專利名稱：搬送腔室和顆粒附著防止方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在于減壓環(huán)境中對(duì)被處理基板進(jìn)行處理的減壓處理部和將被處 理基板保持于大氣壓環(huán)境中的大氣系統(tǒng)保持部之間搬送被處理基板的搬送腔室，以及用于 防止顆粒向該搬送腔室內(nèi)的被處理基板附著的顆粒附著防止方法。
背景技術(shù)：
例如，在干法蝕刻半導(dǎo)體晶片的等離子體裝置中，作為實(shí)際上對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行 蝕刻處理的場(chǎng)所的處理腔室的內(nèi)部，總是保持真空環(huán)境。另一方面，被供于進(jìn)行蝕刻處理 的半導(dǎo)體晶片，例如在大氣氣氛中，以收納于前開式晶片盒(F0UP;Front Opining Unified Pod)的狀態(tài)，被搬入等離子體蝕刻裝置。等離子體蝕刻裝置具備在大氣氛圍中載置前開式晶片盒的載置部，為了從前開式 晶片盒取出半導(dǎo)體晶片并搬入處理腔室，或相反地從處理腔室取出半導(dǎo)體晶片并搬入前開 式晶片盒，在載置部和處理腔室之間配設(shè)有能夠在真空環(huán)境與大氣壓環(huán)境之間調(diào)節(jié)氣氛的 搬送腔室。在載置部和搬送腔室之間、以及搬送腔室和處理腔室之間，分別設(shè)置有第一閘閥 和第二閘閥。將搬送腔室內(nèi)設(shè)定為大氣壓環(huán)境，在關(guān)閉第二閘閥的狀態(tài)下打開第一閘閥，將 半導(dǎo)體晶片從前開式晶片盒搬入搬送腔室，然后，關(guān)閉第一間閥。接著，將搬送腔室減壓至 與處理腔室大致相同的壓力，在關(guān)閉第一閘閥的狀態(tài)下打開第二閘閥，將半導(dǎo)體晶片從搬 送腔室搬入處理腔室。在關(guān)閉第二間閥、在處理腔室中進(jìn)行蝕刻處理后，按照與之前將半導(dǎo) 體晶片從前開式晶片盒搬送至處理腔室時(shí)的順序相反的順序，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的搬送。在這樣的一系列的處理中，顆粒向搬送腔室內(nèi)的半導(dǎo)體晶片的附著隨著由半導(dǎo)體 晶片制造的半導(dǎo)體器件的微細(xì)圖案化的發(fā)展而成為很大的問題。因此，在專利文獻(xiàn)1中，為 了除去附著于搬送腔室(在專利文獻(xiàn)1中稱為“鎖氣室(air lock)”)內(nèi)壁的顆粒，在搬送 腔室內(nèi)配置有產(chǎn)生離子流的除電器。這里，除電器向搬送腔室釋放離子流，利用離子流中所含有的離子對(duì)通過靜電力 (庫(kù)倫力)附著于搬送腔室內(nèi)壁的顆粒進(jìn)行除電(靜電消除)，使其從該內(nèi)壁脫離。然后， 利用吸引裝置將搬送腔室內(nèi)的氣體排出至外部，由此將顆粒從搬送腔室排出并除去。此外，在專利文獻(xiàn)1中，像這樣將附著于搬送腔室內(nèi)壁的顆粒排出并除去之后，將 半導(dǎo)體晶片搬入搬送腔室，對(duì)設(shè)置于半導(dǎo)體晶片上方的電極施加在考慮了半導(dǎo)體晶片的帶 電狀態(tài)之后而得到的電壓，使附著于半導(dǎo)體晶片的帶電的顆粒被吸附在電極上。在專利文獻(xiàn)1中，沒有記載配設(shè)于搬送腔室內(nèi)的除電器中的具體的離子產(chǎn)生方 法，但是作為離子產(chǎn)生方法，考慮能夠使用作為使正離子和負(fù)離子均衡產(chǎn)生的方法而較優(yōu) 的電暈放電，或者也能夠使用通過紫外線(UV)、X射線產(chǎn)生離子的方法。然而，當(dāng)使用由電暈放電產(chǎn)生離子的方法時(shí)，擔(dān)心因放電而產(chǎn)生顆粒，所產(chǎn)生的顆 粒殘留于搬送腔室內(nèi)，附著在被搬入搬送腔室內(nèi)的半導(dǎo)體晶片上。此外，在專利文獻(xiàn)1中，為了除去附著于半導(dǎo)體晶片的顆粒，還另外在半導(dǎo)體晶片的上空設(shè)置有用于靜電吸附顆粒的電極。在該情況下，需要用于對(duì)電極施加高電壓的電源， 裝置的結(jié)構(gòu)和控制變得復(fù)雜。然而，專利文獻(xiàn)1所公開的搬送腔室，如從上述結(jié)構(gòu)可以了解的那樣，不是對(duì)半導(dǎo) 體晶片本身進(jìn)行除電的機(jī)構(gòu)。例如，半導(dǎo)體晶片因等離子體蝕刻等處理而帶電，因此，當(dāng)將 帶電的半導(dǎo)體晶片送回減壓環(huán)境的搬送腔室時(shí)，會(huì)形成該靜電力所導(dǎo)致的容易發(fā)生顆粒附 著的狀態(tài)。此外，當(dāng)將處于大氣壓環(huán)境的半導(dǎo)體晶片搬入大氣壓環(huán)境的搬送腔室時(shí)，也存在 半導(dǎo)體晶片帶電的可能性。這里，關(guān)于顆粒向半導(dǎo)體晶片的附著，顆粒的粒徑越小，由靜電力導(dǎo)致的附著就越占優(yōu)勢(shì)。因此，為了對(duì)應(yīng)今后進(jìn)一步的半導(dǎo)體器件的微細(xì)圖案化的趨勢(shì)，需要對(duì)半導(dǎo)體晶片 進(jìn)行除電，進(jìn)一步優(yōu)選對(duì)顆粒進(jìn)行除電，防止在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)上尚未造成大問題的尺 寸微小的顆粒向半導(dǎo)體晶片的附著。然而，在專利文獻(xiàn)1所公開的技術(shù)中，假設(shè)，即使將通過除電器產(chǎn)生的離子用于半 導(dǎo)體晶片的除電，在使用由電暈放電產(chǎn)生離子的方法的情況下，也會(huì)造成由放電產(chǎn)生的顆 粒附著于半導(dǎo)體晶片，且在低壓狀態(tài)下放電控制難以進(jìn)行等問題，此外，在使用通過紫外線 (UV)、x射線產(chǎn)生離子的方法的情況下，也會(huì)擔(dān)心對(duì)半導(dǎo)體晶片照射紫外線等使半導(dǎo)體晶片 受到損害。