專利名稱：采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種制備絕緣體上硅材料的方法，特別涉及采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法。
背景技術(shù)：
與體硅器件相比，絕緣體上硅(SOI)器件具有高速、低驅(qū)動電壓、耐高溫、低功耗以及抗輻照等優(yōu)點，備受人們的關(guān)注，在材料和器件的制備方面都得到了快速的發(fā)展。SOI材料按其頂層硅薄層的厚度，可分為薄膜SOI (頂層硅通常小于I μ m)和厚膜SOI (頂層硅通常大于I μ m)兩大類。薄膜SOI市場95%的應(yīng)用集中在8英寸和12英寸，其中絕大多數(shù)用戶為尖端微電子技術(shù)的引導(dǎo)者，如IBM、AMD、Motorola、Intel、UMC、TSMC, OKI等。目前供應(yīng)商為日本信越(SEH)、法國Soitec、日本SUMC0，其中前兩家供應(yīng)了約90 %以上的產(chǎn)品。薄膜SOI市場主要的驅(qū)動力來自于高速、低功耗產(chǎn)品，特別是微處理器(CPU)應(yīng)用。這些產(chǎn) 品的技術(shù)含量高，附加值大，是整個集成電路的龍頭。很多對SOI的報道均集中在以上這些激動人心的尖端應(yīng)用上，而實際上SOI早期的應(yīng)用集中在航空航天和軍事領(lǐng)域，現(xiàn)在拓展到功率和靈巧器件以及MEMS應(yīng)用。特別是在汽車電子、顯示、無線通訊等方面發(fā)展迅速。由于電源的控制與轉(zhuǎn)換、汽車電子以及消費性功率器件方面對惡劣環(huán)境、高溫、大電流、高功耗方面的要求，使得在可靠性方面的嚴(yán)格要求不得不采用SOI器件。在這些領(lǐng)域多采用厚膜SOI材料，集中在6英寸和8英寸，目前的用戶包括美國 Maxim、ADI、TI (USA),日本 NEC、Toshiba、Panasonic、Denso、TI (Japan)、FUJI、Omron等，歐洲Philips、X-Fab等。這個領(lǐng)域的特點在于SOI器件技術(shù)相對比較成熟，技術(shù)含量相對較低，器件的利潤也相對降低，對SOI材料的價格比較敏感。在這些SOI材料用戶里面，很大的應(yīng)用主要來源于各種應(yīng)用中的驅(qū)動電路如Maxim的應(yīng)用于主要為手機接受段的放大器電路Panasonic、TI、FUJI、Toshiba、NEC等主要應(yīng)用在顯示驅(qū)動電路中的掃描驅(qū)動電路；DENS0的應(yīng)用主要在汽車電子、無線射頻電路等；Toshiba的應(yīng)用甚至在空調(diào)的電源控制電路中；0mrOn主要在傳感器方面；ADI也主要在高溫電路、傳感器等；而Phillips的應(yīng)用則主要是功率器件中的LDM0S，用于消費類電子中如汽車音響、聲頻、音頻放大器等；韓國的Magnchip(Hynix)則為Kopin生產(chǎn)用于數(shù)碼相機用的顯示驅(qū)動電路和為LG生產(chǎn)的PDP顯示驅(qū)動電路等。目前，SOI材料的制備技術(shù)主要有注氧隔離技術(shù)(SMOX)、鍵合及背面腐蝕技術(shù)(BESOI)及其所衍生出來的智能剝離技術(shù)(Smart-cut)、外延層轉(zhuǎn)移技術(shù)(ELTRAN)等。其中，由于鍵合及背面腐蝕技術(shù)具有工藝簡單、成本低等優(yōu)點，因此受到人們的重視，雖然埋氧層厚度連續(xù)可調(diào)，但是通過研磨或者腐蝕的辦法減薄頂層硅，頂層硅的厚度均勻性很難得到精確控制。