專(zhuān)利名稱(chēng)：修調(diào)控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種修調(diào)控制電路。背景技術(shù)：
在一些電子系統(tǒng)中經(jīng)常會(huì)涉及到修調(diào)電路，特別是對(duì)于某些性能和參數(shù)要求很高的芯片，在大批量集成電路生產(chǎn)中，很多物理量很難精確控制，無(wú)法實(shí)現(xiàn)芯片間某些參數(shù)的差異很小。一個(gè)設(shè)計(jì)參數(shù)的例子是某個(gè)電阻值需要設(shè)計(jì)滿(mǎn)+/-3%的精度，而實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中通常芯片之間的差異高達(dá)+/_40%，這時(shí)就需要在芯片加工完后，在晶圓級(jí)測(cè)試或成品測(cè)試時(shí)進(jìn)行修調(diào)(Trim)，把原本+/-40%誤差的電阻校準(zhǔn)至+/-3%的精度。其他設(shè)計(jì)參數(shù)的例子包括電容值、電感值、電流值、振蕩器工作頻率、環(huán)路補(bǔ)償?shù)牧泓c(diǎn)或極點(diǎn)頻率。目前的修調(diào)技術(shù)可以針對(duì)電阻、電阻網(wǎng)絡(luò)或電容、電容網(wǎng)絡(luò)等器件進(jìn)行修調(diào)，其一般可以采用電阻薄膜的激光修調(diào)、熔絲燒斷修調(diào)、二極管短路修調(diào)以及內(nèi)嵌非揮發(fā)性存儲(chǔ)單元修調(diào)等方法，其中熔絲燒斷修調(diào)對(duì)工藝的要求相對(duì)簡(jiǎn)單，目前被廣泛采用。如圖1，其示出了現(xiàn)有技術(shù)中采用熔絲燒斷修調(diào)技術(shù)的修調(diào)控制電路在一個(gè)實(shí)施例中的示意圖，其中電阻1 10、1 11、1 12...1 111分別可以由具有長(zhǎng)和寬均相同的電阻單元串聯(lián)或/并聯(lián)組成，元件F10、F11. . . Fln為可燒斷的熔絲(如金屬熔絲、多晶硅熔絲或齊納二極管等)，該修調(diào)技術(shù)可以采用將并聯(lián)到電阻兩端的熔絲燒斷達(dá)到修調(diào)的目的，如通過(guò)修調(diào)點(diǎn)TPADl和TPAD2 可以將熔絲Fll燒斷，以將電阻Rll加入到線(xiàn)路AB之間，但這種修調(diào)技術(shù)僅可以將電阻調(diào)大。當(dāng)然，也可以將圖1中的電阻分別替換成電容，這樣在燒斷并聯(lián)到電容兩端的熔絲后也可以達(dá)到修調(diào)的目的。現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)芯片上的電路進(jìn)行修調(diào)的做法是針對(duì)每個(gè)需要修調(diào)的物理量分別設(shè)定修調(diào)程序和步驟，分別進(jìn)行測(cè)量和修調(diào)。在進(jìn)行修調(diào)前，為了達(dá)到最佳精度，首先將需要修調(diào)的電路中的物理量進(jìn)行匹配，通常，集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)重要特征是，許多物理量的絕對(duì)值在芯片之間差異很大，但有些物理量在同一芯片上通過(guò)一些版圖設(shè)計(jì)技巧可以實(shí)現(xiàn)較小的相對(duì)誤差，這種版圖設(shè)計(jì)技巧一般被稱(chēng)為匹配。例如可以將需要匹配的電阻設(shè)計(jì)成等長(zhǎng)度等寬度的電阻單元，一個(gè)具體的例子是希望一個(gè)電阻R21 (其電阻值典型值為IOK 歐姆)和另一個(gè)電阻R22(其電阻值典型值為20K歐姆)匹配，即希望其電阻值比例準(zhǔn)確， 假設(shè)工藝中電阻方塊阻值為I歐姆/方塊，則可以設(shè)計(jì)R21為25微米長(zhǎng)、5微米寬的電阻， 設(shè)計(jì)R22為兩個(gè)25微米長(zhǎng)、5微米寬的電阻段串聯(lián)，并在版圖上將R21放在兩段R22的中間，如圖2所示，并滿(mǎn)足電阻段間的間距相等。盡管設(shè)計(jì)電阻典型值為IOK歐姆，但電阻值的絕對(duì)值偏差一般在+/-40%左右，即實(shí)際加工過(guò)程以及應(yīng)用環(huán)境溫度變化時(shí)，可能導(dǎo)致其絕對(duì)值最小變到6K歐姆，最大變到14K歐姆。但通過(guò)合理的版圖匹配技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)R21和 R22的電阻值比例變化很小，如+/-0. 1%。根據(jù)這一原理，很多電路器件(比如電容、電感、 晶體管等)均可以通過(guò)布局實(shí)現(xiàn)匹配。圖3為電流限制電路的示意圖，其中131為采樣到的電流，一般為被采樣電流的1/ K，當(dāng)131電流在電阻R31上電壓達(dá)到比較器Coml負(fù)輸入端參考電壓VR的電壓值時(shí)，過(guò)流保護(hù)端OCP輸出為高電平，表示達(dá)到電流限制，否則如果過(guò)流保護(hù)端OCP端為低電平，表示未達(dá)到電流限制。其電流限制值滿(mǎn)足^.IUMM = VR K.
