專利名稱：Bcd工藝中隔離結構的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體芯片制造方法，具體涉及一種B⑶工藝中隔離結構的制造 方法
背景技術：
近年來，在市場的強勁驅動下，B⑶技術倍受國內外業(yè)界所關注。B⑶是一種單片 集成工藝技術。這種技術能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar，CMOS和DMOS器件，稱為 BCD工藝。B⑶工藝把雙極器件和CMOS器件同時制作在同一芯片上。它綜合了雙極器件高 跨導、強負載驅動能力和CMOS集成度高、低功耗的優(yōu)點，使其互相取長補短，發(fā)揮各自的優(yōu) 點。更為重要的是，它集成了 DMOS功率器件，DMOS可以在開關模式下工作，功耗極低。不 需要昂貴的封裝和冷卻系統(tǒng)就可以將大功率傳遞給負載。低功耗是BCD工藝的一個主要優(yōu) 點之一。整合過的BCD工藝制程，可大幅降低功率耗損，提高系統(tǒng)性能，節(jié)省電路的封裝費 用，并具有更好的可靠性。B⑶工藝是電源管理、顯示驅動、汽車電子等IC制造工藝的上佳選擇，具有廣闊的 市場前景。今后，BCD工藝將朝著高壓、高功率、高密度三個方向分化發(fā)展。高密度、高集成性的要求使得在器件設計中，節(jié)省面積作為一個重要的考量因素。 在傳統(tǒng)的BCD高壓DMOS中，器件的隔離部分通常用不同深度的注入與襯底形成隔離環(huán)來實 現(xiàn)。但由于這些注入在制造工藝中都經過了一些高溫的熱過程，使得橫向擴散比較嚴重，所 以為避免隔離部分與器件內部的其它部分造成擊穿或者漏電，通常都會使隔離環(huán)與器件的 核心部分保持在一個安全距離之外，但這就會造成器件面積的擴大，集成度的降低。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種BCD工藝中隔離結構的制造方法，其可以避 免寄生擊穿問題，同時可以有效的節(jié)省面積，并具有工藝可行性，與現(xiàn)有的常規(guī)工藝能很好 的兼容。為解決以上技術問題，本發(fā)明提供了一種B⑶工藝中隔離結構的制造方法，包括 以下步驟步驟一、在器件核心周圍刻蝕深槽，形成隔離環(huán)；步驟二、淀積一層氧化層介質 層；步驟三、采用回蝕的方法將深槽底部的氧化層刻蝕掉，形成側壁結構，起到隔離的作用； 步驟四、槽內填入金屬材料。本發(fā)明的有益效果在于引入了一種新的器件隔離結構，通過用深槽來實現(xiàn)良好 的隔離性能和襯底引出的功效。這樣不僅避免了許多寄生擊穿問題，同時有效的節(jié)省了面 積，并具有工藝可行性，與現(xiàn)有的常規(guī)工藝能很好的兼容。


下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。
圖1是本發(fā)明實施例所述方法的流程示意圖；圖2是本發(fā)明實施例所述方法中進行深槽刻蝕的示意圖；圖3是本發(fā)明實施例所述方法中淀積氧化介質層的示意圖；圖4是本發(fā)明實施例所述方法中回蝕形成側壁的示意圖；圖5是本發(fā)明實施例所述方法中刻蝕接觸孔的示意圖；圖6是本發(fā)明實施例所述方法中填充硅化鎢的示意圖。附圖中各標記說明1為深槽；2為氧化層介質層，3為硅化鎢；4為接觸孔；P-sub為P型襯底；NBL為N型埋層；DNW為深注入N講HVPff為高壓P阱；LVNW為低壓N阱；LVPff為低壓P阱；N+為N型源、漏P+為P阱引出；STI為淺槽隔離；Body為器件襯底；Source為器件源極；Drain為器件漏極；Gate為器件柵極。