專利文獻(xiàn)日本特開2002-353086號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種不會(huì)損害被處理基板而能夠?qū)Ρ惶幚砘暹M(jìn)行除電 來防止顆粒附著于被處理基板的搬送腔室以及顆粒附著防止方法。為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，第一方面的搬送腔室，其設(shè)置于在減壓環(huán)境中對(duì)被處理基 板實(shí)施規(guī)定處理的減壓處理部和將被處理基板保持在大氣壓環(huán)境中的大氣系統(tǒng)保持部之 間，在上述減壓處理部和上述大氣系統(tǒng)保持部之間搬送上述被處理基板，該搬送腔室的特 征在于，包括腔室主體，其收納上述被處理基板；排氣裝置，其為了使上述腔室主體的內(nèi)部為上述減壓環(huán)境，進(jìn)行從上述腔室主體 的排氣；氣體供給裝置，其為了使上述腔室主體的內(nèi)部為上述大氣壓環(huán)境，將規(guī)定的氣體 供給至上述腔室主體；離子化氣體供給裝置，其在上述腔室主體的外部具備使上述規(guī)定的氣體離子化的 離子化裝置，將在上述離子化裝置中產(chǎn)生的離子化氣體供給至上述腔室主體。第二方面的搬送腔室，其特征在于在第一方面的搬送腔室中，上述離子化裝置安 裝于上述氣體供給裝置，由上述氣體供給裝置供給至上述腔室主體的氣體，由上述離子化 裝置離子化而供給至上述腔室主體。此外，為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，第三方面的顆粒附著防止方法，其是使用搬送腔室在 減壓處理部和大氣系統(tǒng)保持部之間搬送被處理基板時(shí)防止顆粒向上述被處理基板附著的 方法，上述搬送腔室包括設(shè)置于在減壓環(huán)境中對(duì)被處理基板實(shí)施規(guī)定處理的減壓處理部和 將被處理基板保持在大氣壓環(huán)境中的大氣系統(tǒng)保持部之間、內(nèi)部能夠在減壓環(huán)境和大氣壓環(huán)境之間進(jìn)行切換的腔室主體，用于在上述減壓處理部和上述大氣系統(tǒng)保持部之間搬送被 處理基板，該顆粒附著防止方法的特征在于，包括收納步驟，其將被處理基板收納于上述腔室主體；除電步驟，其將在上述腔室主體的外部產(chǎn)生的離子化氣體供給至上述腔室主體， 對(duì)上述被處理基板進(jìn)行除電。第四方面的顆粒附著防止方法，其特征在于在第三方面的顆粒附著防止方法中， 上述收納步驟通過將上述被處理基板從上述減壓處理部搬入上述腔室主體來進(jìn)行，在上述 除電步驟中，伴隨從上述腔室主體排氣而向上述腔室主體供給上述離子化氣體，由此使上 述腔室主體從上述減壓環(huán)境轉(zhuǎn)變至上述大氣壓環(huán)境。第五方面的顆粒附著防止方法，其特征在于在第三方面的顆粒附著防止方法中， 上述收納步驟，通過將上述被處理基板從上述大氣系統(tǒng)保持部搬入上述腔室主體來進(jìn)行， 在上述除電步驟中，一邊將上述離子化氣體供給至上述腔室主體，一邊從上述腔室主體的 排氣，由此使上述腔室主體的內(nèi)部從上述大氣壓環(huán)境向上述減壓環(huán)境轉(zhuǎn)變。第六方面的顆粒附著防止方法，其特征在于在第五方面的顆粒附著防止方法中， 在除電步驟中，通過反復(fù)進(jìn)行減壓和升壓，使上述腔室主體的內(nèi)部從上述大氣壓環(huán)境向上 述減壓環(huán)境轉(zhuǎn)變。第七方面的顆粒附著防止方法，其特征在于在第三方面至第六方面中任一方面 的顆粒附著防止方法中，在除電步驟中，作為上述離子化氣體，使用將為了調(diào)整上述腔室主 體的壓力而被供給至上述腔室主體的清掃氣體離子化而產(chǎn)生的氣體。發(fā)明的效果根據(jù)第一方面的搬送腔室和第三方面的顆粒附著防止方法，由于能夠通過離子化 氣體對(duì)被處理基板和存在于腔室主體的內(nèi)部的顆粒進(jìn)行除電，因此能夠防止由靜電力造成 的顆粒向被處理基板的附著。根據(jù)第二方面的搬送腔室，由于能夠利用氣體供給裝置產(chǎn)生離子化氣體，因此能 夠抑制裝置結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，此外，通過將離子化裝置安裝于現(xiàn)有的氣體供給裝置，能夠簡(jiǎn)單 地構(gòu)筑離子化氣體供給裝置。根據(jù)第四方面的顆粒附著防止方法，通過對(duì)在減壓處理部的處理結(jié)束后的被處理 基板進(jìn)行除電，在向后續(xù)工序的搬送過程中，能夠防止由靜電力造成的顆粒向被處理基板 的附著。根據(jù)第五方面的顆粒附著防止方法，防止由靜電力造成的顆粒向搬入減壓處理部 的被處理基板附著，因此能夠減少在減壓處理部的處理中的顆粒的影響。根據(jù)第六方面的顆粒附著防止方法，通過在從大氣壓環(huán)境向減壓環(huán)境轉(zhuǎn)變的期間 進(jìn)行暫時(shí)的升壓，能夠使離子化氣體在腔室主體的整個(gè)內(nèi)部擴(kuò)散，對(duì)存在于腔室主體內(nèi)部 的顆粒進(jìn)行除電。這樣，能夠?qū)⒈怀姷念w粒在下次減壓時(shí)從腔室主體排出，因此提高腔室 主體內(nèi)部的清潔度。根據(jù)第七方面的顆粒附著防止方法，由于無需在清掃氣體的供給系統(tǒng)之外設(shè)置離 子化氣體的供給系統(tǒng)，因此能夠使用具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的裝置對(duì)被處理基板進(jìn)行除電，防止由 靜電力造成的顆粒向被處理基板的附著。


圖1是表示具備本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的搬送腔室的基板處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu) 的垂直截面圖。圖2是表示搬送腔室的第一壓力調(diào)整模式的示意圖。圖3是表示搬送腔室的第二壓力調(diào)整模式的示意圖。圖4是表示搬送腔室的第三壓力調(diào)整模式的示意圖。圖5是表示搬送腔室的第四壓力調(diào)整模式的示意圖。符號(hào)說明1 基板處理系統(tǒng)2 基板處理部(減壓處理部)3 大氣系統(tǒng)搬送部(大氣系統(tǒng)保持部)4 搬送腔室5,6 閘閥10 處理腔室11 基座40 前開式晶片盒42 裝載模塊50 移載臂51 腔室主體52 給氣系統(tǒng)53 排氣裝置56 控制閥57 真空泵58 控制閥59 排氣 口60 離子化裝置61 制動(dòng)過濾器(brake filter)ff (半導(dǎo)體)晶片
