專利名稱：檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種檢測(cè)方法，且特別是有關(guān)于一種用以檢測(cè)一圓盤 的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
隨著數(shù)字電子時(shí)代的來(lái)臨，半導(dǎo)體芯片已廣泛地應(yīng)用在各式各樣的電 子裝置中，而市場(chǎng)上對(duì)于半導(dǎo)體芯片的需求也日益殷切。因此，對(duì)于能夠 以便宜成本生產(chǎn)大量半導(dǎo)體芯片的技術(shù)也不斷尋求改良的方式。 一般在半 導(dǎo)體芯片的制造工藝中，包括有利用一檢測(cè)裝置進(jìn)行檢測(cè)的步驟，是于晶
片(wafer)的生產(chǎn)過程中檢測(cè)晶片表面，以通過檢測(cè)結(jié)果來(lái)顯示目前工藝 的狀況。進(jìn)一步可于工藝中反映出工藝質(zhì)量的異常，藉以監(jiān)控工藝品質(zhì)。 因此，晶片表面上用以進(jìn)行晶片表面檢測(cè)的測(cè)量點(diǎn)位置的決定，便會(huì)直接 影響檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示現(xiàn)有晶片表面上測(cè)量點(diǎn)分布的示意圖。為了方便 決定多個(gè)測(cè)量點(diǎn)13于晶片表面10的位置，目前業(yè)界常用的決定方式，是 將晶片表面10上的測(cè)量點(diǎn)13依同心圓分布，并且以對(duì)稱的方式配置。此 外，當(dāng)檢測(cè)多個(gè)晶片表面10時(shí)，每一次檢測(cè)晶片表面10的測(cè)量點(diǎn)13的 配置方式均相同。
然而，由于測(cè)量點(diǎn)13是依同心圓分布，且每一片晶片的測(cè)量位置均 相同，所以測(cè)量結(jié)果只能反映同心圓的狀況，無(wú)法完整表達(dá)整體制造工藝 的狀況，進(jìn)而無(wú)法有效地實(shí)時(shí)監(jiān)控制造工藝的質(zhì)量。此外，測(cè)量點(diǎn)13的 位置及數(shù)目，無(wú)法有效地與欲達(dá)到的檢測(cè)敏感度配合。也就是說，現(xiàn)有的 檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置，無(wú)法有效地通過對(duì)應(yīng)調(diào)整測(cè)量點(diǎn)13的位置及數(shù)目 來(lái)改變檢測(cè)敏感度，大大限制了檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置的應(yīng)用靈活性
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種檢測(cè)方法及一種檢測(cè)裝 置，用以檢測(cè)一圓盤。檢測(cè)方法是將圓盤的表面分割為多個(gè)面積相等的區(qū) 域，并且在這些區(qū)域中決定出多個(gè)測(cè)量位置，使得檢測(cè)位置可以涵蓋圓盤 表面上不同半徑及不同圓心角，藉以可提升圓盤檢測(cè)的準(zhǔn)確性。
根據(jù)本發(fā)明，提出一種檢測(cè)方法，用以檢測(cè)一圓盤。首先，將對(duì)應(yīng)于 圓盤的一坐標(biāo)平面分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域。接著，于此多個(gè)區(qū)域中決 定多個(gè)測(cè)量位置。其次，經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測(cè)量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于 圓盤的多個(gè)測(cè)量位置組。然后，依照此多個(gè)測(cè)量位置組檢測(cè)圓盤。
根據(jù)本發(fā)明，另提出一種檢測(cè)方法，用以檢測(cè)一圓盤。首先，由多個(gè) 區(qū)域提供多個(gè)測(cè)量位置組，此多個(gè)區(qū)域是通過根據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓 心角參數(shù)分割對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面而形成。而后，利用抽出不放回的 方式，由此多個(gè)測(cè)量位置組中取出多個(gè)測(cè)量位置組，以組成一個(gè)測(cè)量位置 組集合。然后，依照取出的測(cè)量位置組集合檢測(cè)圓盤。
根據(jù)本發(fā)明，再提出一種檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)一圓盤。檢測(cè)裝置包括 一分割單元、 一決定單元、 一轉(zhuǎn)換單元以及一檢測(cè)單元。分割單元用以將 對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面分割為具有相同面積的多個(gè)區(qū)域。決定單元用以 于此多個(gè)區(qū)域中決定出多個(gè)測(cè)量位置。轉(zhuǎn)換單元用以經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此 多個(gè)測(cè)量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于圓盤的多個(gè)測(cè)量位置組。檢測(cè)單元用以依照此 多個(gè)測(cè)量位置組檢測(cè)圓盤。
