專利名稱：小尺寸mos器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種小尺寸MOS器件制造方法。
背景技術(shù)：
隨著ICantegrated Circuit，集成電路)制造工藝/設(shè)備的不斷發(fā)展，IC的集成度越來(lái)越高，這就要求各類MOS器件的尺寸更加小型化。半導(dǎo)體器件制造過程中，MOS器件的制造工藝流程一般有如下幾個(gè)步驟(以NMOS 為例來(lái)說明)(1)在襯底上生長(zhǎng)屏蔽氧化層；(2)進(jìn)行P型離子注入，形成P阱；(3)生長(zhǎng)柵氧化層；(4)多晶硅淀積、光刻、刻蝕，形成柵區(qū)；(5) NLDD (N型輕摻雜漏)光刻、注入；(6) TEOS(四乙基原硅酸鹽)淀積、光刻、刻蝕，形成側(cè)墻；(7)S/D(源/漏)光刻、注入；(8)S/ D推進(jìn)；(9)氧化層淀積；(10) SAB (Salicide Block，金屬硅化物阻擋層)光刻、刻蝕；(11) Silicide (硅化物)金屬工藝，形成金屬接觸。為了使得MOS器件的尺寸更加小型化，在MOS器件制造過程中必須形成較淺的源 /漏結(jié)深，而要形成較淺的源/漏結(jié)深在注入工藝中必然對(duì)注入設(shè)備的能力有較高的要求。目前離子注入機(jī)為高電流、低能量設(shè)備，利用此設(shè)備很難在低能量和高生產(chǎn)率的前提下實(shí)現(xiàn)超淺結(jié)工藝，因此利用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行注入及后續(xù)的推進(jìn)工藝很難實(shí)現(xiàn)源/漏淺結(jié)，從而限制了小尺寸MOS器件的生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種小尺寸MOS器件制造方法，該方法能夠?qū)崿F(xiàn)源/漏淺結(jié)，進(jìn)而可制造出小尺寸的MOS器件。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種小尺寸MOS器件制造方法，所述方法包括提供基底，所述基底上具有柵氧化層，所述柵氧化層上具有柵區(qū)；在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽；在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)分別形成第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)；在所述第一溝槽和第二溝槽的外側(cè)基底內(nèi)分別形成第三溝槽和第四溝槽；在所述第三溝槽和第四溝槽內(nèi)分別形成源區(qū)和漏區(qū)。優(yōu)選的，所述方法還包括在所述源區(qū)和漏區(qū)上分別形成金屬硅化物。優(yōu)選的，在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽，具體包括在具有柵氧化層的基底上形成具有第一溝槽和第二溝槽圖案的光刻膠層；以所述具有第一溝槽和第二溝槽圖案的光刻膠層為掩膜，在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽。優(yōu)選的，在所述第一溝槽和第二溝槽的外側(cè)基底內(nèi)分別形成第三溝槽和第四溝槽，具體包括
在柵區(qū)兩側(cè)的第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)上分別形成第一側(cè)墻和第二側(cè)
掉工回；在所述基底上淀積SAB阻擋材料層；在具有SAB阻擋材料層的基底上形成具有第三溝槽和第四溝槽圖案的光刻膠層；以所述具有第三溝槽和第四溝槽圖案的光刻膠層為掩膜，在所述基底內(nèi)形成第三溝槽和第四溝槽，并在所述基底上形成SAB阻擋層。優(yōu)選的，在所述源區(qū)和漏區(qū)上分別形成金屬硅化物，具體包括在具有SAB阻擋層的基底上淀積金屬；對(duì)所述基底進(jìn)行退火處理，在所述源區(qū)和漏區(qū)上分別形成金屬硅化物；去除基底上除源區(qū)和漏區(qū)之外的金屬。優(yōu)選的，提供基底，所述基底上具有柵氧化層，所述柵氧化層上具有柵區(qū)，具體包括提供基底；在所述基底上形成屏蔽氧化層；以所述屏蔽氧化層為注入阻擋層在所述基底內(nèi)形成阱區(qū)；去除所述屏蔽氧化層；在所述基底上形成柵氧化層；在所述柵氧化層上形成柵區(qū)。