專利名稱：金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制程，尤其涉及一種金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程。
背景技術(shù)：
目前的45納米和55納米高性能邏輯產(chǎn)品制程一般都包括應(yīng)力記憶技術(shù)(Stress Memorization ^Technique，簡稱 SMT)和金屬硅化物阻止區(qū)(Salicide Block，簡稱 SAB)兩個(gè)不同的制程。SMT (Stress Memorization Technique)是一種增加半導(dǎo)體載流子遷移率的技術(shù)，從而達(dá)到改善CMOS的性能的目的，主要用在高性能邏輯產(chǎn)品的半導(dǎo)體制造中，而 SAB(Salicide Block)是半導(dǎo)體制造的一道工藝，主要是用來區(qū)分芯片中金屬硅化物以及非金屬硅化物區(qū)域。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中SMT制程以及SAB制程的流程圖，請(qǐng)參見圖1，其中，主要包括以
下八個(gè)步驟步驟1進(jìn)行應(yīng)力記憶薄膜層淀積；步驟2進(jìn)行熱預(yù)算制程；步驟3將應(yīng)力記憶薄膜去除；步驟4進(jìn)行中間清洗過程；步驟5進(jìn)行金屬硅化物阻止區(qū)薄膜層淀積；步驟6在金屬硅化物阻止區(qū)薄膜層上旋涂光刻膠，并進(jìn)行光刻步驟7對(duì)金屬硅化物阻止區(qū)薄膜層進(jìn)行刻蝕；步驟8將光阻去除。其中，步驟廣3屬于應(yīng)力記憶技術(shù)制程，步驟5、屬于金屬硅化物阻止區(qū)制程。絕大部分的半導(dǎo)體制造技術(shù)都有這個(gè)工藝制程，目前為止，這兩個(gè)制程在芯片生產(chǎn)的過程中是完全獨(dú)立的兩個(gè)路徑，尚無將兩者有機(jī)結(jié)合的報(bào)道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了一種金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，用以將現(xiàn)有技術(shù)中的應(yīng)力記憶技術(shù)和金屬硅化物阻止區(qū)合并成一個(gè)路徑的制程，以簡化工藝步驟。本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
一種金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其中，包括以下步驟 進(jìn)行應(yīng)力記憶技術(shù)制程，應(yīng)力記憶技術(shù)制程具體為首先，進(jìn)行應(yīng)力記憶薄膜層的淀積，之后，進(jìn)行熱預(yù)算制程；
進(jìn)行金屬硅化物阻止區(qū)制程，在該制程進(jìn)行的過程中將應(yīng)力記憶薄膜層代替金屬硅化物阻止區(qū)薄膜。如上所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其中，采用化學(xué)氣象淀積的方式形成應(yīng)力記憶薄膜。如上所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其中，淀積高應(yīng)力的氮化硅薄膜以形成應(yīng)力記憶薄膜。如上所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其中，金屬硅化物阻止區(qū)制程具體包括將應(yīng)力記憶薄膜作為阻擋層薄膜，在應(yīng)力記憶薄膜上旋涂光阻并進(jìn)行光刻， 之后進(jìn)行刻蝕。如上所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其中，完成對(duì)應(yīng)力記憶薄膜的刻蝕后將光阻去除。如上所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其中，根據(jù)應(yīng)力記憶薄膜的厚度和性質(zhì)對(duì)金屬硅化物阻止區(qū)制程中的刻蝕步驟進(jìn)行調(diào)整。綜上所述，本發(fā)明金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程在完成應(yīng)力記憶技術(shù)制程后將應(yīng)力記憶薄膜保留，并在后續(xù)的硅化物阻擋層制程中將應(yīng)力記憶薄膜替代規(guī)劃金屬阻止薄膜進(jìn)行光刻、刻蝕等工藝，從而去除了現(xiàn)有技術(shù)中的應(yīng)力記憶薄膜去除、中間清洗過程以及金屬硅化物組單層淀積的工藝步驟，使兩個(gè)制程有機(jī)結(jié)合，減少了工藝步驟，進(jìn)而降低了制造成本。


通過閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中SMT制程以及SAB制程的流程圖2是本發(fā)明金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的說明
圖2是本發(fā)明金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程的流程圖，請(qǐng)參見圖2，一種金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其中，包括以下步驟
