專利名稱：發(fā)光元件電路及有源矩陣型顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具備例如有機電致發(fā)光(EL)元件等自發(fā)光元件的發(fā)光元件電路及具 備該發(fā)光元件電路的有源矩陣型顯示裝置。
背景技術：
近年來，代替CRT (Cathode Ray Tube,陰極射線管)，對于 FPD (FlatPanel Display，平板顯示器)的關注提高。作為代表性的FPD，LCD (LiquidCrystal Display，液 晶顯示器)及PDP (Plasma Display Panel，等離子體顯示板)已經實用化。但是，對于這些 FPD，指出了存在如下的問題。S卩，因為IXD其本身不發(fā)光，所以需要高亮度(brightness)的背光源，其結果，存 在功耗升高的趨勢。并且，關于視場角及響應速度，與CRT相比，IXD也差。另一方面，PDP 采用自發(fā)光元件，而且，其關于視場角及響應速度也具有與CRT同等以上的性能?？墒?，在 PDP的情況下，由于驅動需要高電壓，所以存在難以實現(xiàn)低功耗化的問題。與IXD及PDP具有上述的問題相對，有機EL器件有可能解決這些問題。因此，作 為下一代FPD的侯選，具備有機EL器件的顯示裝置受到關注。有機EL器件通常以如下的方法制成。首先，在洗凈了的玻璃、石英或塑料等支持 基板上，形成陽極(了 7— K )，并進行圖案形成。雖然一般而言，作為陽極，選擇功函數大 的ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)，但是也可以是其他的金屬。在陽極的形成中，通 常采用濺射法。在這樣形成了陽極之后，進行有機EL層(發(fā)光層)的形成。一般而言，如果是低 分子有機EL的情況，則通過真空蒸鍍法形成有機EL層；另一方面，如果是高分子有機EL的 情況，則通過旋涂法或噴墨法形成。在此，在需要有機EL的分涂的情況下選擇噴墨法。還有，在形成有機EL層的前后，為了提高發(fā)光效率，也會有形成中間層及空穴注 入層的情況。在有機EL層的形成后，通過真空蒸鍍等形成陰極(力〃一 K )并封裝。由此，完 成有機EL器件。在將這樣制成的有機EL器件應用于顯示裝置的情況下，一般而言，有機EL器件配 設為矩陣狀。將與有機EL器件一起形成薄膜晶體管(TFT =Thin Film Transistor)并由該 TFT對有機EL進行驅動的顯示裝置稱為有源矩陣驅動型的顯示裝置，將不形成TFT而僅用 電極進行驅動的顯示裝置稱為無源矩陣驅動型的顯示裝置。在有源矩陣驅動的情況下，因為通過設置于各像素中的TFT進行開關，所以存在 串擾非常小的優(yōu)點，以及因為不需要如無源矩陣驅動那樣以高亮度使之發(fā)光，所以存在能 夠延長壽命的優(yōu)點等。另一方面，在有源矩陣驅動的情況下，存在因TFT的閾值及遷移率等 的不均而產生亮度不均的缺點。因此，要實現(xiàn)良好的圖像顯示，就產生了對這樣的亮度不均 進行補償(初期亮度補償)的需要。該初期亮度補償，存在內部補償方式(例如，參照專利文獻1)和外部補償方式(例如，參照專利文獻2)，其中，所述內部補償方式通過由用TFT構成的編程電路進行電壓 編程而進行補償，所述外部補償方式通過在面板的外部存儲器中保存亮度數據而進行補償。在上述的初期亮度補償成為問題的另一方面，TFT及有機EL的特性的歷時劣化也成為問題。有機EL器件是直流電流驅動型的器件，與驅動時間相應地，TFT及有機EL的特 性會劣化，進而產生亮度不均。對此，考慮通過反饋在有機EL中流動的電流而進行亮度不 均的補償(歷時亮度補償)的對策(參照專利文獻3)。專利文獻1 特開2004-341444號公報專利文獻2 特開平9-305146號公報專利文獻3 特開2002-278513號公報可是，在上述那樣的以往的驅動方法及顯示裝置的情況下，存在如下的問題。艮口， 在作為初期亮度補償的對策的、以電壓編程及電流編程為代表的內部補償方式中，因為各 像素所需的TFT數及布線數大幅度地增加，所以造成成品率的降低。