VR由此可得/皿=K-其中，R31為電阻R31的電阻值，VR為參考電壓VR的電壓值，可以看成一個(gè)常量。 所以電流限制的精度直接受限于電阻R31的電阻值精度。圖4為振蕩器電路的示意圖，其振蕩頻率Fs滿(mǎn)足F^ =- -
s R42-C41可見(jiàn)振蕩器振蕩頻率精度也直接依賴(lài)于電阻R42的電阻值精度。如圖5所示，其示出了現(xiàn)有技術(shù)中在一個(gè)實(shí)施例中對(duì)具有電流限制電路和振蕩器電路的芯片進(jìn)行修調(diào)的示意圖，其中的電阻R31為圖3中的電阻R31，電阻R42為圖4中的電阻R42，即電阻R31的A端連接圖3中的比較器的正相輸入端，B端連接地，電阻R42的C 端連接圖4中的晶體管MN2的源極，D端連接地。電阻R31和電阻R42采用上述布局方法進(jìn)行匹配使得兩者的相對(duì)誤差很小，其中電阻R31包括四個(gè)串聯(lián)的電阻單元R31a、R31b、R31c 和R31d，電阻R42包括四個(gè)串聯(lián)的電阻單元R4^i、R42b、R42c和R42d，其中電阻單元R31a、 R31b、R31c、R31d、R42a、R42b、R42c 和 R42d 分別與熔絲 F31、F32、F33、F41、F42 和 F43 并聯(lián)。當(dāng)熔絲F31、F32或F33被燒斷后則將對(duì)應(yīng)的電阻串到線(xiàn)路AB中，當(dāng)熔絲F41、F42或 F43被燒斷后則將對(duì)應(yīng)的電阻串到線(xiàn)路CD中。這種修調(diào)方式分別對(duì)芯片上各個(gè)電路中的修調(diào)物理量進(jìn)行修調(diào)，其有多少個(gè)需要修調(diào)的物理量就需要多少個(gè)修調(diào)單元，當(dāng)需要修調(diào)的物理量越多，則需要的修調(diào)單元也就越多，這樣占用的芯片面積會(huì)非常大。以金屬熔絲為例，每個(gè)金屬熔絲至少需要一個(gè)熔絲焊盤(pán)，用于在熔燒熔絲時(shí)連接探針加電流。一般至少大于70微米X70微米的芯片面積，加上熔絲至少需要70微米X 100微米以上的芯片面積。因此有必要提出一種改進(jìn)的技術(shù)方案來(lái)解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容本部分的目的在于概述本發(fā)明的實(shí)施例的一些方面以及簡(jiǎn)要介紹一些較佳實(shí)施例。在本部分以及本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱(chēng)中可能會(huì)做些簡(jiǎn)化或省略以避免使本部分、說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱(chēng)的目的模糊，而這種簡(jiǎn)化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的目的在于提供一種修調(diào)控制電路，其可以同時(shí)對(duì)多個(gè)設(shè)計(jì)參數(shù)一起修調(diào)，既節(jié)省芯片面積，又可節(jié)省測(cè)試時(shí)間，進(jìn)而降低芯片成本，提供芯片的競(jìng)爭(zhēng)力。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種修調(diào)控制電路，其包括第一器件，其包括有至少兩個(gè)第一器件單元和至少一個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)，其中每個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)一個(gè)第一器件單元，根據(jù)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)確定是否將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件；第二器件，其包括有至少兩個(gè)第二器件單元和至少一個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)，其中每個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)一個(gè)第二器件單元，根據(jù)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)確定是否將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件；
一個(gè)或多個(gè)修調(diào)單元，每個(gè)修調(diào)單元具有斷路和短路兩種狀態(tài)；一個(gè)或多個(gè)與所述修調(diào)單元對(duì)應(yīng)的修調(diào)檢測(cè)單元，每個(gè)修調(diào)檢測(cè)單元的輸出端與一個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和一個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的控制端相連，每個(gè)修調(diào)檢測(cè)單元檢測(cè)對(duì)應(yīng)修調(diào)單元是斷路狀態(tài)還是短路狀態(tài)，并由此控制對(duì)應(yīng)的第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止。進(jìn)一步的，第一器件與第二器件匹配。更進(jìn)一步的，第一器件單元和第二器件單元的類(lèi)型相同，為電阻、電感、電容、晶體管中的一個(gè)。進(jìn)一步的，第二器件的各個(gè)第二器件單元之間的比值與第一器件的各對(duì)應(yīng)第二器件單元之間的比值相同。