專利名稱：：用于載具剝離的方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及半導體
技術領域：
，更具體地，本發(fā)明涉及一種用于載具剝離的方法。
背景技術：
：在集成電路的制造業(yè)中，涉及晶圓并且晶圓被用于形成集成電路或用于到在其上接合管芯。晶圓通常因為太薄而不能承受制造過程例如研磨中施加的壓力。因此，在制造過程中，載具被用于機械支撐晶圓以防止破裂。在某些的制造階段，需要從晶圓上剝離載具。在載具剝離之后，可能需要對晶圓進行一些剩下的加工(例如研磨)。然而，沒有載具的支撐，晶圓可能易于彎曲，因此可能很難進行接下來的加工步驟例如研磨。
發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種方法，所述方法包括:對包括多個管芯的復合晶圓進行切割，其中，在進行切割步驟時所述復合晶圓接合在載具上；在所述切割步驟之后，將所述復合晶圓設置于第一膠帶上；以及從所述復合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具。在一實施例中，所述復合晶圓包括晶圓，其中所述多個管芯中的每一個都包括所述晶圓的一個芯片和接合到所述晶圓上的多個封裝元件中的一個封裝元件，并且其中在所述切割步驟之后，所述晶圓中的各芯片相互分離。在一實施例中，所述復合晶圓還包括模制在所述晶圓上的聚合物，所述聚合物設置在所述多個封裝元件之間的間隙中，及在所述切割步驟之后，所述多個管芯通過所述聚合物的未切割部分而彼此相連。在一實施例中，所述方法還包括:在剝離所述載具的步驟之后，將所述第一膠帶切割成與所述復合晶圓大體相同的尺寸；以及對所述復合晶圓進行研磨以將所述多個管芯相互分離，其中在所述研磨步驟期間已經(jīng)切割的所述第一膠帶保持設置在所述復合晶圓上。在一實施例中，所述方法還包括:在所述研磨步驟之后，將第二膠帶設置于所述多個管芯上，其中所述第一膠帶與所述第二膠帶在所述多個管芯的相對的兩側(cè)；和從所述復合晶圓上卸下所述第一膠帶。在一實施例中，所述方法還包括:在所述切割步驟之前，將所述載具設置到附加膠帶上，其中所述載具位于所述復合晶圓與所述附加膠帶之間，在所述切割步驟期間，所述載具保持附接至所述附加膠帶；和在所述設置于第一膠帶的步驟之前，從所述復合晶圓和所述載具上剝離所述附加膠帶。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種方法包括:對復合晶圓進行切割以在所述復合晶圓中形成溝槽，所述復合晶圓包括晶圓及接合到所述晶圓上的封裝元件，其中所述溝槽穿透所述晶圓并延伸進入填充所述封裝元件之間空隙的聚合物中，并且其中在所述切割步驟期間，所述復合晶圓接合在載具上；將所述復合晶圓設置于第一膠帶上；從所述復合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具；研磨所述復合晶圓以將所述復合晶圓分離成相互完全獨立的多個管芯；在所述研磨步驟之后，將第二膠帶設置于所述多個管芯上；和在設置所述第二膠帶的步驟之后，卸下所述第一膠帶。在一實施例中，在所述切割步驟之后以及在所述研磨步驟之前，所述多個管芯通過所述聚合物未切割層而相互連接，以及通過所述研磨步驟去除所述聚合物的所述未切割層。在一實施例中，在所述切割步驟之后以及在所述研磨步驟之前，粘附層將所述載具與所述復合晶圓接合，以及其中在所述切割步驟期間未切割到所述粘附層。在一實施例中，所述晶圓是內(nèi)含無源器件的插入式晶圓，及所述封裝元件包括器件管芯。在一實施例中，所述方法還包括:在所述切割步驟之前，將所述載具設置于第三膠帶上，其中所述載具位于所述復合晶圓和所述第三膠帶之間，以及其中在所述切割步驟期間，所述載具保持附接至所述第三膠帶；和，在設置所述第一膠帶的步驟之前，從所述復合晶圓和所述載具上剝離所述第三膠帶。在一實施例中,所述載具包括玻璃載具。