有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法，所述有機發(fā)光二極管顯示器包含：一陽極層；一陰極層，所述陽極層與所述陰極層彼此相對且間隔設置；一有機發(fā)光層，設置在所述陰極層與所述陽極層之間，所述有機發(fā)光層包含多個原色區(qū)域以及多個混色區(qū)域；及一防色偏差層，設置在所述陽極層與所述有機發(fā)光層之間或所述有機發(fā)光層與所述陰極層與之間，且所述防色偏差層具備多個對應所述混色區(qū)域的絕緣圖案，其中所述絕緣圖案用以阻止對應的所述混色區(qū)域產生光線。本發(fā)明另提供一種有機發(fā)光二極管顯示器制作方法。本發(fā)明借由在有機發(fā)光二極管顯示器中設置防色偏差層，阻止有機發(fā)光層混色區(qū)域產生光線，以解決現有技術的色偏問題。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示器，特別是涉及一種有機發(fā)光二極管顯示器(organiclight-emitting d1de, OLED顯示器)顯示器及其制造方法。

【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極管顯示器(organic light-emitting d1de,后續(xù)簡稱0LED)顯示器一直都被業(yè)界認為是最具競爭力的下世代顯示技術之一，其優(yōu)點包括在無需背光模組即可自發(fā)光、應答速度快、低操作電壓。
[0003]標準的OLED顯示器具有自發(fā)光的特性，采用一由有機材料所構成的有機材料層，當有電流通過有機材料層時，有機材料層中的有機材料就會發(fā)光。搭配不同的有機材料，OLED顯示器即可發(fā)出不同顏色的光，以達成多彩或全彩顯示器的需求。
[0004]目前在制造OLED顯示器的有機材料層工藝上，可利用蒸鍍機形成具有紅(R)、綠(G)、藍(B)三種顏色的有機材料層。所述蒸鍍機具有一開設有復數個開口的掩膜板，所述有機材料層上劃分有復數個像素區(qū)域。在蒸鍍的過程中，首先透過掩膜板上的開口在一像素區(qū)域上蒸鍍R、G、B三種顏色中的一種有機材料(例如R)，之后再移動所述掩膜板至其它像素區(qū)域，透過同樣的開口依序形成其它顏色的有機材料(例如G、B)。由于蒸鍍過程中，有機材料會殘留在開口附近的掩膜板上，殘留的有機材料具有重量，久而久之，掩膜板產生變形，導致掩膜板的開口形狀產生變化，進而使掩膜板的開口無法精準對位，最終造成有機材料層上出現混色區(qū)域，即在某一像素區(qū)域出現不同顏色的重疊現象，造成色偏差問題。


【發(fā)明內容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明借由在有機發(fā)光二極管顯示器中設置防色偏差層，阻止有機發(fā)光層混色區(qū)域射出光線，以解決現有技術的色偏問題。
[0006]本發(fā)明提出一種有機發(fā)光二極管顯不器,其特征在于,包含:一陽極層；一陰極層，所述陽極層與所述陰極層彼此相對且間隔設置；一有機發(fā)光層，設置在所述陰極層與所述陽極層之間，所述有機發(fā)光層包含多個原色區(qū)域以及多個混色區(qū)域；及一防色偏差層，設置在所述陽極層與所述有機發(fā)光層之間或所述有機發(fā)光層與所述陰極層與之間，且所述防色偏差層具備多個對應所述混色區(qū)域的絕緣圖案，其中所述絕緣圖案用以阻止對應的所述混色區(qū)域產生光線。
[0007]本發(fā)明另提出一種制作有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于，包含:設置一陽極層；設置一陰極層，所述陽極層與所述陰極層彼此相對且間隔設置；設置一有機發(fā)光層在所述陰極層與所述陽極層之間，所述有機發(fā)光層包含多個原色區(qū)域以及多個混色區(qū)域；及設置一防色偏差層，設置在所述陽極層與所述有機發(fā)光層之間或所述有機發(fā)光層與所述陰極層與之間，且所述防色偏差層具備多個對應所述混色區(qū)域的絕緣圖案，其中所述絕緣圖案用以阻止對應的所述混色區(qū)域產生光線。
