專利名稱：一種半導(dǎo)體芯片的減薄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片的減薄方法，具體地說是半導(dǎo)體芯片等器件 厚度的減薄工藝，屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，半導(dǎo)體芯片等器件厚度的減薄均是整個圓片減薄，通常是采用在 圓片背部通過磨削法、研磨法、化學(xué)機械拋光、干式拋光等方法將多余的厚 度減去，以達到降低封裝高度；去掉背面氧化物或擴散層消除寄生結(jié)，減小 熱阻，改善背面金屬化時的歐姆接觸和減小串聯(lián)電阻，減薄至一定厚度后還 有利于提高芯片抗折性能。磨削法、研磨法、化學(xué)機械拋光、干式拋光等方 法均是借助于金剛砂輪或磨料或腐蝕試劑以及組合，將器件需要減去的地方 去掉，在其處理過程中均需要在大圓片上進行，否則會導(dǎo)致厚度不均勻、缺 損等發(fā)生。
減薄主要方法為磨削法，該方法是通過金剛砂輪和吸附圓片的多孔陶瓷 吸盤以相反方向旋轉(zhuǎn)，借助于金剛砂輪將硅片磨削變薄，并由純水帶走磨削 下來的硅渣。磨削法具有接觸長度、接觸面積、切入角度、磨削力恒定而使 加工狀態(tài)穩(wěn)定，高速旋轉(zhuǎn)的砂輪使硅片平整度好。
目前集成電路圓片減薄技術(shù)已成熟，但芯片級尺寸的半導(dǎo)體器件還無工 藝方法可實現(xiàn)減薄。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足之處，從而提供一種半導(dǎo)體芯片的減薄 方法，不改變現(xiàn)有減薄設(shè)備、工裝夾具等；減薄后芯片厚度一致與圓片減薄 厚度一致性相當，成品率高；芯片級尺寸減薄后芯片邊緣無缺損、無裂紋。
本發(fā)明一種半導(dǎo)體芯片的減薄方法，采用以下工藝步驟
1、 將芯片有圖形的面朝下行列拼排；
2、 芯片需減薄正面粘附在保護膜上，形成一個正方形或長方形；
3、 在正方形或長方形外圍放置面積、厚度與芯片面積、厚度相當?shù)钠?狀物，再圍成一個正方形或長方形，使減薄時中間芯片受力均勻；4、 設(shè)置減薄厚度，采用磨削法，通過旋轉(zhuǎn)金剛砂輪與粘附在膜上的芯片 隨陶瓷吸盤作相反方向旋轉(zhuǎn)，借助于金剛砂輪將芯片磨削變薄為所需厚度，
并由純水帶走磨削下來的硅渣，金剛砂輪轉(zhuǎn)速為700 1200轉(zhuǎn)/分鐘，并以 20， 300mji) /分鐘速度下降，陶瓷吸盤旋轉(zhuǎn)速度為15 25轉(zhuǎn)/分鐘，純水流量 為10L 50L/分鐘。
5、 減薄結(jié)束，用無塵纖維紙擦拭減薄芯片，直至干凈，然后將已減薄芯 片從保護膜上取下來，減薄芯片正面朝上距離微型熱風(fēng)機口下方20 30cm，
吹10 15分鐘；吹干溫度為60-10CTC;直至芯片表面水跡完全吹干；
6、 交出滿足工藝要求芯片。
本發(fā)明所述的片狀物是廢芯片或大塊的長方形硅片等。 本發(fā)明所述的保護膜為聚氯乙烯材料制成，保護膜厚度為140lam士10Mm。 本發(fā)明與已有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點
1、 本發(fā)明在不改變現(xiàn)有減薄設(shè)備、工裝夾具等的情況下，解決了芯片級 尺寸減薄問題；
2、 本發(fā)明解決了芯片級尺寸減薄中芯片非常容易被純水等沖走的情況， 使成品率幾乎為100%;
3、 解決了厚度均勻問題，減薄后芯片厚度一致與圓片減薄厚度一致性相 當，平整度達到設(shè)備所給的技術(shù)指標；
4、 解決了芯片級尺寸減薄后芯片邊緣缺損、存在一定微裂紋等問題。
具體實施例方式
下面本發(fā)明將結(jié)合實施例作進一步描述
實施例一將100顆厚度為630Mm、尺寸大小為6mmX6mm芯片減薄至350(jm，
采用以下工藝步驟
取IOO顆厚度為630,的芯片，將芯片圖形面朝下緊密整齊拼排在減薄 用正面保護膜中央，每行10只共10行，形成一個正方形，在芯片外圍放置 廢的較大的、厚度與芯片相當?shù)膹U芯片，廢芯片圍成一個緊密的大正方形區(qū) 域；(采用己有技術(shù)中的磨削法進行減薄)設(shè)置減薄厚度為350|om，開始通過 金剛砂輪和吸附小芯片的陶瓷吸盤以相反方向旋轉(zhuǎn)，借助于金剛砂輪將小芯 片磨削變薄，并由純水帶走磨削下來的硅渣，金剛砂輪轉(zhuǎn)速為800轉(zhuǎn)/分鐘， 并以30,/分鐘速度下降，陶瓷吸盤以每分鐘18轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，純水流量為每分
4鐘10L 15L;減薄結(jié)束后，用無塵纖維紙擦拭己減薄芯片，無塵纖維紙臟后， 更換新的無塵纖維紙來擦拭，直至無塵纖維紙上無明顯硅屑，然后將已減薄
芯片從保護膜上取下來，正面朝上，放在微型熱風(fēng)機口下方30cm地方吹10 分鐘，熱風(fēng)溫度8(TC，直至芯片表面水跡完全吹干；交出滿足工藝要求芯片。
