專利名稱：一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的ih線盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種IH線盤，尤其是涉及一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤。
背景技術(shù)：
請參見圖1、圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的一種IH線盤1'，它包括a組線圈2'和b組線 圈3'；其中，a組線圈2'圈繞在IH線盤1'的盤面內(nèi)側(cè)，b組線圈3'圈繞在IH線盤1' 的盤面外側(cè)，即a組線圈2'和b組線圈3'在IH線盤1'的盤面上呈內(nèi)外分布的狀態(tài)。然 而，這種IH線盤的線圈繞制結(jié)構(gòu)不可避免地會存在一些不足之處。如，當(dāng)將a組線圈2' 和b組線圈3'串聯(lián)使用時(shí)，雖然總的電感值較大，即火力較小，但由于此時(shí)繞線面積較小， 即加熱面積較小，使得此種情況在使用上不合理；當(dāng)單獨(dú)使用a組線圈2'或b組線圈3' 時(shí)，雖然電感值較小，即火力較大，但由于此時(shí)繞線面積較小，即加熱面積較小，使得此種情 況在使用上也是不合理的；當(dāng)將a組線圈2'和b組線圈3'并聯(lián)使用時(shí)，為得到并聯(lián)后的 適當(dāng)電感值，需將兩組線圈的電感值加大，因此，需增加兩組線圈的繞線圈數(shù)，然而，在增加 線圈的繞線圈數(shù)的同時(shí)，銅線的成本也隨之增加，并且在有限的盤面面積下，也限制了銅線 加粗的空間，因此，此種情況在制作和散熱上都有所不利。請參見圖3、圖4所示，現(xiàn)有技術(shù)的另一種IH線盤4'，它包括c組線圈5'和d組 線圈6'；其中，該IH線盤4'的線圈繞法為先將c組線圈5'圈繞在IH線盤4'的盤面 上，然后在c組線圈5'上方放置一絕緣片7'，最后將d組線圈6'疊繞在絕緣片7'上。 因此，該IH線盤4'的兩組線圈在其盤面上呈上下堆疊的狀態(tài)。然而，這種IH線盤的線圈 繞制結(jié)構(gòu)也存在幾點(diǎn)缺點(diǎn)。如，由于兩組線圈呈上下堆疊的狀態(tài)分布，使得兩組線圈與鍋底 之間存在一段差距，因此，此種情況不利于控制電路的設(shè)計(jì)及IH的工作品質(zhì)。此外，由于位 于上層的d組線圈6'與IH線盤4'的鐵芯之間的距離明顯較遠(yuǎn)，因此，會存在熱效率及磁 場外洩的問題。顯然，現(xiàn)有技術(shù)的IH線盤的線圈繞制結(jié)構(gòu)往往存在一些不足之處，因此，有待人 們的進(jìn)一步改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH 線盤，它將兩組線圈平行圈繞在IH線盤的盤面上，并在兩組線圈之間配合開關(guān)元件，從而 很好地解決了現(xiàn)有技術(shù)的IH線盤存在的不足之處。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH 線盤，包括一 IH線盤本體、一第一線圈和一第二線圈；第一線圈和第二線圈呈平行分布地 圈繞在IH線盤本體的同一個(gè)平面的盤面上，且第一線圈和第二線圈之間相互間隔一個(gè)距罔。所述的第一線圈和第二線圈之間還配合安裝至少一個(gè)開關(guān)元件以切換連接第一 線圈和/或第二線圈。
3[0008]本實(shí)用新型的有益效果是由于第一線圈和第二線圈呈平行分布地圈繞在IH線 盤本體的同一個(gè)平面的盤面上，且第一線圈和第二線圈之間相互間隔一個(gè)距離，使得當(dāng)兩 組線圈串聯(lián)或單獨(dú)使用一組線圈時(shí)，兩種情況的繞線面積都一樣，因此在使用上較好；由于 兩組線圈與鍋底之間的距離一樣，使得該IH線盤有利于控制IH電路的設(shè)計(jì)及IH工作品 質(zhì)，且不會出現(xiàn)熱效率及磁場外洩的問題；由于兩組線圈相互平行，使得兩組線圈之間因產(chǎn) 生很強(qiáng)的互感作用而使等效的電感值較大，從而不但使兩組線圈之間因出現(xiàn)較大比例的功 率分配而更有實(shí)用價(jià)值，而且兩組線圈之間的互感可讓各組線圈的繞線圈數(shù)相對減少，進(jìn) 而有利于減少銅線成本和減輕繞線作業(yè)的強(qiáng)度。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明；但本實(shí)用新型的一種線 圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤不局限于實(shí)施例。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種IH線盤的繞線結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中IH線盤的局部剖視圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)的另一種IH線盤的繞線結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3中IH線盤的局部剖視圖；圖5為本實(shí)用新型的IH線盤的繞線結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型的IH線盤的局部剖視圖；圖7為本實(shí)用新型在雙面煎烤器上應(yīng)用時(shí)的電路連接示意圖(一)；圖8為本實(shí)用新型在雙面煎烤器上應(yīng)用時(shí)的電路連接示意圖(二)。