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，一種方法包括:在復合晶圓的第一側(cè)上形成連接件，其中載具接合到所述復合晶圓的第二側(cè)，及所述第一側(cè)和所述第二側(cè)是所述復合晶圓的相對的兩側(cè)；從所述第一側(cè)切割所述復合晶圓以形成溝槽，其中所述溝槽穿透所述復合晶圓中的晶圓并延伸進入所述復合晶圓的模塑料中；將所述復合晶圓設置于第一膠帶上，其中所述連接件與所述第一膠帶接觸；從所述復合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具；和在所述剝離步驟之后，將所述復合晶圓分離成各自獨立的管芯。在一實施例中，分離所述復合晶圓的步驟包括進行研磨以去除選自大體包括以下層的組中的層:與所述各自獨立的管芯互連的所述模塑料的層，將所述載具接合到所述晶圓的接合層，以及它們的組合。在一實施例中，在所述切割的步驟之后，所述溝槽穿透所述模塑料。在一實施例中，在所述切割的步驟之后，所述溝槽未穿透所述模塑料。在一實施例中，將所述復合晶圓分離成各自獨立的管芯的步驟包括從所述復合晶圓的所述第二側(cè)對所述復合晶圓進行研磨，由于所述研磨步驟，與所述各自獨立的管芯互連的那部分模塑料被去除。在一實施例中，所述晶圓是內(nèi)含無源器件的插入式晶圓，并且其中所述復合晶圓還包括接合所述插入式晶圓的器件管芯，所述模塑料設置在所述器件管芯之間的間隙中。在一實施例中，所述方法還包括:在從所述復合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具的步驟后，和在將所述復合晶圓分離成各自獨立的管芯的步驟之前，將所述第一膠帶切割成與所述復合晶圓形狀接近的形狀。在一實施例中，將所述復合晶圓分離成各自獨立的管芯的步驟包括研磨，并且在所述研磨期間，所述第一膠帶附接至所述復合晶圓。為更完整地理解實施例及其優(yōu)點，現(xiàn)將結(jié)合附圖進行的以下描述作為參考，其中:圖1到圖9是根據(jù)各種實施例的在封裝件制造的中間階段的截面圖。具體實施例方式下面詳細討論本發(fā)明各實施例的制造和使用。然而，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應用的概念。所討論的具體實施例僅僅示出了制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明提供了根據(jù)不同實施例的封裝工藝。示出了形成封裝的中間階段，討論了各實施例的變化。在本申請中，對于各種視圖及示例說明的實施例，相似的參考數(shù)字用于表示相似的元件。圖1至圖9示出了根據(jù)一些示例性實施例的在封裝制造的中間階段的截面圖。參考圖1，示出了晶圓20。晶圓20可包括多個芯片22(也稱為晶片或管芯)，多個芯片22相互之間可以是相同的。晶圓20還可包括襯底24，襯底24可以是半導體襯底或電介質(zhì)襯底。在一些實施例中，襯底24是硅襯底，但是襯底24也可以是由其它半導體材料(例如碳化硅、硅鍺、II1-V復合半導體或類似材料)形成。在一示例性實施例中，晶圓20是器件晶圓，該器件晶圓可包括在其中具有有源器件例如晶體管(未示出)的集成電路28。集成電路28用虛線示出，以表示可能形成，或可能未形成集成電路。在之后的圖中，盡管集成電路28可能存在，但是未示出該集成電路28。在可選實施例中，晶圓20可包括其它不合有源器件的封裝元件。例如，晶圓20可以是插入式晶圓、封裝襯底帶、封裝襯底晶圓、或類似物。在另一些實施例中，晶圓20不包括有源器件，但是可包括無源器件(也用28示出)，如電阻和電容器，或者也沒有無源器件。在一些實施例中，晶圓20包括穿過襯底的通孔(也稱為硅通孔TSV或通孔)30，該通孔從襯底的一側(cè)延伸到相對的另一側(cè)。晶圓20也可包括金屬層32(有時稱為再分配層)，在該金屬層中包括金屬線和通孔(未示出)。