優(yōu)選的，在柵區(qū)兩側(cè)的第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)上分別形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻，具體包括在所述基底上淀積介質(zhì)層；反刻所述介質(zhì)層，在柵區(qū)兩側(cè)的第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)上分別形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。優(yōu)選的，所述柵區(qū)為SrTi03、HfO2JiO2或多晶硅。優(yōu)選的，所述第三溝槽和第四溝槽的深度均小于0. 1 μ m。優(yōu)選的，所述第三溝槽和第四溝槽的深度均大于所述第一溝槽和第二溝槽的深度。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明在柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽，并在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)分別形成第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)，類似的，在所述第一溝槽和第二溝槽的外側(cè)基底內(nèi)分別形成第三溝槽和第四溝槽，并在所述第三溝槽和第四溝槽內(nèi)分別形成源區(qū)和漏區(qū)。和現(xiàn)有技術(shù)中的注入工藝相比，本發(fā)明所提供的方法在基底內(nèi)先后形成四個(gè)溝槽，每個(gè)溝槽的深度均可由刻蝕時(shí)間精確控制，而第三溝槽和第四溝槽的深度即對(duì)應(yīng)后續(xù)形成的源/漏結(jié)深，因此，通過控制刻蝕時(shí)間即可形成源/ 漏淺結(jié)，從而可制造出小尺寸的MOS器件。除此之外，本發(fā)明所提供的方法由于沒有采用注入工藝，故在后續(xù)步驟中省卻了源/漏推進(jìn)工藝，減少了工藝流程，使得制造小尺寸MOS器件的過程簡(jiǎn)單化。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種小尺寸MOS器件制造方法流程圖；圖2 圖10為本發(fā)明實(shí)施例所提供的小尺寸MOS器件制造過程中的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如背景技術(shù)部分所述，為了制造出小尺寸的MOS器件，在一般MOS器件制造工藝流程的注入工藝中對(duì)注入設(shè)備能力有較高的要求，而傳統(tǒng)的離子注入機(jī)為高電流、低能量設(shè)備，因此很難實(shí)現(xiàn)源/漏淺結(jié)，從而限制了小尺寸MOS器件的生產(chǎn)?；诖?，本發(fā)明提供一種小尺寸MOS器件制造方法，該方法包括如下步驟提供基底，所述基底上具有柵氧化層，所述柵氧化層上具有柵區(qū)；在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽；在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)分別形成第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)；在所述第一溝槽和第二溝槽的外側(cè)基底內(nèi)分別形成第三溝槽和第四溝槽；在所述第三溝槽和第四溝槽內(nèi)分別形成源區(qū)和漏區(qū)。下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明所提供的小尺寸MOS器件制造方法。參考圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種小尺寸MOS器件制造方法流程圖，該方法具體包括如下步驟步驟Sl 提供基底，所述基底上具有柵氧化層，所述柵氧化層上具有柵區(qū)。本步驟又可包括步驟Sll 步驟S16，具體如下步驟Sll:提供基底。本實(shí)施例中所提供的基底包括本體層和外延層，所述本體層為P型單晶硅；所述外延層為在P型單晶硅上生長(zhǎng)的具有輕摻雜的單晶硅，其晶格結(jié)構(gòu)和本體層完全相同，只是純度更高、晶格缺陷更少。在其他實(shí)施例中，所述本體層還可以為鍺、磷化銦或砷化鎵等其他半導(dǎo)體材料。在MOS器件制造過程中，光刻、刻蝕等工藝進(jìn)行時(shí)的載體一般均為外延層，對(duì)此本發(fā)明實(shí)施例中將一并稱為基底，即下面的描述中將不再區(qū)分基底上的本體層和外延層，而直接描述在基底上或基底內(nèi)進(jìn)行各步驟。所述“基底上”是指由基底表面向上的區(qū)域，該區(qū)域不屬于基底本身；所述“基底內(nèi)”是指由基底表面向下延伸的一定深度的區(qū)域，該區(qū)域?qū)儆诨椎囊徊糠?。步驟S12 在所述基底上形成屏蔽氧化層。
