環(huán)境敏感電子元件封裝體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種環(huán)境敏感電子元件封裝體，包括第一基板、第二基板、環(huán)境敏感電子元件、側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)以及填充層。第一基板具有至少一預(yù)定撓曲區(qū)域。第二基板配置于第一基板上方。環(huán)境敏感電子元件配置于第一基板上，且位于第一基板與第二基板之間。側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)位于第一基板與第二基板之間，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件。側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)具有撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)，其中撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)位于預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。填充層位于第一基板與第二基板之間，且包覆側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)及環(huán)境敏感電子元件。
【專利說明】環(huán)境敏感電子元件封裝體
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝體，特別是涉及一種環(huán)境敏感電子元件封裝體。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的進(jìn)步，顯示器已朝向薄型化及可撓式發(fā)展，其中又以軟性顯示器(可撓性顯示器)逐漸成為顯示器往后發(fā)展的主要方向。利用可撓性基板取代傳統(tǒng)硬質(zhì)基板來制作軟性顯示器，其可卷曲、方便攜帶、符合安全性及產(chǎn)品應(yīng)用廣，但其較不耐高溫、水、氧氣阻絕性較差、耐化學(xué)藥品性較差及熱膨脹系數(shù)大。典型的可撓性基板可用來承載電子元件及/或用來作為蓋板(cover)以對(duì)電子元件進(jìn)行封裝，由于可撓性基板并無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，因此水氣及氧氣的滲入將加速可撓性基板上之電子元件老化，進(jìn)而導(dǎo)致電子元件的壽命減短。
[0003]為解決上述問題,部分現(xiàn)有技術(shù)是采用側(cè)壁阻障(side wall barrier)結(jié)構(gòu)來增加軟性顯示器的側(cè)向阻水、氧氣能力，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)是形成于可撓性基板上，并且利用膠材使側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)與另一可撓性基板貼合，以提高軟性顯示器阻水、氧氣的能力。然而，軟性顯示器在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，可能造成側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)產(chǎn)生形變或破壞的情形，以致無法有效阻絕外界水氣或氧氣的入侵。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供一種環(huán)境敏感電子元件封裝體，以改善環(huán)境敏感電子元件封裝體在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，其側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)產(chǎn)生形變或破壞的問題。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提出一種環(huán)境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環(huán)境敏感電子元件、至少一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)以及填充層。第一基板具有至少一預(yù)定撓曲區(qū)域。第二基板配置于第一基板上方。環(huán)境敏感電子兀件配置于第一基板上，且于第一基板與第二基板之間。側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)位于第一基板與第二基板之間，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件，且側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)具有至少一撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)。撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)位于預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。填充層位于第一基板與第二基板之間，且包覆側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)及環(huán)境敏感電子元件。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中,側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)配置于第一基板上。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)配置于第二基板上
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括:
[0009]至少一第一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)，配置于該第一基板上；以及
[0010]至少一第二側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)，配置于該第二基板上，其中該第一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)與該第二側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)交替排列于該第一基板與該第二基板之間。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)的截面包括多邊型、圓型或橢圓型，且截面
垂直于第一基板。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括:[0013]一阻障層，位于該第一基板或該第二基板上；以及
[0014]一包覆層，其中該包覆層覆蓋該阻障層。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括底面積為直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括底面積為非直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括底面積為直線型與非直線型組合的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為直線型，且平行排列于預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為直線型，且行列交錯(cuò)排列于預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為非直線型，且交替排列于預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
[0021]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為非直線型，且不規(guī)則分布于預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
[0022]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的俯視形狀為網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，且規(guī)律排列于預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
[0023]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為島狀，且不規(guī)則分布于預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
[0024]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)及側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)與第一基板或該第二基板為相同材質(zhì)所構(gòu)成，且材質(zhì)為金屬或玻璃?；谏鲜?，由于本發(fā)明實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的基板具有預(yù)定撓曲區(qū)域，其中預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)具有撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)，如此可避免環(huán)境敏感電子元件封裝體在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，造成側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)產(chǎn)生形變或破壞的情形，以確保環(huán)境敏感電子元件封裝體阻水、氧氣的能力，進(jìn)而有效延長(zhǎng)環(huán)境敏感電子元件的壽命。
[0025]為讓本發(fā)明能更明顯易懂，以下特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1A是本發(fā)明第一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖；
[0027]圖1B是圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0028]圖1C是圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體沿1-1’剖面線的局部剖面示意圖；
