專利名稱：量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管產(chǎn)品，特別涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
量子點(diǎn)是納米級(jí)材料，粒徑一般可以小至I-IOnm之間，受激發(fā)后可以發(fā)射熒 光，基于量子效應(yīng)可以在發(fā)光領(lǐng)域中有廣泛的應(yīng)用。半導(dǎo)體量子點(diǎn)與有機(jī)薄膜結(jié)合，可 以制作出發(fā)光效率高并且發(fā)光穩(wěn)定的發(fā)光二極管。量子點(diǎn)發(fā)光材料的上述優(yōu)勢(shì)使得它完 全可以克服現(xiàn)有的廣泛應(yīng)用的LED照明光源所難以解決的問題，成為新一代的照明光源 器件的有力競(jìng)爭(zhēng)者。在現(xiàn)有的本技術(shù)領(lǐng)域中，已經(jīng)有相應(yīng)的文獻(xiàn)公開研究成果，如中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?為200620108164.7公開的“ZnO基量子點(diǎn)發(fā)光二極管”。但是要想更好的將量子點(diǎn)應(yīng)用 在發(fā)光領(lǐng)域中，還需要解決一些技術(shù)問題，如怎樣采用更適合的量子點(diǎn)，使發(fā)光強(qiáng)度增 大；怎樣通過精確控制量子點(diǎn)材料的濃度，實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)光二極管功率的調(diào)整，從而適合不 同的照明要求；如何選擇更適合的導(dǎo)電有機(jī)膜來配合量子點(diǎn)制備的發(fā)光二極管，才能形 成最穩(wěn)定的光源等。
發(fā)明內(nèi)容為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，在雙層導(dǎo)電 有機(jī)薄膜中加入一層均勻密度的量子點(diǎn)薄膜，達(dá)成高且穩(wěn)定的發(fā)光二極管，發(fā)光亮度是 最好同類組件的25倍。本實(shí)用新型是通過以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括基板、雙層導(dǎo)電有機(jī)膜、電子導(dǎo)電層和頂部電極 層，由所述基板依次至下而上是雙層導(dǎo)電有機(jī)膜、電子導(dǎo)電層、頂部電極層，在所述雙 層導(dǎo)電有機(jī)膜之間設(shè)有一層發(fā)光量子點(diǎn)層。所述發(fā)光量子點(diǎn)層是由平鋪的若干個(gè)量子點(diǎn)構(gòu)成，所述量子點(diǎn)為顆粒狀，由內(nèi) 核和內(nèi)核外部的外殼構(gòu)成，并且在外殼外部涂覆一層三辛基氧化膦，所述內(nèi)核是硒化鎘 內(nèi)核，外殼是硫化鋅外殼。外殼外部涂覆的三辛基氧化膦層是為了增加本發(fā)光量子點(diǎn)層 與雙層導(dǎo)電有機(jī)膜之間的相容性。所述基板是至下而上的二氧化硅基板在表面鍍有銦錫氧化物層制成的組合基 板。在二氧化硅基板上鍍有銦錫氧化物可以極大的增強(qiáng)導(dǎo)電性能，而銦錫氧化物透明度 較高，不會(huì)影響發(fā)光強(qiáng)度，而且銦錫氧化物還可以抵御有害電子輻射對(duì)人體的侵害。所述雙層導(dǎo)電有機(jī)膜是至下而上的聯(lián)苯二胺化合物層和三辛基氧化膦層的組合。所述電子導(dǎo)電層是8-羥基喹啉鋁制成的電子導(dǎo)電層，是一種極好的有機(jī)電致發(fā) 光材料，增加電子的移動(dòng)。所述頂部電極層是至下而上的鎂銀合金層和金屬銀層的組合。[0012]本實(shí)用新型的有益效果為1、選擇硒化鎘和硫化鋅作為發(fā)光量子點(diǎn)材料，這兩種半導(dǎo)體的組合具有極高的 發(fā)光強(qiáng)度。2、選擇適合上述金屬化合物組合的導(dǎo)電有機(jī)薄膜，并且可以通過對(duì)量子點(diǎn)和相 應(yīng)材料濃度的調(diào)節(jié)，對(duì)發(fā)光二極管的功率進(jìn)行調(diào)節(jié)。3、上述材料制成的發(fā)光二極管是同類最好組件發(fā)光亮度的25倍以上。
圖1是量子點(diǎn)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖圖2是發(fā)光量子顆粒的結(jié)構(gòu)示意圖