在晶圓20的一側(cè)形成連接件34，該連接件34可通過金屬層32以及通孔30電連接于集成電路28和/或連接件36。連接件34和連接件36形成在晶圓20的相對的表面上，并且可包括焊球、焊接凸點、與錫帽在其上結(jié)合的金屬柱，和類似物。在一些示例性實施例中，連接件36是焊球。雖然未示出，但是再分配層可以和連接件36形成在襯底24的同一側(cè)上。封裝元件40通過連接件34接合到晶圓的芯片22上。封裝元件40可以是在其中包括有源電路(例如晶體管，未示出)的器件管芯，或者可以是包括接合到插入件/封裝件襯底上的器件管芯的封裝件。雖然示出了每個芯片22都具有接合在其上的兩個封裝元件40，但是在可選實施例中，可在每個芯片22上接合一個封裝元件或兩個以上封裝元件。在封裝元件40和芯片22之間的空間里填充底部填充物35。聚合物42模制在晶圓20上，并且封裝元件40模制在聚合物42內(nèi)。在一些實施例中，聚合物42包括模塑料、模塑底部填充物(MoldingUnderfill，MUF)，或相類似物質(zhì)。在整個說明書中，晶圓20、封裝元件40，和聚合物42結(jié)合在一起稱為復合晶圓100。復合晶圓100接合到載具46上，例如通過接合層48，該接合層48可以是由例如有機物形成的粘附層。在連接件36和再分配層(如存在)的形成期間，再分配層和連接件36位于襯底24的同側(cè)，載具46可機械支撐晶圓20。在一些實施例中，載具46是玻璃載具。參考圖2，載具46與覆在上面的復合晶圓100—起設置到切割膠帶50上。如圖3所示，進行切割管芯的步驟，例如使用刀片49，以形成溝槽54。溝槽54可延伸進入晶圓20的切割道中。溝槽54具有足夠的深度以延伸到晶圓20底面之下，因此晶圓20中的各芯片22相互分離。溝槽54還延伸進入聚合物42，并延伸進入封裝元件40之間的空間內(nèi)。在一些實施例中，溝槽54的底部54A和載具46的頂面46A之間的距離T可在大約IOum到大約30um之間，因而保留了邊緣部分而不至于不合期望地切割到載具46。因此，在溝槽54的底部54A和載具46的頂面46A之間，至少是接合層48的底層未切割到，并且可能接合層48的底層完全未切割到。此外，可能聚合物42的底層未切割到。在一些實施例中，溝槽54延伸進入聚合物42但是沒有延伸進入接合層48。在可選實施例中，如虛線所示，溝槽54的底部54A大體上和接合層48的頂面48A在同一水平面。在其它一些實施例中，也如虛線所示，溝槽54延伸進入接合層48。參考圖4，載具46和覆在上面的復合晶圓100從切割膠帶50上取下。接下來，如圖5所示，復合晶圓100膠在膠帶58上。膠帶58可足夠厚以使連接件36可以壓入膠帶58中并受膠帶58保護。膠帶58具有足夠的膠力，因而它可固定住復合晶圓100，復合晶圓基本上相互分離。在一些實施例中，膠帶58是紫外線(UV)膠帶。圖6示出了載具46的剝離?？赏ㄟ^例如激光剝離技術進行該剝離，其中激光穿透載具46投射在接合層48上。于是接合層48分解，從而去除載具46。參考圖7，將膠帶58切割成與復合晶圓100大體相同的尺寸。從上往下看的膠帶58的形狀可以大體上與從上往下看的復合晶圓100的形狀一樣。因此，可將膠帶58和復合晶圓100結(jié)合起來視為晶圓來對待，并可以如對晶圓一樣進行輸送和加工。如圖7所示，在復合晶圓100上進行研磨以去除接合層48的殘渣(如果有)。為實施該研磨步驟，可用吸頭(未示出)吸住膠帶58并將膠帶58輸送至吸盤(chucktable)55上。吸盤55可通過真空將膠帶58和覆在上面的元件固定在合適的地方。然后可進行研磨，例如，使用砂輪59研磨。因為在圖3所示的步驟中已將晶圓20切割開，只有很薄的一層42/48與芯片22互連，因而釋放了復合晶圓100上的應力。圖7中的結(jié)構(gòu)可大體上是平坦的，且顯著減少了復合晶圓100的彎曲。因此，在膠帶58和復合晶圓100的輸送期間，可通過真空將膠帶58牢固地吸到吸頭上。