專利名稱：一種led發(fā)光晶元芯片封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及LED燈技術，具體是一種LED發(fā)光晶元芯片封裝結構。
背景技術：
目前LED發(fā)光體結構采用單顆LED發(fā)光晶元封裝即LED發(fā)光二極管結構，光學輸出功率較小，光學結構一次封裝成形，無法在成形的LED發(fā)光二極管上修改光學結構。因為 LED發(fā)光二極管為單顆LED發(fā)光晶元封裝，LED晶元發(fā)生損壞即LED發(fā)光二極管無法使用的問題。LED發(fā)光二極管不能進行大功率的輸出，限制的適用范圍。而且，LED發(fā)光二極管，熱量產(chǎn)生后，只能在引腳兩小細連接金屬上散熱，散熱處理難，效果差。

實用新型內(nèi)容針對上述問題，本實用新型旨在提供一種將多顆LED發(fā)光晶元封裝在一個芯片中的高密度LED發(fā)光晶元芯片封裝。為實現(xiàn)該技術目的，本實用新型的方案是一種LED發(fā)光晶元芯片封裝結構，包括 LED發(fā)光晶元和金屬基板，所述金屬基板面布設有絕緣導熱晶元槽，LED發(fā)光晶元均勻放置于該晶元槽，每一顆LED發(fā)光晶元按并串聯(lián)的方式通過金屬線連接在一起，并連到正負極的基點上；LED發(fā)光晶元上固化有高溫樹脂。本結構的有益效果使用多點封裝，體積小；相同晶元功率下，光功率輸出比LED 發(fā)光二極管會高出許多；LED發(fā)光晶元排列基板面上，發(fā)光角度為180度，形成后的芯片，只需要在芯片上面添加光學儀器即可修改光學角度，修改光學角度容易；芯片內(nèi)部LED晶元密集度高，最大化減少電流傳輸損耗，采用并串聯(lián)結構連接，在芯片內(nèi)部單顆LED晶元損壞情況下，不會導致整顆芯片損壞，無法工作，也不會產(chǎn)生電壓偏高、電流過大而產(chǎn)生整串死點的情況；而且芯片中的LED晶元貼面金屬基板，熱量傳導容易，散熱性能好。

圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型做進一步詳細說明。如圖1所示，本實用新型的一種LED發(fā)光晶元芯片封裝結構，包括LED發(fā)光晶元3 和金屬基板1，所述金屬基板面布設有絕緣導熱晶元槽2，LED發(fā)光晶元3均勻放置于該晶元槽2，每一顆LED發(fā)光晶元3按并串聯(lián)的方式通過金屬線連接在一起，并連到正負極的基點4上；LED發(fā)光晶元3上固化有高溫樹脂。具體制造過程先開一個金屬基板，金屬基板可以使用銅合金、鋁合金等金屬基板，在金屬基板面布上絕緣導熱晶元槽；在晶元槽上均勻放置晶元；用金屬線(金導電電阻小)基板上的每一顆晶元按并串聯(lián)的方式連接在一起，并連到正負極的基點上；在連接好線路的晶元上打上高溫樹脂，并放進高溫烤箱把樹脂固化在基板上，完成芯片封裝。 以上所述，僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡是依據(jù)本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何細微修改、等同替換和改進，均應包含在本實用新型技術方案的保護范圍之內(nèi)。
權利要求1. 一種LED發(fā)光晶元芯片封裝結構，包括LED發(fā)光晶元和金屬基板，其特征在于所述金屬基板面布設有絕緣導熱晶元槽，LED發(fā)光晶元均勻放置于該晶元槽，每一顆LED發(fā)光晶元按并串聯(lián)的方式通過金屬線連接在一起，并連到正負極的基點上；LED發(fā)光晶元上固化有高溫樹脂。
專利摘要本實用新型公開了一種LED發(fā)光晶元芯片封裝結構，包括LED發(fā)光晶元和金屬基板，所述金屬基板面布設有絕緣導熱晶元槽，LED發(fā)光晶元均勻放置于該晶元槽，每一顆LED發(fā)光晶元按并串聯(lián)的方式通過金屬線連接在一起，并連到正負極的基點上；LED發(fā)光晶元上固化有高溫樹脂。本結構使用多點封裝，體積小、功率高；修改光學角度容易；采用并串聯(lián)結構連接，在單顆LED晶元損壞情況下不會導致整顆芯片損壞，也不會產(chǎn)生電壓偏高、電流過大而產(chǎn)生整串死點的情況；而且芯片中的LED晶元貼面金屬基板，熱量傳導容易，散熱性能好。
文檔編號H01L25/075GK201946598SQ20112002678
公開日2011年8月24日 申請日期2011年1月26日 優(yōu)先權日2011年1月26日
發(fā)明者李志勇 申請人:深圳市眾能達光電子有限公司