一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)及其制造工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)及其制造工藝，所述發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)包括發(fā)光組件，所述發(fā)光組件下方設(shè)有n電極層，所述發(fā)光組件上方設(shè)有p電極層，所述p電極層上方設(shè)有p焊盤，所述p電極層與p焊盤之間設(shè)有阻障層。本發(fā)明在現(xiàn)有發(fā)光二極管P電極結(jié)構(gòu)中的p電極層與焊盤之間增加了阻障層，減小了對準(zhǔn)的誤差，使得p電極層、阻障層與p焊盤完全對齊，因此提高了生產(chǎn)效率且降低了產(chǎn)品的不良率。
【專利說明】一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)及其制造工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于發(fā)光二極管制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)及其制 造工藝。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管由于具備有壽命長、體積小、發(fā)熱量低、耗電量少、反應(yīng)速度快、無幅射 及單色性發(fā)光之特性及優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于指示燈、廣告廣告牌、交通號志燈、汽車車 燈、顯示器面板、通訊器具、消費(fèi)電子等各項產(chǎn)品中。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)如圖2所示，主要由η電極層、發(fā)光組件、p電極層 和Ρ焊盤層構(gòu)成，其中Ρ電極結(jié)構(gòu)只包括Ρ電極層和Ρ焊盤，由于Ρ電極層和Ρ焊盤在生產(chǎn) 時是分開來制造，這樣就會造成對準(zhǔn)誤差，增加產(chǎn)品的不良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 發(fā)明目的：本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可提高生產(chǎn)效 率且降低產(chǎn)品不良率的發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)及其制造工藝。
[0005] 技術(shù)方案：本發(fā)明所述的一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光組件，所述發(fā)光組件 下方設(shè)有η電極層，所述發(fā)光組件上方設(shè)有ρ電極層，所述ρ電極層上方設(shè)有ρ焊盤，所述 Ρ電極層與Ρ焊盤之間設(shè)有阻障層。
[0006] 作為優(yōu)選，所述阻障層的厚度為〇· 1?1 μ m。
[0007] 作為優(yōu)選，所述阻障層的材料為鈦、鎢、鉭、鑰上述材料的合金，或上述材料的硅化 合物、氮化合物或硅氮化合物。
[0008] 作為優(yōu)選，所述ρ電極層為金鋅合金、金鈹合金或鈦鉬合金。
[0009] 作為優(yōu)選，所述P焊盤為鈦和鋁的合金、鈦和金的合金或鈦、鋁和金的合金，所述P 焊盤的總厚度為0. 5~3. 0 μ m。
[0010] 制造上述發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)的工藝，包括如下步驟： (1) 微影：在透光襯底的一個表面涂布感光材料；在該表面的上方放置光罩，該光罩上 設(shè)有與所述圖案相同的圖案；曝光：使平行光經(jīng)過光罩對感光材料進(jìn)行選擇性的曝光，使 光罩的圖案完整的轉(zhuǎn)移至透光襯底的表面上；顯影，使感光材料獲得與光罩圖案相同或互 補(bǔ)的圖案； (2) 在半導(dǎo)體迭層的窗口層上沉積ρ電極層材料； (3) 在ρ電極層上沉積阻障層材料； (4) 在阻障層上沉積ρ焊盤材料； (5) 使用托舉（Lift-off)制程，定義ρ焊盤圖案； (6) 進(jìn)行退火工序以得到奧姆接觸：退火的工序在300-550°C的爐管中10秒至3分鐘 或快速熱退火爐1秒至1分鐘中執(zhí)行。