根據(jù)本發(fā)明，更提出一種檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)一圓盤。檢測(cè)裝置包括 一取出單元以及一檢測(cè)單元。取出單元用以由多個(gè)測(cè)量位置組中利用抽出 不放回的方式取出多個(gè)測(cè)量位置組，以組成一個(gè)測(cè)量位置組集合。此多個(gè) 測(cè)量位置組是由根據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)分割對(duì)應(yīng)于圓盤的 一坐標(biāo)平面而形成的多個(gè)區(qū)域所獲得。檢測(cè)單元用以依照取出的測(cè)量位置 組集合檢測(cè)圓盤。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳的實(shí)施例，并配 合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1繪示現(xiàn)有晶片表面上測(cè)量點(diǎn)分布的示意圖；圖2繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)裝置的功能方塊圖3繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法的流程圖4繪示半徑平方參數(shù)及圓心角參數(shù)的坐標(biāo)圖5繪示分割為面積相等的多個(gè)測(cè)量區(qū)域的一圓盤的示意圖6繪示各晶片表面檢測(cè)值的平均值與真實(shí)平均值的差值的曲線以及
圖7繪示各晶片表面檢測(cè)值的標(biāo)準(zhǔn)差與真實(shí)標(biāo)準(zhǔn)差的差值的曲線圖。
主要元件符號(hào)說明
10:晶片表面
13、 43(1) 43(6):測(cè)量點(diǎn)
31:區(qū)域 33:測(cè)量位置 41:測(cè)量區(qū)域 100:檢測(cè)裝置 110:分割單元 130:決定單元 150:轉(zhuǎn)換單元 170:檢測(cè)單元 190:取出單元 400:圓盤 A、 B、 C、 D:曲線
rl r6:徑向分割的部分 ei e6:圓心角分割的部分
具體實(shí)施例方式
依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)一圓盤
(disk)。檢測(cè)方法中是將圓盤的表面分割為面積相同的多個(gè)區(qū)域，并于決
定出多個(gè)測(cè)量位置(measuring location)之后，利用坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測(cè) 量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于圓盤的一測(cè)量位置組(set of measuring locations )。以下是提出一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，實(shí)施例僅用以作為范例說明，并不會(huì)限 縮本發(fā)明欲保護(hù)的范圍。此外，實(shí)施例中的圖式是省略不必要的元件，以 清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)裝置的功能方塊圖。
檢測(cè)裝置100是用以檢測(cè)圓盤，其是包括一分割單元110、 一決定單元 (determining unit) 130、 一轉(zhuǎn)換單元(transferring unit) 150以及一檢測(cè) 單元170。分割單元110是用以將對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面分割為具有相 同面積的多個(gè)區(qū)域。決定單元130用以于此多個(gè)區(qū)域中決定出多個(gè)測(cè)量位 置。轉(zhuǎn)換單元150用以經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測(cè)量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于圓 盤的多個(gè)測(cè)量位置組。檢測(cè)單元170用以依照此多個(gè)測(cè)量位置組檢測(cè)圓盤。
本實(shí)施例的檢測(cè)方法是輔以圖3進(jìn)行說明如下。圖3繪示依照本發(fā)明 較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法的流程圖。本實(shí)施例的檢測(cè)方法首先執(zhí)行步驟Sl， 是將對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域。于本實(shí)施例 中，坐標(biāo)平面為由一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)所構(gòu)成的坐標(biāo)平面，且 坐標(biāo)平面是由分割單元IIO依據(jù)半徑平方參數(shù)及圓心角參數(shù)進(jìn)行分割，以 對(duì)應(yīng)將圓盤分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域。實(shí)際應(yīng)用上，檢測(cè)方法可于步驟 Sl之前，先進(jìn)行設(shè)定一檢測(cè)敏感度(sensitivity)的步驟，分割單元110 是用以依照檢測(cè)敏感度來(lái)分割坐標(biāo)平面。檢測(cè)敏感度是用以決定分割的區(qū) 域的數(shù)目。請(qǐng)參照?qǐng)D4，其繪示半徑平方參數(shù)及圓心角參數(shù)的坐標(biāo)圖。本 實(shí)施例的檢測(cè)方法是于步驟Sl中，依照檢測(cè)敏感度將半徑平方參數(shù)均等 分割為n等份，并將圓心角參數(shù)均等分割為n等份，其中n為正整數(shù)。通 過這樣，可將半徑平方參數(shù)及圓心角參數(shù)所構(gòu)成的坐標(biāo)平面分割為112個(gè)區(qū) 域31。并且利用例如是極坐標(biāo)轉(zhuǎn)換，將112個(gè)區(qū)域31對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)換為圓盤表面 上的面積相等的多個(gè)測(cè)量區(qū)域。