[0008]本發(fā)明借由在有機發(fā)光二極管顯示器中增加防色偏差層來達到阻止有機發(fā)光層的混色區(qū)域射出光線，以解決現有技術的色偏問題。以此設計可大幅提高生產的良率。
[0009]無疑地，本發(fā)明在閱者讀過下文以多種附圖與繪圖來描述的優(yōu)選實施例細節(jié)說明后將變得更為顯見。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1-4繪示出根據本發(fā)明實施例一有機發(fā)光二極管顯示器的制作流程的橫斷面示意圖；
[0011]圖5-圖9繪示出本發(fā)明有機發(fā)光二極管顯示器的多種態(tài)樣的橫斷面示意圖；
[0012]其中，附圖標記說明如下:
[0013]
[0014]10有機發(fā)光107 空穴注入層
[0015]二極管顯示器
[0016]100下基板108 空穴傳輸層
[0017]101陽極層109 電子傳輸層
[0018]102有機發(fā)光層110 電子注入層
[0019]103掩膜裝置1021 原色區(qū)域
[0020]
[0021]104防色偏差層1021a/1021b/紅色/綠色/藍色原
[0022]1021c色區(qū)域
[0023]104a絕緣圖案1022 混色區(qū)域
[0024]105陰極層Al 上光線射出方向
[0025]106上基板

【具體實施方式】
[0026]在下文的細節(jié)描述中，組件符號會標示在隨附的附圖中成為其中的一部份，并且以可實行實施例的特例描述方式來表示。這類實施例會說明足夠的細節(jié)，使得本領域的一般技術人員得具以實施。閱者須了解到本發(fā)明中也可利用其它的實施例或是在不悖離所述實施例的前提下作出結構性、邏輯性、及電性上的改變。因此，下文的細節(jié)描述將不欲被視為是一種限定，相反的，其中所包含的實施例將由權利要求書來加以界定。此外，下文的各實施例中所稱的方位“上”及“下”，僅是用來表示組件之間的相對位置關系，并非用來限制本發(fā)明。
[0027]現在下文中將提供多個實施例搭配附圖來說明本發(fā)明工藝。其中，圖1-4繪示出根據本發(fā)明實施例一有機發(fā)光二極管顯示器的制作流程的橫斷面示意圖。圖5-圖9則繪示出本發(fā)明有機發(fā)光二極管顯示器的多種態(tài)樣。
[0028]本發(fā)明提出一種制作有機發(fā)光二極管顯示器的方法包含:設置一陽極層；設置一陰極層，所述陽極層與所述陰極層彼此相對且間隔設置；設置一有機發(fā)光層在所述陰極層與所述陽極層之間，所述有機發(fā)光層包含多個原色區(qū)域以及多個混色區(qū)域；及設置一防色偏差層，設置在所述陽極層與所述有機發(fā)光層之間或所述有機發(fā)光層與所述陰極層與之間，且所述防色偏差層具備多個對應所述混色區(qū)域的絕緣圖案，其中所述絕緣圖案用以阻止對應的所述混色區(qū)域產生光線。
[0029]在一實施列中在設置有機發(fā)光層之前更包括提供一上基板與一下基板，而所述陰極層與所述陽極層則設置在所述上基板與所述下基板之間。
[0030]下面將根據圖示來詳細說明所述實施列中有機發(fā)光二極管顯示器的制作流程。
[0031]值得注意的是，有機發(fā)光二極管顯示器10的光線射出方向可以為從上基板射出的上光線射出方向Al或光線射出方向是可以為從下基板射出的下光線射出方向A2,本實施列中將以有機發(fā)光二極管顯不器10的光線射出方向為上光線射出方向Al為例。
[0032]首先請參照圖1，在流程一開始，提供一下基板100作為整體組件結構的基底，如一透明的玻璃板或塑膠板或其它具備組件承載功能的材料，其中下基板100可以是指經強化過后的板材。接著，在下基板100的上表面或上方形成一陽極層101。陽極層101的材料可為透明導電氧化物(Transparent Conducting Oxide, TCO),如氧化銦錫(Indium tinoxide, ITO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、招摻雜的氧化AZ0(A1:Zn0)等，或是不透光的金屬，如鎳(Nickel, Ni)、金(Aurora, Au)、鑰(Molybdenum, Mo)或鉬(Platinum, Pt)等，其以蒸鍍或是濺射方式形成在下基板100上。
