專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光裝置和用于有機(jī)發(fā)光裝置的陰極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種包括陽(yáng)極、具有雙層結(jié)構(gòu)的陰極以及陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)射層的有機(jī)發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
隨著21世紀(jì)的到來(lái)，朝向信息社會(huì)的趨勢(shì)日益加快，伴隨著隨時(shí)隨地接收和傳輸信息的需要，傳統(tǒng)的陰極射線(xiàn)管(CRT)顯示器正在被平板顯示器取代。當(dāng)前使用的一種最通用的類(lèi)型的平板顯示器液晶顯示器(LCD)。這是由于LCD重量輕并且功耗低。然而，由于 LCD是被動(dòng)式發(fā)光器件而不是自發(fā)光器件，所以L(fǎng)CD在對(duì)比度、視角和面積尺寸方面具有技術(shù)限制。因此，正在全世界范圍研究能夠克服這種技術(shù)限制的新型平板顯示器。一種這樣的新型平板顯示器使用有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。OLED能夠以低功率驅(qū)動(dòng)，具有寬視角和快的響應(yīng)速度，是自發(fā)光的、重量輕并且薄。因此，在日本、韓國(guó)和美國(guó)已經(jīng)加快對(duì)OLED的實(shí)際使用進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。當(dāng)前在移動(dòng)顯示器中使用的有源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置(AMOLED)的陰極通過(guò)沉積鎂 (Mg)和銀(Ag)的組合來(lái)形成。然而，陰極在120A的厚度下可具有高達(dá)大約50 Ω/Sq.的面積比電阻(ASR)，因此由于頂降的問(wèn)題而不能應(yīng)用于4英寸或更大的移動(dòng)顯示器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光裝置，與使用鎂(Mg)-銀(Ag)陰極的有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)相比，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有的結(jié)構(gòu)提供改善了的有源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置 (AMOLED)效率和更可靠的高溫特性。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括陽(yáng)極、陰極、以及位于陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)射層，其中，陰極包括第一層和第二層，第一層中共沉積有LiF或Liq以及從由鐿(Yb)、鈣(Ca)、釤(Sm)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、 鑭(La)和鈰(Ce)組成的組中選擇的金屬，第二層中共沉積有銀(Ag)或鋁(Al)以及從由 Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。第一層中的LiF或Liq與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬的組成比可為大約2 8至大約8 2。第一層的厚度可為大約10 A至大約300 A?；诘诙拥目傊亓?，第二層中的從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬可為大約至大約50%。第二層的厚度可為大約IOOA至大約1000A。陰極可包括第一層，在第一層中是共沉積的LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬；第二層，在第二層中是共沉積的Ag與從由％、Ca、Sm、Eu、 Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。陰極可包括第一層，在第一層中是共沉積的LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、 La和Ce組成的組中選擇的金屬；第二層，在第二層中是共沉積的Ag與從由％、Ca、Sm、Eu、 Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，其中，第一層的厚度可為大約15A至大約5θΑ， 第二層的厚度可為大約150A至大約230A。陰極可包括第一層，在第一層中是共沉積的LiF或Liq與％ ；第二層，在第二層中是共沉積的Ag或Al與％，其中，第一層的厚度可為大約15A至大約50A,第二層的厚度可為大約150A至大約230A。陰極可包括第一層，在第一層中是共沉積的LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、 La和Ce組成的組中選擇的金屬；第二層，在第二層中是共沉積的Ag與從由％、Ca、Sm、Eu、 Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，其中，第一層中的LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、 Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬的組成比可為大約3 7至大約7 3，基于第二層的總重量，第二層中的從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬可為大約5%至大約15%。陰極可包括第一層，在第一層中是共沉積的LiF或Liq與％ ；第二層，在第二層中是共沉積的Ag或々1與％，其中，第一層中的LiF或1^(1與％的組成比可為大約3 7 至大約7 3，基于第二層的總重量，第二層中的％可為大約5%至大約15%。陰極可包括第一層，在第一層中是共沉積的LiF和％;第二層，在第二層中是共沉積的Ag和％，其中，第一層中的LiF與％的組成比可為大約3 7至大約7 3，基于第二層的總重量，第二層中的％可為大約5%至大約15%。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供了一種用于有機(jī)發(fā)光裝置的陰極，所述陰極包括第一層，在第一層中共沉積有LiF或Liq以及從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce 組成的組中選擇的金屬；第二層，在第二層中共沉積有Ag或Al W&W*%、Ca、Sm、EU、Tb、 Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。