本實(shí)施例中，是以將半徑平方參數(shù)均等分割為6等份，并將圓心角參 數(shù)均等分割為6等份為例。請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示分割為面積相等的多個(gè)測(cè) 量區(qū)域的一圓盤的示意圖。經(jīng)過極坐標(biāo)轉(zhuǎn)換之后，是對(duì)應(yīng)將圓盤400于徑 向分割為6個(gè)部分rl r6，并且將圓盤400的圓心角分割為6部分01 06， 藉以將圓盤400分割為36個(gè)面積相等的測(cè)量區(qū)域41。另外一方面，本實(shí) 施例中是以將半徑平方參數(shù)均等分割為6等份，并將圓心角參數(shù)均等分割
9為6等份為例，然而參數(shù)的分割數(shù)目是不限制于此。本實(shí)施例的檢測(cè)方法 可依照不同的檢測(cè)敏感度設(shè)定，將此兩參數(shù)分別分割為小于或大于6等份，
例如分別分割為5等份、7等份或9等份。
接下來(lái)，本實(shí)施例的檢測(cè)方法進(jìn)行步驟S3，于此多個(gè)區(qū)域31中決定 多個(gè)測(cè)量位置(measuring locations) 33。本實(shí)施例中較佳地是由決定單元 130通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)法(Design Of Experiment, DOE)的空間填充設(shè)計(jì)技術(shù) (space-filling design methodology),于此多個(gè)區(qū)域31中決定多個(gè)測(cè)量位 置33。此多個(gè)測(cè)量位置33分別對(duì)應(yīng)于不同等份的半徑平方參數(shù)以及不同 等份的圓心角參數(shù)，使得此多個(gè)測(cè)量位置33分別對(duì)應(yīng)位于不同的區(qū)域31 中，如圖4所示。本實(shí)施例中，圓心角參數(shù)為坐標(biāo)平面的縱坐標(biāo)，半徑平 方參數(shù)為坐標(biāo)平面的橫坐標(biāo)。然而，圓心角參數(shù)及半徑平方參數(shù)也可分別 為坐標(biāo)平面的橫坐標(biāo)及縱坐標(biāo)，如此可在不增加測(cè)量位置33數(shù)量的條件 下，取得不同分布方式的測(cè)量位置33。
再來(lái)，如步驟S5所示，經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測(cè)量位置33轉(zhuǎn)換為 對(duì)應(yīng)于圓盤400的一測(cè)量位置組(set of measuring locations)。本實(shí)施例中， 較佳地是由轉(zhuǎn)換單元150進(jìn)行轉(zhuǎn)換的動(dòng)作。每一測(cè)量位置組較佳地包含多 個(gè)(本實(shí)施例中例如為6個(gè))圓盤400上的測(cè)量點(diǎn)43(1) 43(6)。由于此 多個(gè)測(cè)量位置33分別對(duì)應(yīng)位于不同的區(qū)域31中，因此此多個(gè)測(cè)量點(diǎn) 43(1) 43(6)分別對(duì)應(yīng)位于圓盤400的不同的測(cè)量區(qū)域41中。本實(shí)施例中， 例如是利用極坐標(biāo)轉(zhuǎn)換的方式將此多個(gè)測(cè)量位置33轉(zhuǎn)換為圓盤400上的 此多個(gè)測(cè)量點(diǎn)43(1) 43(6)。更詳細(xì)地來(lái)說，本實(shí)施例的轉(zhuǎn)換此多個(gè)測(cè)量 位置33的方法，首先例如是于圓盤400上設(shè)定一起始圓心角，并且接著 經(jīng)由檢測(cè)裝置100的轉(zhuǎn)換單元150從起始圓心角開始，依序?qū)⒋硕鄠€(gè)測(cè)量 位置33轉(zhuǎn)換為圓盤400上的此多個(gè)測(cè)量位置組。
本實(shí)施例的檢測(cè)方法接著執(zhí)行步驟S7，依照此多個(gè)測(cè)量位置組檢測(cè)圓 盤400。本實(shí)施例中，是由檢測(cè)裝置100的檢測(cè)單元170進(jìn)行檢測(cè)的動(dòng)作。
另外一方面，本實(shí)施例的檢測(cè)裝置100更包括一取出單元190。本實(shí) 施例的檢測(cè)方法中，是可重復(fù)執(zhí)行步驟S3及步驟S5數(shù)次，直到獲得此多 個(gè)數(shù)目的測(cè)量位置組。接著由取出單元190利用抽出不放回的方式，從此 多個(gè)測(cè)量位置組當(dāng)中取出多個(gè)測(cè)量位置組，以組成一測(cè)量位置組集合(collection of sets),并且由檢測(cè)單元170依照取出的測(cè)量位置組集合檢測(cè) 圓盤400。由于每一次執(zhí)行步驟S3時(shí)均通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)法的空間填充設(shè)計(jì)技 術(shù)決定多個(gè)測(cè)量位置，可使每一次由步驟S5對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)換出的測(cè)量位置組均 不相同。再者，每一次執(zhí)行步驟S5時(shí)，可選擇性地改變起始圓心角，也 可使得對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)換出的測(cè)量位置組均不相同。如此一來(lái)，可使圓盤400分別 對(duì)應(yīng)由不同的測(cè)量位置組來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。
