本公開涉及固態(tài)攝像裝置。

背景技術(shù)：

1、專利文獻(xiàn)1公開了一種固態(tài)攝像裝置。在該固態(tài)攝像裝置中，在周圍由像素間遮光壁包圍著的區(qū)域中形成有一個(gè)像素。在與一個(gè)像素對(duì)應(yīng)的位置處，在半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)刃纬捎泄怆姸O管，并且在半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)刃纬捎邢袼仉娐?。像素電路包括放大晶體管、選擇晶體管、浮動(dòng)擴(kuò)散轉(zhuǎn)換增益切換晶體管和復(fù)位晶體管。

2、引用文獻(xiàn)列表

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_第2018-148116號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在固態(tài)攝像裝置中，在與一個(gè)像素對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有面積較大的元件分離部，該元件分離部用于將多個(gè)晶體管、浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域、傳輸晶體管及阱觸點(diǎn)彼此分離。所述多個(gè)晶體管用于構(gòu)成像素電路。于是，隨著像素的微細(xì)化，難以確保用于布置晶體管的面積。因此，期望在固態(tài)攝像裝置中能夠增加用于布置晶體管的面積，從而提高晶體管性能。

2、根據(jù)本公開第一實(shí)施方案的固態(tài)攝像裝置包括：第一像素，其包括第一光電轉(zhuǎn)換元件，所述第一光電轉(zhuǎn)換元件被布置于基體的第一面?zhèn)壬锨覍⒐廪D(zhuǎn)換為電荷，所述第一面?zhèn)仁枪馊肷鋫?cè)；像素分離區(qū)域，其沿著所述基體的厚度方向而被形成，當(dāng)從所述基體的第二面?zhèn)扔^察時(shí)所述像素分離區(qū)域在第一方向及與所述第一方向相交的第二方向上延伸且包圍所述第一像素的側(cè)面周圍，并且所述像素分離區(qū)域?qū)⑺龅谝幌袼嘏c其他區(qū)域電性地且光學(xué)性地分離，所述第二面?zhèn)仁撬龌w的與所述第一面相反的一側(cè)；第一晶體管，其在與所述第一像素對(duì)應(yīng)的位置處被布置于所述基體的所述第二面?zhèn)壬?，所述基體的周圍由所述像素分離區(qū)域包圍著，所述第一晶體管的柵極長(zhǎng)度方向相對(duì)于所述第一方向或所述第二方向傾斜；以及第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域、第一傳輸柵極電極或第一基體連接部，所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域、所述第一傳輸柵極電極或所述第一基體連接部被布置于與所述第一像素對(duì)應(yīng)的位置處且被布置于位于所述基體的所述第二面?zhèn)壬系乃龅谝痪w管的柵極寬度方向上，所述第一傳輸柵極電極是用于將電荷從所述第一像素向所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域傳輸?shù)牡谝粋鬏斁w管的柵極電極，所述第一基體連接部向所述基體供給電壓。

3、根據(jù)本公開第二實(shí)施方案的固態(tài)攝像裝置包括：第一像素，其包括第一光電轉(zhuǎn)換元件，所述第一光電轉(zhuǎn)換元件被布置于基體的第一面?zhèn)壬锨覍⒐廪D(zhuǎn)換為電荷，所述第一面?zhèn)仁枪馊肷鋫?cè)；像素分離區(qū)域，其沿著所述基體的厚度方向而被形成，當(dāng)從所述基體的第二面?zhèn)扔^察時(shí)所述像素分離區(qū)域在第一方向及與所述第一方向相交的第二方向上延伸且包圍所述第一像素的側(cè)面周圍，并且所述像素分離區(qū)域?qū)⑺龅谝幌袼嘏c其他區(qū)域電性地且光學(xué)性地分離，所述第二面?zhèn)仁撬龌w的與所述第一面相反的一側(cè)；第一晶體管，其在與所述第一像素對(duì)應(yīng)的位置處被布置于所述基體的所述第二面?zhèn)壬?，所述基體的周圍由所述像素分離區(qū)域包圍著，所述第一晶體管的柵極長(zhǎng)度方向相對(duì)于所述第一方向或所述第二方向傾斜；第二晶體管，其在與所述第一像素對(duì)應(yīng)的位置處被布置在周圍由所述像素分離區(qū)域包圍著的所述基體的所述第二面?zhèn)壬希龅诙w管的柵極長(zhǎng)度方向相對(duì)于所述第一方向或所述第二方向傾斜，所述第二晶體管與所述第一晶體管串聯(lián)地電連接；以及第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域、第一傳輸柵極電極或第一基體連接部，所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域、所述第一傳輸柵極電極或所述第一基體連接部被布置于與所述第一像素對(duì)應(yīng)的位置處且被布置于位于所述基體的所述第二面?zhèn)壬系乃龅谝痪w管及所述第二晶體管的柵極寬度方向上，所述第一傳輸柵極電極是用于將電荷從所述第一像素向所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域傳輸?shù)牡谝粋鬏斁w管的柵極電極，所述第一基體連接部向所述基體供給電壓。