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。圖1是表示具備本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的搬送腔室的基板處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu) 的垂直截面圖?；逄幚硐到y(tǒng)1構(gòu)成為將作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片(以下稱為“晶片”)W逐 個(gè)地進(jìn)行等離子體蝕刻處理(以下稱為“蝕刻處理”)的所謂單片處理型的蝕刻處理裝置。如圖1所示，該基板處理系統(tǒng)1包括對(duì)晶片W實(shí)施蝕刻處理的基板處理部2、用 于將晶片w搬入搬出作為存儲(chǔ)規(guī)定個(gè)數(shù)的晶片W的容器的前開式晶片盒40的大氣系統(tǒng)搬 送部3、在基板處理部2和大氣系統(tǒng)搬送部3之間配置的、在基板處理部2和大氣系統(tǒng)搬送 部3之間搬送晶片W的搬送腔室4。
大氣系統(tǒng)搬送部3包括載置規(guī)定數(shù)量的前開式晶片盒40的載置臺(tái)41、和用于將晶 片W搬入搬出載置于載置臺(tái)41的前開式晶片盒40的裝載模塊42。前開式晶片盒40將其開閉門(未圖示)朝向裝載模塊42—側(cè)而載置于載置臺(tái)41。 在裝載模塊42的與載置于載置臺(tái)41的前開式晶片盒40面對(duì)的壁面，設(shè)置有通過可與前開 式晶片盒40的開閉門(未圖示)卡合的閘門(shutter)(未圖示)進(jìn)行開閉的窗部(未圖 示)。通過使前開式晶片盒40的開閉門與上述閘門一體地移動(dòng)而將上述窗部開口，連通前 開式晶片盒40的內(nèi)部與裝載模塊42的內(nèi)部。前開式晶片盒40通常構(gòu)成為將25個(gè)晶片W以水平姿態(tài)等間隔地保持。裝載模塊 42為立方體狀的箱狀物，為了在其內(nèi)部搬送晶片W，在裝載模塊42的內(nèi)部設(shè)置有能夠進(jìn)入 前開式晶片盒40的內(nèi)部的多關(guān)節(jié)型(scalar type)的搬送裝置43。搬送裝置43，為了進(jìn)行對(duì)在前開式晶片盒40內(nèi)的晶片W的收納狀態(tài)(正常收納的 晶片W的位置、晶片W的層偏移、跳出等異常)和個(gè)數(shù)進(jìn)行確認(rèn)的測(cè)量(mapping)，具備能夠 伸縮地構(gòu)成的多關(guān)節(jié)腕狀的測(cè)量臂46。在測(cè)量臂46的前端，具備作為進(jìn)行這種測(cè)量的傳感 器的例如使用半導(dǎo)體激光等的非接觸式傳感器(未圖示)。測(cè)量臂46的底端與沿著自搬送裝置43的底部47立設(shè)的支柱48進(jìn)行升降的升降 臺(tái)49連接，在使上述非接觸式傳感器位于離開前開式晶片盒40規(guī)定距離的位置的狀態(tài)下， 通過驅(qū)動(dòng)升降臺(tái)49使測(cè)量臂46上升或下降來進(jìn)行測(cè)量。搬送裝置43的底端與升降臺(tái)49連接，包括具有能夠伸縮地構(gòu)成的多關(guān)節(jié)構(gòu)造的 搬送臂44。搬送臂44形成為在設(shè)置于其前端的拾取器(pick) 45能夠保持晶片W的構(gòu)造， 根據(jù)測(cè)量的結(jié)果在規(guī)定的高度進(jìn)入前開式晶片盒40內(nèi)，將前開式晶片盒40內(nèi)的晶片W搬 出，或?qū)⑺３值木琖搬入前開式晶片盒40。支柱48能夠旋轉(zhuǎn)，由此，搬送臂44的拾取器45不僅能夠進(jìn)入圖1所示的前開式 晶片盒40 —側(cè)，還能夠進(jìn)入搬送腔室4 一側(cè)，由此，能夠在大氣系統(tǒng)搬送部3與搬送腔室4 之間交接晶片W。在后面將對(duì)搬送腔室4的結(jié)構(gòu)詳細(xì)地進(jìn)行說明，這里，對(duì)基板處理部2簡(jiǎn)單地進(jìn)行 說明。在基板處理部2中，配置有構(gòu)成對(duì)晶片W進(jìn)行蝕刻處理的處理室的處理腔室10。 在處理腔室10的內(nèi)部，設(shè)置有作為載置晶片W的工作臺(tái)、并且用作產(chǎn)生等離子體的電極的 基座11，此外，對(duì)載置于基座11的晶片W釋放處理氣體的噴淋頭33配置于處理腔室10內(nèi) 部的頂部附近。在處理腔室10的底壁形成有排氣口 12，使用安裝于該排氣口 12的真空泵(未圖 示)等減壓機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⑻幚砬皇?0維持于減壓環(huán)境。基座11通過匹配器(未圖示)連接有高頻電源18，高頻電源18對(duì)基座11施加規(guī) 定的高頻電力。這樣，基座11就用作下部電極。此外，在基座11的內(nèi)部上方，埋設(shè)有由用于以靜電吸附力吸附晶片W的導(dǎo)電膜構(gòu) 成的電極板13，電極板13與直流電源(未圖示)電連接。通過對(duì)電極板13施加直流電壓 而產(chǎn)生的庫(kù)倫力或約翰遜_拉別克(Johnsen-Rahbek)力，晶片W被吸附保持于基座11的 上表面。另外，基座11包括聚焦環(huán)、冷卻機(jī)構(gòu)、向晶片W的背面供給氣體的機(jī)構(gòu)、用于將晶片W搬入搬出基座11的晶片升降機(jī)構(gòu)等。省略對(duì)上述這些機(jī)構(gòu)的說明。噴淋頭33接地(地線)，用噴淋頭33和基座11構(gòu)成一對(duì)電極，噴淋頭33用作接 地電極。