[0029]圖1C’是其它可能實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的局部剖面示意圖；
[0030]圖1D是本發(fā)明第一實(shí)施例的另一環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖；
[0031]圖1E是本發(fā)明第一實(shí)施例的又一環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。
[0032]圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0033]圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0034]圖4是本發(fā)明第四實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0035]圖5是本發(fā)明第五實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0036]圖6a是本發(fā)明第六實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0037]圖6b至圖6c是圖6a其它可能實(shí)施例的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的波浪型結(jié)構(gòu)的局部示意圖；
[0038]圖7是本發(fā)明第七實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0039]圖8是本發(fā)明第八實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0040]圖9a是本發(fā)明第九實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0041]圖9b至圖9f是圖9a其它可能實(shí)施例的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的局部示意圖；
[0042]圖10是本發(fā)明第十實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0043]圖11是本發(fā)明第十一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0044]圖12是本發(fā)明第十二實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0045]圖13是本發(fā)明第十三實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0046]圖14是本發(fā)明第十四實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。
[0047]附圖標(biāo)記
[0048]100A、100A’、100A”:環(huán)境敏感電子元件封裝體
[0049]100B~100N:環(huán)境敏感電子元件封裝體
[0050]110:第一基板120:第二基板
[0051]130:環(huán)境敏感電子元件`132:導(dǎo)線
[0052]140:側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140a:阻障層
[0053]140b:包覆層142:撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)
[0054]142a~142e:撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu) 142e_l、142e_2:撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)
[0055]142f~142h:撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu) 142h_l~142h_5:撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)
[0056]142?~142m:撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu) 144:第一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)
[0057]146:第二側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)150:填充層
[0058]PFA:預(yù)定撓曲區(qū)域
【具體實(shí)施方式】
[0059]圖1A是本發(fā)明第一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖1B是圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。圖1C是圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體沿1-1’剖面線的局部剖面示意圖。圖1C’是其它可能實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的局部剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1A以及圖1B，在本實(shí)施例中，環(huán)境敏感電子元件封裝體100A包括第一基板110、第二基板120、環(huán)境敏感電子元件130、至少一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140以及填充層150。第一基板110具有至少一預(yù)定撓曲區(qū)域PFA。第二基板120配置于第一基板110上方。環(huán)境敏感電子兀件130配置于第一基板110上,且位于第一基板110與第二基板120之間。側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140位于第一基板110與第二基板120之間，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件130，且側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有至少一撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142。撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142位于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。填充層150位于第一基板110與第二基板120之間，且包覆側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140及環(huán)境敏感電子元件130。
[0060]在本實(shí)施例中，第一基板110與第二基板120例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質(zhì)可為聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚醚石風(fēng)(Polyethersulfone, PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚亞酸胺(PI)或金屬箔(metal foil)。當(dāng)然,第一基板110與第二基板120也可以是硬質(zhì)基板,其中硬質(zhì)基板例如是金屬或玻璃基板，本發(fā)明在此并不加以限制。
[0061]環(huán)境敏感電子元件130例如是主動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件或被動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件，其中主動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件例如是一主動(dòng)型矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AM-0LED)或者是主動(dòng)型矩陣電泳顯不器(Active Matrix Electro Phoretic Display, AM-EF1D),俗稱電子紙，或者是主動(dòng)型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display, AM-1XD),或者是主動(dòng)型矩陣藍(lán)相液晶顯不器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動(dòng)式環(huán)境敏感電子顯示元件則例如是被動(dòng)驅(qū)動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光元件陣列基板(Passive Matrix0LED, PM-0LED)或者是超扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯不器(Super Twisted Nematic Liquid CrystalDisplay, STN-LCD)。此外，環(huán)境敏感電子元件封裝體100A還包括一導(dǎo)線132。導(dǎo)線132配置于第一基板110上，以電性連接至環(huán)境敏感電子元件130，一般而言，導(dǎo)線132例如是通過濕式涂布法而形成于第一基板110上的金屬導(dǎo)線層。
[0062]另一方面，如圖1C’所示，在其它可能的實(shí)施例中，環(huán)境敏感電子元件130也可以是配置于第二基板120上，本發(fā)明在此并不加以限制。
[0063]請(qǐng)參考圖1A以及圖1C，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140的數(shù)量例如是多個(gè)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140垂直于第一基板110的截面可以是多邊型、圓型或橢圓型。具體而言，在本實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140垂直于第一基板110的截面是以梯型為例作說明。進(jìn)一步詳言之，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是配置于第一基板110上，且側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140可進(jìn)一步包括阻障層140a以及包覆層140b，其中阻障層140a位于第一基板110上并且由包覆層140b所覆蓋。