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。如圖1和圖2，是量子點(diǎn)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖和發(fā)光量子顆粒的結(jié)構(gòu)示意 圖，完整的將所有材料的結(jié)構(gòu)層表述在圖中，至下而上包括二氧化硅基板1、涂覆在 其上的銦錫氧化物(indium tinoxide，ITO)層2、下層導(dǎo)電有機(jī)膜聯(lián)苯二胺化合物[N， N，-diphenyl-N, N，—bis (3—methylphenyl)—1, 1，-diphenyl-4, 4，—diamine, TPD]層
3、上層導(dǎo)電有機(jī)膜三辛基氧化膦(Trioctylphosphineoxide-Trioctylphosphine，TOPO)層
4、電子導(dǎo)電層8-羥基喹啉鋁層5、頂部電極鎂銀合金層6和金屬銀層7;其中下層導(dǎo)電 有機(jī)膜聯(lián)苯二胺化合物層3、上層導(dǎo)電有機(jī)膜三辛基氧化膦層4之間的發(fā)光量子點(diǎn)層8是 由硒化鎘內(nèi)核81、硫化鋅外殼82和涂覆的三辛基氧化膦層83組成的(圖2)。實(shí)施例以下通過一個(gè)實(shí)施例的制備，進(jìn)一步描述本實(shí)用新型。將量子點(diǎn)層與雙層導(dǎo)電有機(jī)膜TOPO層和TPD層溶解在氯仿中，然后以旋轉(zhuǎn)涂 膜的方式涂在鍍有ITO的二氧化硅基板上，在所形成的TOPO層之上，再以熱蒸鍍方式鍍 上作為電子導(dǎo)電層的8-羥基喹啉鋁有機(jī)材料，最后在頂部熱蒸鍍鎂銀合金和金屬銀作為 電極。通過上述方法制備的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其發(fā)光強(qiáng)度時(shí)是最好同類組件的25 倍，而且光譜頻寬較窄，也適合作為單頻光源應(yīng)用。
權(quán)利要求1.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括基板、雙層導(dǎo)電有機(jī)膜、電子導(dǎo)電層和頂部電極 層，其特征在于由所述基板依次至下而上是雙層導(dǎo)電有機(jī)膜、電子導(dǎo)電層、頂部電極 層，在所述雙層導(dǎo)電有機(jī)膜之間設(shè)有一層發(fā)光量子點(diǎn)層。
2.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于所述發(fā)光量子點(diǎn)層是由平鋪的 若干個(gè)量子點(diǎn)構(gòu)成，所述量子點(diǎn)為顆粒狀，由內(nèi)核和內(nèi)核外部的外殼構(gòu)成，并且在外殼 外部涂覆一層三辛基氧化膦，所述內(nèi)核是硒化鎘內(nèi)核，外殼是硫化鋅外殼。
3.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于所述基板是至下而上的二氧化 硅基板在表面鍍有銦錫氧化物層制成的組合基板。
4.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于所述雙層導(dǎo)電有機(jī)膜是至下而 上的聯(lián)苯二胺化合物層和三辛基氧化膦層的組合。
5.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于所述電子導(dǎo)電層是8-羥基喹 啉鋁制成的電子導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于所述頂部電極層是至下而上的 鎂銀合金層和金屬銀層的組合。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括基板、雙層導(dǎo)電有機(jī)膜、電子導(dǎo)電層和頂部電極層，其特征在于由所述基板依次至下而上是雙層導(dǎo)電有機(jī)膜、電子導(dǎo)電層、頂部電極層，在所述雙層導(dǎo)電有機(jī)膜之間設(shè)有一層發(fā)光量子點(diǎn)層。本實(shí)用新型通過半導(dǎo)體量子點(diǎn)與有機(jī)薄膜的結(jié)合，制作出發(fā)光效率極高并且發(fā)光穩(wěn)定的發(fā)光二極管產(chǎn)品，通過精確控制量子點(diǎn)材料的濃度，還可以實(shí)現(xiàn)對(duì)二極管發(fā)光功率的調(diào)整，發(fā)光亮度是最好同類組建的25倍以上。
文檔編號(hào)H01L33/26GK201796940SQ20102051950
公開日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2010年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月7日
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