[0033]在形成陽極層101后，在陽極層101上方形成一有機發(fā)光層(Emitting Layer,EML) 102。有機發(fā)光層102含有多個原色區(qū)域1021，如紅色原色區(qū)域1021a，綠色原色區(qū)域1021b，藍色原色區(qū)域1021c。有機發(fā)光層102原色區(qū)域1021的材料會視原色區(qū)域1021的顏色不同而采用不同的材料，如使用 DCM(4- (Dicyanomethylene) -2-methyl_6- (4-dimethylaminostyryl) -4H-pyran)，DCM-2，DCJTB (4- (Dicyano methylene) -2-tert-butyl-6- (I,1,7, 7-tetramethyI julolidin-4-y 1-vinyl) -4H_pyran)等紅光染料作為紅色原色區(qū)域 1021a 的材料，使用 Alq((8-hydroxyquinoline)aluminum), Alq3 (tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum), DMQA (N, N' -Dimethyl-quinacridone)等綠光染料作為綠色原色區(qū)域 1021b 的材料，使用 anthracene, Alq2, BCzVBi (4,4，，_bis (9-ethyl-3-carbazovinylene)-1, I，，-biphenyl), Perylene, OXD (oxadiazole), DPVB (Bis (2, 2-diphenylvinyl)benzene)等藍光染料作為藍色原色區(qū)域1021c的材料。有機發(fā)光層102的形成可以利用現有技術的蒸鍍機及其使用的掩膜板(tens1n mask)相應的蒸鍍上前述紅、綠、藍三種有色發(fā)光材料，形成紅色原色區(qū)域1021a，綠色原色區(qū)域1021b，以及藍色原色區(qū)域1021c。但由于蒸鍍過程中，有機材料會殘留在開口附近的掩膜板上，殘留的有機材料具有重量，久而久之，掩膜板產生變形，導致掩膜板的開口形狀產生變化，進而使掩膜板的開口無法精準對位，最終造成有機材料層102上出現混色區(qū)域1022。
[0034]請參照圖2，在形成有機發(fā)光層102后，在有機發(fā)光層102的上方或下方(本實施列以上方為例)會架設一掩膜裝置103。之后，通過所述掩膜103進行一蒸鍍或濺射工藝，以在有機發(fā)光層102的上方形成防色偏差層104，其中所述防色偏差層具有多個對應所述混色區(qū)域1022的絕緣圖案104a，所述絕緣圖案104a的形成材料可以采用二氧化硅或光刻膠。
[0035]若所述絕緣圖案104a的形成材料為光刻膠，則先涂布一層光刻膠，之后再進行光刻與刻蝕工藝(包括紫外線曝光及顯影等步驟)來圖案化所述光刻膠，即可形成絕緣圖案104a?；蛘撸纫詾R射方式在有機發(fā)光層104上形成一層光刻膠，之后通過光刻工藝圖案化所述光刻膠層，形成絕緣圖案104a。
[0036]在一優(yōu)選實施列中絕緣圖案104a也可以采用二氧化硅材料來制作。所采用的工藝也是光刻與刻蝕工藝，因此不再贅述。
[0037]請參照圖3，而后在防色偏差層104上方形成一陰極層105，陰極層105功用在于產生電子，故一般選擇功函數低的金屬材料，如低功函數的堿金族(alkali)、堿土族(alkaline earth)、或是鑭系金屬(lanthanide)等,最后提供一上基板106在陰極層105方上作為整體組件結構的保護層，所述上基板106可為一透明的玻璃板或塑膠板或其它具備組件保護功能的材料，如此即完成了有機發(fā)光二極管顯示器10主要結構的制作。
[0038]如圖3所示，一般當通以電流時，陽極層101會產生空穴而與陰極層105所產生的電子會在有機發(fā)光層102結合產生光子，使有機發(fā)光層102可產生光線射出，但在本發(fā)明中，借由絕緣圖案104a設置在對應的混色區(qū)域1022上，使陽極層101所產生的空穴與陰極層105所產生的電子無法在混色區(qū)域1022中結合產生光子，從而起到阻止混色區(qū)域1022的光線射出，最終達到防止色偏差的功效。
[0039]值得注意的是，有機發(fā)光二極管顯示器10的光線射出方向可以由陽極層101與陰極層105的選用材料的不同而不同。