[0064]一般而言，阻障層140a的材質(zhì)例如是有機(jī)材料、金屬材料、無機(jī)材料或有機(jī)與無機(jī)的混合材料，其中阻障層140a例如是有機(jī)光阻材料，如感光型聚亞酰胺(Photosensitive PI)借由曝光、顯影及蝕刻等制造工程形成于第一基板110上。另一方面，包覆層140b可以是無機(jī)材料或金屬材料，其中無機(jī)材料例如是硅化物或鋁化物，且硅化物可以是硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiNxOy )等，而鋁化物則例如是如氧化鋁(Al2O3),且前述無機(jī)材料例如是通過化學(xué)氣相沉積法、蒸鍍法或?yàn)R鍍法等方法形成于阻障層140a上。另一方面，金屬材料例如是鑰、鈦、鋁或鉻，且前述金屬材料例如是借由濺鍍法、蒸鍍法或濕式涂布法等方法形成于阻障層140a上。在此必須說明的是，阻障層140a、包覆層140b與第一基板110也可為相同材質(zhì)所構(gòu)成，例如是金屬或玻璃等材質(zhì)經(jīng)由曝光、顯影及蝕刻等制造工程形成于第一基板110上，本發(fā)明在此并不加以限制。
[0065]請(qǐng)參考圖1B及圖1C，在本實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是借由蝕刻等制造工程而形成多個(gè)撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142。更具體而言，于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)形成撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142的方法例如是在阻障層140a上形成包覆層140b之前，首先蝕刻預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的阻障層140a的部分結(jié)構(gòu)，直至暴露出第一基板110，但以不蝕刻到第一基板110的表面為原貝U。之后，再于阻障層140a上形成包覆層140b，以于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)形成撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142。換言之，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142也屬于側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140的一部分，且任兩相鄰撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142例如是通過阻障層140a相互連接而形成一連續(xù)性結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，在其它未示出的實(shí)施例中，任兩相鄰的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140或撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142也可以是互不相連的非連續(xù)性結(jié)構(gòu)，本發(fā)明在此并不加以限制。
[0066]在其它未示出的實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140也可以是僅具有阻障層140a的單層阻氣結(jié)構(gòu)，其中撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142例如是借由蝕刻阻障層140a后所形成。更具體而言，于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)形成撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142的方法例如是首先于第一基板110上形成阻障層140a。之后，蝕刻預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的阻障層140a，且以不暴露出第一基板110的表面為原則，以于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)形成撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142。一般而言，任兩相鄰的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142例如是借由阻障層140a相互連接，此外，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142也可借由阻障層140a與預(yù)定撓曲區(qū)域PFA外的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140相互連接。
[0067]另一方面，本實(shí)施例的預(yù)定撓曲區(qū)域PFA的數(shù)量例如是一個(gè)，其中撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142的底面積例如是直線型，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142平行排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100A沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA褶彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0068]請(qǐng)繼續(xù)參考圖1A，填充層150例如是膠材通過紫外光固化或熱固化所形成。膠材的材質(zhì)例如是亞克力樹脂(acrylic)或環(huán)氧樹脂(expoxy)。在本實(shí)施例中,填充層150在未固化前的型態(tài)例如是片狀(Sheet type)膠材或液態(tài)狀(liquid type)膠材。
[0069]簡(jiǎn)言之，環(huán)境敏感電子元件封裝體100A的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142，可避免側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因長(zhǎng)時(shí)間撓曲而產(chǎn)生形變或破壞的情形，從而確保環(huán)境敏感電子元件封裝體100A阻水氧的能力，以有效延長(zhǎng)環(huán)境敏感電子元件130的壽命。此外，雖然本實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140是以環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件130的四周的連續(xù)環(huán)狀結(jié)構(gòu)，且環(huán)狀結(jié)構(gòu)的底面積為直線型以作說明，但并非用以限制本發(fā)明的范疇。換言之，在其它可能的實(shí)施例中，本發(fā)明的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)例如是僅配置于環(huán)境敏感電子元件的任一側(cè)的線狀結(jié)構(gòu)，或者是環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件的U型結(jié)構(gòu)或L型結(jié)構(gòu)，也可以是環(huán)繞環(huán)境敏感電子元件的其它非連續(xù)結(jié)構(gòu)，其中上述結(jié)構(gòu)的底面積可以是直線型或非直線型。
[0070]圖1D是本發(fā)明第一實(shí)施例的另一環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。如圖1D所示，圖1D的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A’與圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A大致上相同或相似，其不同之處在于:圖1D的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A’的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是配置于第二基板120上，且側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140可進(jìn)一步包括阻障層140a以及包覆層140b，其中阻障層140a位于第二基板120上并且由包覆層140b所覆蓋。一般而言，阻障層140a的材質(zhì)例如是有機(jī)材料、金屬材料、無機(jī)材料或有機(jī)與無機(jī)的混合材料,其中阻障層140a例如是有機(jī)光阻材料,如感光型聚亞酰胺(Photosensitive PI)借由曝光、顯影及蝕刻等制造工程形成于第二基板120上。另一方面，包覆層140b可以是無機(jī)材料或金屬材料，其中無機(jī)材料例如是硅化物或鋁化物，且硅化物可以是硅氮化物(SiNx )、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiNxOy)等，而鋁化物則例如是如氧化鋁Al2O3,且前述無機(jī)材料例如是通過化學(xué)氣相沉積法、蒸鍍法或?yàn)R鍍法等方法形成于阻障層140a上。另一方面，金屬材料例如是鑰、鈦、鋁或鉻，且前述金屬材料例如是借由濺鍍法、蒸鍍法或濕式涂布法等方法形成于阻障層140a上。在此必須說明的是，阻障層140a、包覆層140b與第二基板120也可為相同材質(zhì)所構(gòu)成，例如是金屬或玻璃等材質(zhì)經(jīng)由曝光、顯影及蝕刻等制造工程形成于第一基板110上，本發(fā)明在此并不加以限制。