并且，在外部補償方式 中，因為在顯示所需的數據位以外，還需要亮度補償用的數據位，所以存在輸出數據的源驅 動器變得高價格的問題。并且，即使是歷時亮度補償的情況，因為與上述的外部補償方式同樣需要亮度補 償用的數據位，所以也存在源驅動器變得高價格的問題。進而，在通過以噴墨為代表的印刷方法形成有機EL的情況下，存在沿印刷方向容 易產生膜厚不均、由此容易線狀地產生亮度不均的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于如此的情形而進行的，其目的在于提供不使用高價格的源驅動器并 且不使各像素的TFT數大幅度地增加而能夠簡易地實現(xiàn)亮度補償的發(fā)光元件電路及具備 該發(fā)光元件電路的有源矩陣型顯示裝置。并且，本發(fā)明的另一目的在于提供能夠簡易且低價格地對因印刷引起的亮度不均 進行補償的發(fā)光元件電路及有源矩陣型顯示裝置。為了解決上述的問題，本發(fā)明的發(fā)光元件電路，與互相交叉地排列的多條柵線及 多條源線的交叉點對應地分別配設，具備根據所供給的電流進行發(fā)光的發(fā)光元件；對供 給至前述發(fā)光元件的電流進行控制的驅動用晶體管；以及對前述驅動用晶體管的導通截止 工作進行控制的控制用晶體管；前述驅動用晶體管具備體端子，使用提供給該體端子的電 壓，進行前述發(fā)光元件的亮度校正。這樣，通過驅動用晶體管具備體端子，利用提供給該體端子的電壓進行發(fā)光元件 的亮度校正，可以用簡易的結構對亮度不均進行補償。本發(fā)明的有源矩陣型顯示裝置，具備互相交叉地排列的多條柵線及多條源線和與 該多條柵線及該多條源線的交叉點對應地分別配設的發(fā)光元件電路，各個前述發(fā)光元件電 路具備根據所供給的電流進行發(fā)光的發(fā)光元件；對供給至前述發(fā)光元件的電流進行控制 的驅動用晶體管；以及對前述驅動用晶體管的導通截止工作進行控制的控制用晶體管；前 述驅動用晶體管具備體端子，使用提供給該體端子的電壓，進行前述發(fā)光元件的亮度校正。并且，在前述發(fā)明的有源矩陣型顯示裝置中，在列方向或行方向上并排設置的多個前述發(fā)光元件電路所具備的前述驅動用晶體管的前述體端子也可以共同連接。并且，在前述發(fā)明的有源矩陣型顯示裝置中，配設為矩陣狀的多個前述發(fā)光元件 電路所具備的前述驅動用晶體管的前述體端子也可以共同連接。并且，前述發(fā)明的有源矩陣型顯示裝置也可以構成為根據前述發(fā)光元件電路所 具備的前述發(fā)光元件的劣化狀態(tài)，對前述驅動用晶體管的前述體端子提供電壓。在該情況 下，優(yōu)選前述發(fā)光元件的劣化狀態(tài)，使用該發(fā)光元件的亮度、在該發(fā)光元件中流動的電流 和/或該發(fā)光元件的兩端的電位進行檢測。本發(fā)明的上述目的、其他目的、特征及優(yōu)點，在參照附圖的基礎下，從以下的優(yōu)選 實施方式的詳細的說明中得以明確。根據本發(fā)明，能夠不會伴隨TFT數量的增加及源驅動器的高成本化等，而對以有 機EL元件為中心的發(fā)光元件的亮度不均進行補償。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的有源矩陣型顯示裝置的結構的框圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的顯示裝置所具備的發(fā)光元件電路的結構的一例 的電路圖。圖3是表示驅動用晶體管的布局例子的俯視圖。圖4是表示4端子的驅動用晶體管的柵、源間的漏電流與體電位的關系的曲線圖。圖5是表示本發(fā)明的實施方式2的顯示裝置所具備的有源矩陣基板的結構的電路 圖。圖6是示意性地表示作為印刷裝置的噴墨裝置的頭的結構的圖。圖7是表示本發(fā)明的實施方式3的顯示裝置所具備的有源矩陣基板的結構的電路 圖。圖8是表示本發(fā)明的實施方式4的發(fā)光元件電路的結構的圖。圖9是表示本發(fā)明的實施方式4的發(fā)光元件電路的工作例子的時序圖。圖10是表示驅動用晶體管的源電流-柵源間電壓特性的曲線圖。符號的說明1顯示裝置，101控制用晶體管，102驅動用晶體管，103有機EL元件，104電容元 件，105電壓施加線，106柵線，107源線，110有源矩陣基板，120頭，121噴嘴，130有源矩陣 基板，201控制用晶體管，202、203晶體管，204驅動用晶體管，205有機EL元件，206、207電 容元件，212柵驅動器，213源驅動器，214不均校正驅動器，301柵端子，302源端子，303漏 端子，304體端子，305半導體層。