如P. B. Mumola等在頂層硅厚度為1±0. 3 μ m鍵合減薄SOI材料的基礎(chǔ)上，采用計算機控制局部等離子減薄的特殊辦法，將頂層硅減薄到O. I μ m，平整度僅能控制在±0. 01 μ m，這也就限制了鍵合減薄SOI材料在對頂層硅厚度均勻性要求高等方面的應(yīng)用。而采用SMOX技術(shù)制備的SOI材料，雖然具有優(yōu)異的頂層硅厚度均勻性，但由于受到注入劑量和能量的限制，埋氧層最大厚度很難超過400nm，并且SMOX工藝是利用高溫退火，促進氧在硅片內(nèi)部聚集成核而形成連續(xù)埋氧層，但是埋氧層中存在的針孔使其絕緣性能不如熱氧化形成的SiO2，擊穿電壓僅6MV/cm左右，這些缺點限制了 SMOX材料在厚埋層(大于400nm)方面的應(yīng)用。Smart-cut技術(shù)在鍵合技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來,并且其頂層娃的厚度由氫離子的注入能量所決定，其厚度連續(xù)可調(diào)，因此該技術(shù)可以同時滿足埋氧層厚度和頂層硅均勻性的要求，但是該技術(shù)由于采用氫離子注入剝離器件層，因此生產(chǎn)成本較高。外延層轉(zhuǎn)移技術(shù)需要在多孔硅上外延單晶硅層，缺陷控制困難，該技術(shù)尚未成熟，并沒有應(yīng)用的報道。上文提到，由于鍵合及背面腐蝕技術(shù)具有工藝簡單、成本低等優(yōu)點，但是均勻性較難控制。其主要出發(fā)點是在重?fù)诫s器件襯底上外延輕摻雜的器件層，鍵合后研磨減薄，利用HF、HN03以及CH3COOH的混合腐蝕溶液對輕重?fù)綄硬煌母g速率去除重?fù)诫s層，實現(xiàn)輕摻雜層的轉(zhuǎn)移，制備出厚膜SOI襯底。常規(guī)方法存在的問題在于腐蝕過程中，該腐蝕不易控制，導(dǎo)致制備出的SOI襯底頂層硅均勻性較差
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，能夠精確控制襯底頂層半導(dǎo)體層的厚度以及均勻性。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，包括如下步驟提供器件襯底和支撐襯底；采用離子注入在器件襯底中形成腐蝕自停止層，并將器件襯底分離成犧牲層和器件層；在支撐襯底的正面和背面均形成絕緣層；以支撐襯底正面的絕緣層的暴露表面以及器件襯底的器件層的暴露表面為鍵合面，將器件襯底和支撐襯底鍵合在一起；采用旋轉(zhuǎn)腐蝕工藝除去犧牲層和腐蝕自停止層，形成由器件層、絕緣層和支撐襯底構(gòu)成的帶有絕緣埋層的襯底。作為可選的技術(shù)方案，在支撐襯底的正面和背面均形成絕緣層之前，進一步包括如下步驟在支撐襯底背面形成保護層；對支撐襯底正面實施減薄，以對支撐襯底的厚度進行修正。作為可選的技術(shù)方案，在采用旋轉(zhuǎn)腐蝕工藝除去犧牲層和腐蝕自停止層之前，進一步采用研磨工藝減薄犧牲層。作為可選的技術(shù)方案，支撐襯底的正面和背面形成絕緣層具有相同的厚度，且由相同的材料構(gòu)成。 作為可選的技術(shù)方案，所述鍵合的步驟實施完畢后，進一步對鍵合界面實施退火。本發(fā)明的優(yōu)點在于，通過注入形成自停止層，器件層的厚度由注入深度決定，該厚度精確可控且厚度均勻，進一步在支撐襯底背面設(shè)置絕緣層，可以避免在腐蝕過程中對支撐襯底造成損傷。


附圖I所示是本發(fā)明具體實施方式
所述方法的實施步驟流程圖。附圖2A至附圖2E所示是本發(fā)明具體實施方式
所述方法的工藝流程圖。