采用熱氧化工藝在基底上生長(zhǎng)屏蔽氧化層，本實(shí)施例中所述屏蔽氧化層為二氧化硅，所述二氧化硅是作為阱區(qū)注入的阻擋層而存在的，因此其厚度可以較薄，一般為150 A
左右O步驟S13 以所述屏蔽氧化層為注入阻擋層在所述基底內(nèi)形成阱區(qū)。參考圖2，首先在具有屏蔽氧化層2的基底1上旋涂光刻膠，接著利用相應(yīng)的掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，曝光之后顯影，在所述具有屏蔽氧化層2的基底1上形成具有阱區(qū)圖案的光刻膠層3。以所述具有阱區(qū)圖案的光刻膠層3為掩膜，采用離子注入方式在基底 1內(nèi)形成阱區(qū)4。本實(shí)施例中注入的離子為硼B(yǎng)離子，形成的阱區(qū)4為P阱。離子注入之后對(duì)基底進(jìn)行退火處理，退火處理是用來(lái)恢復(fù)注入離子時(shí)對(duì)晶格造成的破壞，并激活注入的 1 子。步驟S14 去除所述屏蔽氧化層。退火處理完成后，阱區(qū)4形成。之后，清洗基底1，去除具有阱區(qū)圖案的光刻膠層 3，去除屏蔽氧化層2。步驟S15 在所述基底上形成柵氧化層。參考圖3，采用熱氧化工藝在具有阱區(qū)4的基底1上生長(zhǎng)柵氧化層5，柵氧化層5 的厚度可從大約20 A到幾百A。本實(shí)施例中柵氧化層5為二氧化硅。步驟S16 在所述柵氧化層上形成柵區(qū)。參考圖4，首先，在具有柵氧化層5的基底1上淀積柵區(qū)材料層，本實(shí)施例中所述柵區(qū)材料為SrTiO3，在其他實(shí)施例中所述柵區(qū)材料還可以為HfO2或^O2等高介電常數(shù)材料， 也可以為多晶硅等材料。其次，在具有柵區(qū)材料層的基底1上旋涂光刻膠，利用相應(yīng)的掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，曝光之后顯影，在所述具有柵區(qū)材料層的基底1上形成具有柵區(qū)圖案的光刻膠層，以所述具有柵區(qū)圖案的光刻膠層為掩膜對(duì)所述柵區(qū)材料層進(jìn)行刻蝕，從而在柵氧化層5上形成柵區(qū)6。之后去除光刻膠。步驟S2 在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽。本步驟又可包括步驟S21和步驟S22，具體如下步驟S21 在具有柵氧化層的基底上形成具有第一溝槽和第二溝槽圖案的光刻膠層。參考圖5，在具有柵氧化層5的基底1上旋涂光刻膠，利用相應(yīng)的掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，曝光之后顯影，在所述具有柵氧化層5的基底1上形成具有第一溝槽和第二溝槽圖案的光刻膠層。步驟S22 以所述具有第一溝槽和第二溝槽圖案的光刻膠層為掩膜，在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽。參考圖5，以所述具有第一溝槽和第二溝槽圖案的光刻膠層為掩膜，采用刻蝕工藝在柵區(qū)6兩側(cè)的基底1內(nèi)分別形成第一溝槽7和第二溝槽8。所述第一溝槽7和第二溝槽 8均位于阱區(qū)4內(nèi)，且所述第一溝槽7和第二溝槽8的深度基本相同。之后去除光刻膠。所述第一溝槽7和第二溝槽8位于緊鄰柵區(qū)6兩側(cè)的基底1內(nèi)，它們的深度由刻蝕時(shí)間精確控制。步驟S3 在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)分別形成第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)。參考圖6，本實(shí)施例中采用外延生長(zhǎng)工藝，在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)進(jìn)行輕摻雜漏外延生長(zhǎng)。由于所述第一溝槽和第二溝槽外側(cè)(即遠(yuǎn)離柵區(qū)6的一側(cè))的基底1上覆蓋有柵氧化層5，故外延生長(zhǎng)為選擇性外延生長(zhǎng)，即只在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)進(jìn)行， 因此，選擇性外延生長(zhǎng)的結(jié)果為在柵區(qū)6兩側(cè)分別形成了第一輕摻雜漏區(qū)9和第二輕摻雜漏區(qū)10。