中的一種以上金屬，從而形成單一金屬層、復(fù)合層或合金層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于上述第二金屬層是包括銀在內(nèi)的一種金屬或合金形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的制造方法。氮化鎵系發(fā)光二極管的制作方法中，為提高器件的特性，使用了很多種方法，其中，采用最多的是生長層朝下的倒裝方式，原因是這種芯片結(jié)構(gòu)的散熱性好。為了制作出倒裝方式的芯片，使用從底面反射光線的反射層，以提高出光效率。目前使用這種反射層的方式很多，但是本發(fā)明提供的是提高銀膜性能的方法，這種銀膜在發(fā)光二極管的制造過程中作為反射體使用。特別是本發(fā)明提供的發(fā)光二極管制造方法中，加強銀的粘附性，而且盡可能保持銀本身所具備的電氣性質(zhì)和反射度。
文檔編號H01L33/00GK101090146SQ20071012333
公開日2007年12月19日 申請日期2007年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月22日
發(fā)明者金英鎬, 金學(xué)鋒 申請人:廊坊清華科技園光電有限公司