通過(guò)參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的示例實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明實(shí)施例的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，在附圖中圖1示意性地示出了根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)；圖2是比較示例1至示例3以及對(duì)比示例的有機(jī)發(fā)光裝置的高溫儲(chǔ)存特性的曲線(xiàn)圖；圖3A至圖3D是比較在不同的陰極中的銀(Ag)擴(kuò)散程度的透射電子顯微(TEM) 圖像。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明實(shí)施例，在附圖中示出了示例實(shí)施例。根據(jù)實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置包括陽(yáng)極、陰極以及在陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)射層 (EML)，其中，陰極包括第一層和第二層，第一層中共沉積有LiF或Liq (羥基喹啉鋰)以及從由鐿(Yb)、鈣(Ca)、釤(Sm)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鑭(La)和鈰(Ce)組成的組中選擇的金屬，第二層中共沉積有從由銀(Ag)和鋁(Al)中選擇的金屬以及從由％、&、 Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。圖1示意性地示出了根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D1，根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括具有雙層結(jié)構(gòu)的陰極，該雙層結(jié)構(gòu)包括第一層禾口第~■層O陰極的第一層或第二層可包括從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，這些金屬是具有有助于電子從包括EML的有機(jī)層注入和傳輸?shù)牡鸵莩龉Φ?br> ^^ I^l ο具體地說(shuō)，當(dāng)從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬與LiF 或Liq —起用于形成與包括EML的有機(jī)層相鄰的第一層時(shí)，第一層可有助于電子從有機(jī)層注入。當(dāng)從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬與在Ag和Al之間選擇的金屬一起用于形成與第一層相鄰的第二層時(shí)，第二層可具有低的光吸收特性，因此第二層可提高有機(jī)發(fā)光裝置的效率。Ag和Al具有在可見(jiàn)區(qū)中的低的吸收率和低的折射率，因此具有良好的反射特性。在下文中，現(xiàn)在將詳細(xì)描述第一層和第二層的組成和厚度。在一些實(shí)施例中，第一層中的LiF或Liq與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La禾口 Ce組成的組中選擇的金屬的組成比可為大約2 8至大約8 2，在一些其它實(shí)施例中，可為大約3 7至大約7 3。在一些實(shí)施例中，第一層的厚度可為大約10 A至大約300入，在一些其它實(shí)施例中，第一層的厚度可為大約15 A至大約50A。在一些實(shí)施例中，基于第二層的總重量，第二層中的從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、 La和Ce組成的組中選擇的金屬可為大約至大約50%，在一些其它實(shí)施例中，可為大約 5%至大約15%。在一些實(shí)施例中，第二層的厚度可為大約IOOA至大約1000A,在一些其它實(shí)施例中，第二層的厚度可為大約150 A至大約230 A。當(dāng)?shù)谝粚雍偷诙拥暮穸群徒M成比例在這些范圍之內(nèi)時(shí)，有機(jī)發(fā)光裝置可具有最佳的效率。在一些實(shí)施例中，陰極可包括由LiF或Liq與％共沉積的第一層以及由Ag或Al 與％共沉積的第二層，其中，LiF或1^(1與％的組成比可為大約3 7至大約7 3，基于第二層的總重量，第二層中的％可為大約5%至大約15%。在一些實(shí)施例中，陰極可包括由LiF和％共沉積的第一層與由Ag和％共沉積的第二層，其中，第一層中的LiF與％的組成比可為大約3 7至大約7 3，基于第二層的總重量，第二層中的樸可為大約5%至大約15%。在下文中，將描述制造具有上述堆疊結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光裝置的方法。首先，通過(guò)使用沉積或?yàn)R射方法在基底上形成第一電極。第一電極可包括具有高逸出功的第一電極材料。第一電極可構(gòu)成陽(yáng)極?；卓梢允怯袡C(jī)發(fā)光裝置中通常使用的基底，基底可包括例如具有優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度、易于處理性和耐水性的玻璃基底或透明塑料基底。第一電極材料的示例包括具有優(yōu)良的導(dǎo)電性的材料，例如，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、鋁(Al)、銀(Ag)和鎂 (Mg)。第一電極可被形成為透明電極或反射電極。然后，可通過(guò)使用諸如真空沉積、旋涂、澆鑄、Langmuir-Blodgett (LB)沉積等各種方法，在第一電極上形成空穴注入層(HIL)。當(dāng)使用真空沉積來(lái)形成HIL時(shí)，可根據(jù)用于形成HIL的材料以及HIL的結(jié)構(gòu)和熱特性來(lái)改變沉積條件。例如，沉積條件可包括大約100°c至大約500°C的沉積溫度、大約10_8 托至大約10_3托的真空壓力以及大約0.01 A/秒至大約IOOA/秒的沉積速度。當(dāng)利用旋涂來(lái)形成HIL時(shí)，可根據(jù)用于形成HIL的材料以及HIL的結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)來(lái)改變涂覆條件。例如，涂覆條件可包括大約2000rpm至大約5000rpm的涂覆速度，以及可去除涂覆后剩余的溶劑的大約80°C至大約200°C的熱處理溫度。HIL可包括通常用于形成HIL的任何材料?？捎糜谛纬蒆IL的材料的示例包括酞菁化合物(例如，銅酞菁)、4，4'，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N， N’ - 二(1-萘基)_N，N’ - 二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸 (Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PED0T/PSQ、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)和(聚苯胺)/聚苯乙烯磺酸鹽)(PANI/PSS)，但不限于此。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括陽(yáng)極；陰極；發(fā)射層，在陽(yáng)極和陰極之間，其中，陰極包括第一層和第二層，第一層中共沉積有LiF或Liq以及從由％、Ca、Sm、 Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，第二層中共沉積有Ag或Al以及從由％、 Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，LiF或Liq與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、 Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬的組成比為2 8至8 2。