而且，吸盤55也可以牢固地固定住膠帶58和復合晶圓100。進行研磨直到去除了那部分使復合晶圓100粘成一體的聚合物42(如存在)，以致芯片22和覆在上面的封裝元件40完全分離成為管芯60。參考圖8，將膠帶58和管芯60設置到切割膠帶62上，并且管芯60粘附于切割膠帶62。然后從管芯60上去除膠帶58。在實施例中，其中膠帶58是UV膠帶，可將UV光投射在膠帶58上以致膠帶58不再有粘性，然后能夠去除膠帶58。在圖9所示的最終結(jié)構(gòu)中，各管芯60相互分離，并且粘附于于切割膠帶62。然后各管芯60可與切割膠帶62—同輸送以進行下一步封裝。常規(guī)加工中，在剝離載具后，晶圓很薄可能會彎曲，這不利地使得薄晶圓不能固定到吸盤上，進一步地不能自動輸送晶圓因為用真空不能吸住它。在本發(fā)明實施例中，采用在剝離之前進行切割的方案，在該方案中，在晶圓從各自的載具剝離之前就已對晶圓切隔，顯著降低了晶圓的彎曲。因此，在沒有了晶圓彎曲的顧慮的情況下，可自動進行之后的加工。根據(jù)一些實施例，一種方法，包括:對包括多個管芯的復合晶圓進行切割，其中在進行切割的步驟時復合晶圓接合在載具上。在切割的步驟之后，將復合晶圓設置于第一膠帶上。然后從復合晶圓和第一膠帶上剝離載具。根據(jù)其它實施例，一種方法，包括:對復合晶圓進行切割以在復合晶圓中形成溝槽，該復合晶圓包括晶圓及與接合到晶圓上的封裝元件。所述溝槽穿透所述晶圓并延伸進入到填充封裝元件之間間隙的聚合物中。在切割的步驟期間，復合晶圓接合在載具上。該方法還包括將復合晶圓設置于第一膠帶上；從所述復合晶圓和第一膠帶上剝離載具，并研磨復合晶圓以將所述復合晶圓分離成為相互完全分離的多個管芯。在研磨的步驟之后，將第二膠帶設置在多個管芯上。在設置第二膠帶的步驟之后，卸下第一膠帶。根據(jù)又一些實施例，一種方法，包括:在復合晶圓的第一側(cè)上形成連接件，其中，載具接合到復合晶圓的第二側(cè)上，并且其中所述第一側(cè)與第二側(cè)是復合晶圓的相對的兩側(cè)。從所述第一側(cè)切割復合晶圓以形成溝槽，其中所述溝槽穿透復合晶圓中的晶圓并延伸進入到復合晶圓中的模塑料中。將復合晶圓固定到第一膠帶上，其中連接件接觸第一膠帶。從復合晶圓和第一膠帶上剝離載具。在所述剝離的步驟之后，復合晶圓分離成各自獨立的管芯。盡管已經(jīng)詳細地描述了本發(fā)明及其優(yōu)點，但應該理解為，在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，可以做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請的范圍并不旨在僅限于本說明書中描述的工藝、機器、制造，材料組分、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領域普通技術人員應理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應實施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應該包括在這樣的工藝、機器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每項權(quán)利要求構(gòu)成單獨的實施例，并且多個權(quán)利要求和實施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種方法，所述方法包括:對包括多個管芯的復合晶圓進行切割，其中，在進行切割步驟時所述復合晶圓接合在載具上；在所述切割步驟之后，將所述復合晶圓設置于第一膠帶上；以及從所述復合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述復合晶圓包括晶圓，其中所述多個管芯中的每一個都包括所述晶圓的一個芯片和接合到所述晶圓上的多個封裝元件中的一個封裝元件，并且其中在所述切割步驟之后，所述晶圓中的各芯片相互分離。