本實(shí)施例中所述第一輕摻雜漏區(qū)9和第二輕摻雜漏區(qū)10均為N型輕摻雜漏NLDD。 且本實(shí)施例中外延生長(zhǎng)為低溫選擇性外延生長(zhǎng)，所述低溫大約為600°C 800°C之間，溫度太高將導(dǎo)致?lián)诫s的濃度不均勻。外延生長(zhǎng)形成第一輕摻雜漏區(qū)9和第二輕摻雜漏區(qū)10的高度和基底1表面基本持平。步驟S4 在所述第一溝槽和第二溝槽的外側(cè)基底內(nèi)分別形成第三溝槽和第四溝槽。本步驟又可包括步驟S41 步驟S44，具體如下步驟S41 在柵區(qū)兩側(cè)的第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)上分別形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。在柵區(qū)兩側(cè)形成側(cè)墻又可包括如下兩個(gè)步驟步驟S411 在所述基底上淀積介質(zhì)層。在所述基底上淀積介質(zhì)層，所述介質(zhì)層遍及基底上的整個(gè)表面。本實(shí)施例中所述介質(zhì)層為二氧化硅。步驟S412 反刻所述介質(zhì)層，在柵區(qū)兩側(cè)的第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)上分別形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。利用干法刻蝕工藝反刻掉所述介質(zhì)層。本實(shí)施例中采用各向異性等離子刻蝕機(jī)進(jìn)行反刻，該過程不需要掩膜。參考圖7，反刻的結(jié)果為在柵區(qū)6 —側(cè)的第一輕摻雜漏區(qū)9上形成了第一側(cè)墻11，在柵區(qū)6另一側(cè)的第二輕摻雜漏區(qū)10上形成了第二側(cè)墻12。第一側(cè)墻11和第二側(cè)墻12分別位于柵區(qū)6兩側(cè)，防止后續(xù)源漏形成時(shí)可能導(dǎo)致的源漏穿通。步驟S42 在所述基底上淀積SAB阻擋材料層。在所述基底上淀積SAB阻擋材料層，本實(shí)施例中所述SAB阻擋材料層為二氧化硅。步驟S43 在具有SAB阻擋材料層的基底上形成具有第三溝槽和第四溝槽圖案的光刻膠層。參考圖8，在具有SAB阻擋材料層的基底1上旋涂光刻膠，利用已有的S/D (或SAB) 掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，曝光之后顯影，在所述具有SAB阻擋材料層的基底1上形成具有第三溝槽和第四溝槽圖案的光刻膠層16。步驟S44:以所述具有第三溝槽和第四溝槽圖案的光刻膠層為掩膜，在所述基底內(nèi)形成第三溝槽和第四溝槽，并在所述基底上形成SAB阻擋層。參考圖8，以所述具有第三溝槽和第四溝槽圖案的光刻膠層16為掩膜，采用刻蝕工藝在第一輕摻雜漏區(qū)9和第二輕摻雜漏區(qū)10外側(cè)的基底1內(nèi)分別形成第三溝槽13和第四溝槽14，與此同時(shí)，在基底1上形成了 SAB阻擋層15。第三溝槽13和第四溝槽14均位于阱區(qū)4內(nèi)，兩者的深度基本相同，且兩者的深度均大于所述第一溝槽和第二溝槽的深度。 之后去除光刻膠層16。第三溝槽13位于緊鄰第一輕摻雜漏區(qū)9的基底1內(nèi)，第四溝槽14位于緊鄰第二輕摻雜漏區(qū)10的基底1內(nèi)，第三溝槽13和第四溝槽14的深度均由刻蝕時(shí)間精確控制，本實(shí)施例中兩者的深度均小于0. 1 μ m。步驟S5 在所述第三溝槽和第四溝槽內(nèi)分別形成源區(qū)和漏區(qū)。參考圖9，本實(shí)施例中采用外延生長(zhǎng)工藝，在所述第三溝槽和第四溝槽內(nèi)進(jìn)行源/ 漏外延生長(zhǎng)。由于所述第三溝槽和第四溝槽外側(cè)(即遠(yuǎn)離柵區(qū)6的一側(cè))的基底1上覆蓋有SAB阻擋層15，故外延生長(zhǎng)為選擇性外延生長(zhǎng)，即只在所述第三溝槽和第四溝槽內(nèi)進(jìn)行， 因此，選擇性外延生長(zhǎng)的結(jié)果為在第一輕摻雜漏區(qū)9和第二輕摻雜漏區(qū)10的外側(cè)(即遠(yuǎn)離柵區(qū)6的一側(cè))分別形成了源區(qū)17和漏區(qū)18。本實(shí)施例中所述源區(qū)17和漏區(qū)18為N 型源/漏。且本實(shí)施例中外延生長(zhǎng)為低溫選擇性外延生長(zhǎng)，所述低溫大約為600°C 800°C 之間，溫度太高將導(dǎo)致?lián)诫s的濃度不均勻。外延生長(zhǎng)形成的源區(qū)17和漏區(qū)18的高度和基底1表面基本持平。源區(qū)17和漏區(qū)18的摻雜濃度相比第一輕摻雜漏區(qū)9和第二輕摻雜漏區(qū)10要高。