本申請(qǐng)涉及一種濕處理設(shè)備，特別是涉及一種防噴濺液體供應(yīng)裝置及應(yīng)用所述防噴濺液體供應(yīng)裝置的單晶片處理設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體工藝中，晶片會(huì)經(jīng)歷如蝕刻、清洗等多道工藝處理程序。隨著工藝復(fù)雜度增加，現(xiàn)已發(fā)展出一種單晶片旋轉(zhuǎn)濕處理機(jī)臺(tái)。單晶片旋轉(zhuǎn)濕處理機(jī)臺(tái)可對(duì)旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的晶片施加不同化學(xué)性質(zhì)的工藝液體，以對(duì)晶片上的金屬層或材料薄膜層進(jìn)行蝕刻與清洗。

2、然而，隨著如三維集成電路(3d-ic)采用晶片堆迭式封裝，晶片的表面往往存在有芯片與晶片鍵合(chip?on?wafer)結(jié)構(gòu)而非平坦表面，故在應(yīng)用單晶片旋轉(zhuǎn)濕處理機(jī)臺(tái)施加工藝液體蝕刻與清洗所述非平坦晶片表面時(shí)，所采用液體的噴濺或于處理所述非平坦晶片表面時(shí)的反應(yīng)產(chǎn)物的噴濺會(huì)引起微粒漂浮而回沾到晶片表面或芯片與晶片界面處，從而造成更為嚴(yán)重的晶片污染問題。

3、有鑒于此，有必要提出一種防噴濺液體供應(yīng)裝置及單晶片處理設(shè)備，以解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本申請(qǐng)的目的在于提供一種防噴濺液體供應(yīng)裝置及應(yīng)用所述防噴濺液體供應(yīng)裝置的單晶片處理設(shè)備，以減少或避免當(dāng)施加工藝液體處理晶片表面時(shí)，因?yàn)橐后w噴濺所造成的晶片污染問題。

2、為達(dá)成上述目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N防噴濺液體供應(yīng)裝置，包括：旋轉(zhuǎn)立柱、懸臂、噴嘴、第一遮罩、第二遮罩和排放管路。懸臂的一端連接至所述旋轉(zhuǎn)立柱。噴嘴固定在懸臂的另一端，并且當(dāng)旋轉(zhuǎn)立柱旋轉(zhuǎn)時(shí)藉由懸臂帶動(dòng)噴嘴在晶片上方進(jìn)行往復(fù)移動(dòng)并噴灑工藝液體。第一遮罩與第二遮罩同軸地固定在所述噴嘴上，第二遮罩包覆第一遮罩，第一遮罩與第二遮罩分別具有面向晶片的第一開口與第二開口，而第二開口較第一開口更靠近所述晶片。排放管路連結(jié)于第二遮罩，配置為于第一遮罩與第二遮罩之間形成負(fù)壓空間，并通過負(fù)壓空間吸取來自晶片的工藝液體的噴濺及/或工藝液體與晶片的反應(yīng)產(chǎn)物的噴濺。

3、在一些實(shí)施例中，所述防噴濺液體供應(yīng)裝置更包括多個(gè)芯片，所述多個(gè)芯片分別鍵合于所述晶片的所述表面。

4、在一些實(shí)施例中，工藝液體為蝕刻液或去離子水。

5、在一些實(shí)施例中，第一遮罩與第二遮罩之間具有約為3毫米的間距，第一遮罩距晶片的表面的距離約為5-8毫米，而第二遮罩距晶片的表面的距離約為2-5毫米。

6、在一些實(shí)施例中，第一遮罩與第二遮罩的形狀可為相同或不相同。

7、本申請(qǐng)還提供一種單晶片處理設(shè)備，包括：旋轉(zhuǎn)臺(tái)、防噴濺液體供應(yīng)裝置和液體回收裝置。旋轉(zhuǎn)臺(tái)配置為放置晶片。防噴濺液體供應(yīng)裝置為前述的防噴濺液體供應(yīng)裝置，設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)上方，且配置為對(duì)晶片施加工藝液體。液體回收裝置，環(huán)繞地設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周圍，且配置收集從旋轉(zhuǎn)臺(tái)甩出的工藝液體。