通過氣體供給管38將處理氣體、N2氣等氣體供向噴淋頭33，從形成于噴淋頭33 的下表面的多個(gè)氣體通孔(未圖示)向載置于基座11的晶片W釋放上述氣體。來自噴淋 頭33的氣體釋放量通過設(shè)置于氣體供給管38的MFC (Mass Flow Controller，質(zhì)量流量控 制器)39進(jìn)行調(diào)節(jié)。從噴淋頭33向晶片W釋放一定量的處理氣體，并且將處理腔室10維持于規(guī)定的 減壓環(huán)境，同時(shí)，通過對(duì)基座11施加規(guī)定的電壓，在基座11和噴淋頭33之間產(chǎn)生處理氣體 的等離子體。等離子體中的離子通過基座11和噴淋頭33之間的電場(chǎng)被吸引向晶片W，對(duì)晶 片W實(shí)施蝕刻處理。接著，對(duì)搬送腔室4的結(jié)構(gòu)詳細(xì)地進(jìn)行說明。搬送腔室4具有構(gòu)成為能夠?qū)?nèi)部在大氣壓環(huán)境與減壓環(huán)境之間進(jìn)行切換的腔 室主體51。另外，所謂“搬送腔室4”，包括腔室主體51及其附帶配設(shè)的各種裝置等。在腔室主體51和處理腔室10之間，設(shè)置有間閥5，在腔室主體51和裝載模塊42 之間設(shè)置有閘閥6。閘閥6在腔室主體51為大氣壓環(huán)境的狀態(tài)下被打開，此時(shí)，在大氣系 統(tǒng)搬送部3和搬送腔室4之間(在裝載模塊42和腔室主體51之間)能夠進(jìn)行晶片W的搬 送。另一方面，通過使間閥6形成關(guān)閉狀態(tài)，能夠?qū)⒀b載模塊42維持于大氣壓環(huán)境，并將腔 室主體51維持于減壓環(huán)境。由于總是將處理腔室10維持于一定的減壓環(huán)境，因此在腔室主體51形成減壓環(huán) 境的狀態(tài)下打開間閥5，此時(shí)，能夠在基板處理部2和搬送腔室4之間(處理腔室10和腔室 主體51之間)進(jìn)行晶片W的搬送。在基板處理部2和搬送腔室4之間不搬送晶片W時(shí)，閘 閥5維持關(guān)閉狀態(tài)。在腔室主體51的內(nèi)部，配設(shè)有能夠伸縮自由和旋轉(zhuǎn)自由地構(gòu)成的移載臂50 (搬送 裝置)。作為移載臂50，能夠使用由多個(gè)腕部構(gòu)成的多關(guān)節(jié)型的搬送臂，安裝于其前端的拾 取器54載置保持晶片W。在打開間閥6的狀態(tài)下，拾取器54進(jìn)入裝載模塊42，在拾取器45 和拾取器54之間進(jìn)行晶片W的交接。此外，在打開閘閥5的狀態(tài)下，拾取器54進(jìn)入處理 腔室10，在基座11和拾取器54之間進(jìn)行晶片W的交接。另外，移載臂50也可以是蛙腿式 (frogleg)型或雙臂型。在腔室主體51的底壁設(shè)置有排氣口 59，在排氣口 59安裝有用于使腔室主體51形 成減壓環(huán)境的排氣裝置53。排氣裝置53包括在安裝于排氣口 59的排氣管設(shè)置的真空泵 57和控制閥58。排氣裝置53的排氣量，以不超過真空泵57的最大排氣能力為限，通過對(duì) 控制閥58的旋轉(zhuǎn)進(jìn)行控制，使其能夠連續(xù)且任意地變化。另外，雖然圖1中僅在1個(gè)部位 示出了排氣口 59，但是排氣口 59設(shè)置于多個(gè)部位。在腔室主體51設(shè)置有給氣系統(tǒng)52，該給氣系統(tǒng)52用作將用于使腔室主體51形 成大氣壓環(huán)境的氣體(清掃氣體)供向腔室主體51的氣體供給裝置，并且如以下說明的那 樣，使清掃氣體離子化而生成離子化氣體并將生成的離子化氣體供向腔室主體51的離子 化氣體供給裝置。給氣系統(tǒng)52包括供給線55，其從干燥的空氣、N2氣、Ar氣體、02氣等氣體中選擇 1種或多種氣體，通過控制閥56調(diào)節(jié)各種氣體的流量而供向腔室主體51 ；離子化裝置60，
8其配置于腔室主體51的外側(cè)，將通過氣體供給線55供給的氣體離子化而使離子化氣體產(chǎn) 生；制動(dòng)過濾器61，其用于將從離子化裝置60通過氣體供給線55送出的離子化氣體在腔 室主體51的內(nèi)部釋放。通過適當(dāng)?shù)乜刂朴脕碚{(diào)節(jié)向腔室主體51的氣體供給量的控制閥56、和用來調(diào)節(jié) 來自腔室主體51的排氣量的控制閥58，可以自由地對(duì)腔室主體51的內(nèi)部壓力進(jìn)行調(diào)節(jié) (減壓速度調(diào)節(jié)、升壓速度調(diào)節(jié)、壓力維持調(diào)節(jié))。離子化裝置60通過電暈放電、UV照射、X射線照射等各種 方法使由氣體供給線55 供給的氣體離子化，生成離子化氣體。所謂“離子化氣體”，是指氣體分子的一部分在被離子 化的狀態(tài)下包含于整個(gè)氣體中的氣體。離子化裝置60可以構(gòu)成為具備多個(gè)離子化方法的 執(zhí)行機(jī)構(gòu)，也可以構(gòu)成為根據(jù)氣體種類適當(dāng)選擇離子化方法。為了使生成的離子高效地到 達(dá)晶片W，離子化裝置60優(yōu)選在腔室主體51的外側(cè)靠近腔室主體51配置。制動(dòng)過濾器61是例如長(zhǎng)度為200mm的網(wǎng)狀金屬制過濾器，由于能夠使氣體釋放面 積增加，因此能夠減小釋放氣體的流速。由此，能夠在遍及大范圍內(nèi)均勻地釋放氣體，能夠 防止在腔室主體51內(nèi)部的顆粒飛揚(yáng)。此外，通過使用制動(dòng)過濾器61，在將腔室主體51升壓 時(shí)，能夠使壓力均勻地上升。如圖1所示那樣，將制動(dòng)過濾器61設(shè)置于晶片W的上空(腔室主體51內(nèi)部的頂 部附近)，將排氣口 59設(shè)置于腔室主體51的底壁，由此，能夠如后述的那樣形成離子化氣體 的流向，即，在從制動(dòng)過濾器61釋放氣體并且進(jìn)行從排氣口 59的排氣時(shí)，從制動(dòng)過濾器61 釋放的離子化氣體與晶片W接觸后流向排氣口 59。由此，將離子化氣體高效地供給至晶片 W，促進(jìn)晶片W的除電。另外，在腔室主體51內(nèi)部的氣體釋放不一定使用制動(dòng)過濾器61，也可以如在基板 處理部2中所使用的噴淋頭33那樣使用具有向晶片W的上表面釋放氣體的構(gòu)造的機(jī)構(gòu)。