進(jìn)一步的，各個(gè)第一器件單元相互串聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第一器件單元并聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元短路，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件，各個(gè)第二器件單元相互串聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第二器件單元并聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元短路，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件；或各個(gè)第一器件單元相互并聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第一器件單元串聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元斷路，各個(gè)第二器件單元相互并聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第二器件單元串聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件， 第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元斷路。進(jìn)一步的，所述修調(diào)單元為金屬熔絲、多晶硅熔絲或齊納二極管。進(jìn)一步的，所述修調(diào)檢測(cè)單元包括第一電流源、第二電流源、第一晶體管、第二晶體管和反向器，其中所述第一晶體管的漏極與第一電流源連接，其源極接地，所述第二晶體管的漏極與第二電流源連接，其源極與所述修調(diào)單元連接，所述修調(diào)單元的另一端接地，所述第一晶體管的柵極和第二晶體管的柵極連接，所述反向器的輸入端與第二晶體管的漏極連接，其輸出端則作為所述修調(diào)檢測(cè)單元的輸出端。更進(jìn)一步的，所述第一電流源的電流大于第二電流源的電流。更進(jìn)一步的，所述第一晶體管和第二晶體管相同。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提出了一種多參數(shù)的修調(diào)控制電路，可以同時(shí)對(duì)多個(gè)設(shè)計(jì)參數(shù)一起修調(diào)，這樣不僅節(jié)省的修調(diào)單元的個(gè)數(shù)，即可節(jié)省芯片面積，也可以簡(jiǎn)化測(cè)試環(huán)節(jié)中修調(diào)程序和步驟，從而節(jié)省測(cè)試時(shí)間。節(jié)省芯片面積和節(jié)省測(cè)試時(shí)間都將減小芯片成本，提高芯片的競(jìng)爭(zhēng)力。。

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中圖1為現(xiàn)有技術(shù)中采用熔絲燒斷修調(diào)技術(shù)的修調(diào)控制電路在一個(gè)實(shí)施例中的示意圖；圖2為集成電路中進(jìn)行電阻匹配在一個(gè)實(shí)施例中的示意圖；圖3為電流限制電路的示意圖；圖4為振蕩器電路的示意圖；圖5為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)位于同一芯片上的電流限制電路和振蕩器電路進(jìn)行修調(diào)的示意圖；圖6為本發(fā)明中修調(diào)控制電路在一個(gè)實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明中修調(diào)檢測(cè)單元與對(duì)應(yīng)的修調(diào)單元在一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖；圖8為本發(fā)明中修調(diào)控制電路中第一器件和第二器件的一個(gè)示例圖；和圖9為本發(fā)明中修調(diào)控制電路中的第一器件和第二器件的另一個(gè)示例圖。
具體實(shí)施方式本發(fā)明的詳細(xì)描述主要通過(guò)程序、步驟、邏輯塊、過(guò)程或其他象征性的描述來(lái)直接或間接地模擬本發(fā)明技術(shù)方案的運(yùn)作。為透徹的理解本發(fā)明，在接下來(lái)的描述中陳述了很多特定細(xì)節(jié)。而在沒(méi)有這些特定細(xì)節(jié)時(shí)，本發(fā)明則可能仍可實(shí)現(xiàn)。所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員使用此處的這些描述和陳述向所屬領(lǐng)域內(nèi)的其他技術(shù)人員有效的介紹他們的工作本質(zhì)。換句話(huà)說(shuō)，為避免混淆本發(fā)明的目的，由于熟知的方法和程序已經(jīng)容易理解，因此它們并未被詳細(xì)描述。此處所稱(chēng)的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”是指可包含于本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說(shuō)明書(shū)中不同地方出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”并非均指同一個(gè)實(shí)施例，也不是單獨(dú)的或選擇性的與其他實(shí)施例互相排斥的實(shí)施例。此外，表示一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的方法、流程圖或功能框圖中的模塊順序并非固定的指代任何特定順序，也不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。本文中“多個(gè)”表示兩個(gè)或兩個(gè)以上。本發(fā)明提供一種修調(diào)控制電路，其通過(guò)其中一個(gè)修調(diào)單元就可以同時(shí)對(duì)多個(gè)電路中對(duì)應(yīng)的物理量進(jìn)行修調(diào)，大大節(jié)省了修調(diào)單元所占的芯片面積。圖6為本發(fā)明中修調(diào)控制電路600在一個(gè)實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示意圖，所述修調(diào)控制電路600包括第一器件610、第二器件620、一個(gè)或多個(gè)修調(diào)單元630以及一個(gè)或多個(gè)與所述修調(diào)單元630對(duì)應(yīng)的修調(diào)檢測(cè)單元640。所述第一器件610包括n+1個(gè)第一器件單元和η個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)，在圖6中