[0040]在一實施例中，陽極層101為厚度范圍在150nm?200nm的鋁層或厚度范圍在10nm?150nm的金層，陰極層105為厚度范圍在0.1nm?20nm的鋁層或厚度范圍在0.1nm?20nm的銀層或厚度范圍在20nm?10nm的氧化銦錫層或氧化銦鋅層。此時陽極層101為光反射型，而陰極層105為光穿透型，有機發(fā)光二極管顯示器10的光線射出方向則為往所述上基板106射出的上光線射出方向Al。
[0041]在另一實施例中，陽極層101為厚度范圍在50nm?300nm的氧化銦錫層或氧化銦鋅層，陰極層105為厚度范圍在150um?200um的鋁層。此時陽極層101為光穿透型，而陰極層105為光反射型，有機發(fā)光二極管顯示器10的光線射出方向則為從往所述下基板100射出的下光線射出方向A2。
[0042]在上述實施例中，所述防色偏差層104是位于所述陰極層105與所述有機發(fā)光層102之間。但在其它實施例中，防色偏差層104也可設置在所述陽極層101與所述有機發(fā)光層102之間。
[0043]在上述實施例中，可以在有機發(fā)光二極管顯示器10增設其它層級以增進有機發(fā)光二極管顯示器的發(fā)光效率，請參后續(xù)圖式說明。
[0044]請參照圖4，在本實施例中，陽極層101形成在下基板100上。在陽極層101上形成一空穴注入層(Hole Inject1n Layer，HIL) 107。空穴注入層107可為最高占據分子軌道(Highest occupied moleculear orbital, H0M0)能階與陽極層101的功函數匹配的材料，如 CuPc (copper phthalocyanine)、T1Pc、m-MTDATA (4,4，，4”-tris (3-methylphenylphenylamino)triphenyl amine)> 2-TNATA(4, 4’ , 4” -tris (2-naphthyIphenylamino) triphenylamine)、或是 PED0T-PSS (poly (3,4-ethylene d1xyth1phene) -poly (styrenesulfonate))等?？昭ㄗ⑷雽?07可以通過蒸鍍、旋涂、刮刀涂布等方式形成?？昭ㄗ⑷雽?02的功用在于增加界面間的電荷注入，并能提高有機發(fā)光二極管顯示器10的發(fā)光效率。
[0045]在形成空穴注入層107后，接著，在空穴注入層107上形成一空穴傳輸層(Hole Transport Layer，HTL) 108。空穴傳輸層108為具有高空穴遷移率以及高熱穩(wěn)定性的薄膜材料，如 NPB (naphtha-phenylene benzidine)、TPD (N, N’ -diphenyl-N,N’_di(3-methylphenyl)-1, I’-biphenyl-4,4’-diamine)、或是 PVK(poly(9-vinylcarbazole))等,其可以蒸鍍、旋涂、刮刀涂布等方式形成在空穴注入層107上?？昭▊鬏攲?08的功用在于提聞空穴的傳輸速率，進而提聞有機發(fā)光_■極管顯不器10的發(fā)光效率。
[0046]在形成空穴傳輸層108后，在空穴傳輸層108上形成有機發(fā)光層102，所述有機發(fā)光層102具有多個原色區(qū)域1021以及多個混色區(qū)域1022。接著在有機發(fā)光層102上方形成防色偏差層104，其中所述防色偏差層104具有多個對應所述混色區(qū)域1022的絕緣圖案104a,之后可在防色偏差層104上形成一電子傳輸層(Electron Transport Layer,ETL) 109ο電子傳輸層109的功用在于使陰極層105注入的電子能順利傳輸到有機發(fā)光層102，并阻絕空穴遷移到陰極層105，故其材料要具有高電子遷移率的特性，并具有可阻絕空穴的能障，其適合的材料如 PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert_butylphenyl)-l, 3,4-oxadiazole)、OXD> TAZ(3-(biphenyl4-yl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-4H-1,2,4-triazole)或Alq3等，以蒸鍍、旋涂、刮刀涂布等方式形成在防色偏差層104上。