以下是根據(jù)模擬檢測(cè)結(jié)果來(lái)進(jìn)行說明。可應(yīng)用于圓盤400的范例是包 括一晶片(wafer)。在模擬的步驟中，首先利用統(tǒng)計(jì)方法隨機(jī)產(chǎn)生晶片編 號(hào)1至晶片編號(hào)100的100片具有工藝缺陷圖案的晶片映像數(shù)據(jù)(wafer mapping data),用以作為真實(shí)的測(cè)量值的計(jì)算基礎(chǔ)。接著，依據(jù)現(xiàn)有的檢 測(cè)方法，于每一個(gè)晶片表面上取得9個(gè)位于同心圓上且對(duì)稱的測(cè)量點(diǎn)，并 進(jìn)行檢測(cè)以取得測(cè)量值。另外，依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法，于每 一個(gè)晶片表面上取得9個(gè)測(cè)量點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)，以取得測(cè)量值。再來(lái)，將各晶 片表面上的測(cè)量點(diǎn)所取得的測(cè)量值的平均值與真實(shí)測(cè)量值的平均值的差 值，繪制成曲線圖，并且將各晶片表面上的測(cè)量點(diǎn)所取得的測(cè)量值的標(biāo)準(zhǔn) 差與真實(shí)測(cè)量值的標(biāo)準(zhǔn)差的差值，繪制成曲線圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示各 晶片表面檢測(cè)值的平均值與真實(shí)平均值的差值的曲線圖。曲線A代表依照 本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法的檢測(cè)值，曲線B代表依照現(xiàn)有檢測(cè)方法的 檢測(cè)值。由圖5可知，相較于曲線B，曲線A實(shí)質(zhì)上更接近真實(shí)的平均值。 請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示各晶片表面檢測(cè)值的標(biāo)準(zhǔn)差與真實(shí)標(biāo)準(zhǔn)差的差值的曲 線圖。曲線C代表依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法的檢測(cè)值，曲線D 代表依照現(xiàn)有檢測(cè)方法的檢測(cè)值。由圖6可知，相較于曲線D，曲線C實(shí) 質(zhì)上更接近真實(shí)的標(biāo)準(zhǔn)差。根據(jù)上述模擬實(shí)驗(yàn)的檢測(cè)結(jié)果可知，依照本發(fā) 明較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法取得的檢測(cè)值的平均值及標(biāo)準(zhǔn)差，相較于現(xiàn)有檢 測(cè)方法取得的檢測(cè)值的平均值及標(biāo)準(zhǔn)差，更接近真實(shí)的檢測(cè)值。因此，依 照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法更可表達(dá)制造工藝的真實(shí)狀況，有效提升 檢測(cè)的準(zhǔn)確性。
上述依照本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置，是將圓盤(例如 為晶片)表面分割為面積相等的多個(gè)測(cè)量區(qū)域，并且利用坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將多個(gè) 測(cè)量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)圓盤表面的一個(gè)測(cè)量位置組。此外，檢測(cè)方法是于獲得多個(gè)測(cè)量位置組之后，利用抽出不放回的方式從此多個(gè)測(cè)量位置組中取 出多個(gè)以組成一個(gè)測(cè)量位置組集合，并且依照測(cè)量位置組集合檢測(cè)圓盤。 本發(fā)明較佳實(shí)施例的檢測(cè)方法中，可依照預(yù)先設(shè)定的檢測(cè)敏感度，決定圓 盤上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)量，具有良好的檢測(cè)靈活性。再者，由于每次檢測(cè)圓盤的 測(cè)量位置組均不相同，且每一個(gè)測(cè)量位置組均涵蓋不同的半徑與圓心角區(qū) 域，是可提升檢測(cè)的準(zhǔn)確性，進(jìn)而使測(cè)量結(jié)果更能充分反映工藝現(xiàn)況。此 外，檢測(cè)方法可應(yīng)用于在線的檢測(cè)系統(tǒng)中，通過檢測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)取得圓盤表 面上的檢測(cè)點(diǎn)，可于工藝中實(shí)時(shí)進(jìn)行圓盤表面的質(zhì)量檢測(cè)，以實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)圓 盤質(zhì)量的異常，提升檢測(cè)效率。