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。(實施方式1)(顯示裝置的結構)圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的有源矩陣型顯示裝置(以下，簡稱為“顯示裝 置”)的結構的框圖。如圖1所示，顯示裝置1具備EL顯示面板211、對該EL顯示面板211進行驅動的柵驅動器212、源驅動器213及不均校正驅動器214。EL顯示面板211是有源矩陣驅動型的有機EL顯示元件。在該EL顯示面板211中，相互交叉地配設柵線106及源線107，并且與這些柵線106及源線107的交點對應地配 設有后述的發(fā)光元件電路。即，多個發(fā)光元件電路配設為矩陣狀。柵線106及源線107分別由柵驅動器212及源驅動器213所驅動。上述的發(fā)光元件電路，如后所述具有驅動用晶體管，該驅動用晶體管具有體端子， 該體端子與不均校正用的電壓施加線105相連接。該電壓施加線105與不均校正驅動器 214相連接，由該不均校正驅動器214所驅動。(發(fā)光元件電路的結構)接下來，關于如上所述配設為矩陣狀的發(fā)光元件電路的結構進行說明。圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的顯示裝置1所具備的發(fā)光元件電路的構成的一 例的電路圖。如圖2所示，發(fā)光元件電路100具備作為具有二極管特性的發(fā)光元件的有機 EL元件103，與有機EL元件103的陽極連接并對供給至有機EL元件103的電流進行控制 的驅動用晶體管102，以及對該驅動用晶體管102的導通截止工作進行控制的控制用晶體 管 101?？刂朴镁w管101是3端子的晶體管，分別地，其柵端子連接至上述的柵線，其源 端子連接至上述的源線，并且其漏端子連接至驅動用晶體管102的柵端子。并且，驅動用晶體管102是4端子的晶體管，分別地，其柵端子如上所述，連接至控 制用晶體管101的源端子，其源端子連接至電源線Vdd，其漏端子連接至發(fā)光元件103的陽 極，其體端子如上所述，連接至電壓施加線105。發(fā)光元件電路100在控制用晶體管101與驅動用晶體管102之間具備電容元件 104。該電容元件104也可以不一定設置，而根據設計時的需要來設置。并且，電容元件104 只要能夠保持控制用晶體管101的漏極與驅動用晶體管102的柵極之間的電壓即可，從而， 也可以設置于驅動用晶體管102與電源線vdd之間。圖3是表示驅動用晶體管102的布局例子的俯視圖。驅動用晶體管102，如上所 述，具備半導體層305，與該半導體層305連接的柵端子301、源和漏端子302及303以及 體端子304。在此，半導體層305呈由非晶硅形成的底柵結構。因為體端子304以與源極、 漏極相同的層構成，所以不會為了制作4端子晶體管而產生新的工藝的增加。還有，半導體層305也可以不是非晶硅而是微結晶硅等，只要是同樣的底柵結構， 就可以原樣應用本布局。這樣，4端子晶體管也能夠在本實施方式中所示出的非晶硅晶體管以外的情況下 形成，不僅是多晶硅或單晶硅，而也可以用微晶硅、納米晶硅、有機物、氧化物化合物或碳納 米管等納米物質等構成。即，只要是呈晶體管工作的物質，則可以用任何物質構成。只是， 有時候也會并非優(yōu)選本實施方式中所示的底柵結構、而優(yōu)選未圖示的頂柵結構的物質作為 晶體管的情況。