η+1個(gè)第一器件單元分別為第一器件單元1、第一器件單元2........第一器件單元η和
第一器件單元η+1，η個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)分別為第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)1、第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)
2........第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)η。第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)1對(duì)應(yīng)第一器件單元1，第一器件修調(diào)開(kāi)
關(guān)2對(duì)應(yīng)第一器件單元2，......，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)η對(duì)應(yīng)第一器件單元η，根據(jù)第一器件
修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)確定是否將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件610。所述第二器件620包括η+1個(gè)第二器件單元和η個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)，在圖6中
η個(gè)第二器件單元分別為第二器件單元1、第二器件單元2........第二器件單元η和第
二器件單元η+1，η個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)分別為第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)1、第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)
2........第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)η。第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)1對(duì)應(yīng)第二器件單元1，第二器件修調(diào)開(kāi)
關(guān)2對(duì)應(yīng)第二器件單元2，......，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)η對(duì)應(yīng)第二器件單元η，根據(jù)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)確定是否將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件620。所述η為大于等于1的自然數(shù)，比如為1、2、3或其它?！愕?，每個(gè)器件中的器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的個(gè)數(shù)比器件單元的個(gè)數(shù)少一個(gè)，其原因是 對(duì)需要進(jìn)行修調(diào)的器件的物理量而言，通常會(huì)將該物理量設(shè)置成不同的器件單元的組合， 其中有一個(gè)器件單元的值會(huì)設(shè)置的比較大，不對(duì)其進(jìn)行修調(diào)，而其余進(jìn)行修調(diào)的(也就是與修調(diào)開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)的)器件單元的值都相對(duì)較小。通常情況下，為了保證第一器件610和第二器件620的同步修調(diào)，通常所述第一器件610和第二器件620需要進(jìn)行布局匹配設(shè)計(jì)，此外還需要第一器件610的各個(gè)第一器件單元之間的比值與第二器件620的各個(gè)第二器件單元之間的比值相同；第一器件610的各個(gè)第一器件單元之間的串或/和并聯(lián)關(guān)系與第二器件620的各個(gè)第一器件單元之間的串或/并聯(lián)關(guān)系相同；第一器件單元和第二器件單元的類(lèi)型要相同，如可以均為電阻、電感、 電容、晶體管中一個(gè)。下面針對(duì)上述第一器件610和第二器件620需要匹配的前兩種情況分別進(jìn)行說(shuō)明。第一器件610的各個(gè)第一器件單元之間的比值與第二器件620的各個(gè)第二器件單元之間的比值相同也可以理解為每個(gè)器件單元通常是由一個(gè)對(duì)應(yīng)的修調(diào)開(kāi)關(guān)控制其是否實(shí)際用于器件中，而兩個(gè)器件中連接同一個(gè)修調(diào)檢測(cè)電路輸出端的修調(diào)開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)的器件單元為一組器件單元，兩個(gè)器件中對(duì)應(yīng)的每組器件單元的比值均是相同的。第一器件610的各個(gè)第一器件單元之間串或/和并聯(lián)關(guān)系與第二器件620的各個(gè)第一器件單元之間的串或/并聯(lián)關(guān)系相同也可以理解為所有第一器件單元形成的器件網(wǎng)中各個(gè)第一器件單元的位置與所有第二器件單元形成的器件網(wǎng)中對(duì)應(yīng)的各個(gè)第二器件單元的位置一一對(duì)應(yīng)。在一個(gè)實(shí)施例中，各個(gè)第一器件單元相互串聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第一器件單元并聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元短路，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件；對(duì)應(yīng)的，各個(gè)第二器件單元相互串聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第二器件單元并聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元短路，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件。