具體實施例方式接下來結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明所述一種采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法的具體實施方式
。附圖I所示是本發(fā)明具體實施方式
所述方法的實施步驟流程圖，包括步驟S10，提供器件襯底和支撐襯底；步驟S11，采用離子注入在器件襯底中形成腐蝕自停止層，并將器件襯底分離成犧牲層和器件層；步驟S12，在支撐襯底的正面和背面均形成絕緣層；步驟S13，以支撐襯底正面的絕緣層的暴露表面以及器件襯底的器件層的暴露表面為鍵合面，將器件襯底和支撐襯底鍵合在一起；步驟S14，采用旋轉(zhuǎn)腐蝕工藝除去犧牲層和腐蝕自停止層，形成由器件層、絕緣層和支撐襯底構(gòu)成的帶有絕緣埋層的襯底。附圖2A所示，參考步驟S10，提供器件襯底200和支撐襯底290。上述兩襯底可以 是輕摻雜也可以是重?fù)诫sSi襯底或者其他半導(dǎo)體襯底，可以是P型也可以是η型摻雜襯底，摻雜劑可以是B、P、As也可以是別的雜質(zhì)元素。尤其是支撐襯底290，其選擇材料范圍更為廣泛，甚至于不限于是半導(dǎo)體襯底。附圖2Β所示，參考步驟SI I，采用離子注入在器件襯底200中形成腐蝕自停止層203，并將器件襯底200分離成犧牲層202和器件層201。以在單晶硅襯底中形成濃硼腐蝕自停止層為例，注入的離子為硼離子或者BF2分子，注入劑量為5 X IO14至5 X IO17Cm-2,優(yōu)化注入劑量為3X 1016cnT2，硼分布峰值處的濃度為6X IO18至6Χ 1022cnT3，優(yōu)化為8Χ 102°cnT3，硼注入劑量的選擇規(guī)則為優(yōu)化的硼注入層的電阻率應(yīng)小于O. I Ω · cm，注入能量為IkeV至lOOOkeV，注入深度最終的SOI層厚度所決定，優(yōu)選規(guī)則為注入深度應(yīng)略大于最終SOI材料的頂層娃厚度，例如50nm至5000nm,優(yōu)化為IOOnm,例如SOI材料最終頂層娃厚度為200nm,則其注入深度應(yīng)為300nm。附圖2C所示，參考步驟S12，在支撐襯底290的正面形成第一絕緣層291，背面形成第二絕緣層292。作為優(yōu)選的方案，第一絕緣層291和第二絕緣層292具有相同的厚度，且由相同的材料構(gòu)成，這樣可以抵消由于生長絕緣層對支撐襯底290的內(nèi)部應(yīng)力產(chǎn)生影響，造成支撐襯底290的翹曲。若支撐襯底290的材料是單晶硅材料，可以采用一次熱氧化工藝同時形成由熱氧化二氧化硅構(gòu)成的第一絕緣層291和第二絕緣層292，對于其他材料的支撐襯底290，也可以采用化學(xué)氣相沉積等工藝分別在兩個表面形成第一絕緣層291和第二絕緣層292。在實施上述步驟之前，還可以選擇對支撐襯底290正面實施減薄，例如采用化學(xué)機械拋光的方法，以對支撐襯底290的厚度進行修正，提高支撐襯底290的厚度均勻性。在進行修正之前，還可以進一步在支撐襯底290背面形成保護層(未圖示)，保護層的作用在于在研磨過程中加強對背面的保護。附圖2D所示，參考步驟S13，以支撐襯底290正面的第一絕緣層291的暴露表面以及器件襯底200的器件層201的暴露表面為鍵合面，將器件襯底200和支撐襯底290鍵合在一起。該鍵合可以是親水鍵合也可以是疏水鍵合，優(yōu)化為親水鍵合。此時，可以選擇等離子輔助的親水鍵合也可以是普通的親水鍵合。在鍵合的步驟實施完畢后，還可以進一步選擇對鍵合界面實施退火加固。