無論采用何種結構，都不會為了構成4端子晶體管而產生新的工藝的增加。還有，控制用晶體管101的半導體層也不僅是一般采用的非晶硅、多晶硅或單晶 硅，而可以用微晶硅、納米晶硅、有機物、氧化物化合物或碳納米管等納米物質等構成。在本實施方式中，控制用晶體管101及驅動用晶體管102由以空穴為載流子的P 溝道型的晶體管構成。但是，并非限定于此，而也可以由以電子為載流子的N溝道型的晶體管構成這些晶體管。這樣，可以采用P溝道型及N溝道型的任何的晶體管。只是，在考慮了制造工藝的情況下，與其用P溝道型及N溝道型雙方構成，不如僅用任意一方來構成，這從制造成本、生 產節(jié)拍時間(夕々卜夕4 A)及成品率等觀點來看是優(yōu)選的。(顯示裝置的工作)在如上所述構成的顯示裝置1中，未圖示的控制電路基于從外部的裝置輸入的圖 像信號，生成對源驅動器213輸出的圖像信號。而且，該控制電路將這樣生成的圖像信號輸 出至源驅動器213，并且向柵驅動器212及源驅動器213輸出控制信號。其結果，柵驅動器 212通過向柵線106輸出與用于使各發(fā)光元件電路100所具備的控制用晶體管101導通的 電壓對應的掃描信號，使各發(fā)光元件電路100的控制用晶體管101依次導通。另一方面，源 驅動器213與該定時一致地，經由源線107，在各發(fā)光元件電路100中寫入圖像信號。其結 果，各發(fā)光元件電路100的驅動用晶體管102進行工作，對于有機EL元件103流動與圖像 信號相應的電流。由此，各發(fā)光元件電路100的有機EL元件103進行發(fā)光，其結果，在EL 顯示面板211上，顯示對應于圖像信號的圖像。在上述那樣的顯示裝置的工作中，不均校正驅動器214通過驅動電壓施加線105， 在各發(fā)光元件電路100的驅動用晶體管102的體端子上施加適宜電壓。由此，可以進行發(fā) 光元件103的亮度調整，實現(xiàn)亮度不均補償。以下，關于該原理進行說明。圖4是表示4端子的驅動用晶體管102中的柵、源間的漏電流與體電位的關系的 曲線圖。若換言之，則為表示當使體電位發(fā)生變化時漏電流如何變化。如圖4所示，在使體電位增加的情況下(圖中的箭頭方向)，驅動用晶體管102的 閾值電壓下降(基板偏壓效應)。在晶體管為薄膜晶體管(TFT)的情況下也產生同樣的效 應得到了確認。還有，該圖4所示的是電子為載流子的N型晶體管的例子。這樣，通過對體電位進行調整，可以調整驅動用晶體管102的閾值電壓。從而，如 上所述，由不均校正驅動器214在驅動用晶體管102的體端子上施加電壓，可以進行發(fā)光元 件103的亮度調整。如上所述，在本實施方式的發(fā)光元件電路及具備該發(fā)光元件電路的顯示裝置的情 況下，不使TFT數大幅度地增加，無需使用高價格的源驅動器，而能夠以簡易的結構實現(xiàn)亮 度補償。(實施方式2)圖5是表示本發(fā)明的實施方式2的顯示裝置所具備的有源矩陣基板的結構的電路 圖。如圖5所示，該有源矩陣基板110構成為，使在實施方式1中說明的發(fā)光元件電路100 排列為矩陣狀，將各發(fā)光元件電路100的體端子在列方向上與電壓施加線105共同地連接。這樣，在使各發(fā)光元件電路100的體端子在列方向上共同連接的情況下，通過由 亮度不均校正驅動器所進行的電壓施加，能夠一次進行在列方向上排列的多個發(fā)光元件電 路100的亮度不均的補償。該結構，在從有源矩陣基板110的上部朝向下部(或從下部朝向上部)在列方向 上進行印刷而形成發(fā)光元件的情況下有效。圖6是示意性地表示作為印刷裝置的噴墨裝置的頭的結構的圖。如圖6所示，在頭120上，多個噴嘴(墨水排出孔)121形成為陣列狀。構成1個像素的多個子像素各自用1個噴嘴121形成。在頭120的情況下，能夠一次形成在行方向上排列的多個子像素的發(fā)光 元件。從而，通過使該頭120從有源矩陣基板110的上部朝向下部(或從下部朝向上部) 在列方向上移動，在有源矩陣基板110的整面上形成發(fā)光元件?！愣?，在通過這樣的印刷形成發(fā)光元件的情況下，由于各噴嘴的不均，而使由 各噴嘴形成的發(fā)光層的膜厚大多不均。