[0071]圖1E是本發(fā)明第一實(shí)施例的又一環(huán)境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。如圖1E所示，圖1E的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A”與圖1A的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A大致上相同或相似，其不同之處在于:圖1E的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A”的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140可進(jìn)一步包括第一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)144以及第二側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)146。第一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)144配置于第一基板110上。第二側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)146配置于第二基板120上，其中第一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)144與第二側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)146例如是交替排列于第一基板110與第二基板120之間。當(dāng)然，在其它未示出的實(shí)施例中，第一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)144也可正對(duì)于第二側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)146而排列于第一基板110與第二基板120之間，本發(fā)明在此并不加以限制。
[0072]在此必須說明的是，雖然上述實(shí)施例的側(cè)壁阻結(jié)構(gòu)140具有底面積為直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142平行排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。然而，在其它的實(shí)施例中，可避免側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因長(zhǎng)時(shí)間撓曲而形變或破壞的不同結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)或配置，仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。以下將列舉多個(gè)不同的實(shí)施例來分別說明環(huán)境敏感電子元件封裝體100B?100N的設(shè)計(jì)。
[0073]圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖2，圖2的環(huán)境敏感電子元件封裝體100B與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖2的環(huán)境敏感電子元件封裝體100B的預(yù)定撓曲區(qū)域PFA的數(shù)量例如是兩個(gè)，底面積為直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142a平行排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100B沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142a的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0074]圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖3，圖3的環(huán)境敏感電子元件封裝體100C與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖3的環(huán)境敏感電子元件封裝體100C的預(yù)定撓曲區(qū)域PFA的數(shù)量例如是多個(gè)，更具體而言，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA幾乎涵蓋了環(huán)境敏感電子元件130的全部表面，其中底面積為直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142b平行排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100C沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142b的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0075]圖4是本發(fā)明第四實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖4，圖4的環(huán)境敏感電子元件封裝體100D與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖4的環(huán)境敏感電子元件封裝體100D的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142c，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142c行列交錯(cuò)排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100D沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142c的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0076]圖5是本發(fā)明第五實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖5，圖5的環(huán)境敏感電子元件封裝體100E與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖5的環(huán)境敏感電子元件封裝體IOOE的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142d，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142d行列交錯(cuò)排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。值得一提的是，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142d例如是彼此交互相連，以增加預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)阻隔水、氧氣能力。在此必須說明的是，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142d彼此交互相連的位置及樣式，本發(fā)明在此不加以限制。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100E沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142d的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0077]圖6a是本發(fā)明第六實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖6a，圖6a的環(huán)境敏感電子元件封裝體100F與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖6a的環(huán)境敏感電子元件封裝體100F的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為非直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142e，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142e交替排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100F沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142e的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0078]圖6b至圖6c是圖6a其它可能實(shí)施例的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的非直線型結(jié)構(gòu)的局部示意圖。請(qǐng)參考圖6b，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142e_l例如是方型波浪結(jié)構(gòu)，其中撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142e-l交替排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。請(qǐng)參考圖6c，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142e_2例如是梯型波浪結(jié)構(gòu)，其中撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142e-2交替排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。當(dāng)然，在其它未示出的實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)也可是由其它不同型態(tài)非直線結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，本發(fā)明在此并不加以限制。
[0079]圖7是本發(fā)明第七實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖
7,圖7的環(huán)境敏感電子元件封裝體100G與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖7的環(huán)境敏感電子元件封裝體100G的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為非直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142f，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142f不規(guī)則排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。更詳細(xì)而言，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142f例如是彼此相互交連，以增加預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)阻隔水、氧氣能力。在此必須說明的是，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142f彼此交互相連的位置及樣式，本發(fā)明在在此不加以限制。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100G沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142f的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0080]圖8是本發(fā)明第八實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖8，圖8的環(huán)境敏感電子元件封裝體100H與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖8的環(huán)境敏感電子元件封裝體100H的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為島狀的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142g，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142g不規(guī)則分布于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。更詳細(xì)而言，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142g例如是彼此獨(dú)立或相互交連。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100H沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142g的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0081]圖9a是本發(fā)明第九實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖9a，圖9a的環(huán)境敏感電子元件封裝體1001與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖9a的環(huán)境敏感電子元件封裝體1001的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142h例如是菱型網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142h規(guī)律排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體1001沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142h的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0082]值得注意的是，圖9b至圖9f是圖9a其它可能實(shí)施例的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖％，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142h-l例如是六邊型網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，其中六邊型網(wǎng)格可以是粗細(xì)相等或不等的網(wǎng)網(wǎng)格線交連構(gòu)成。請(qǐng)參考圖9c，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142h-2例如是圓型網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，其中圓型網(wǎng)格可以是粗細(xì)相等或不等的網(wǎng)網(wǎng)格線交連構(gòu)成。請(qǐng)參考圖9d，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142h-3例如是十字型網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，其中十字型網(wǎng)格可以是粗細(xì)相等或不等的網(wǎng)網(wǎng)格線交連構(gòu)成。請(qǐng)參考圖9e，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142h-4例如是梯型網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，其中梯型網(wǎng)格可以是粗細(xì)相等或不等的網(wǎng)網(wǎng)格線交連構(gòu)成。請(qǐng)參考圖9f，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142h-5例如是心型網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，其心型網(wǎng)格可以是粗細(xì)相等或不等的網(wǎng)格線交連構(gòu)成。當(dāng)然，在其它未示出的實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)也可是由其它不同型態(tài)多邊型網(wǎng)格所構(gòu)成的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，本發(fā)明在此并不加以限制。
[0083]圖10是本發(fā)明第十實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖10，圖10的環(huán)境敏感電子元件封裝體100J與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖10的環(huán)境敏感電子元件封裝體100J的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為非直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為非直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142i，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142i交替排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100J沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142i的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0084]圖11是本發(fā)明第十一實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖11，圖11的環(huán)境敏感電子元件封裝體100K與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖11的環(huán)境敏感電子元件封裝體100K的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為非直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為非直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142 j，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142 j不規(guī)則排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。在本實(shí)施例中，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142j例如是彼此相互交連。當(dāng)然，在其它未示出的實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140也可具有底面積例如是直線型、島狀或網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)，本發(fā)明在此并不加以限制。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100K沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142j的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0085]圖12是本發(fā)明第十二實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖12，圖12的環(huán)境敏感電子元件封裝體100L與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖12的環(huán)境敏感電子元件封裝體IOOL的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型與非直線型組合的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142k，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142k交替排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100L沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142k的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0086]圖13是本發(fā)明第十三實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖13，圖13的環(huán)境敏感電子元件封裝體100M與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖13的環(huán)境敏感電子元件封裝體100M的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型與非直線型組合的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為非直線型的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)1421，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)1421交替排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100M沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)1421的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0087]圖14是本發(fā)明第十四實(shí)施例的環(huán)境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請(qǐng)參考圖14，圖14的環(huán)境敏感電子元件封裝體100N與圖1B的環(huán)境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖14的環(huán)境敏感電子元件封裝體100N的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140例如是底面積為直線型與波浪型組合的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其中側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140具有底面積為島狀的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142m，且撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142m不規(guī)則分布于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。