[0047]在電子傳輸層109上形成一電子注入層110 (Electron Inject1n Layer, EIL)來幫助電子的注入，其材料可為最低未占據分子軌道(Lowest unoccupied molecularorbital, LUM0)能階與陰極層105的功函數匹配的材料，如LiF、Li03、LiBO2等。而后在電子注入層110上形成一陰極層105，最后提供一上基板106在陰極層105上作為整體組件結構的保護層，如一透明的玻璃板或塑膠板或其它具備組件保護功能的材料，如此即完成了有機發(fā)光二極管顯示器10主要結構的制作。
[0048]在一實施列中，有機發(fā)光二極管顯示器10的主要結構為前述圖3所示:有機發(fā)光二極管顯示器陽極層101為光反射型，陰極層110為光穿透型，造成有機發(fā)光二極管顯示器10的光線射出方向Al為從所述上基板106射出，整體疊層結構自下而上依次為在下基板100上依次形成一陽極層101，一具有多個原色區(qū)域1021與多個混色區(qū)域1022的有機發(fā)光層102，一防色偏差層104，其中所述防色偏差層具有多個對應所述混色區(qū)域1022的絕緣圖案104a, —陰極層105及一上基板106。
[0049]在另一實施列中，有機發(fā)光二極管顯示器10的主要結構為前述圖4所示:有機發(fā)光二極管顯示器陽極層101為光反射型，陰極層110為光穿透型，造成有機發(fā)光二極管顯示器10的光線射出方向Al為從所述上基板106射出，整體疊層結構自下而上依次為在下基板100上依次形成一陽極層101，一空穴注入層107，一空穴傳輸層108，一具有多個原色區(qū)域1021與多個混色區(qū)域1022的有機發(fā)光層102，一防色偏差層104，其中所述防色偏差層具有多個對應所述混色區(qū)域1022的絕緣圖案104a，一電子傳輸層109，一電子注入層110，一陰極層105及一上基板106。
[0050]但上述結構僅為本發(fā)明的一范例性的優(yōu)選實施例，在其它實施例中，根據有機發(fā)光二極管顯示器10光線射出方向的不同，防色偏差層104可以在對應混色區(qū)域107的情形下設置在不同位置。請參照圖5-圖9，其繪示出本發(fā)明有機發(fā)光二極管顯示器10多種不同的防色偏差層104設置態(tài)樣的橫斷面示意圖。
[0051]在一實施例中，防色偏差層104可以設置在電子傳輸層109與電子注入層110之間(如圖5)，可以設置在電子注入層110與陰極層105之間(如圖6)，可以設置在空穴傳輸層108與空穴注入層107之間(如圖7)、可以設置在空穴注入層107與陽極層101之間(如圖8)，可以設置在陽極層101與下基板100之間(如圖9)都可以達到阻止混色區(qū)域1022中的電子與空穴行因結合反應而射出光線的作用，最終防止色偏差的功效。
[0052]在本發(fā)明中，防色偏差層104的形狀并不以圖示的方形所限制，也可以為菱形、梯形、漏斗形等，只要防色偏差層104可以完全遮蔽混色區(qū)域107即為本發(fā)明的技術方案。
[0053]值得注意的是，本發(fā)明的有機發(fā)光二極管顯示器10不限定于光線射出方向Al與光線射出方向A2的發(fā)光設計，且防色偏差層104的設置并不受限于有機發(fā)光二極管顯示器10的光線射出方向，只要保證防色偏差層104是設置在陽極層101與陰極層105之間，起到阻止有機發(fā)光層102中對應于混色區(qū)域1022的電子與空穴行進行結合產生光線的作用即可，最終防止色偏差廣生，以此設計可大幅提聞生廣的良率。
[0054]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，包含: 一陽極層； 一陰極層，所述陽極層與所述陰極層彼此相對且間隔設置； 一有機發(fā)光層，設置在所述陰極層與所述陽極層之間，所述有機發(fā)光層包含多個原色區(qū)域以及多個混色區(qū)域；以及 一防色偏差層，設置在所述陽極層與所述有機發(fā)光層之間或所述有機發(fā)光層與所述陰極層與之間，且所述防色偏差層具備多個對應所述混色區(qū)域的絕緣圖案，其中所述絕緣圖案用以阻止對應的所述混色區(qū)域產生光線。