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述復合晶圓還包括模制在所述晶圓上的聚合物，所述聚合物設置在所述多個封裝元件之間的間隙中，及在所述切割步驟之后，所述多個管芯通過所述聚合物的未切割部分而彼此相連。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括:在剝離所述載具的步驟之后，將所述第一膠帶切割成與所述復合晶圓大體相同的尺寸；以及對所述復合晶圓進行研磨以將所述多個管芯相互分離，其中在所述研磨步驟期間已經(jīng)切割的所述第一膠帶保持設置在所述復合晶圓上。5.一種方法，所述方法包括:對復合晶圓進行切割以在所述復合晶圓中形成溝槽，所述復合晶圓包括晶圓及接合到所述晶圓上的封裝元件，其中所述溝槽穿透所述晶圓并延伸進入填充所述封裝元件之間空隙的聚合物中，并且其中在所述切割步驟期間，所述復合晶圓接合在載具上；將所述復合晶圓設置于第一膠帶上；從所述復合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具；研磨所述復合晶圓以將所述復合晶圓分離成相互完全獨立的多個管芯；在所述研磨步驟之后，將第二膠帶設置于所述多個管芯上；和在設置所述第二膠帶的步驟之后，卸下所述第一膠帶。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在所述切割步驟之后以及在所述研磨步驟之前，所述多個管芯通過所述聚合物未切割層而相互連接，以及通過所述研磨步驟去除所述聚合物的所述未切割層。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在所述切割步驟之后以及在所述研磨步驟之前，粘附層將所述載具與所述復合晶圓接合，以及其中在所述切割步驟期間未切割到所述粘附層。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述晶圓是內(nèi)含無源器件的插入式晶圓，及所述封裝元件包括器件管芯。9.一種方法，所述方法包括:在復合晶圓的第一側(cè)上形成連接件，其中載具接合到所述復合晶圓的第二側(cè)，及所述第一側(cè)和所述第二側(cè)是所述復合晶圓的相對的兩側(cè)；從所述第一側(cè)切割所述復合晶圓以形成溝槽，其中所述溝槽穿透所述復合晶圓中的晶圓并延伸進入所述復合晶圓的模塑料中；將所述復合晶圓設置于第一膠帶上，其中所述連接件與所述第一膠帶接觸；從所述復合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具；和在所述剝離步驟之后，將所述復合晶圓分離成各自獨立的管芯。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中分離所述復合晶圓的步驟包括進行研磨以去除選自大體包括以下層的組中的層:與所述各自獨立的管芯互連的所述模塑料的層，將所述載具接合到所述晶圓的接合層，以及它們的組合。全文摘要本發(fā)明公開了一種方法，該方法包括對包括多個管芯的復合晶圓進行切割，其中，在進行切割步驟時所述復合晶圓接合在載具上。在切割步驟之后，將所述復合晶圓設置于膠帶上。然后從所述復合晶圓和所述第一膠帶上剝離所述載具。本發(fā)明還涉及用于載具剝離的方法。文檔編號H01L21/78GK103117250SQ20121019502公開日2013年5月22日申請日期2012年6月13日優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日發(fā)明者王忠裕,洪瑞斌,陳志壕,蘇峻興,茅一超,葉宮辰,蔡宜霖,洪櫻姿,高金福,許仕逸,張進傳,劉獻文,李隆華申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司