其結果，因為在有源矩陣基板110上形成的發(fā)光元 件的亮度按每列不均，所以在列方向上將產生線狀的不均。在這樣的情況下，如圖5所示， 通過按每列提供在列方向上共同連接的體端子的電壓，可以消除上述線狀的不均。還有，在 體端子上，需要在發(fā)光元件進行發(fā)光的期間中始終施加電壓。雖然在本實施方式中，各發(fā)光元件電路100的驅動用晶體管102的體端子在列方 向上共同連接，但是當然也可考慮在行方向上共同連接的結構。該結構在下述情況下是有 效的，即通過使能夠一次形成在列方向上排列的多個子像素的發(fā)光元件的頭從有源矩陣基 板110的左部朝向右部(或從右部朝向左部)在行方向上移動，而在有源矩陣基板110的 整面上形成發(fā)光元件的情況。即，只要根據形成發(fā)光元件的情況下的印刷方向(與產生膜 厚不均的方向相應地)確定使體端子在行方向上共同連接還是在列方向上共同連接即可。(實施方式3)圖7是表示本發(fā)明的實施方式3的顯示裝置所具備的有源矩陣基板的結構的電路 圖。如圖7所示，該有源矩陣基板130構成為，使在實施方式1中說明的發(fā)光元件電路100 排列為矩陣狀，使各發(fā)光元件電路100的體端子全部與電壓施加線105共同連接。這樣，在使各發(fā)光元件電路100的體端子全部共同連接的情況下，通過由亮度不
均校正驅動器所進行的電壓施加，能夠一次進行全部的發(fā)光元件電路100的亮度不均的補 m
te ο該結構在下述情況等之下為有效，即因為各發(fā)光元件比初始的狀態(tài)都有劣化，所 以需要進行顯示裝置整體的亮度補償的情況。在此，作為檢測發(fā)光元件的劣化的方法，可考 慮如下方法檢測發(fā)光元件的亮度、在發(fā)光元件中流動的電流和/或在發(fā)光元件的兩端產 生的電位，并對所檢測的值與預定的閾值進行比較。并且，在本實施方式中，即使是發(fā)光元件電路100以外的一般的發(fā)光元件電路也 能夠應用。具體地，可舉出電壓編程電路、電流編程電路等。但是，至少需要使用于對發(fā)光 元件進行驅動的晶體管(一般稱為驅動晶體管)為4端子結構。(實施方式4)圖8是表示本發(fā)明的實施方式4的發(fā)光元件電路的結構的圖。如圖8所示，發(fā)光 元件電路200具備作為具有二極管特性的發(fā)光元件的有機EL元件205，與有機EL元件 205的陽極連接并對有機EL元件205進行驅動的驅動用晶體管204，以及對該驅動用晶體 管204的工作進行控制的控制用晶體管201。并且，發(fā)光元件電路200具備與驅動用晶體管204的體端子連接的晶體管203， 以及對該晶體管203的工作進行控制的晶體管202。控制用晶體管201是3端子的晶體管，分別地，其柵端子連接至柵線，其源端子連 接至源線，并且其漏端子連接至驅動用晶體管204的柵端子。并且，驅動用晶體管204是4端子的晶體管，分別地，其柵端子連接至上述的控制用晶體管201的源端子，其源端子連接至電源線vdd，其漏端子連接至發(fā)光元件205的陽極， 其體端子連接至上述的晶體管203。并且，晶體管202是3端子的晶體管，分別地，其柵端子連接至柵線，其源端子208 連接至未圖示的不均校正驅動器，其漏端子連接至晶體管203的柵端子。進而，晶體管203是4端子的晶體管，分別地，其柵端子連接至上述的晶體管202 的源端子，其源端子連接至電源線vdd，其漏端子連接至驅動用晶體管204的體端子。
如圖8所示，發(fā)光元件電路200分別在控制用晶體管201與驅動用晶體管204之間 具備電容元件206、在晶體管202與203之間具備電容元件207。這些電容元件206及207 也可以不一定設置這一點與實施方式1的情況相同。在如上所述構成的發(fā)光元件電路200的情況下，通過由不均校正驅動器在端子 208上施加電壓，能夠進行發(fā)光元件205的亮度調整。圖9是表示本發(fā)明的實施方式4的發(fā)光元件電路的工作例的時間圖。如圖9所 示，在端子208上，從不均校正驅動器輸入用于對亮度不均進行校正的電壓。