在另一個(gè)實(shí)施例中，各個(gè)第一器件單元相互并聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第一器件單元串聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元斷路；對(duì)應(yīng)的，各個(gè)第二器件單元相互并聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第二器件單元串聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元斷路。綜上所述，所述第一器件單元或第二器件單元還可以通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)的形式形成一個(gè)混合的器件網(wǎng)，而控制串聯(lián)的器件單元時(shí)，對(duì)應(yīng)的修調(diào)開(kāi)關(guān)與之并聯(lián)，此時(shí)，修調(diào)開(kāi)關(guān)短路則可以將對(duì)應(yīng)的串聯(lián)的器件單元短路，而修調(diào)開(kāi)關(guān)斷路則可以將對(duì)應(yīng)的串聯(lián)的器件單元實(shí)際用于對(duì)應(yīng)的器件中；控制并聯(lián)的器件單元時(shí)，對(duì)應(yīng)的修調(diào)開(kāi)關(guān)與之串聯(lián)，此時(shí)，修調(diào)開(kāi)關(guān)短路則可以將對(duì)應(yīng)的串聯(lián)的器件單元實(shí)際用于對(duì)應(yīng)的器件中，而修調(diào)開(kāi)關(guān)斷路則對(duì)應(yīng)的串聯(lián)的器件單元斷路。所述每個(gè)修調(diào)單元630具有斷路和短路兩種狀態(tài)，與每個(gè)修調(diào)單元630對(duì)應(yīng)的修調(diào)檢測(cè)單元640的輸出端與一個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和一個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的控制端相連，每個(gè)修調(diào)檢測(cè)單元640檢測(cè)對(duì)應(yīng)修調(diào)單元是斷路狀態(tài)還是短路狀態(tài)，并由此控制對(duì)應(yīng)的第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止。通過(guò)上述的連接和控制關(guān)系，可以得知所述每個(gè)修調(diào)單元同時(shí)控制第一器件和第二器件中對(duì)應(yīng)的修調(diào)開(kāi)關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)共享調(diào)控。其中的所述修調(diào)檢測(cè)單元640可以有多種方式實(shí)現(xiàn)，較優(yōu)的可參見(jiàn)圖7所示，其為本發(fā)明中修調(diào)檢測(cè)單元與對(duì)應(yīng)的修調(diào)單元在一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖。所述修調(diào)檢測(cè)單元包括第一電流源171、第二電流源172、第一晶體管麗71、第二晶體管麗72和反向器 INV71，其中所述修調(diào)檢測(cè)單元中的各個(gè)元件之間以及與修調(diào)單元F71之間的連接關(guān)系為 所述第一晶體管MN71的漏極與第一電流源171連接，其源極接地，所述第二晶體管MN72的漏極與第二電流源172連接，其源極與所述修調(diào)單元F71連接，所述修調(diào)單元F71的另一端接地，所述第一晶體管麗71的柵極和第二晶體管麗72的柵極連接，所述反向器INV71的輸入端與第二晶體管麗72的漏極連接，其輸出端則作為所述修調(diào)檢測(cè)單元的輸出端T71 ；所述第一電流源171的電流大于第二電流源172的電流，第一晶體管麗71和第二晶體管麗72 相同，即兩個(gè)晶體管的長(zhǎng)度和寬帶相等，所述兩個(gè)晶體管可以同為NMOS管。所述修調(diào)單元可以采用金屬熔絲、多晶硅熔絲或齊納二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。由上述電路連接可知當(dāng)所述修調(diào)單元F71未燒斷時(shí)，即所述修調(diào)單元F71短路， 所述第一晶體管麗71和第二晶體管麗72構(gòu)成電流鏡，其電流相等，所述第二晶體管麗72 的電流大于電流源172的電流，A點(diǎn)為低電平，此時(shí)反向器INV71的輸出端(即所述修調(diào)檢測(cè)單元的輸出端T71)輸出的修調(diào)信號(hào)為高電平；而當(dāng)所述修調(diào)單元F71熔斷后，即所述修調(diào)單元F71斷路，A點(diǎn)被電流源172拉高，此時(shí)反向器INV71的輸出端輸出的修調(diào)信號(hào)為低電平。這樣，與所述修調(diào)檢測(cè)單元的輸出端T71連接的第一器件和第二器件中的修調(diào)開(kāi)關(guān)就可以在上述輸出端T71的修調(diào)信號(hào)的控制下進(jìn)行導(dǎo)通或截止。在一個(gè)實(shí)施例中，在修調(diào)信號(hào)T71為高電平時(shí)，對(duì)應(yīng)的第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)分別處于導(dǎo)通狀態(tài)，而當(dāng)修調(diào)信號(hào)T71變換為低電平時(shí)，所述第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)分別變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。