實施例二將72顆厚度為680pm、尺寸大小為5腿X4ram芯片減薄至300(om， 采用以下工藝步驟
取72顆厚度為680,的芯片，將芯片圖形面朝下緊密整齊拼排在減薄用 正面保護膜中央，每行9只共8行，形成一個長方形，在芯片外圍放置廢的 較大的、厚度與芯片相當?shù)膹U芯片，廢芯片圍成一個緊密的大長方形區(qū)域； 設(shè)置減薄厚度為300,，開始通過金剛砂輪和吸附小芯片的陶瓷吸盤以相反 方向旋轉(zhuǎn)，借助于金剛砂輪將小芯片磨削變薄，并由純水帶走磨削下來的硅 渣，金剛砂輪轉(zhuǎn)速為750轉(zhuǎn)/分鐘，并以25—分鐘速度下降，陶瓷吸盤以每分 鐘18轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，純水流量為每分鐘10L 15L;減薄結(jié)束后，也可用99%無 水酒精浸泡無塵纖維紙擦拭已減薄芯片，無塵纖維紙臟后，更換新的無塵纖 維紙來擦拭，直至無塵纖維紙上無明顯硅屑，然后將已減薄芯片從保護膜上 取下來，正面朝上，放在微型熱風(fēng)機口下方25cm地方吹12分鐘，熱風(fēng)溫度 7(TC，直至芯片表面水跡完全吹干；交出滿足工藝要求芯片。
實施例三將2顆厚度為550pm、尺寸大小為6mmX5ram芯片減薄至280,， 采用以下工藝步驟
取2顆厚度為550nm的芯片，將芯片圖形面朝下緊密整齊拼排在減薄用 正面保護膜上，排成1行，形成一個長方形，在芯片外圍放置廢的較大的、 厚度與芯片相當?shù)膹U芯片，廢芯片圍成一個緊密的大長方形區(qū)域；設(shè)置減薄 厚度為280^，開始通過金剛砂輪和吸附小芯片的陶瓷吸盤以相反方向旋轉(zhuǎn)， 借助于金剛砂輪將小芯片磨削變薄，并由純水帶走磨削下來的硅渣，金剛砂 輪轉(zhuǎn)速為850轉(zhuǎn)/分鐘，并每25pm/分鐘速度下降，陶瓷吸盤以每分鐘18轉(zhuǎn)速 度旋轉(zhuǎn)，純水流量為每分鐘10L-15L;減薄結(jié)束后，用無塵纖維紙擦拭已減 薄芯片，無塵纖維紙臟后，更換新的無塵纖維紙來擦拭，直至無塵纖維紙上 無明顯硅屑，然后將己減薄芯片從保護膜上取下來，正面朝上，放在微型熱 風(fēng)機口下方20cm地方吹15分鐘，熱風(fēng)溫度6(TC，直至芯片表面水跡完全吹 干；交出滿足工藝要求芯片。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體芯片的減薄方法，其特征是采用以下工藝步驟(1)、將芯片有圖形的面朝下行列拼排；(2)、芯片需減薄正面粘附在保護膜，形成一個正方形或長方形；(3)、在正方形或長方形外圍放置面積、厚度與芯片面積、厚度相當?shù)钠瑺钗?，再圍成一個正方形或長方形，使減薄時中間芯片受力均勻；(4)、設(shè)置減薄厚度，采用磨削法開始減??；通過金剛砂輪和吸附芯片的陶瓷吸盤以相反方向旋轉(zhuǎn)，借助于金剛砂輪將芯片磨削變薄為所需厚度，并由純水帶走磨削下來的硅渣；金剛砂輪轉(zhuǎn)速為700～1200轉(zhuǎn)/分鐘，并以20～300μm/分鐘速度下降，陶瓷吸盤旋轉(zhuǎn)速度為15～25轉(zhuǎn)/分鐘，純水流量為10L～15L/分鐘；(5)、減薄結(jié)束，用無塵纖維紙擦拭減薄芯片，直至無塵纖維紙上無明顯硅屑，然后將已減薄芯片從保護膜上取下；再將減薄芯片正面朝上，距離微型熱風(fēng)機口下方20～30cm，吹10～15分鐘；吹干溫度為60-100℃；直至芯片表面水跡完全吹干；(6)、交出滿足工藝要求芯片。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片的減薄方法，其特征在于所述 的片狀物是廢芯片或長方形硅片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片的減薄方法，具體地說是半導(dǎo)體芯片等器件厚度的減薄工藝，屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。特征是將半導(dǎo)體器件有圖形的面朝下行列拼排；需減薄正面粘附在保護膜上，形成一個正方形或長方形；在正方形或長方形外圍放置面積、厚度與半導(dǎo)體器件面積、厚度相當?shù)钠瑺钗?，再圍成一個正方形或長方形，使減薄時中間半導(dǎo)體器件受力均勻；再設(shè)置減薄厚度，采用磨削法開始減?。粶p薄結(jié)束后，已減薄芯片后處理；最后交出滿足工藝要求芯片。本發(fā)明不需改變現(xiàn)有的減薄設(shè)備、工裝夾具等；減薄后芯片厚度一致與圓片減薄厚度一致性相當，成品率高；芯片級尺寸減薄后芯片邊緣無缺損、無裂紋。
文檔編號H01L21/304GK101308778SQ20081012354
公開日2008年11月19日 申請日期2008年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月6日
發(fā)明者丁榮崢, 剛 吳, 文 章 申請人:無錫中微高科電子有限公司