綜上所述，雖然本發(fā)明己以一較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限 定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精 神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán) 利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種檢測(cè)方法，用以檢測(cè)一圓盤，其特征在于，該方法包括將對(duì)應(yīng)于該圓盤的一坐標(biāo)平面分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域；于該多個(gè)區(qū)域中決定多個(gè)測(cè)量位置；經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將該多個(gè)測(cè)量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于該圓盤的多個(gè)測(cè)量位置組；以及依照該多個(gè)測(cè)量位置組檢測(cè)該圓盤。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，于分割該坐標(biāo)平 面的該步驟中，該坐標(biāo)平面是依據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)進(jìn)行分 割的。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，該半徑平方參數(shù) 及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平面的坐標(biāo)軸項(xiàng)目。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，于決定該多個(gè)測(cè) 量位置的該步驟中，該多個(gè)測(cè)量位置是由實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)法的空間填充設(shè)計(jì)技術(shù) 決定的。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，于決定該多個(gè)測(cè) 量位置的該步驟中，該多個(gè)測(cè)量位置分別對(duì)應(yīng)于不同的該多個(gè)區(qū)域。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，于分割該坐標(biāo)平 面的該步驟前，該方法更包括設(shè)定一檢測(cè)敏感度，以決定該多個(gè)區(qū)域的數(shù)目。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)方法，其特征在于，于分割該坐標(biāo)平 面的該步驟中，該坐標(biāo)平面是依照該檢測(cè)敏感度將該半徑平方參數(shù)均等分 割為n等份，并將該圓心角參數(shù)均等分割為n等份，其中n為正整數(shù)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)方法，其特征在于，于決定該多個(gè)測(cè) 量位置的該步驟中，該多個(gè)測(cè)量位置分別對(duì)應(yīng)不同等份的該半徑平方參數(shù) 及不同等份的該圓心角參數(shù)，使得該多個(gè)測(cè)量位置分別對(duì)應(yīng)位于不同的該 多個(gè)區(qū)域中。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，轉(zhuǎn)換該多個(gè)測(cè)量 位置的該步驟包括設(shè)定一起始圓心角；及由該起始圓心角依序?qū)⒃摱鄠€(gè)測(cè)量位置轉(zhuǎn)換為 該多個(gè)測(cè)量位置組。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，更包括-重復(fù)執(zhí)行決定該多個(gè)測(cè)量位置的該步驟及轉(zhuǎn)換該多個(gè)測(cè)量位置的該步驟，直到獲得該多個(gè)測(cè)量位置組；及利用抽出不放回的方式，由該多個(gè) 測(cè)量位置組中取出多個(gè)測(cè)量位置組，以組成一測(cè)量位置組集合，并依照取 出的該測(cè)量位置組集合檢測(cè)該圓盤。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，該圓盤包括一晶片。
12、 一種檢測(cè)方法，用以檢測(cè)一圓盤，其特征在于，該檢測(cè)方法包括 由多個(gè)區(qū)域提供多個(gè)測(cè)量位置組，該多個(gè)區(qū)域是通過根據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)分割對(duì)應(yīng)于該圓盤的一坐標(biāo)平面而形成；利用抽出不放回的方式，由該多個(gè)測(cè)量位置組中取出多個(gè)測(cè)量位置組，以組成一個(gè)測(cè)量位置組集合；以及依照取出的該測(cè)量位置組集合檢測(cè)該圓盤。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測(cè)方法，其特征在于，于提供該多個(gè) 測(cè)量位置組的該步驟中，該半徑平方參數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平 面的一縱坐標(biāo)及一橫坐標(biāo)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測(cè)方法，其特征在于，于提供該多個(gè) 測(cè)量位置組的該步驟中，該半徑平方參數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平 面的一橫坐標(biāo)及一縱坐標(biāo)。