在另一個(gè)實(shí)施例中，在修調(diào)信號(hào)T71為低電平時(shí)，對(duì)應(yīng)的第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)分別處于導(dǎo)通狀態(tài)，而當(dāng)修調(diào)信號(hào)T71變換為高電平時(shí)，所述第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)分別變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。圖8為本發(fā)明中修調(diào)控制電路中的第一器件和第二器件的一個(gè)示例圖，其包括三個(gè)修調(diào)檢測(cè)單元的輸出端Tl、輸出端T2和輸出端T3，第一器件810以及第二器件820，其中所述第一器件810包括相互串聯(lián)的第一器件單元Rla、第一器件單元Rib、第一器件單元 Rlc和第一器件單元Rld以及第一修調(diào)開(kāi)關(guān)Si、第一修調(diào)開(kāi)關(guān)S2和第一修調(diào)開(kāi)關(guān)S3，所述第二器件820包括相互串聯(lián)的第二器件單元R2a、第二器件單元R2b、第二器件單元R2c和第二器件單元R2d以及第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S21、第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S22和第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S23。此示例為所述η等于3，器件類(lèi)型為電阻，器件單元之間為串聯(lián)關(guān)系，器件單元和器件單元修調(diào)開(kāi)關(guān)為并聯(lián)關(guān)系的一個(gè)示例。圖中各個(gè)輸出端、器件單元和修調(diào)開(kāi)關(guān)的具體連接為所述輸出端Tl分別與所述第一修調(diào)開(kāi)關(guān)Sl的控制端和第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S21的控制端連接，所述第一修調(diào)開(kāi)關(guān)Sl與第一器件單元Rlb并聯(lián)，第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S21與第二器件單元R2b并聯(lián)；所述輸出端T2分別與所述第一修調(diào)開(kāi)關(guān)S2的控制端和第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S22的控制端連接，所述第一修調(diào)開(kāi)關(guān)S2與第一器件單元Rlc并聯(lián)，第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S22與第二器件單元R2c并聯(lián)； 所述輸出端T3分別與所述第一修調(diào)開(kāi)關(guān)S3的控制端和第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S23的控制端連接， 所述第一修調(diào)開(kāi)關(guān)S3與第一器件單元Rld并聯(lián)，第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S23與第二器件單元R2d并聯(lián)。在實(shí)際應(yīng)用中，為了實(shí)現(xiàn)最佳的修調(diào)效果，通常首先需要對(duì)同一芯片上需要進(jìn)行修調(diào)的電路中的物理參數(shù)(即上述的器件)進(jìn)行匹配設(shè)置，將每個(gè)物理參數(shù)設(shè)置成由基本單位的物理參數(shù)并聯(lián)或/和串聯(lián)形成的共心的物理量。由于對(duì)同一個(gè)芯片來(lái)講，每個(gè)電路的同一個(gè)物理參數(shù)需要調(diào)節(jié)的方向相同，如需要將其調(diào)大或調(diào)小，為了保證調(diào)整的一致性以及調(diào)整后的精確度，通常可以將需要共享調(diào)整的物理參數(shù)匹配成比值相同的物理量的版圖。然后針對(duì)布置后的電路，則可以通過(guò)上述修調(diào)控制電路對(duì)其進(jìn)行共享修調(diào)。也就是說(shuō)， 各個(gè)器件單元可以通過(guò)基本器件單元進(jìn)行串聯(lián)或/和并聯(lián)以得到上述的比值，如圖8中對(duì)第一器件810和第二器件820中的器件單元進(jìn)行匹配后可得到Rla Rlb Rlc Rld = R2a R2b R2c R2d，其中 Rla、Rib、Rlc 和 Rld 分別為器件單元 Rla、Rib、Rlc 和 Rld 的值，R2a、R2b、R2c和R2d分別為器件單元R2a、R2b、R2c和R2d的值。通過(guò)上述連接和匹配的設(shè)置即可以進(jìn)行共享修調(diào)，如輸出端Tl的修調(diào)信號(hào)為高電平時(shí)，第一修調(diào)開(kāi)關(guān)Sl和第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S21同時(shí)導(dǎo)通，將第一器件單元Rlb和第二器件單元I^b均短路，從而第一器件810和第二器件820中的器件的值均減??；而當(dāng)輸出端Tl 的修調(diào)信號(hào)為低電平時(shí)，第一修調(diào)開(kāi)關(guān)Sl和第二修調(diào)開(kāi)關(guān)S21同時(shí)截止，將第一器件單元 Rlb和第二器件單元R2b實(shí)際用于第一器件810和第二器件820中，依此類(lèi)推。在一個(gè)實(shí)施例中，可以對(duì)圖3和圖4中電阻R31和R42進(jìn)行匹配，將電阻R31匹配成圖8中串聯(lián)的電阻Rla、Rlb、Rlc和Rld，將電阻R42匹配成圖8中串聯(lián)的電阻R2a、R2b、 R2c 和 R2d，其匹配滿(mǎn)足 Rla Rlb Rlc Rld = R2a R2b R2c R2d，其中 Rla、Rlb、 Rlc和Rld分別為電阻Rla、Rib、Rlc和Rld的阻值，R2a、R2b、R2c和R2d分別為電阻R2a、 R2b、R2c和R2d的阻值這樣可以對(duì)電阻R31和R42同時(shí)進(jìn)行調(diào)大或調(diào)小。