4、根據(jù)本公開第三實(shí)施方案的固態(tài)攝像裝置包括：排列著的多個(gè)像素，各個(gè)所述像素包括光電轉(zhuǎn)換元件，所述光電轉(zhuǎn)換元件被布置于所述基體的第一面?zhèn)壬锨覍⒐廪D(zhuǎn)換為電荷，所述第一面?zhèn)仁枪馊肷鋫?cè)；像素分離區(qū)域，其沿著所述基體的厚度方向而被形成，且包圍所述多個(gè)像素中的各者的側(cè)面周圍，所述像素分離區(qū)域?qū)⑺龆鄠€(gè)像素電性地且光學(xué)性地相互分離；晶體管，其在與各個(gè)所述像素對(duì)應(yīng)的位置處被布置于所述基體的所述第二面?zhèn)壬?，所述基體的周圍由所述像素分離區(qū)域包圍著，所述晶體管的柵極長(zhǎng)度方向相對(duì)于所述多個(gè)像素的排列方向傾斜；以及浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域、傳輸柵極電極或第一基體連接部，所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域、所述傳輸柵極電極或所述第一基體連接部被布置于與各個(gè)所述像素對(duì)應(yīng)的位置處且被布置于位于所述基體的所述第二面?zhèn)壬系乃鼍w管的柵極寬度方向上，所述傳輸柵極電極是用于將電荷從各個(gè)所述像素向所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域傳輸?shù)膫鬏斁w管的柵極電極，所述第一基體連接部向所述基體供給電壓。

5、根據(jù)本公開第四實(shí)施方案的固態(tài)攝像裝置包括：第一像素，其包括第一光電轉(zhuǎn)換元件，所述第一光電轉(zhuǎn)換元件被布置于基體的第一面?zhèn)壬锨覍⒐廪D(zhuǎn)換為電荷，所述第一面?zhèn)仁枪馊肷鋫?cè)；第二像素，其與所述第一像素相鄰，且包括第二光電轉(zhuǎn)換元件，所述第二光電轉(zhuǎn)換元件被布置于所述基體的所述第一面?zhèn)壬锨覍⒐廪D(zhuǎn)換為電荷；像素分離區(qū)域，其被布置于所述第一像素和所述第二像素之間，且沿著所述基體的厚度方向而被形成，所述像素分離區(qū)域?qū)⑺龅谝幌袼睾退龅诙袼仉娦缘厍夜鈱W(xué)性地相互分離；第一晶體管，其在與所述第一像素對(duì)應(yīng)的位置處被布置于所述基體的所述第二面?zhèn)壬?，所述第一晶體管的柵極長(zhǎng)度方向相對(duì)于所述第一像素和所述第二像素的排列方向傾斜；第二晶體管，其在與所述第二像素對(duì)應(yīng)的位置處被布置于所述基體的所述第二面?zhèn)壬?，所述第二晶體管的柵極長(zhǎng)度方向相對(duì)于所述第一像素和所述第二像素的所述排列方向傾斜；以及共用連接部，其直接電連接到所述第一晶體管的一對(duì)主電極中的一者和所述第二晶體管的一對(duì)主電極中的一者，所述共用連接部將電源電壓供給到所述第一晶體管的所述一對(duì)主電極中的所述一者和所述第二晶體管的所述一對(duì)主電極中的所述一者。

技術(shù)特征：

1.固態(tài)攝像裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像裝置，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固態(tài)攝像裝置，還包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的固態(tài)攝像裝置，還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像裝置，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

21.固態(tài)攝像裝置，包括：

22.固態(tài)攝像裝置，包括：

23.固態(tài)攝像裝置，包括：

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的固態(tài)攝像裝置，還包括：

30.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固態(tài)攝像裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
固態(tài)攝像裝置包括：像素，其包括布置于基體的第一面?zhèn)壬锨覍⒐廪D(zhuǎn)換為電荷的光電轉(zhuǎn)換元件，所述第一面?zhèn)仁枪馊肷鋫?cè)；像素分離區(qū)域，其沿著基體的厚度方向而被形成，當(dāng)從基體的第二面?zhèn)扔^察時(shí)所述像素分離區(qū)域在第一方向和第二方向上延伸且包圍像素的側(cè)面周圍，并且所述像素分離區(qū)域用于將像素與其他區(qū)域分離；晶體管，其在與像素對(duì)應(yīng)的位置處被布置在基體的第二面?zhèn)壬?，基體的周圍由所述像素分離區(qū)域包圍著，所述晶體管的柵極長(zhǎng)度方向相對(duì)于第一方向或第二方向傾斜；以及FD區(qū)域、傳輸柵極電極或基體連接部，其被布置于與像素對(duì)應(yīng)的位置處且被布置于位于基體的第二面?zhèn)壬系乃鼍w管的柵極寬度方向上，所述傳輸柵極電極是傳輸晶體管的柵極電極。

技術(shù)研發(fā)人員：北野良昭,大石秀俊,高橋直廣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：索尼半導(dǎo)體解決方案公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/29