[0011] 有益效果：本發(fā)明在現(xiàn)有發(fā)光二極管P電極結(jié)構(gòu)中的ρ電極層與焊盤之間增加了 阻障層，減小了對準(zhǔn)的誤差，使得P電極層、阻障層與P焊盤完全對齊，因此提高了生產(chǎn)效率 且降低了產(chǎn)品的不良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1為本發(fā)明一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0014] 如圖1所不的一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光組件2,發(fā)光組件2下方設(shè)有η 電極層1，發(fā)光組件2上方設(shè)有ρ電極層3, ρ電極層3上方設(shè)有ρ焊盤5, ρ電極層3與ρ焊 盤5之間設(shè)有阻障層4,阻障層4的厚度為0. 1?1 μ m，阻障層4的材料為鈦、鎢、鉭、鑰上述 材料的合金，例如TiW、TaW，或上述材料的硅化合物、氮化合物或硅氮化合物，例如TiN、WN、 TaN、TaSiN、WSiN、TWN，ρ電極層3為金鋅合金、金鈹合金或鈦鉬合金，ρ焊盤5為鈦和鋁的 合金、鈦和金的合金或鈦、錯和金的合金，P焊盤5的總厚度為0. 5~3. 0 μ m。生產(chǎn)這種發(fā)光 二極管電極結(jié)構(gòu)的工藝，包括如下步驟： (1) 微影：在透光襯底的一個表面涂布感光材料；在該表面的上方放置光罩，該光罩上 設(shè)有與所述圖案相同的圖案；曝光：使平行光經(jīng)過光罩對感光材料進(jìn)行選擇性的曝光，使 光罩的圖案完整的轉(zhuǎn)移至透光襯底的表面上；顯影，使感光材料獲得與光罩圖案相同或互 補(bǔ)的圖案； (2) 在半導(dǎo)體迭層的窗口層上沉積ρ電極層材料； (3) 在ρ電極層上沉積阻障層材料； (4) 在阻障層上沉積ρ焊盤材料； (5) 使用托舉（Lift-off)制程，定義ρ焊盤圖案； (6) 進(jìn)行退火工序以得到奧姆接觸：退火的工序在300-550°C的爐管中10秒至3分鐘 或快速熱退火爐1秒至1分鐘中執(zhí)行。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光組件（2)，所述發(fā)光組件（2)下方設(shè)有η電極層 (1)，其特征在于：所述發(fā)光組件（2)上方設(shè)有ρ電極層（3)，所述ρ電極層（3)上方設(shè)有ρ 焊盤（5)，所述ρ電極層（3)與ρ焊盤（5)之間設(shè)有阻障層（4)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述阻障層（4)的厚 度為0· 1?1 μ m。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述阻障層（4)的材 料為鈦、鎢、鉭、鑰上述材料的合金，或上述材料的硅化合物、氮化合物或硅氮化合物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述ρ電極層（3)為金鋅 合金、金鈹合金或鈦鉬合金。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述ρ焊盤（5)為鈦和鋁 的合金、鈦和金的合金或鈦、錯和金的合金，所述P焊盤（5)的總厚度為0. 5~3. Ο μ m。
6. 制造如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管電極結(jié)構(gòu)的工藝，其特征在于：包括如下步 驟： (1) 微影：在透光襯底的一個表面涂布感光材料；在該表面的上方放置光罩，該光罩上 設(shè)有與所述圖案相同的圖案；曝光：使平行光經(jīng)過光罩對感光材料進(jìn)行選擇性的曝光，使 光罩的圖案完整的轉(zhuǎn)移至透光襯底的表面上；顯影，使感光材料獲得與光罩圖案相同或互 補(bǔ)的圖案； (2) 在半導(dǎo)體迭層的窗口層上沉積ρ電極層材料； (3) 在ρ電極層上沉積阻障層材料； (4) 在阻障層上沉積ρ焊盤材料； (5) 使用托舉（Lift-off)制程，定義ρ焊盤圖案； (6) 進(jìn)行退火工序以得到奧姆接觸：退火的工序在300-550°C的爐管中10秒至3分鐘 或快速熱退火爐1秒至1分鐘中執(zhí)行。
【文檔編號】H01L33/38GK104064651SQ201310088691
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2013年3月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月20日
【發(fā)明者】廖豐標(biāo) 申請人:江蘇揚(yáng)景光電有限公司