修調(diào)時(shí)可以通過(guò)測(cè)量電流限制值，修調(diào)電流限制值來(lái)同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)振蕩器頻率精度的提高；也可以通過(guò)測(cè)量電流限制電路中Rl電阻值來(lái)修調(diào)電流限制值，同時(shí)提高振蕩器頻率精度。反之，則可以通過(guò)測(cè)量振蕩器中電阻R2的電阻值來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)振蕩頻率的修調(diào)，同時(shí)提高電流限制值的精度。比較圖5和圖8可知，本發(fā)明中提出的可共享修調(diào)的修調(diào)控制系統(tǒng)與現(xiàn)有技術(shù)相比，其僅使用了一半的修調(diào)單元就達(dá)到修調(diào)的目的。易于思及的是，所述修調(diào)控制電路除了可以包括上述的第一器件和第二器件，還可以包括與之相匹配的更多器件，而需要共享修調(diào)的各個(gè)器件的各個(gè)器件單元之間的比值均匹配成相同，且各個(gè)器件中對(duì)應(yīng)的每個(gè)器件單元的修調(diào)開(kāi)關(guān)的控制端均連接同一個(gè)修調(diào)控制單元的輸出端。顯然，對(duì)于同一個(gè)芯片需要修調(diào)的η個(gè)器件來(lái)講，采用本發(fā)明的技術(shù)需要的修調(diào)單元的個(gè)數(shù)僅為現(xiàn)有技術(shù)修調(diào)單元個(gè)數(shù)的1/η。也就是說(shuō)，同一個(gè)芯片上需要修調(diào)的器件越多，與現(xiàn)有技術(shù)的相比，需要的修調(diào)單元?jiǎng)t相對(duì)越少，在實(shí)際應(yīng)用中，同一個(gè)芯片需要修調(diào)的電路可能會(huì)很龐大，而本發(fā)明提出的修調(diào)控制系統(tǒng)則能大大減少修調(diào)單元所占的芯片面積，很大程度上節(jié)省了成本。本發(fā)明中雖增加了少量控制電路，其消耗芯片面積很小，對(duì)于0.5微米工藝，每個(gè)修調(diào)數(shù)位一般小于20微米X 10微米面積。另外進(jìn)行修調(diào)的測(cè)試時(shí)間也減小一半。在實(shí)際應(yīng)用中，還可以將上述的器件單元換成其他物理量以進(jìn)行修調(diào)，如通過(guò)修調(diào)電容來(lái)修調(diào)電路，可參見(jiàn)圖9所示，其將電容C91匹配成電容相互串聯(lián)的電容Cla、Clb、 Clc和Cld，將電容C92匹配成電容相互串聯(lián)的電容C2a、C2b、C2c和C2d，且匹配滿(mǎn)足 Cla Clb Clc Cld = C2a C2b C2c C2d。值得注意的是，除了對(duì)上述提及的電阻和電容，還可以對(duì)很多其他物理量進(jìn)行修調(diào)，只要共享修調(diào)的物理量中包含相同類(lèi)型的物理參數(shù)即可，如可同時(shí)修調(diào)的物理量有電阻(R)，基于V/R的電流，基于I · R的電壓，基于R · C的振蕩頻率，基于R · C的用于環(huán)路相位補(bǔ)償?shù)牧泓c(diǎn)頻率，基于R · C的用于環(huán)路相位補(bǔ)償?shù)臉O點(diǎn)頻率，基于R · C的濾波器截止頻率，基于I2 · R的功率等，這些物理量中都包含了相同類(lèi)型的物理參數(shù)電阻。上述說(shuō)明已經(jīng)充分揭露了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。需要指出的是，熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
所做的任何改動(dòng)均不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)的范圍。 相應(yīng)地，本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于前述具體實(shí)施方式
。
權(quán)利要求
1.一種修調(diào)控制電路，其特征在于，其包括第一器件，其包括有至少兩個(gè)第一器件單元和至少一個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)，其中每個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)一個(gè)第一器件單元，根據(jù)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)確定是否將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件；第二器件，其包括有至少兩個(gè)第二器件單元和至少一個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)，其中每個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)一個(gè)第二器件單元，根據(jù)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)確定是否將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件；一個(gè)或多個(gè)修調(diào)單元，每個(gè)修調(diào)單元具有斷路和短路兩種狀態(tài)；一個(gè)或多個(gè)與所述修調(diào)單元對(duì)應(yīng)的修調(diào)檢測(cè)單元，每個(gè)修調(diào)檢測(cè)單元的輸出端與一個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和一個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的控制端相連，每個(gè)修調(diào)檢測(cè)單元檢測(cè)對(duì)應(yīng)修調(diào)單元是斷路狀態(tài)還是短路狀態(tài)，并由此控制對(duì)應(yīng)的第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)控制電路，其特征在于第一器件與第二器件匹配。