具體實施例方式本實施例所述方法的步驟包括步驟一、在器件核心周圍刻蝕深槽，形成隔離環(huán)；步驟二、淀積一層氧化層介質層；步驟三、采用回蝕的方法將深槽底部的氧化層刻蝕掉，形成側壁結構，起到隔離的 作用；步驟四、槽內填入金屬材料。更具體的其步驟可以包括在隔離層間介質層(ILD)平坦化研磨結束之后，在器 件核心周圍進行深槽(De印Trench)的光刻、刻蝕，用深槽(De印Trench)的方法形成隔離 環(huán)；在深槽光刻、刻蝕完成后，淀積一層薄氧化層介質層，厚度大約為500 1500埃， 優(yōu)選的其厚度可以為1000埃；在淀積完薄氧介質層后，接著采用回蝕(Etch Back)的方法，將深槽底部的氧化層 刻蝕掉，形成類似側壁的結構，起到有效隔離的作用；進行接觸孔(Contact)的光刻、刻蝕；然后填硅化鎢作為鎢塞引出。最后進行硅化 鎢的研磨。本發(fā)明引入了一種新的器件隔離結構，通過用深槽(De印Trench)來實現(xiàn)良好的隔離性能和襯底引出的功效。這樣不僅避免了許多寄生擊穿問題，同時有效的節(jié)省了面積， 并具有工藝可行性，與現(xiàn)有的常規(guī)工藝能很好的兼容，對BCD工藝發(fā)展起著不可忽視的作用。 本發(fā)明并不限于上文討論的實施方式。以上對具體實施方式
的描述旨在于為了描 述和說明本發(fā)明涉及的技術方案?；诒景l(fā)明啟示的顯而易見的變換或替代也應當被認為 落入本發(fā)明的保護范圍。以上的具體實施方式
用來揭示本發(fā)明的最佳實施方法，以使得本 領域的普通技術人員能夠應用本發(fā)明的多種實施方式以及多種替代方式來達到本發(fā)明的 目的。
權利要求
1.一種BCD工藝中隔離結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟步驟一、在器件核心周圍刻蝕深槽，形成隔離環(huán)；步驟二、淀積一層氧化層介質層；步驟三、將深槽底部的氧化層刻蝕掉，形成側壁結構；步驟四、槽內填入金屬材料。
2.如權利要求1所述的BCD工藝中隔離結構的制造方法；其特征在于，步驟二中，所述 淀積的氧化層介質層厚度為500至1500埃。
3.如權利要求2所述的BCD工藝中隔離結構的制造方法；其特征在于，所述淀積的氧 化層介質層厚度為1000埃。
4.如權利要求1所述的BCD工藝中隔離結構的制造方法；其特征在于，在步驟一之前 包括隔離層間介質層平坦化研磨的步驟。
5.如權利要求1所述的B⑶工藝中隔離結構的制造方法；其特征在于，在步驟三和步 驟四之間包括進行接觸孔刻蝕的步驟。
6.如權利要求1所述的B⑶工藝中隔離結構的制造方法；其特征在于，步驟四中填入 的金屬材料為硅化鎢。
7.如權利要求1所述的BCD工藝中隔離結構的制造方法；其特征在于，在步驟四之后 包括硅化鎢研磨步驟。
8.如權利要求1所述的BCD工藝中隔離結構的制造方法；其特征在于，在所述步驟三 中，采用回蝕的方法將深槽底部的氧化層刻蝕掉。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種BCD工藝中隔離結構的制造方法，包括以下步驟步驟一、在器件核心周圍刻蝕深槽，形成隔離環(huán)；步驟二、淀積一層氧化層介質層；步驟三、采用回蝕的方法將深槽底部的氧化層刻蝕掉，形成側壁結構，起到隔離的作用；步驟四、槽內填入金屬材料。本發(fā)明通過用深槽來實現(xiàn)良好的隔離性能和襯底引出的功效。這樣不僅避免了寄生擊穿問題，同時有效的節(jié)省了面積，并具有工藝可行性，與現(xiàn)有的常規(guī)工藝能很好的兼容。
文檔編號H01L21/8249GK102044499SQ200910201710
公開日2011年5月4日 申請日期2009年10月22日 優(yōu)先權日2009年10月22日
發(fā)明者丁宇, 張帥, 錢文生 申請人:上海華虹Nec電子有限公司