2.根據權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于:所述有機發(fā)光二極管顯不器更包括: 一上基板與一下基板，所述陰極層與所述陽極層間隔設置在所述上基板與所述下基板之間。
3.根據權利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于:所述陽極層為光反射型且所述陰極層為光穿透型，所述有機發(fā)光二極管顯示器的一光線射出方向是往所述上基板射出。
4.根據權利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于:所述光反射型的陽極層為厚度范圍在150nm?200nm的鋁層或厚度范圍在10nm?150nm的金層，所述光穿透型的陰極層為厚度范圍在0.1nm?20nm的鋁層或厚度范圍在0.1nm?20nm的銀層或厚度范圍在20nm?10nm的氧化銦錫層或氧化銦鋅層。
5.根據權利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于:所述陽極層為光穿透型且所述陰極層為光反射型，所述有機發(fā)光二極管顯示器的一光線射出方向是往所述下基板射出。
6.根據權利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于:所述光穿透型的陽極層為厚度范圍在50nm?300nm的氧化銦錫層或氧化銦鋅層，所述光反射型的陰極層為厚度范圍在150um?200um的鋁層。
7.根據權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于: 所述絕緣層的形成材料為光刻膠或二氧化硅。
8.一種制作有機發(fā)光二極管顯不器的方法，其特征在于，包含: 設置一陽極層； 設置一陰極層，所述陽極層與所述陰極層彼此相對且間隔設置； 設置一有機發(fā)光層在所述陰極層與所述陽極層之間，所述有機發(fā)光層包含多個原色區(qū)域以及多個混色區(qū)域；以及 設置一防色偏差層，設置在所述陽極層與所述有機發(fā)光層之間或所述有機發(fā)光層與所述陰極層與之間，且所述防色偏差層具備多個對應所述混色區(qū)域的絕緣圖案，其中所述絕緣圖案用以阻止對應的所述混色區(qū)域產生光線。
9.根據權利要求8所述的制作有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于:更包括提供一上基板與一下基板，其中所述陰極層與所述陽極層是設置在所述上基板與所述下基板之間。
10.根據權利要求9所述的制作有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于: 所述陽極層為光反射型且所述陰極層為光穿透型，所述有機發(fā)光二極管 顯示器的一光線射出方向是往所述上基板射出。
11.根據權利要求9所述的制作有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于: 所述陽極層為光穿透型且所述陰極層為光反射型，所述有機發(fā)光二極管顯示器的一光線射出方向是往所述下基板射出。
12.根據權利要求8所述的制作有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于:所述絕緣圖案的形成材料為光刻膠或二氧化硅。
13.根據權利要求8所述的制作有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于形成所述絕緣圖案的步驟包含: 涂布一光刻膠層；以及 通過光刻與刻蝕工藝圖案化所述光刻膠層，以形成所述絕緣圖案。
14.根據權利要求8所述的制作有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其特征在于形成所述絕緣圖案的步驟包含: 蒸鍍或濺射二氧化硅以形成所述絕緣圖案。
【文檔編號】H01L27/32GK104425758SQ201310409844
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月9日 優(yōu)先權日:2013年9月9日
【發(fā)明者】劉振宇, 盧宏杰, 林熙干 申請人:宸鴻光電科技股份有限公司