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例，請參見圖5、圖6所示，本實(shí)用新型的一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤，包 括一 IH線盤本體1、一第一線圈2和一第二線圈3 ；第一線圈2和第二線圈3呈平行分布地 圈繞在IH線盤1的同一個(gè)平面的盤面上，且第一線圈2和第二線圈3之間相互間隔一個(gè)距罔。所述的第一線圈2和第二線圈3之間還可配合安裝至少一個(gè)開關(guān)元件以切換連接 第一線圈2和/或第二線圈3。本實(shí)用新型的一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤，由于其第一線圈2和第二線圈3 呈平行分布地圈繞在IH線盤本體1的同一個(gè)平面的盤面上，且第一線圈2和第二線圈3之 間相互間隔一個(gè)距離，使得當(dāng)將兩組線圈串聯(lián)使用或單獨(dú)使用一組線圈時(shí)，雖然兩種情況 下的電感值不同，即前者的電感值較大，火力較小，后者的電感值較小，火力較大，但兩種情 況的繞線面積，即加熱面積都一樣，因此在使用上較好；由于兩組線圈與鍋底之間的距離一 樣，使得該IH線盤有利于控制IH電路的設(shè)計(jì)及IH工作品質(zhì)，且不會出現(xiàn)熱效率及磁場外 洩的問題；由于兩組線圈相互平行，使得兩組線圈之間因產(chǎn)生很強(qiáng)的互感作用而使等效的 電感值較大，從而不但使兩組線圈之間因出現(xiàn)較大比例的功率分配而更有實(shí)用價(jià)值，而且 兩組線圈之間的互感可讓各組線圈的繞線圈數(shù)相對減少，進(jìn)而有利于減少銅線成本和減輕 繞線作業(yè)的強(qiáng)度。本實(shí)用新型的一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤，以在雙面煎烤器中的應(yīng)用為例，請參見圖7、圖8所示。在雙面煎烤器上，將電感線圈Ll圈繞在該雙面煎烤器的上盤面上， 將電感線圈L2A和電感線圈L2B呈平行分布地圈繞在該雙面煎烤器的下盤面上，并使電感 線圈L2A和電感線圈L2B之間相互間隔一個(gè)距離，且電感線圈L1、L2A、L2B三者之間設(shè)有一 個(gè)具有雙向切換功能的開關(guān)元件SW。當(dāng)該雙面煎烤器作上、下盤面煎烤使用時(shí)，請參見圖7 所示，開關(guān)元件SW將電感線圈Ll和電感線圈L2B串聯(lián)起來。此時(shí)，只需使電感線圈Li、電 感線圈L2B的電感值相等，即可使該雙面煎烤器的上、下盤面的功率相同，因此，適合雙面 煎烤器的要求。此種情況下，雙面煎烤器的上盤面功率=IH線盤的總功率*L1/(L1+L2B)， 雙面煎烤器的下盤面功率=IH線盤的總功率*L2B/(L1+L2B)，其中，Ll = L2B。當(dāng)該雙面煎烤器作單個(gè)盤面煎烤時(shí)，請參見圖8所示，開關(guān)元件SW將電感線圈Ll、 L2A、L2B三者串聯(lián)起來，此時(shí)，下盤面的等效功率=L2A+L2B+Lm,這里L(fēng)m為電感線圈L2A 和電感線圈L2B所產(chǎn)生的互感。因此，此時(shí)，雙面煎烤器的上盤面的功率=IH線盤的總功 率*L1/ (Ll+L2A+L2B+Lm)，雙面煎烤器的下盤面的功率=IH線盤的總功率* (L2A+L2B+Lm) / (Ll+L2A+L2B+Lm)。由于Ll = L2B,因此，該雙面煎烤器的下盤面功率必然高于上盤面的功 率，而且通過改變電感線圈L2B的繞線圈數(shù)，便可改變L2B和Lm的大小，進(jìn)而改變兩個(gè)盤面 之間的功率分配比例，以達(dá)到多種烹飪組合的需求，如一盤面大火快煮，而另一盤面則小火 慢燉等。上述實(shí)施例僅用來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤， 但本實(shí)用新型并不局限于實(shí)施例，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任 何簡單修改、等同變化與修飾，均落入本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤，包括一IH線盤本體、一第一線圈和一第二線圈；其特征在于第一線圈和第二線圈呈平行分布地圈繞在IH線盤本體的同一個(gè)平面的盤面上，且第一線圈和第二線圈之間相互間隔一個(gè)距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤，其特征在于所述的第一線圈 和第二線圈之間還配合安裝至少一個(gè)開關(guān)元件以切換連接第一線圈和/或第二線圈。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤，包括一IH線盤本體、一第一線圈和一第二線圈；第一線圈和第二線圈呈平行分布地圈繞在IH線盤本體的同一個(gè)平面的盤面上，且第一線圈和第二線圈之間相互間隔一個(gè)距離。該線圈繞制結(jié)構(gòu)改進(jìn)的IH線盤，不但在使用上性能更好、能夠解決熱效率及磁場外洩的問題，而且具有更好的實(shí)用價(jià)值，并有利于降低銅線的成本及繞線作業(yè)的強(qiáng)度。
文檔編號H01F41/06GK201681717SQ20102013632
公開日2010年12月22日 申請日期2010年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月19日
發(fā)明者劉森泉 申請人:漳州燦坤實(shí)業(yè)有限公司