專利名稱：電場(chǎng)式電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān)于一種電場(chǎng)式電阻，且特別是有關(guān)于一種可提供平衡電場(chǎng)的電場(chǎng)式電阻。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1示出現(xiàn)有的電場(chǎng)式電阻100。電場(chǎng)式電阻100常應(yīng)用在高電壓的應(yīng)用領(lǐng)域中，其中，利用多重環(huán)形的線圈來形成電場(chǎng)式電阻100，其中，電場(chǎng)式電阻100的一端Al可以接收高壓電壓HV1，而電場(chǎng)式電阻100的另一端A2則可以被耦接到參考接地電壓SND。高壓電壓HVl的電壓值約為200伏特?，F(xiàn)有的電場(chǎng)式電阻100，其每一層線圈間的間距是幾乎相同的，簡(jiǎn)單來說，在圖1中的間距dl以及d2幾乎是相等的。在這種狀態(tài)下，由于每一層線圈的長度并不相同，所以每一層的線圈上所產(chǎn)生的電壓差并不相同。在這個(gè)狀態(tài)下，現(xiàn)有的電場(chǎng)式電阻100中的每一層的線圈上所產(chǎn)生的電場(chǎng)，就會(huì)有不相同的現(xiàn)象。如此一來，電場(chǎng)式電阻100所產(chǎn)生的電場(chǎng)將會(huì)有不均勻的現(xiàn)象，影響到電場(chǎng)式電阻100所屬系統(tǒng)的效應(yīng)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種電場(chǎng)式電阻，可提供均勻且穩(wěn)定的電場(chǎng)。本實(shí)用新型的電場(chǎng)式電阻，包括N個(gè)線圈。線圈依序圍繞共同中心，各線圈具有第一端點(diǎn)以及第二端點(diǎn)，其中，第一個(gè)線圈的第一端點(diǎn)接收第一參考電壓，第N個(gè)線圈的第二端點(diǎn)接收第二參考電壓，第i個(gè)線圈的第二端點(diǎn)耦接至第i+Ι個(gè)線圈的第一端點(diǎn)，其中，N為大于I的正整數(shù)，且Ii < N。此外，第i+Ι個(gè)線圈與第i個(gè)線圈間的間距與第i+Ι個(gè)線圈的第一端點(diǎn)與第二端點(diǎn)間的電壓差成正比。
在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的第i+Ι個(gè)線圈的電阻值大于該第i個(gè)線圈的電阻值。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的第i+Ι個(gè)線圈的第一端點(diǎn)與第二端點(diǎn)間的電壓差大于該第i個(gè)線圈的第一端點(diǎn)與第二端點(diǎn)間的電壓差。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的線圈的形狀為圓弧形，線圈的幾何中心為共同中心。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的線圈的形狀為對(duì)稱的多邊形，且線圈的幾何中心為共同中心。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的第i個(gè)線圈與共同中心的距離小于第i+Ι個(gè)線圈與共同中心的距離。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的各線圈所提供的電場(chǎng)相等。基于上述，本實(shí)用新型通過多個(gè)線圈相互串接以形成電場(chǎng)式電阻。并通過各線圈上所產(chǎn)生的電壓差的大小，來調(diào)整各線圈間的間距。如此一來，各線圈將可以產(chǎn)生幾乎一致大小的電場(chǎng)，使電場(chǎng)式電阻可以提供穩(wěn)定且均衡的電場(chǎng)。[0013]為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

圖1示出現(xiàn)有的電場(chǎng)式電阻100 ；圖2示出本實(shí)用新型實(shí)施例的電場(chǎng)式電阻200的示意圖；圖3示出電場(chǎng)式電阻200的局部放大示意圖；圖4示出本實(shí)用新型實(shí)施例的電場(chǎng)式電阻400的示意圖；圖5示出本實(shí)用新型實(shí)施例的電場(chǎng)式電阻500的示意圖。附圖標(biāo)記說明:100、200、300、400:電場(chǎng)式電阻；CT:共同中心；Wl WN:線圈；Bll BN2、A1、A2:端點(diǎn)；HV2:第一參考電壓；REF:第二參考電 壓；dl d3:間距;SND:參考接地電壓；HVl:高壓電壓。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2示出本實(shí)用新型實(shí)施例的電場(chǎng)式電阻200的示意圖。電場(chǎng)式電阻200包括多數(shù)個(gè)線圈Wl WN，線圈Wl WN依序圍繞共同中心CT進(jìn)行配置，各線圈Wl WN具有第一端點(diǎn)以及第二端點(diǎn)。