在此，當在柵 線上輸入柵信號而使控制用晶體管201變成導通時(當對于驅動用晶體管204寫入數據 電壓時)，晶體管202也同時成為導通。其結果，對發(fā)光元件205進行驅動的驅動用晶體管 204的閾值電壓由于上述的基板偏壓效應而發(fā)生變化，使消除亮度不均的電流流至發(fā)光元 件205。即使在控制用晶體管201及晶體管202變成截止的情況下，也因為端子208的電位 由電容元件207所保持，所以可以對各像素的不均進行校正。(實施方式5)本發(fā)明的實施方式5對在實施方式2中不均校正驅動器214的用于進行不均補償 的結構進行了例示。在EL顯示面板211的制造工序中，一般在形成了發(fā)光元件之后，在檢查工序中通 過亮燈顯示來判定顯示器(EL顯示面板211)的好壞。在本實施方式中，當在該檢查工序 中通過亮燈顯示對顯示器的好壞進行判定時，利用亮度計對處于發(fā)光狀態(tài)的各像素的亮度 (發(fā)光元件的亮度)進行測定。在此，在特定化為對由印刷引起的亮度不均進行校正的情況 下，因為亮度不均在與印刷方向垂直的方向上產生，所以不需要對全部像素的亮度進行測 定。因此，在本實施方式中，特定化為對由印刷引起的亮度不均進行校正，在與印刷方向垂 直的方向上，對配置于與印刷方向垂直的方向上的全部像素量的亮度進行測定。這是必須 的。而且，為了對印刷方向的像素間的不均也進行補償，除此之外，還在印刷方向上，對沿著 印刷方向配置的多個像素量的亮度進行測定。即，對(沿著印刷方向的多個像素)X (與印 刷方向垂直的方向的全部像素)的亮度進行測定。如果使沿著印刷方向的測定像素的數量 增加，則雖然相應地補償精度會有所提高，但是檢查時間也會增加。考慮其雙方來確定測定 像素數。然后，以測定的亮度數據為基礎，按各電壓施加線105，計算在屬于各電壓施加線 的發(fā)光電路100的驅動用晶體管102的體端子上應當施加的電壓(以下，稱為補償電壓)。 該補償電壓是如下電壓是各驅動用晶體管102為使與其對應的發(fā)光元件103以預定的亮 度發(fā)光的漏電流流動的電壓。該計算的補償電壓被寫入(存儲)到組裝在不均校正驅動器 214中的存儲器(未圖示)中。然后，在顯示裝置1的工作時，不均校正驅動器214參照被 寫入到該存儲器中的補償電壓，在各電壓施加線105上施加其對應的補償電壓。由此，在屬于各電壓施加線105的發(fā)光電路100中，在驅動用晶體管102的體端子上施加補償電壓，補 償亮度不均。(實施例)為了證實本發(fā)明的作用效果，例示本發(fā)明的實施例。本實施例表示將本發(fā)明的實 施方式3具體化而成的例。在本實施例中，制作了具有圖7的結構的有源矩陣基板130。在該有源矩陣基板 130中，像素配置了 16行16列。若換言之，則在行方向上配置了 16個發(fā)光元件電路100， 在列方向上配置了 16個發(fā)光元件電路100。各發(fā)光元件電路100具有圖2的結構?？刂朴?晶體管101及驅動用晶體管102分別由N溝道型的非晶硅TFT構成。發(fā)光元件103由有機 EL元件構成。全部的源線相互連接。全部的柵線相互連接。全部的發(fā)光元件電路100的驅 動用晶體管101的體端子，如在實施方式3中所述的那樣，與共用的電壓施加線105連接。而且，分別地，在柵線上施加+30V的電壓，在源線上施加+IOV的電壓，在電源線 vdd上施加+20V的電壓，在電源端子vss上施加OV的電壓。并且，對電壓施加線105施加 進行了從-IOV至+20V變化的電壓。在此，通過事先的TFT單個元件的評價判明了 若控制用晶體管101被施加+20V 作為柵、源間電壓，則晶體管將導通。因此，在驅動用晶體管102的柵端子上施加+10V，在 漏端子上施加+20V，在源端子上施加發(fā)光元件103的兩端電壓。由此，在驅動用晶體管102 中流動的電流得到確定，進而在發(fā)光元件103中流動的電流得到確定。并且，一般，發(fā)光元 件103的發(fā)光亮度與在發(fā)光元件103中流動的電流成比例。圖10是表示驅動用晶體管102的源電流-柵、源間電壓特性的曲線圖。