用 于如制動(dòng)過濾器61那樣在腔室主體51的內(nèi)部釋放離子化氣體所使用的部件，優(yōu)選由難以 使離子化氣體所包含的離子產(chǎn)生向中性分子變化的材質(zhì)構(gòu)成，或者具有較長(zhǎng)地維持離子壽 命的構(gòu)造。如上所述構(gòu)成的基板處理系統(tǒng)1，由控制部(未圖示)進(jìn)行計(jì)算機(jī)控制，通過運(yùn)行 用于根據(jù)規(guī)定的處理方案對(duì)晶片W實(shí)施處理的程序(軟件)，驅(qū)動(dòng)構(gòu)成基板處理系統(tǒng)1的各 種可動(dòng)部，對(duì)晶片W進(jìn)行處理。接著，對(duì)在搬送腔室4中的晶片W的搬送過程中對(duì)晶片W進(jìn)行除電來防止顆粒向 晶片W附著的方法進(jìn)行說明。首先，對(duì)從大氣系統(tǒng)搬送部3向基板處理部2搬送晶片W時(shí)防止顆粒向晶片W附 著的方法進(jìn)行說明。圖2是表示搬送腔室的第一壓力調(diào)整模式的示意圖。在圖2中，表示腔室主體51 的壓力變化、和給氣系統(tǒng)52與排氣裝置53的各控制閥56、58的開(ON) /關(guān)(OFF)的時(shí)刻?？刂崎y56能夠使氣體流量連續(xù)且任意地變化，但是在本實(shí)施方式中，使其僅進(jìn)行 在以一定流量流過氣體的“開狀態(tài)”和不流過氣體的“關(guān)狀態(tài)”之間的切換。與此同樣地， 控制閥58在“開狀態(tài)，，時(shí)進(jìn)行排氣，在“關(guān)狀態(tài)，，時(shí)不進(jìn)行排氣。此外，在以下將說明的全 部的壓力調(diào)整模式(圖2 圖5)中，離子化裝置60在控制閥56為關(guān)狀態(tài)時(shí)不動(dòng)作(關(guān)狀 態(tài))，在控制閥56為開狀態(tài)時(shí)進(jìn)行動(dòng)作產(chǎn)生離子化氣體(開狀態(tài))。
最初，通過給氣系統(tǒng)52，例如將N2氣作為清掃氣體供向腔室主體51，由此，腔室主 體51被維持于大氣壓環(huán)境。在該狀態(tài)下打開間閥6，將晶片W從拾取器45向拾取器54移 載，然后關(guān)閉閘閥6。在至關(guān)閉閘閥6的時(shí)間、為止的期間，排氣裝置53的真空泵57動(dòng)作， 但是控制閥58為關(guān)狀態(tài)，因此，腔室主體51不會(huì)被減壓。離子化裝置60在至?xí)r間、為止的期間為開狀態(tài)。在該情況下，當(dāng)使腔室主體51 的內(nèi)部壓力與裝載模塊42的內(nèi)部壓力相比形成若干正壓時(shí)，能夠防止由從裝載模塊42向 腔室主體51流入空氣造成的顆粒的進(jìn)入。此外，離子化氣體通過間閥6從腔室主體51流 入裝載模塊42，進(jìn)而流入前開式晶片盒40內(nèi)，由此能夠期待對(duì)保持于拾取器45的晶片W、 前開式晶片盒40內(nèi)的晶片W進(jìn)行除電的效果。但是，該效果依存于離子化氣體中的離子的 壽命(從離子變成中性分子的時(shí)間)。保持于拾取器54的晶片W可能會(huì)帶電。因此，為了在腔室主體51的內(nèi)部對(duì)晶片 W進(jìn)行除電來防止由靜電力造成的顆粒向晶片W的附著，進(jìn)行以下的處理。在關(guān)閉閘閥6時(shí)，移載臂50迅速地開始從大氣系統(tǒng)搬送部3 —側(cè)向基板處理部2 一側(cè)搬送晶片W(從裝載模塊42向處理腔室10的晶片W的搬送)。晶片W的搬送速度按照 腔室主體51的壓力到達(dá)能夠打開閘閥5的目標(biāo)壓力Pv為止所經(jīng)過的時(shí)間t3來設(shè)定。晶片 W的搬送可以以一定的速度連續(xù)地進(jìn)行，也可以通過設(shè)定在腔室主體51的中央部等暫時(shí)停 止的狀態(tài)來進(jìn)行。此外，當(dāng)閘閥6關(guān)閉時(shí)，控制閥58迅速地變成開狀態(tài)而開始排氣，腔室主體51的 減壓開始。將控制閥56維持于開狀態(tài)，持續(xù)向腔室主體51進(jìn)行離子化氣體的供給。當(dāng)然， 排氣裝置53的排氣量比給氣系統(tǒng)52的給氣量大。在腔室主體51的減壓期間，在腔室主體51的內(nèi)部，離子化氣體易于從配設(shè)有制動(dòng) 過濾器61的頂部一側(cè)向設(shè)置有排氣口 59的底壁流動(dòng)。因此，能夠使離子化氣體高效地接 觸晶片W，通過晶片W的表面電荷與離子的電荷結(jié)合，對(duì)晶片W進(jìn)行除電。這樣，能夠防止由 靜電力造成的顆粒向晶片W的附著。此外，存在于腔室主體51內(nèi)部的帶電顆粒通過離子化氣體所包含的離子進(jìn)行除 電。這樣被除電的顆粒難以附著于晶片W和腔室主體51的內(nèi)部部件，而且排氣變得容易。 這樣，能夠防止顆粒向晶片W的附著。接著，腔室主體51，在到達(dá)預(yù)定的壓力P1的時(shí)間、，使控制閥58處于關(guān)狀態(tài)。另 一方面，將控制閥56維持于開(ON)狀態(tài)，持續(xù)向腔室主體51進(jìn)行離子化氣體的供給。因 此，腔室主體51的壓力開始上升。此時(shí)，離子化氣體在腔室主體51的內(nèi)部均勻地?cái)U(kuò)散，能夠?qū)υ谇皇抑黧w51內(nèi)部浮 ＝游的顆粒和由靜電力造成的附著于腔室主體51內(nèi)壁的顆粒進(jìn)行除電。這樣被除電的顆粒， 在接著對(duì)腔室主體51進(jìn)行減壓時(shí)，容易從排氣口 59排出。此外，通過離子化氣體能夠?qū)?片W和腔室主體51的內(nèi)部部件進(jìn)行除電，能夠防止顆粒附著于其上。腔室主體51，在到達(dá)預(yù)定的壓力P2的時(shí)間t2，再次使控制閥58為開狀態(tài)，再次進(jìn) 行腔室主體51的減壓。當(dāng)較低地設(shè)定壓力P2時(shí)，可抑制處理量的下降；當(dāng)較高地設(shè)定壓力 P2時(shí)，供向腔室主體51的離子化氣體量增加，上述的顆粒除電效果等增加。在考慮晶片W 的帶電狀態(tài)后，將壓力P2設(shè)定為適當(dāng)?shù)闹?。