另一方面，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142m例如是彼此獨(dú)立或相互交連。因此，當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體100N沿預(yù)定撓曲區(qū)域PFA折彎時(shí)，撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)142m的設(shè)置可避免在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。值得一提的是，在其它未示出的實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)140的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)也可以是網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，且網(wǎng)格狀的撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)規(guī)律排列于預(yù)定撓曲區(qū)域PFA內(nèi)。
[0088]在此必須說明的是，在其它可能的實(shí)施例中，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)即例如是撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，換言之，環(huán)境敏感電子元件封裝體的可以朝任何方向撓曲，且當(dāng)環(huán)境敏感電子元件封裝體朝任何方向撓曲時(shí)，側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)并不會(huì)因應(yīng)力集中而產(chǎn)生形變或破壞的情形。
[0089]綜上所述，由于本發(fā)明的環(huán)境敏感電子元件封裝體的基板具有預(yù)定撓曲區(qū)域，其中預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)的側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)具有撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)。撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積可以是直線型、非直線型、島狀或網(wǎng)格狀，換言之，本發(fā)明可依據(jù)環(huán)境敏感電子元件封裝體的不同撓曲方式，而調(diào)整撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的形式與配置，如此可避免環(huán)境敏感電子元件封裝體在長(zhǎng)時(shí)間撓曲下，造成側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)產(chǎn)生形變或破壞的情形，以確保環(huán)境敏感電子元件封裝體阻水氧的能力，進(jìn)而有效延長(zhǎng)環(huán)境敏感電子元件的壽命。
[0090]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的變更與修飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由所附的權(quán)利要求書所界定為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，包括: 第一基板，具有至少一預(yù)定撓曲區(qū)域； 第二基板，配置于該第一基板上方； 環(huán)境敏感電子元件，配置于該第一基板上，且該環(huán)境敏感電子元件位于該第一基板與該第二基板之間； 至少一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)，位于該第一基板與該第二基板之間，其中該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)環(huán)繞該環(huán)境敏感電子元件且該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)具有至少一撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)，該撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)位于該預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)；以及 填充層，位于該第一基板與該第二基板之間，且包覆該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)及該環(huán)境敏感電子元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)配置于該第一基板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)配置于該第二基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括: 至少一第一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)，配置于該第一基板上；以及 至少一第二側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)，配置于該第二基板上，其中該第一側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)與該第二側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)交替排列于該第一基板與該第二基板之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)的截面包括多邊型、圓型或橢圓型，且該截面垂直于該第一基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括: 阻障層，位于該第一基板或該第二基板上；以及 包覆層，其中該包覆層覆蓋該阻障層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括底面積為直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括底面積為非直線型的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側(cè)壁阻障結(jié)構(gòu)包括底面積為直線型與非直線型組合的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，該些撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為直線型，且平行排列于該預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，該些撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為直線型，且行列交錯(cuò)排列于該預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，該些撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為非直線型，且交替排列于該預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，該些撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為非直線型，且不規(guī)則分布于該預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，該些撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的俯視形狀為網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，且規(guī)律排列于該預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個(gè)，該些撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)的底面積為島狀，且不規(guī)則分布于該預(yù)定撓曲區(qū)域內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)及該側(cè)壁 阻障結(jié)構(gòu)與該第一基板或該第二基板為相同材質(zhì)所構(gòu)成，且該材質(zhì)為金屬或玻3? ο
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103794733SQ201310392046
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2013年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月31日
【發(fā)明者】陳光榮, 林偉義 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院