從上述實(shí)施例可以看出，本發(fā)明所提供的方法通過在柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽，并在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)分別形成第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)，同時(shí)，在所述第一溝槽和第二溝槽的外側(cè)基底內(nèi)分別形成第三溝槽和第四溝槽， 并在所述第三溝槽和第四溝槽內(nèi)分別形成源區(qū)和漏區(qū)。這樣一來(lái)，所述第三溝槽和第四溝槽的深度即對(duì)應(yīng)后續(xù)形成的源區(qū)和漏區(qū)的結(jié)深，而所述第三溝槽和第四溝槽的深度可由刻蝕時(shí)間精確控制，因此通過控制刻蝕時(shí)間即可實(shí)現(xiàn)源/漏淺結(jié)，從而實(shí)現(xiàn)小尺寸MOS器件的生產(chǎn)制造。除此之外，本發(fā)明所提供的方法在形成輕摻雜漏區(qū)及源區(qū)和漏區(qū)的時(shí)候，沒有采用傳統(tǒng)工藝的注入方式，因此也省卻了退火工藝，使得整個(gè)工藝流程簡(jiǎn)單化。優(yōu)選的，本發(fā)明所提供的方法在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，還可以進(jìn)一步包括如下步驟步驟S6 在所述源區(qū)和漏區(qū)上分別形成金屬硅化物。傳統(tǒng)工藝中在源區(qū)和漏區(qū)上分別形成金屬硅化物，需要進(jìn)行淀積、光刻、刻蝕等步驟，本發(fā)明所提供的方法在此步驟中有別于傳統(tǒng)工藝。本步驟又可包括步驟S61 步驟 S63，具體如下步驟S61 在具有SAB阻擋層的基底上淀積金屬。步驟S44中在所述基底內(nèi)形成第三溝槽和第四溝槽的時(shí)候，同時(shí)在基底上形成了 SAB阻擋層，本實(shí)施例中采用濺射工藝，在具有SAB阻擋層的基底上淀積金屬，所述金屬可以為Ti或Co等金屬。步驟S62 對(duì)所述基底進(jìn)行退火處理，在所述源區(qū)和漏區(qū)上分別形成金屬硅化物。對(duì)所述基底進(jìn)行退火處理，所述金屬和二氧化硅(SAB阻擋層)不發(fā)生反應(yīng)，因此， 這兩種物質(zhì)不會(huì)發(fā)生化學(xué)的鍵合或者物理聚集，而所述金屬在退火處理過程中會(huì)和基底硅發(fā)生反應(yīng)，生成相應(yīng)的金屬硅化物，例如硅化鈦TiSi2或硅化鈷CoSi2等，因此對(duì)所述基底進(jìn)行退火處理后，在所述源區(qū)和漏區(qū)上分別形成了金屬硅化物。步驟S63 去除基底上除源區(qū)和漏區(qū)之外的金屬。由于所述金屬和基底上的SAB阻擋層不發(fā)生反應(yīng)，故可輕易地刻蝕掉沒有發(fā)生反應(yīng)的金屬，即去除基底上除源區(qū)和漏區(qū)之外的金屬。之后可去除基底上的SAB阻擋層。
參考圖10，圖中示出了源區(qū)17和漏區(qū)18上的金屬硅化物19。對(duì)于柵區(qū)上是否形成金屬硅化物，可根據(jù)需要而定。本實(shí)施例所提供的方法，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，借助于SAB阻擋層，在所述源區(qū)和漏區(qū)上形成了金屬硅化物，相比傳統(tǒng)工藝來(lái)說，節(jié)省了一道光刻工藝，即只需要進(jìn)行一次光刻就能完成源/漏和SAB工藝，減少了成本，提高了生產(chǎn)效率。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備
所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)......”限定的要素，并不排