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的修調(diào)控制電路，其特征在于第一器件單元和第二器件單元的類(lèi)型相同，為電阻、電感、電容、晶體管中的一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的修調(diào)控制電路，其特征在于第二器件的各個(gè)第二器件單元之間的比值與第一器件的各對(duì)應(yīng)第二器件單元之間的比值相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的修調(diào)控制電路，其特征在于各個(gè)第一器件單元相互串聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第一器件單元并聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元短路，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件，各個(gè)第二器件單元相互串聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第二器件單元并聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元短路，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件；或各個(gè)第一器件單元相互并聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第一器件單元串聯(lián)，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件，第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第一器件單元斷路，各個(gè)第二器件單元相互并聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)與對(duì)應(yīng)第二器件單元串聯(lián)，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件，第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)為截止時(shí)，將對(duì)應(yīng)的第二器件單元斷路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)控制電路，其特征在于所述修調(diào)單元為金屬熔絲、多晶硅熔絲或齊納二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修調(diào)控制電路，其特征在于所述修調(diào)檢測(cè)單元包括第一電流源、第二電流源、第一晶體管、第二晶體管和反向器，其中所述第一晶體管的漏極與第一電流源連接，其源極接地，所述第二晶體管的漏極與第二電流源連接，其源極與所述修調(diào)單元連接，所述修調(diào)單元的另一端接地，所述第一晶體管的柵極和第二晶體管的柵極連接，所述反向器的輸入端與第二晶體管的漏極連接，其輸出端則作為所述修調(diào)檢測(cè)單元的輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的修調(diào)控制電路，其特征在于所述第一電流源的電流大于第二電流源的電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的修調(diào)控制電路，其特征在于所述第一晶體管和第二晶體管相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種修調(diào)控制電路，其包括至少兩個(gè)第一器件單元和至少一個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的第一器件，其中每個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)確定是否將對(duì)應(yīng)的第一器件單元實(shí)際用于所述第一器件；至少兩個(gè)第二器件單元和至少一個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的第二器件，其中每個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)確定是否將對(duì)應(yīng)的第二器件單元實(shí)際用于所述第二器件；具有斷路和短路兩種狀態(tài)的一個(gè)或多個(gè)修調(diào)單元；一個(gè)或多個(gè)修調(diào)檢測(cè)單元，每個(gè)修調(diào)檢測(cè)單元的輸出端與一個(gè)第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和一個(gè)第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的控制端相連，其檢測(cè)對(duì)應(yīng)修調(diào)單元是斷路狀態(tài)還是短路狀態(tài)，并由此控制對(duì)應(yīng)的第一器件修調(diào)開(kāi)關(guān)和第二器件修調(diào)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止。
文檔編號(hào)H01L23/525GK102323845SQ20111015054
公開(kāi)日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2011年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月7日
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