4條曲線 是將體端子(電壓施加線105)的電壓分別設定為_10V、0V、+10V、+20V的情況下的源電 流-柵、源間電壓特性曲線。若使體端子的電壓從-IOV開始增加，則驅動用晶體管102的 閾值在+方向上增加，其結果，作為驅動用晶體管102流動的電流增加。由此，通過使體端 子的電壓變化，能夠使在驅動用晶體管102中流動的電流、進而在發(fā)光元件103中流動的電 流發(fā)生變化，作為結果使EL顯示面板211 (參照圖1)的亮度發(fā)生變化。在本實施例中，能 夠實現(xiàn)約2倍的亮度變化。由此，證實了能夠由本發(fā)明對亮度不均進行補償。還有，雖然在上述的各實施方式中，作為發(fā)光元件電路所具備的發(fā)光元件例示了 有機EL元件，但是本發(fā)明并不限于此，只要是自發(fā)光的元件，可以采用其他的元件。作為這 樣的發(fā)光元件，例如能夠舉出無機EL元件及發(fā)光二極管(LED)等。根據上述說明，對于本領域技術人員而言，本發(fā)明的諸多改進和/或其他實施方 式是顯然的。從而，上述說明僅應作為示例來解釋，其是以向本領域技術人員教導實現(xiàn)本發(fā) 明的最佳方式的目的而被提供的。在不脫離本發(fā)明的主旨的情況下，能夠實質性地改變其 結構和/或功能的細節(jié)。本發(fā)明的發(fā)光元件電路及有源矩陣型顯示裝置，能夠容易地進行亮度不均的補償，作為以計算機用及家電用為中心的各種顯示器是有用的。
權利要求
一種發(fā)光元件電路，其與互相交叉地排列的多條柵線及多條源線的交叉點對應地分別配設，具備發(fā)光元件，其與所供給的電流相應地進行發(fā)光；驅動用晶體管，其對供給至前述發(fā)光元件的電流進行控制；以及控制用晶體管，其對前述驅動用晶體管的導通截止工作進行控制；前述驅動用晶體管具備體端子，使用提供給前述體端子的電壓，進行前述發(fā)光元件的亮度校正。
2.一種有源矩陣型顯示裝置，其具備互相交叉地排列的多條柵線及多條源線和與該多 條柵線及該多條源線的交叉點對應地分別配設的發(fā)光元件電路，各個前述發(fā)光元件電路具備 發(fā)光元件，與所供給的電流相應地進行發(fā)光； 驅動用晶體管，對供給至前述發(fā)光元件的電流進行控制；以及 控制用晶體管，對前述驅動用晶體管的導通截止工作進行控制； 前述驅動用晶體管具備體端子，使用提供給前述體端子的電壓，進行前述發(fā)光元件的 亮度校正。
3.按照權利要求2所述的有源矩陣型顯示裝置，在列方向或行方向上并排設置的多個前述發(fā)光元件電路所具備的前述驅動用晶體管 的前述體端子共同連接。
4.按照權利要求2所述的有源矩陣型顯示裝置，配設為矩陣狀的多個前述發(fā)光元件電路所具備的前述驅動用晶體管的前述體端子共 同連接。
5.按照權利要求4所述的有源矩陣型顯示裝置，根據與前述發(fā)光元件電路所具備的前述發(fā)光元件的劣化狀態(tài)，對前述驅動用晶體管的 前述體端子提供電壓。
6.按照權利要求5所述的有源矩陣型顯示裝置，前述發(fā)光元件的劣化狀態(tài)，使用前述發(fā)光元件的亮度、在前述發(fā)光元件中流動的電流 和/或前述發(fā)光元件的兩端的電位進行檢測。
全文摘要
本發(fā)明的有源矩陣型顯示裝置構成為與互相交叉地排列的多條柵線及多條源線對應地分別配設的發(fā)光元件電路(100)具備與所供給的電流相應地進行發(fā)光的發(fā)光元件(103)；對供給至發(fā)光元件(103)的電流進行控制的驅動用晶體管(102)；以及對驅動用晶體管(102)的導通截止工作進行控制的控制用晶體管(101)；其中，驅動用晶體管(102)具備體端子，使用提供給該體端子的電壓，進行發(fā)光元件(103)的亮度校正。
文檔編號H01L51/50GK101816032SQ20088011009
公開日2010年8月25日 申請日期2008年9月26日 優(yōu)先權日2007年9月28日
發(fā)明者中村美香, 小野晉也, 鐘鐘江有宣 申請人:松下電器產業(yè)株式會社