8、相較于先前技術(shù)，本申請(qǐng)藉由在單晶片處理設(shè)備內(nèi)的防噴濺液體供應(yīng)裝置內(nèi)的噴嘴上同軸地固定第一遮罩與第二遮罩，使第二遮罩包覆第一遮罩，以及使排放管路連結(jié)于所述第二遮罩，及使排放管路配置為于所述第一遮罩與第二遮罩之間形成負(fù)壓空間，進(jìn)而通過負(fù)壓空間吸取來自晶片的工藝液體的噴濺及/或工藝液體與晶片的反應(yīng)產(chǎn)物的噴濺，使其免于變成微粒漂浮而回沾到晶片表面或芯片與晶片界面，從而減少或甚至避免造成晶片污染問題。

技術(shù)特征：

1.一種防噴濺液體供應(yīng)裝置，其特征在于，所述防噴濺液體供應(yīng)裝置包括：

2.如權(quán)利要求1所述的防噴濺液體供應(yīng)裝置，其特征在于，所述防噴濺液體供應(yīng)裝置更包括多個(gè)芯片，所述多個(gè)芯片分別鍵合于所述晶片的所述表面。

3.如權(quán)利要求1所述的防噴濺液體供應(yīng)裝置，其特征在于，所述工藝液體為蝕刻液或去離子水。

4.如權(quán)利要求1所述的防噴濺液體供應(yīng)裝置，其特征在于，所述第一遮罩與所述第二遮罩之間具有約為3毫米的間距，所述第一遮罩距所述晶片的所述表面的距離約為5-8毫米，而所述第二遮罩距所述晶片的所述表面的距離約為2-5毫米。

5.如權(quán)利要求1所述的防噴濺液體供應(yīng)裝置，其特征在于，所述第一遮罩與所述第二遮罩的形狀可為相同或不相同。

6.一種單晶片處理設(shè)備，其特征在于，所述單晶片處理設(shè)備包括：

7.如權(quán)利要求6所述的單晶片處理設(shè)備，其特征在于，所述單晶片處理設(shè)備更包括多個(gè)芯片，所述多個(gè)芯片分別鍵合于所述晶片的所述表面上。

8.如權(quán)利要求6所述的單晶片處理設(shè)備，其特征在于，所述所述工藝液體為蝕刻液或去離子水。

9.如權(quán)利要求6所述的單晶片處理設(shè)備，其特征在于，所述所述第一遮罩與所述第二遮罩之間具有約為3毫米的間距，所述第一遮罩距所述晶片的所述表面的距離約為5-8毫米，而所述第二遮罩距所述晶片的所述表面的距離約為2-5毫米。

10.如權(quán)利要求6所述的單晶片處理設(shè)備，其特征在于，所述所述第一遮罩與所述第二遮罩的形狀可為相同或不相同。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種防噴濺液體供應(yīng)裝置及單晶片處理設(shè)備。防噴濺液體供應(yīng)裝置，包括旋轉(zhuǎn)立柱、懸臂、噴嘴、第一遮罩、第二遮罩和排放管路。懸臂的一端連接至所述旋轉(zhuǎn)立柱。噴嘴固定在懸臂的另一端，并且當(dāng)旋轉(zhuǎn)立柱旋轉(zhuǎn)時(shí)藉由懸臂帶動(dòng)噴嘴在晶片上方進(jìn)行往復(fù)移動(dòng)并噴灑工藝液體。第一遮罩與第二遮罩同軸地固定在所述噴嘴上，第二遮罩包覆第一遮罩。排放管路連結(jié)于第二遮罩，配置為于第一遮罩與第二遮罩之間形成負(fù)壓空間，并通過負(fù)壓空間吸取來自晶片的工藝液體的噴濺及/或工藝液體與晶片的反應(yīng)產(chǎn)物的噴濺。

技術(shù)研發(fā)人員：黃立佐,張修凱,吳進(jìn)原,許明哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：弘塑科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/12