進(jìn)行應(yīng)力記憶技術(shù)制程，應(yīng)力記憶技術(shù)制程具體為首先，進(jìn)行應(yīng)力記憶薄膜層的淀積，之后，進(jìn)行熱預(yù)算制程；與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，本發(fā)明中完成熱預(yù)算制程后壓應(yīng)力后并不需要將應(yīng)力記憶薄膜去除。本發(fā)明中采用化學(xué)氣象淀積的方式形成應(yīng)力記憶薄膜。進(jìn)一步的，淀積高應(yīng)力的氮化硅薄膜以形成應(yīng)力記憶薄膜。完成應(yīng)力記憶技術(shù)制程后，進(jìn)行金屬硅化物阻止區(qū)制程，在該制程進(jìn)行的過程中將應(yīng)力記憶薄膜層代替金屬硅化物阻止區(qū)薄膜，從而有別于現(xiàn)有技術(shù)中在完成應(yīng)力記憶技術(shù)制程后需要進(jìn)行清洗并在金屬硅化物阻止區(qū)制程中需要首先淀積金屬硅化物阻止層薄膜，本發(fā)明將上述的中間清洗制程以及金屬硅化物阻止層薄膜淀積兩步跳過，直接進(jìn)行后續(xù)工藝。進(jìn)一步的，金屬硅化物阻止區(qū)制程具體包括將應(yīng)力記憶薄膜作為阻擋層薄膜，在應(yīng)力記憶薄膜上旋涂光阻并進(jìn)行光刻，之后進(jìn)行刻蝕。
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更進(jìn)一步的，在完成對(duì)應(yīng)力記憶薄膜的刻蝕后將應(yīng)力記憶薄膜上的光阻去除。另外，由于本發(fā)明使用應(yīng)力記憶薄膜代替現(xiàn)有工藝中的金屬硅化物阻止層，因此在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上需要重新確認(rèn)光刻的條件，并根據(jù)應(yīng)力記憶薄膜的厚度和性質(zhì)對(duì)金屬硅化物阻止區(qū)制程中的刻蝕步驟進(jìn)行調(diào)整。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程在完成應(yīng)力記憶技術(shù)制程后將應(yīng)力記憶薄膜保留，并在后續(xù)的硅化物阻擋層制程中將應(yīng)力記憶薄膜替代規(guī)劃金屬阻止薄膜進(jìn)行光刻、刻蝕等工藝，從而去除了現(xiàn)有技術(shù)中的應(yīng)力記憶薄膜去除、中間清洗過程以及金屬硅化物組單層淀積的工藝步驟，使兩個(gè)制程有機(jī)結(jié)合，減少了工藝步驟，進(jìn)而降低了制造成本。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)所述變化例，在此不予贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其特征在于，包括以下步驟進(jìn)行應(yīng)力記憶技術(shù)制程，應(yīng)力記憶技術(shù)制程具體為首先，進(jìn)行應(yīng)力記憶薄膜層的淀積，之后，進(jìn)行熱預(yù)算制程；進(jìn)行金屬硅化物阻止區(qū)制程，在該制程進(jìn)行的過程中將應(yīng)力記憶薄膜層代替金屬硅化物阻止區(qū)薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其特征在于，采用化學(xué)氣象淀積的方式形成應(yīng)力記憶薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其特征在于，淀積高應(yīng)力的氮化硅薄膜以形成應(yīng)力記憶薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其特征在于，金屬硅化物阻止區(qū)制程具體包括將應(yīng)力記憶薄膜作為阻擋層薄膜，在應(yīng)力記憶薄膜上旋涂光阻并進(jìn)行光刻，之后進(jìn)行刻蝕。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其特征在于，完成對(duì)應(yīng)力記憶薄膜的刻蝕后將光阻去除。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其特征在于，根據(jù)應(yīng)力記憶薄膜的厚度和性質(zhì)對(duì)金屬硅化物阻止區(qū)制程中的刻蝕步驟進(jìn)行調(diào)整。
全文摘要
本發(fā)明一種金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程，其中，包括以下步驟進(jìn)行應(yīng)力記憶技術(shù)制程，應(yīng)力記憶技術(shù)制程具體為首先，進(jìn)行應(yīng)力記憶薄膜層的淀積，之后，進(jìn)行熱預(yù)算制程；進(jìn)行金屬硅化物阻止區(qū)制程，在該制程進(jìn)行的過程中將應(yīng)力記憶薄膜層代替金屬硅化物阻止區(qū)薄膜。本發(fā)明金屬硅化物阻擋層和應(yīng)力記憶層共用制程在完成應(yīng)力記憶技術(shù)制程后將應(yīng)力記憶薄膜保留，并在后續(xù)的硅化物阻擋層制程中將應(yīng)力記憶薄膜替代規(guī)劃金屬阻止薄膜進(jìn)行光刻、刻蝕等工藝，從而去除了現(xiàn)有技術(shù)中的應(yīng)力記憶薄膜去除、中間清洗過程以及金屬硅化物組單層淀積的工藝步驟，使兩個(gè)制程有機(jī)結(jié)合，減少了工藝步驟，進(jìn)而降低了制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/311GK102437046SQ20111025026
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月29日
發(fā)明者孫昌, 王艷生, 魏錚穎 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司