以線圈Wl W3為范例，線圈Wl具有第一端點(diǎn)Bll以及第二端點(diǎn)B12，線圈W2具有第一端點(diǎn)B21以及第二端點(diǎn)B22，而線圈W3具有第一端點(diǎn)B31以及第二端點(diǎn)B32。在本實(shí)施例中，線圈Wl的第一端點(diǎn)Bll用來接收第一參考電壓HV2，而線圈WN的第二端點(diǎn)BN2則可用來接收第二參考電壓REF。其中，第一參考電壓HV2可以是例如為200伏特的電壓，而第二參考電壓REF則可以是例如為O伏特的接地電壓。此外，各線圈Wl WN的第二端與相鄰的線圈的第一端是直接連接的，例如，線圈Wl的第二端B12直接與線圈W2的第一端B21直接連接，而線圈W2的第二端B22則直接與線圈W3的第一端B31直接連接。更值得注意的，請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3示出電場(chǎng)式電阻200的局部放大示意圖。在圖3中，線圈Wl和線圈W2間的間距dl、線圈W2和線圈W3間的間距d2以及線圈W3和線圈W4間的間距d3是不相同的。其中，間距dl、間距d2以及間距d3分別依據(jù)線圈W2、線圈W3以及線圈W4在其第一端點(diǎn)與第二端點(diǎn)間的電壓差來決定。附帶一提的，上述的間距dl d3為兩兩相鄰線圈Wl W4間的最短距離。簡(jiǎn)單來說，間距dl為線圈Wl及W2間的最短距離，間距d2為線圈W2及W3間的最短距離，間距d3為線圈W3及W4間的最短距離。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2及圖3，在本實(shí)施例中，線圈W2的長度顯然較線圈W3為短，在線圈W2與線圈W3的寬度相同的范例中，線圈W3的第一端點(diǎn)B31及第二端點(diǎn)B32間的電壓差，顯然會(huì)比線圈W2的第一端點(diǎn)B21及第二端點(diǎn)B22間的電壓差大，也因此，間距d3會(huì)大于d2。在關(guān)于設(shè)定間距大小方面，設(shè)計(jì)者可依據(jù)當(dāng)線圈的第一端點(diǎn)至第二端點(diǎn)間的電壓差超過設(shè)定值VO時(shí)，進(jìn)行間距的調(diào)整動(dòng)作。其中，電壓差與間距的關(guān)系式如式(I)所示:
權(quán)利要求1.一種電場(chǎng)式電阻,其特征在于,包括: N個(gè)線圈，該些線圈依序圍繞一共同中心，各該線圈具有第一端點(diǎn)以及第二端點(diǎn)，其中，第一個(gè)線圈的第一端點(diǎn)接收一第一參考電壓，第N個(gè)線圈的第二端點(diǎn)接收一第二參考電壓，第i個(gè)線圈的第二端點(diǎn)耦接至第i+1個(gè)線圈的第一端點(diǎn)，其中，N為大于I的正整數(shù)，且1≤ i < N, 其中，第i+Ι個(gè)線圈與第i個(gè)線圈間的間距與第i+1個(gè)線圈的第一端點(diǎn)與第二端點(diǎn)間的電壓差成正比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)式電阻，其特征在于，該第i+1個(gè)線圈的電阻值大于該第i個(gè)線圈的電阻值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電場(chǎng)式電阻，其特征在于，該第i+1個(gè)線圈的第一端點(diǎn)與第二端點(diǎn)間的電壓差大于該第i個(gè)線圈的第一端點(diǎn)與第二端點(diǎn)間的電壓差。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)式電阻，其特征在于，該些線圈的形狀為圓弧形，該些線圈的幾何中心為該共同中心。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)式電阻，其特征在于，該些線圈的形狀為對(duì)稱的多邊形，且該些線圈的幾何中心為該共同中心。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)式電阻，其特征在于，第i個(gè)線圈與該共同中心的距離小于第i+1個(gè)線圈與該共同中心的距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)式電阻，其特征在于，各該線圈所提供的電場(chǎng)相等。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種電場(chǎng)式電阻，包括N個(gè)線圈。線圈依序圍繞共同中心，各線圈具有第一端點(diǎn)以及第二端點(diǎn)，其中，第一個(gè)線圈的第一端點(diǎn)接收第一參考電壓，第N個(gè)線圈的第二端點(diǎn)接收第二參考電壓，第i個(gè)線圈的第二端點(diǎn)耦接至第i+1個(gè)線圈的第一端點(diǎn)，其中，N為大于1的正整數(shù)，且1≤i＜N。此外，第i+1個(gè)線圈與第i個(gè)線圈間的間距與第i+1個(gè)線圈的第一端點(diǎn)與第二端點(diǎn)間的電壓差成正比。
文檔編號(hào)H01C3/16GK203150339SQ20132006398
公開日2013年8月21日 申請(qǐng)日期2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月4日
發(fā)明者李金杰, 周宏哲, 林寶全 申請(qǐng)人:杰力科技股份有限公司