專(zhuān)利名稱(chēng):一種二極管芯片的酸洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種二極管芯片的酸洗工藝,特別是涉及酸洗工藝中酸洗液配制的改進(jìn)。
背景技術(shù):
根據(jù)二極管半導(dǎo)體生產(chǎn)原理,芯片要發(fā)揮作用時(shí),必須經(jīng)過(guò)酸腐蝕及酸鈍化,二極管芯片的酸洗工藝包括混合酸清洗,酸與雙氧水混合清洗,氨水與雙氧水混合清洗,酸與雙氧水混合清洗液一般用雙氧水、磷酸和水以1:1:3的體積比混合制備。磷酸與雙氧水混合清洗液存在一些缺點(diǎn)磷酸配比比例濃度大,使用后廢酸中含有大量磷離子,廢酸的處理需要較大的投資和嚴(yán)格的廢酸處理措施進(jìn)行解決,工序繁瑣,成本又高。而且難以完全消除磷離子,排放后會(huì)對(duì)土壤造成嚴(yán)重破壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種酸與雙氧水混合清洗液,其酸洗能夠達(dá)到符合產(chǎn)品性能要求的酸洗鈍化作用,同時(shí)降低了酸的濃度,既節(jié)約成本,又消除了磷離子的污染。本發(fā)明的技術(shù)方案是
一種二極管芯片的酸洗工藝,依次用混合酸清洗,酸與雙氧水清洗,氨水與雙氧水清洗,其關(guān)鍵在于上述酸與雙氧水的混合清洗液為雙氧水、硫酸和純水,上述雙氧水、硫酸和純水的體積比為1 1 15 30。上述雙氧水,硫酸和純水的體積比為1 :1 :30時(shí),清洗效果最好。上述酸與雙氧水混合清洗液的配制為先加入純水,在加入雙氧水,最后加入硫酸。上述硫酸的濃度為95% 98%,所述雙氧水的濃度為35% 40%。硫酸與雙氧水混合液和目前所用的磷酸混合清洗液原理相同,主要是通過(guò)氧化作用,去除二極管芯片表面金屬離子。二極管芯片清洗后要進(jìn)行上膠烤和成型烤,再用DW-4813 二極管特性圖示儀或者DS-900測(cè)試箱測(cè)試產(chǎn)品的反向耐壓值,測(cè)試的反向耐壓值在國(guó)家規(guī)定的范圍內(nèi)的,即為良品。上膠烤電性良率是指上膠烤后,經(jīng)過(guò)反向耐壓值的測(cè)試,得出的良品個(gè)數(shù)占總個(gè)數(shù)的比例。成型烤電良率指的是成型烤后經(jīng)過(guò)反向耐壓值的測(cè)試,得出的良品個(gè)數(shù)占總個(gè)數(shù)的比例,比例越高,則說(shuō)明工藝效果越好。下面是改進(jìn)后的酸洗液和磷酸雙氧水混合清洗液清洗的效果比較,分別對(duì)1000個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行反向耐壓值測(cè)試后得出的結(jié)果
權(quán)利要求
1.一種二極管芯片的酸洗工藝,依次為混合酸清洗,酸與雙氧水清洗,氨水與雙氧水清洗,其特征在于所述酸與雙氧水的混合清洗液為雙氧水,硫酸和純水,所述雙氧水,硫酸和純水的體積比為1 1 15 30。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二極管芯片的酸洗工藝,其特征在于所述雙氧水,硫酸和純水的體積比為1 :1 :30。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二極管芯片的酸洗工藝,其特征在于所述酸與雙氧水混合清洗液的配制為先加入純水,再加入雙氧水,最后加入硫酸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二極管芯片的酸洗工藝,其特征在于所述硫酸的濃度為95% 98%,所述雙氧水的濃度為35% 40%。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種二極管芯片的酸洗工藝,依次為混合酸清洗,酸與雙氧水混合清洗,氨水與雙氧水混合清洗,所述酸與雙氧水混合清洗液為雙氧水,硫酸,純水,它們的體積配比是雙氧水∶硫酸∶純水為1∶1∶15~30,混合液具體配制為先加入純水,在加入雙氧水,最后加入硫酸。改進(jìn)后的硫酸混合液能較好的替代磷酸混合液,且配比濃度低,既節(jié)約了成本,又消除了磷離子污染。
文檔編號(hào)H01L21/329GK102569065SQ201110436748
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日
發(fā)明者安國(guó)星, 李述洲, 王艷明 申請(qǐng)人:重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司