附圖2E所示，參考步驟S14，采用旋轉(zhuǎn)腐蝕工藝除去犧牲層202和腐蝕自停止層203，形成由器件層201、第一絕緣層291和支撐襯底290構(gòu)成的帶有絕緣埋層的襯底。進一步地，支撐襯底290的背面還覆蓋有第二絕緣層292。通常犧牲層202的厚度會有數(shù)百微米，因此可以在采用旋轉(zhuǎn)腐蝕工藝除去犧牲層202和腐蝕自停止層203之前，進一步采用研磨工藝減薄犧牲層202。在實施旋轉(zhuǎn)腐蝕的過程中，首先選擇腐蝕犧牲層202的腐蝕液，通入至犧牲層202的表面，該腐蝕將停止于腐蝕停止層203的表面，再采用腐蝕腐蝕停止層203的腐蝕液通入至腐蝕停止層203的表面，該腐蝕將停止于器件層201的表面。在通入兩種腐蝕液的同時旋轉(zhuǎn)襯底，使腐蝕液在離心力的作用下不至于流淌到襯底的背面。本實施方式在支撐襯底290的背面進一步具有第二絕緣層292，其優(yōu)點在于保證了在對正面進行選擇性腐蝕的過程中，即使有少部分腐蝕液流淌到背面，支撐襯底290也不會被腐蝕。在上述步驟S14實施完畢之后，還可以進一步對器件層201暴露出來的表面實施化學(xué)機械拋光，以提高其平整度。如實施化學(xué)機械拋光的步驟，則在前述離子注入的步驟中應(yīng)當(dāng)控制注入能量，使形成的器件層201的厚度略大于最終的目標(biāo)厚度，以為后續(xù)的化學(xué)機械拋光預(yù)留出足夠的去除量。如果器件層201的設(shè)計目標(biāo)厚度過厚，已經(jīng)超出了離子注入所能及的最大深度，則還可以在離子注入完畢之后，進一步實施同質(zhì)外延，以增加器件層201的厚度。當(dāng)然，該同質(zhì)外延的步驟也可以在步驟S14實施完畢之后進行。 上述的所有步驟僅是為了達(dá)成本發(fā)明所述技術(shù)效果而需要實施的步驟，在實際實施中，還需要根據(jù)情況添加襯底厚度修正、表面拋光、倒角研磨以及清洗等各個步驟。下來給出本發(fā)明的一實施例。I.提供一片單晶硅襯底輕摻雜，電阻率O. 1-1000 Ω . cm,優(yōu)化為10-20 Ω . cm,優(yōu)化的對單晶硅襯底表面進行絕緣化處理，也可以不進行該絕緣化處理，絕緣層可以是SiO2,也可以是Si3N4或者是別的絕緣介質(zhì)，優(yōu)化為SiO2,生成方法可以是CVD、LPCVD、PECVD等，優(yōu)化為氧化，氧化工藝可以是濕氧也可以是干氧，也可以是兩者的組合，氧化層厚度為0-500nm，優(yōu)化為50nm。2.進行離子注入，注入的離子為B離子或者BF2分子，注入劑量為5E14至5E17cnT2，優(yōu)化注入劑量為3E16cnT2，B分布峰值處的濃度為6E18-6E22cnT3，優(yōu)化為8E20cm_3，B注入劑量的選擇規(guī)則為，優(yōu)化的B注入層的電阻率應(yīng)小于O. I Ω . cm，注入能量為IkeV-lOOOkeV，注入深度最終的SOI層厚度所決定，優(yōu)選規(guī)則為注入深度應(yīng)略大于最終SOI材料的頂層硅厚度，應(yīng)大于50nm-5000nm，優(yōu)化為lOOnm，例如SOI材料最終頂層硅厚度為200nm，則其注入深度應(yīng)為300nm。3.提供一個支撐襯底，該襯底為單晶硅襯底。對該襯底進行絕緣化處理，其目的在晶片背面生成絕緣保護層。具體方法為，直接在背面淀積二氧化硅或者氮化硅。優(yōu)化為熱氧化，氧化為干氧、濕氧或者干濕干聯(lián)合工藝，絕緣層厚度大于500nm，優(yōu)化為1.6μπι。4.