在時(shí)間t2之后，如圖2所示的那樣交替設(shè)置腔室主體51的減壓和升壓，進(jìn)行晶片W的除電，在到達(dá)最終的目標(biāo)壓力Pv的時(shí)間t3，使控制閥56、58和離子化裝置60為關(guān)狀態(tài)， 維持腔室主體51的壓力。在時(shí)間t3，將晶片W搬送至靠近閘閥5的位置，如果打開閘閥5， 則移載臂50優(yōu)選形成能夠迅速地將拾取器54所保持的晶片W搬入處理腔室10的狀態(tài)。由 此，能夠提高搬送腔室4的搬送處理的處理量。在時(shí)間t3后，迅速打開閘閥5，移載臂50進(jìn)入處理腔室10的內(nèi)部，將保持于拾取 器54的晶片W載置于基座11，關(guān)閉閘閥5后，在處理腔室10開始晶片W的蝕刻處理。接著，參照?qǐng)D3所示的示意圖對(duì)搬送腔室4的第二壓力調(diào)整模式進(jìn)行說明。該第 二壓力調(diào)整模式也被用于在從大氣系統(tǒng)搬送部3向基板處理部2搬送晶片W之際。在圖3 中，所示為腔室主體51的壓力變化、和給氣系統(tǒng)52與排氣裝置53的各控制閥56、58的開 /關(guān)的時(shí)序。如通過對(duì)比圖2與圖3能夠明確的那樣，在圖2所示的第一壓力調(diào)整模式與圖3 所示的第二壓力調(diào)整模式中，在給氣系統(tǒng)52的控制閥56的開狀態(tài)/關(guān)狀態(tài)的切換方面具 有不同點(diǎn)。即，在第一壓力調(diào)整模式中，總是將離子化氣體供向腔室主體51，但是在第二壓 力調(diào)整模式中，在腔室主體51減壓時(shí)停止向腔室主體51供給離子化氣體。由此，第二壓力調(diào)整模式中的減壓時(shí)的減壓速度，比第一壓力調(diào)整模式中的減壓 時(shí)的減壓速度快。如從圖2、圖3能夠明確的那樣，在第二壓力調(diào)整模式中，暫時(shí)停止減壓的 壓力(例如，壓力PD和中止升壓的壓力(例如，壓力P2)與第一壓力調(diào)整模式的情況相同。 因此，至第二壓力調(diào)整模式中的目標(biāo)壓力Pv的到達(dá)時(shí)間t13比第一壓力調(diào)整模式的情況的 到達(dá)時(shí)間、短，提高了處理量。在該第二壓力調(diào)整模式中，在從大氣壓至目標(biāo)壓力Pv的減壓過程中也設(shè)置有升壓 期間(例如，時(shí)間tn t12期間)，因此能夠在腔室主體51的內(nèi)部使離子化氣體擴(kuò)散，對(duì)晶 片W進(jìn)行除電。另外，在該第二壓力調(diào)整模式中，也可以將通過提高減壓速度而產(chǎn)生的時(shí)間 縮短量用來補(bǔ)充用于提高離子化氣體的供給量的時(shí)間。接著，對(duì)在將晶片W從基板處理部2向大氣系統(tǒng)搬送部3搬送時(shí)防止顆粒附著于 晶片W的方法進(jìn)行說明。圖4是表示搬送腔室的第三壓力調(diào)整模式的示意圖。在圖4中，所示為腔室主體 51的壓力變化、和給氣系統(tǒng)52與排氣裝置53的各控制閥56、58的開(ON) /關(guān)(OFF)的時(shí)序。首先，將腔室主體51維持于能夠打開閘閥5的壓力Pv的減壓環(huán)境。打開閘閥5， 移載臂50進(jìn)入基座11從基座11接收晶片W，當(dāng)將晶片W搬入腔室主體51時(shí)，關(guān)閉閘閥5。在至關(guān)閉閘閥5的時(shí)間L為止的期間，控制閥56、58均處于關(guān)狀態(tài)。但是，也可 以使控制閥58例如間歇地處于開狀態(tài)，以使腔室主體51維持于一定的減壓狀態(tài)。由移載臂50的拾取器54保持的晶片W，由于在基板處理部2進(jìn)行蝕刻處理而帶電 的可能性較高。因此，為了在腔室主體51的內(nèi)部對(duì)晶片W進(jìn)行除電來防止由靜電力造成的 顆粒向晶片W的附著，進(jìn)行以下的處理。當(dāng)關(guān)閉閘閥5時(shí)，移載臂50迅速地開始從基板處理部2 —側(cè)向大氣系統(tǒng)搬送部3 一側(cè)搬送晶片W。這里的晶片W的搬送方法能夠設(shè)定為與在前面說明的從大氣系統(tǒng)搬送部 3一側(cè)向基板處理部2 —側(cè)搬送晶片W的方法相同。在時(shí)間I；，控制閥56 (以及離子化裝置60)處于開狀態(tài)，開始向腔室主體51供給離子化氣體。此外，在時(shí)間Ttl之后，將控制閥58維持于關(guān)狀態(tài)。由此，腔室主體51的壓力 上升。通過在腔室主體51的內(nèi)部擴(kuò)散的離子化氣體所含有的離子的電荷與晶片W的表面 電荷結(jié)合，對(duì)晶片W進(jìn)行除電來防止由靜電力造成的顆粒向晶片W的附著。在腔室主體51變成大氣壓的時(shí)間T1,晶片W被搬送至靠近閘閥6的位置，如果打開閘閥6，則移載臂50優(yōu)選形成能夠?qū)⑹叭∑?4保持的晶片W迅速地搬入裝載模塊42的 狀態(tài)。由此，能夠提高搬送腔室4的搬送處理的處理量。在時(shí)間T1后，迅速地打開閘閥6，移載臂50進(jìn)入裝載模塊42的內(nèi)部。拾取器54保 持的晶片W被交接至搬送臂44的拾取器45之后，收納于前開式晶片盒40內(nèi)的規(guī)定位置。接著，參照?qǐng)D5所示的示意圖對(duì)搬送腔室4的第四壓力調(diào)整模式進(jìn)行說明。該第 四壓力調(diào)整模式也被用于在從基板處理部2向大氣系統(tǒng)搬送部3搬送晶片W之際。在圖5 中，所示為腔室主體51的壓力變化、和給氣系統(tǒng)52與排氣裝置53的各控制閥56、58的開 /關(guān)的時(shí)序。在通過移載臂50將晶片W從處理腔室10取出、關(guān)閉閘閥5時(shí)，開始由移載臂50 進(jìn)行晶片W的搬送。在關(guān)閉閘閥5的時(shí)間Ttl，控制閥56(以及離子化裝置60)處于開狀態(tài)， 開始向腔室主體51供給離子化氣體。這樣，通過在腔室主體51的內(nèi)部擴(kuò)散的離子化氣體 開始對(duì)晶片W進(jìn)行除電。