除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種小尺寸MOS器件制造方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底上具有柵氧化層，所述柵氧化層上具有柵區(qū)； 在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽； 在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)分別形成第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)； 在所述第一溝槽和第二溝槽的外側(cè)基底內(nèi)分別形成第三溝槽和第四溝槽； 在所述第三溝槽和第四溝槽內(nèi)分別形成源區(qū)和漏區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述源區(qū)和漏區(qū)上分別形成金屬硅化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽，具體包括在具有柵氧化層的基底上形成具有第一溝槽和第二溝槽圖案的光刻膠層； 以所述具有第一溝槽和第二溝槽圖案的光刻膠層為掩膜，在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一溝槽和第二溝槽的外側(cè)基底內(nèi)分別形成第三溝槽和第四溝槽，具體包括在柵區(qū)兩側(cè)的第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)上分別形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻； 在所述基底上淀積SAB阻擋材料層；在具有SAB阻擋材料層的基底上形成具有第三溝槽和第四溝槽圖案的光刻膠層； 以所述具有第三溝槽和第四溝槽圖案的光刻膠層為掩膜，在所述基底內(nèi)形成第三溝槽和第四溝槽，并在所述基底上形成SAB阻擋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述源區(qū)和漏區(qū)上分別形成金屬硅化物，具體包括在具有SAB阻擋層的基底上淀積金屬；對(duì)所述基底進(jìn)行退火處理，在所述源區(qū)和漏區(qū)上分別形成金屬硅化物； 去除基底上除源區(qū)和漏區(qū)之外的金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，所述基底上具有柵氧化層，所述柵氧化層上具有柵區(qū)，具體包括提供基底；在所述基底上形成屏蔽氧化層；以所述屏蔽氧化層為注入阻擋層在所述基底內(nèi)形成阱區(qū)； 去除所述屏蔽氧化層； 在所述基底上形成柵氧化層； 在所述柵氧化層上形成柵區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在柵區(qū)兩側(cè)的第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)上分別形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻，具體包括在所述基底上淀積介質(zhì)層；反刻所述介質(zhì)層，在柵區(qū)兩側(cè)的第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)上分別形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述柵區(qū)為SrTi03、Hf02、&O2
9.根據(jù)權(quán)利要求1 7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第三溝槽和第四溝槽的深度均小于0. 1 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第三溝槽和第四溝槽的深度均大于所述第一溝槽和第二溝槽的深度。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種小尺寸MOS器件制造方法，所述方法包括提供基底，所述基底上具有柵氧化層，所述柵氧化層上具有柵區(qū)；在所述柵區(qū)兩側(cè)的基底內(nèi)分別形成第一溝槽和第二溝槽；在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)分別形成第一輕摻雜漏區(qū)和第二輕摻雜漏區(qū)；在所述第一溝槽和第二溝槽的外側(cè)基底內(nèi)分別形成第三溝槽和第四溝槽；在所述第三溝槽和第四溝槽內(nèi)分別形成源區(qū)和漏區(qū)。通過本發(fā)明所提供的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)源/漏淺結(jié)，因此能夠制造出小尺寸的MOS器件。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102446765SQ20101051172
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月12日
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