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一層的厚度為10A至300 A。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，基于第二層的總重量，第二層中的從由 Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬為至50%。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第二層的厚度為100A至1000A。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在陰極的第一層中共沉積LiF與從由％、 Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，在陰極的第二層中共沉積Ag與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在陰極的第一層中共沉積LiF與從由％、 Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，在陰極的第二層中共沉積Ag與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，其中，第一層的厚度為15A至50A,第二層的厚度為150A至230 A。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，陰極包括第一層，其中共沉積有LiF或Liq與％ ；第二層，其中共沉積有Ag或Al與％，其中，第一層的厚度為15A至50A,第二層的厚度為150A至230 A。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，陰極包括第一層，其中共沉積有LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬；第二層，其中共沉積有Ag與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，其中，第一層中的LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬的組成比為3 7至7 3，基于第二層的總重量，第二層中的從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬為5%至15%。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，陰極包括第一層，其中共沉積有LiF或Liq與％ ；第二層，其中共沉積有Ag或Al與％，其中，第一層中的LiF或Liq與Yb的組成比為3 7至7 3，基于第二層的總重量，第二層中的％為5%至15%。
11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，陰極包括第一層，其中共沉積有LiF和％ ；第二層，其中共沉積有Ag和％，其中，第一層中的LiF與Yb的組成比為3 7至7 3，基于第二層的總重量，第二層中的％為5%至15%。
12.一種用于有機(jī)發(fā)光裝置的陰極，所述陰極包括第一層，在第一層中共沉積有LiF或Liq以及從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce 組成的組中選擇的金屬；第二層，在第二層中共沉積有Ag或Al以及從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。
13.如權(quán)利要求12所述的陰極，其中，LiF或Liq與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La 和Ce組成的組中選擇的金屬的組成比為2 8至8 2。
14.如權(quán)利要求12所述的陰極，其中，第一層的厚度為IOA至300A。
15.如權(quán)利要求12所述的陰極，其中，基于第二層的總重量，第二層中的從由％、Ca、 Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬為1 %至50%。
16.如權(quán)利要求12所述的陰極，第二層的厚度為IOOA至1000A。
17.如權(quán)利要求12所述的陰極，其中，陰極包括第一層，其中共沉積有LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬；第二層，其中共沉積有Ag與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。
18.如權(quán)利要求12所述的陰極，其中，陰極包括第一層，其中共沉積有LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬；第二層，其中共沉積有Ag與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，其中，第一層的厚度為15A至50A,第二層的厚度為150A至230A。
19.如權(quán)利要求12所述的陰極，其中，陰極包括第一層，其中共沉積有LiF或Liq與％ ；第二層，其中共沉積有Ag或Al與％，其中，第一層的厚度為15A至50A,第二層的厚度為150A至230A。
20.如權(quán)利要求12所述的陰極，其中，陰極包括第一層，其中共沉積有LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬；第二層，其中共沉積有Ag與從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，其中，第一層中的LiF與從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬的組成比為3 7至7 3，基于第二層的總重量，第二層中的從由％、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬為5%至15%。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光裝置和用于有機(jī)發(fā)光裝置的陰極。所述有機(jī)發(fā)光裝置包括陽(yáng)極、具有雙層結(jié)構(gòu)的陰極以及在陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)射層，其中，陰極包括第一層和第二層，第一層中共沉積有LiF或Liq以及從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬，第二層中共沉積有Ag或Al以及從由Yb、Ca、Sm、Eu、Tb、Sr、Ba、La和Ce組成的組中選擇的金屬。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102468448SQ201110359350
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者宋英宇, 尹錫奎, 李鐘赫, 河載興, 金圣哲, 黃圭煥 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社