15、 一種檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)一圓盤，其特征在于，該檢測(cè)裝置包括 一分割單元，用以將對(duì)應(yīng)于該圓盤的一坐標(biāo)平面分割為具有相同面積的多個(gè)區(qū)域；一決定單元，用以于該多個(gè)區(qū)域中決定出多個(gè)測(cè)量位置； 一轉(zhuǎn)換單元，用以經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將該多個(gè)測(cè)量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于該 圓盤的多個(gè)測(cè)量位置組；以及一檢測(cè)單元，用以依照該多個(gè)測(cè)量位置組檢測(cè)該圓盤。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，該分割單元用 以依據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)將該坐標(biāo)平面分割為該多個(gè)區(qū)域。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，該半徑平方參 數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平面的一縱坐標(biāo)及一橫坐標(biāo)；或者該半徑平方參數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平面的一橫坐標(biāo)及一 縱坐標(biāo)。
18、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，該決定單元是 通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)法的空間填充設(shè)計(jì)技術(shù)決定該多個(gè)測(cè)量位置。
19、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，該多個(gè)測(cè)量位置分別對(duì)應(yīng)于不同的該多個(gè)區(qū)域。
20、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，該分割單元是 依照一檢測(cè)敏感度分割該坐標(biāo)平面，以決定該多個(gè)區(qū)域的數(shù)目。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，該分割單元是 用以依據(jù)一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)將該坐標(biāo)平面分割為該多個(gè)區(qū) 域，該分割單元是用以將該半徑平方參數(shù)均等分割為n等份，并將該圓心 角參數(shù)均等分割為n等份，其中n為正整數(shù)。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，該多個(gè)測(cè)量位 置分別對(duì)應(yīng)不同等份的該半徑平方參數(shù)及不同等份的該圓心角參數(shù)，使得 該多個(gè)測(cè)量位置分別對(duì)應(yīng)位于不同的該多個(gè)區(qū)域中。
23、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，該轉(zhuǎn)換單元是 用以由一起始圓心角依序?qū)⒃摱鄠€(gè)測(cè)量位置轉(zhuǎn)換為該多個(gè)測(cè)量位置組。
24、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，更包括 一取出單元，用以由該多個(gè)測(cè)量位置組中，利用抽出不放回的方式取出多個(gè)測(cè)量位置組，以組成一測(cè)量位置組集合；其中，該檢測(cè)單元用以依照取出的該測(cè)量位置組集合檢測(cè)該圓盤。
25、 一種檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)一圓盤，其特征在于，該檢測(cè)裝置包括 一取出單元，用以由多個(gè)測(cè)量位置組中利用抽出不放回的方式取出多個(gè)測(cè)量位置組，以組成一個(gè)測(cè)量位置組集合，該多個(gè)測(cè)量位置組是由根據(jù) 一半徑平方參數(shù)及一圓心角參數(shù)分割對(duì)應(yīng)于該圓盤的一坐標(biāo)平面而形成 的多個(gè)區(qū)域所獲得；以及一檢測(cè)單元，用以依照取出的該測(cè)量位置組集合檢測(cè)該圓盤。
26、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，該半徑平方參數(shù)及該圓心角參數(shù)分別為該坐標(biāo)平面的坐標(biāo)軸項(xiàng)目。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置。檢測(cè)裝置包括一分割單元、一決定單元、一轉(zhuǎn)換單元以及一檢測(cè)單元。檢測(cè)方法包括以下步驟。首先，將對(duì)應(yīng)于圓盤的一坐標(biāo)平面分割為面積相等的多個(gè)區(qū)域。其次，于此多個(gè)區(qū)域中決定多個(gè)測(cè)量位置。接著，經(jīng)由一坐標(biāo)轉(zhuǎn)換將此多個(gè)測(cè)量位置轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于圓盤的多個(gè)測(cè)量位置組。然后，依照此多個(gè)測(cè)量位置組檢測(cè)圓盤。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101630649SQ200810169190
公開日2010年1月20日 申請(qǐng)日期2008年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月16日
發(fā)明者周宗賢, 涂凱文, 潘文森, 王仁宏 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司