如圖5所示，在腔室主體51到達(dá)預(yù)定的壓力P11的時(shí)間T11,通過使控制閥58處于 開狀態(tài)(真空泵57總是運(yùn)行中)，使腔室主體51的壓力變化從升壓向減壓轉(zhuǎn)換。由此，離 子化氣體在腔室主體51的內(nèi)部從頂部側(cè)向底壁側(cè)流動(dòng)，離子化氣體所含有的離子變得易 于與晶片W接觸。這樣，能夠有效地促進(jìn)晶片W的除電效果。接著，在腔室主體51到達(dá)預(yù)定的壓力P12為止所經(jīng)過的時(shí)間T12，通過使控制閥58 處于關(guān)狀態(tài)，使腔室主體51的升壓再次進(jìn)行。當(dāng)將壓力P12較高(但是，P11 > P12)地設(shè)定 時(shí)，處理量增加；當(dāng)將壓力P12較低地設(shè)定時(shí)，離子化氣體的除電效果提升。在考慮晶片W的 帶電狀態(tài)之后，將壓力P12設(shè)定為適當(dāng)?shù)闹?。在時(shí)間T12之后，如圖5所示那樣交替地設(shè)置腔室主體51的升壓和減壓，并使其最 終為大氣壓。在到達(dá)大氣壓的時(shí)間T13之后，分別將控制閥58維持于關(guān)狀態(tài)，將控制閥56 和離子化裝置60維持于開狀態(tài)。在時(shí)間T13之后，打開閘閥6，將移載臂50的拾取器54保持的晶片W搬入裝載模 塊42，交接至搬送臂44的拾取器45，收納于前開式晶片盒40內(nèi)的規(guī)定位置。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠通過離子化氣體對(duì)晶片W與存在于腔室主體51的內(nèi) 部的顆粒進(jìn)行除電，因此能夠防止由靜電力造成的顆粒向晶片W的附著。令給氣系統(tǒng)52構(gòu) 成為利用供向腔室主體51的清掃氣體產(chǎn)生離子化氣體，使裝置結(jié)構(gòu)變得簡(jiǎn)單。此外，通過 將離子化裝置安裝于現(xiàn)有的基板處理系統(tǒng)中的清掃氣體的供給裝置，能夠容易地構(gòu)筑給氣 系統(tǒng)52。進(jìn)而，利用腔室主體51的壓力變動(dòng)，通過將被除電的顆粒從腔室主體51排出，能 夠提高腔室主體51內(nèi)部的清潔度，并有效地防止由靜電力造成的顆粒向晶片W的附著。通過將本發(fā)明用于對(duì)在基板處理部2進(jìn)行的處理完成后的晶片W進(jìn)行除電，在收 納于前開式晶片盒40并被搬送至后續(xù)工序后的晶片W難以發(fā)生由靜電力造成的顆粒附著。 另一方面，對(duì)搬入基板處理部2的晶片W進(jìn)行除電來防止由靜電力造成的顆粒向晶片W的 附著，由此能夠抑制在處理腔室中的處理的顆粒的影響。
進(jìn)而，在使腔室主體51從大氣壓環(huán)境向減壓環(huán)境變化的期間進(jìn)行暫時(shí)的升壓時(shí)， 離子化氣體在腔室主體51的整個(gè)內(nèi)部擴(kuò)散，由此能夠?qū)Υ嬖谟谇皇抑黧w51內(nèi)部的顆粒進(jìn) 行除電。這樣，被除電的顆粒能夠在下次減壓時(shí)從腔室主體51排出，因此能夠提高腔室主 體51內(nèi)部的清潔度。該效果也能夠通過在從減壓環(huán)境向大氣壓環(huán)境變化時(shí)進(jìn)行暫時(shí)的減 壓來獲得。
以上，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明并非限定于上述實(shí)施方式。例 如，也可以構(gòu)成為將清掃氣體供向腔室主體51的給氣系統(tǒng)52被賦予作為除電系統(tǒng)的功能 來構(gòu)成基板處理系統(tǒng)1，但是將清掃氣體的供給系統(tǒng)和離子化氣體的供給系統(tǒng)完全分開。此外，在上述說明中，將腔室主體51設(shè)定為用于從大氣壓環(huán)境向減壓環(huán)境變化的 壓力調(diào)整模式，采用交替進(jìn)行減壓和升壓的模式，但是在將離子化氣體供向腔室主體51的 同時(shí)不進(jìn)行升壓而連續(xù)地減壓的模式，也能夠?qū)琖適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行除電來防止由靜電力造 成的顆粒向晶片W的附著，而且能夠提高處理量。另一方面，作為用于將腔室主體51從減壓環(huán)境向大氣壓環(huán)境變化的壓力調(diào)整模 式，采用在連續(xù)供給離子化氣體的同時(shí)交替組合升壓和減壓的模式，但是也可以在減壓時(shí) 停止將離子化氣體供向腔室主體51。進(jìn)而，在上述的說明中，基板處理部2對(duì)晶片W實(shí)施蝕刻處理，但是基板處理部 也可以對(duì)晶片W進(jìn)行成膜處理、擴(kuò)散處理。進(jìn)而，在上述的說明中，采用半導(dǎo)體晶片作為 被處理基板(除電對(duì)象物)，但是被處理基板不限定于此，也可以是IXD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)等FPD (Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光掩膜、⑶基 板、印刷基板等各種基板。此外，本發(fā)明的目的也可以通過將記錄有能夠?qū)崿F(xiàn)上述各實(shí)施方式的功能的軟件 的程序編碼的存儲(chǔ)介質(zhì)提供給計(jì)算機(jī)(例如，控制部)并由計(jì)算機(jī)的CPU讀出存儲(chǔ)于存儲(chǔ) 介質(zhì)的程序編碼加以運(yùn)行來實(shí)現(xiàn)。在該情況下，從存儲(chǔ)介質(zhì)讀出的程序編碼本身能夠?qū)崿F(xiàn)上述的各實(shí)施方式的功 能，程序編碼及存儲(chǔ)該程序編碼的存儲(chǔ)介質(zhì)構(gòu)成了本發(fā)明。作為用于供給程序編碼的存儲(chǔ)介質(zhì)，也可以是例如RAM、NV-RAM、軟(注冊(cè)商標(biāo)) 盤、硬盤、磁光盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD (DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等光盤、磁 帶、非易失性存儲(chǔ)卡、其他的ROM等能夠存儲(chǔ)上述程序編碼的存儲(chǔ)介質(zhì)?