研磨該氧化后的支撐襯底，去除表面氧化層，并且該工藝步驟達(dá)到襯底修正的目的，研磨設(shè)備優(yōu)選為單面研磨機，設(shè)備型號為DFG 841型研磨機，首先粗磨快速減薄，砂輪轉(zhuǎn)速大于2000rpm,隨后精磨減小研磨造成的損傷,砂輪轉(zhuǎn)速大于2000rpm,研磨后襯底厚度大于目標(biāo)厚度3微米以上；對研磨后的支撐襯底進行拋光，可以是雙面拋光也可以是單面拋光，也可以是雙面+單面拋光，這里優(yōu)化為雙面+單面拋光。首先雙面拋光，設(shè)備型號為Peter Wolters AC2000型雙面拋光機，整個拋光過程分為兩步，首先粗拋光、隨后精拋光，總拋光去除量為8微米；隨后采用單面拋光以精確控制硅片厚度，設(shè)備型號為IPEC 372型單面拋光機，整個拋光過程同樣分為粗拋光和精拋光兩步，拋光去除量不大于2微米，經(jīng)過修正后，襯底總厚度偏差小于I微米，該襯底修正過程下圖所示；5.將修正后的單晶硅襯底再一次氧化，氧化條件可以濕氧也可以是干氧，氧化工藝取決于需要的氧化層厚度，溫度為900-1400°C，優(yōu)化工藝為1050°C，濕氧氧化，氧化后度需依據(jù)最終SOI的厚度決定；該工藝步驟中進一步加厚了支撐襯底背面氧化層的厚度，增強了對支撐襯底背面的保護。6.此時，可以通過HF腐蝕去除器件襯底表面二氧化硅氧化層，優(yōu)化的工藝為保留該表面二氧化硅層。提供一片氧化后的單晶硅支撐襯底，支撐襯底表面二氧化硅層與器件襯底表面二氧化硅層厚度之和為最終SOI材料絕緣埋層厚度。氧化后的支撐襯底與注B的器件襯底鍵合，該鍵合可以是親水鍵合也可以是疏水鍵合，優(yōu)化為親水鍵合。此時，可以選擇等離子輔助的親水鍵合也可以是普通的親水鍵合。如果采用等離子體輔助親水鍵合，首先采用Ar或者N2或者O2離子對表面進行處理，隨后進行退火加固，退火溫度為50-700°C，優(yōu)化為300°C，退火時間為IOmin到10小時，優(yōu)化為2. 5小時,退火氣氛為氧氣、IS氣、氮氣或者其混合氣體。 如果采用傳統(tǒng)的親水鍵合，則加固必須是兩步加固，首先實現(xiàn)晶片鍵合，第一步加固溫度為400-1000°C，優(yōu)化為800°C，退火時間為O. 5-10小時，優(yōu)化為3小時，退火氣氛為氧氣、氬氣、氮氣或者其混合氣體，優(yōu)化為濕氧氣氛。第二步加固應(yīng)在制備出SOI后進行，目的為增強其鍵合強度，形成Si-O共價鍵。第二步加固溫度為800-1400°C，退火時間為
O.5-10小時,優(yōu)化為6小時,退火氣氛為氧氣、IS氣、氮氣或者其混合氣體。7.對加固后的襯底對進行倒角處理，倒角寬度由客戶規(guī)格決定。研磨后邊緣殘余硅層厚度為0-150微米，優(yōu)化為100微米。將倒角后的襯底對在TMAH溶液中腐蝕，去除100微米邊緣殘余硅層。優(yōu)化的辦法是采用旋轉(zhuǎn)腐蝕的辦法，噴灑TMAH腐蝕液，腐蝕過程中，襯底對在旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為100-10000rpm，優(yōu)化為lOOOrpm，TMAH溫度優(yōu)化為95°C。8.研磨減薄器件襯底，研磨設(shè)備優(yōu)選為單面研磨機，設(shè)備型號為DFG 841型研磨機，首先粗磨快速減薄，砂輪轉(zhuǎn)速大于2000rpm,隨后精磨減小研磨造成的損傷,砂輪轉(zhuǎn)速大于2000rpm，研磨后襯底厚度大于所制備SOI材料頂層硅目標(biāo)厚度3微米以上，這里減薄至剩余硅層厚度為12微米。9.對該研磨后的襯底進行選擇性腐蝕，優(yōu)選采用Spin-etch設(shè)備，也可以是普通的腐蝕槽，輕摻雜單晶硅襯底的腐蝕溶液為鄰苯二酚、乙二胺和水的混合溶液。spin-etch設(shè)備轉(zhuǎn)速為100-5000轉(zhuǎn)/min，腐蝕在重?fù)诫s層停止。