；蛘?，上述程序編 碼也可以通過從與互聯(lián)網(wǎng)、商用網(wǎng)絡(luò)、或局域網(wǎng)等連接的未圖示的其他計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)庫(kù)等下 載后提供給計(jì)算機(jī)。此外，通過運(yùn)行計(jì)算機(jī)讀出的程序編碼，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)上述各實(shí)施方式的功能，還 包括以下情況根據(jù)該程序編碼的指示，由在CPU上運(yùn)行的OS (操作系統(tǒng))等進(jìn)行實(shí)際處理 的一部分或全部，通過該處理實(shí)現(xiàn)上述的各實(shí)施方式的功能。進(jìn)而，還存在以下的情況在從存儲(chǔ)介質(zhì)讀出的程序編碼被寫入插入計(jì)算機(jī)的功 能擴(kuò)張板、與計(jì)算機(jī)連接的功能擴(kuò)張單元所具備的存儲(chǔ)器后，根據(jù)該程序編碼的指示，由該 功能擴(kuò)張板、功能擴(kuò)張單元所具備的CPU等進(jìn)行實(shí)際處理的一部分或全部，通過該處理實(shí) 現(xiàn)上述的各實(shí)施方式的功能。上述的程序編碼的方式也可以由目的碼、通過解釋程序運(yùn)行的程序編碼、被供向 OS的腳本數(shù)據(jù)等方式構(gòu)成。
權(quán)利要求
一種搬送腔室，其設(shè)置于在減壓環(huán)境中對(duì)被處理基板實(shí)施規(guī)定處理的減壓處理部和將被處理基板保持在大氣壓環(huán)境中的大氣系統(tǒng)保持部之間，在所述減壓處理部和所述大氣系統(tǒng)保持部之間搬送所述被處理基板，所述搬送腔室的特征在于，包括腔室主體，其收納所述被處理基板；排氣裝置，其為了使所述腔室主體的內(nèi)部為所述減壓環(huán)境，進(jìn)行從所述腔室主體的排氣；氣體供給裝置，其為了使所述腔室主體的內(nèi)部為所述大氣壓環(huán)境，將規(guī)定的氣體供給至所述腔室主體；離子化氣體供給裝置，其在所述腔室主體的外部具備使所述規(guī)定的氣體離子化的離子化裝置，將在所述離子化裝置中產(chǎn)生的離子化氣體供給至所述腔室主體。
2.如權(quán)利要求1所述的搬送腔室，其特征在于 所述離子化裝置安裝于所述氣體供給裝置，由所述氣體供給裝置供給至所述腔室主體的氣體，由所述離子化裝置離子化而供給至 所述腔室主體。
3. 一種顆粒附著防止方法，其是使用搬送腔室在減壓處理部和大氣系統(tǒng)保持部之間搬 送被處理基板時(shí)防止顆粒向所述被處理基板附著的方法，所述搬送腔室包括設(shè)置于在減壓 環(huán)境中對(duì)被處理基板實(shí)施規(guī)定處理的減壓處理部和將被處理基板保持在大氣壓環(huán)境中的 大氣系統(tǒng)保持部之間、內(nèi)部能夠在減壓環(huán)境和大氣壓環(huán)境之間進(jìn)行切換的腔室主體，用于 在所述減壓處理部和所述大氣系統(tǒng)保持部之間搬送被處理基板，所述顆粒附著防止方法的 特征在于，包括收納步驟，其將被處理基板收納于所述腔室主體；除電步驟，其將在所述腔室主體的外部產(chǎn)生的離子化氣體供給至所述腔室主體，對(duì)所 述被處理基板進(jìn)行除電。
4.如權(quán)利要求3所述的顆粒附著防止方法，其特征在于所述收納步驟通過將所述被處理基板從所述減壓處理部搬入所述腔室主體來進(jìn)行， 在所述除電步驟中，伴隨從所述腔室主體排氣而向所述腔室主體供給所述離子化氣 體，由此使所述腔室主體從所述減壓環(huán)境向所述大氣壓環(huán)境轉(zhuǎn)變。
5.如權(quán)利要求3所述的顆粒附著防止方法，其特征在于所述收納步驟通過將所述被處理基板從所述大氣系統(tǒng)保持部搬入所述腔室主體來進(jìn)行，在所述除電步驟中，一邊將所述離子化氣體供給至所述腔室主體，一邊從所述腔室主 體排氣，由此使所述腔室主體的內(nèi)部從所述大氣壓環(huán)境向所述減壓環(huán)境轉(zhuǎn)變。
6.如權(quán)利要求5所述的顆粒附著防止方法，其特征在于在所述除電步驟中，通過反復(fù)進(jìn)行減壓和升壓，使所述腔室主體的內(nèi)部從所述大氣壓 環(huán)境向所述減壓環(huán)境轉(zhuǎn)變。
7.如權(quán)利要求3 6中任一項(xiàng)所述的顆粒附著防止方法，其特征在于在所述除電步 驟中，作為所述離子化氣體，使用將為了調(diào)整所述腔室主體的壓力而被供給至所述腔室主 體的清掃氣體離子化而產(chǎn)生的氣體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種搬送腔室和顆粒附著防止方法，其能夠不損害被處理基板地對(duì)被處理基板進(jìn)行除電，防止由靜電力造成的顆粒向被處理基板的附著。在基板處理系統(tǒng)(1)中，在基板處理部(2)和大氣系統(tǒng)搬送部(3)之間設(shè)置的搬送腔室(4)具備收納作為被處理基板的晶片(W)的腔室主體(51)。腔室主體(51)能夠通過給氣系統(tǒng)(52)和排氣裝置(53)在減壓環(huán)境和大氣壓環(huán)境之間切換。給氣系統(tǒng)(52)在腔室主體(51)的外側(cè)具備產(chǎn)生離子化氣體的離子化裝置(60)。將在離子化裝置(60)產(chǎn)生的離子化氣體供向腔室主體(51)，對(duì)收納于腔室主體(51)的晶片(W)進(jìn)行除電。
文檔編號(hào)H01L21/677GK101800187SQ20101011390
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2010年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月9日
發(fā)明者中山博之, 及川純史, 山涌純 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社