10.對該襯底進行二次選擇性腐蝕，優(yōu)選采用Spin-etch設(shè)備，也可以是普通的腐蝕槽，spin-etch設(shè)備轉(zhuǎn)速為100-5000轉(zhuǎn)/min,腐蝕在輕摻雜層停止,腐蝕液為HNA (氫氟酸硝酸醋酸=1:3:8)。11.對所獲得的SOI材料進行拋光處理，設(shè)備為化學(xué)機械拋光機。12.如果該SOI材料常規(guī)親水鍵合，則需要進行二次加固，加固溫度為800-1400°C，退火時間為0. 5-10小時，優(yōu)化為6小時，退火氣氛為氧氣、氬氣、氮氣或者其混合氣體。通常情況下，步驟8和9的位置可以調(diào)換。13.制備出的SOI襯底可以采用外延設(shè)備調(diào)整頂層硅的厚度，從而實現(xiàn)對薄膜到
厚膜的完整覆蓋。綜上所述，雖然本發(fā)明已用較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所申請的專利范圍所界 定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 提供器件襯底和支撐襯底； 采用離子注入在器件襯底中形成腐蝕自停止層，并將器件襯底分離成犧牲層和器件層； 在支撐襯底的正面和背面均形成絕緣層； 以支撐襯底正面的絕緣層的暴露表面以及器件襯底的器件層的暴露表面為鍵合面，將器件襯底和支撐襯底鍵合在一起； 采用旋轉(zhuǎn)腐蝕工藝除去犧牲層和腐蝕自停止層，形成由器件層、絕緣層和支撐襯底構(gòu)成的帶有絕緣埋層的襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，在支撐襯底的正面和背面均形成絕緣層之前，進一步包括如下步驟 在支撐襯底背面形成保護層； 對支撐襯底正面實施減薄，以對支撐襯底的厚度進行修正。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，在采用旋轉(zhuǎn)腐蝕工藝除去犧牲層和腐蝕自停止層之前，進一步采用研磨工藝減薄犧牲層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，支撐襯底的正面和背面形成絕緣層具有相同的厚度，且由相同的材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，所述鍵合的步驟實施完畢后，進一步對鍵合界面實施退火。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種采用選擇性腐蝕制備帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，包括如下步驟提供器件襯底和支撐襯底；采用離子注入在器件襯底中形成腐蝕自停止層，并將器件襯底分離成犧牲層和器件層；在支撐襯底的正面和背面均形成絕緣層；以支撐襯底正面的絕緣層的暴露表面以及器件襯底的器件層的暴露表面為鍵合面，將器件襯底和支撐襯底鍵合在一起；采用旋轉(zhuǎn)腐蝕工藝除去犧牲層和腐蝕自停止層，形成由器件層、絕緣層和支撐襯底構(gòu)成的帶有絕緣埋層的襯底。
文檔編號H01L21/84GK102903607SQ20111018321
公開日2013年1月30日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者魏星, 曹共柏, 張苗, 張峰, 王曦 申請人:上海新傲科技股份有限公司, 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所