本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體裝置，尤指一種電子封裝件及其制法。

背景技術(shù)：

1、隨著科技的演進(jìn)，電子產(chǎn)品需求趨勢朝向異質(zhì)整合邁進(jìn)，為此，多芯片封裝模塊(multi-chip?module，簡稱mcm或multi-chip?package，簡稱mcp)逐漸興起。

2、如圖1a所示的半導(dǎo)體封裝件1，其制法將多個(gè)半導(dǎo)體芯片11結(jié)合至一承載件8(如圖1b所示)上，再以封裝膠體15包覆該些半導(dǎo)體芯片11。接著，移除該承載件8，并形成線路結(jié)構(gòu)16于該封裝膠體15上，使該線路結(jié)構(gòu)16電性連接該些半導(dǎo)體芯片11。之后，該線路結(jié)構(gòu)16通過多個(gè)導(dǎo)電元件17設(shè)于一封裝基板10上，且該封裝基板10可通過多個(gè)焊球19接置于一電路板(圖略)上。以通過將多顆半導(dǎo)體芯片11封裝成單一結(jié)構(gòu)的特性，使其具有較多的i/o數(shù)，且可以大幅增加處理器的運(yùn)算能力，減少信號傳遞的延遲時(shí)間，以應(yīng)用于高密度線路/高傳輸速度/高疊層數(shù)/大尺寸設(shè)計(jì)的高階產(chǎn)品。

3、于封裝過程中，該承載件8為晶圓形式(wafer?form)版面，該封裝膠體15因其熱膨脹系數(shù)(coefficient?of?thermal?expansion，簡稱cte)過大而容易發(fā)生翹曲(warpage)，導(dǎo)致該承載件8一同翹曲，造成該承載件8的邊緣破裂，故業(yè)界遂于該承載件8的空曠區(qū)上配置假芯片18，以占用該承載件8的表面積，減少該封裝膠體15的用量，借此減緩翹曲程度。

4、再者，該封裝膠體15經(jīng)由模壓(molding)作業(yè)需提供如圖1b所示的封裝區(qū)域a內(nèi)的用量，故該封裝膠體15會(huì)完全覆蓋該假芯片18的側(cè)面18c，其中，該封裝膠體15填入各該半導(dǎo)體芯片11之間的空間(如切割道l)、該半導(dǎo)體芯片11與該假芯片18之間的空間(如切割道l)及布滿該封裝區(qū)域a的邊緣處。

5、但是，當(dāng)移除該承載件8后，整體結(jié)構(gòu)因薄化而無法抑制該封裝膠體15的翹曲程度，導(dǎo)致該封裝膠體15于該封裝區(qū)域a的邊緣處發(fā)生碎裂，甚至造成后續(xù)無法進(jìn)行該線路結(jié)構(gòu)16的制程。

6、再者，由于該假芯片18的無法充分填補(bǔ)該承載件8的邊緣輪廓，故該封裝膠體15于該封裝區(qū)域a內(nèi)的用量縮減有限，因而即使配置該假芯片18，于移除該承載件8后仍無法抑制該封裝膠體15的翹曲程度。

7、因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺陷，本發(fā)明提供一種電子封裝件及其制法，可至少部分地解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。

2、本發(fā)明的電子封裝件，包括：包覆層；電子元件，其嵌埋于該包覆層中，其中，該電子元件具有相對的作用面與非作用面；以及假芯片，其以間隔該電子元件的方式嵌埋于該包覆層中，以令該假芯片外露該包覆層的側(cè)面。

3、本發(fā)明亦提供一種電子封裝件的制法，包括：將電子元件與假芯片設(shè)于一承載件上，該電子元件具有相對的作用面與非作用面，使該電子元件以其非作用面結(jié)合至該承載件上，且該假芯片以間隔該電子元件的方式設(shè)于該承載件的邊緣處上；形成包覆層于該承載件上，以令該包覆層包覆該電子元件與該假芯片，且使該假芯片外露該包覆層的側(cè)面；以及移除該承載件。

4、前述的電子封裝件及其制法中，該電子元件于其作用面上配置有多個(gè)導(dǎo)電體。

5、前述的電子封裝件及其制法中，該電子封裝件包含有多個(gè)該假芯片及多個(gè)該電子元件，且多個(gè)該假芯片環(huán)繞多個(gè)該電子元件。

6、前述的電子封裝件及其制法中，還包括形成線路結(jié)構(gòu)于該包覆層上，以令該線路結(jié)構(gòu)電性連接該電子元件。例如，該線路結(jié)構(gòu)未電性連接該假芯片。

7、前述的電子封裝件及其制法中，該假芯片的部分邊緣輪廓同于該承載件的邊緣輪廓。

8、前述的電子封裝件及其制法中，還包括提供多個(gè)該電子元件，以作為芯片組，再將該芯片組與該假芯片設(shè)于該承載件上。例如，該芯片組還包含一包覆該多個(gè)電子元件的封裝層。

9、由上可知，本發(fā)明的電子封裝件及其制法中，主要通過該假芯片外露該包覆層的側(cè)面，使該假芯片的整體體積增加，以縮減該包覆層的用量，脹故相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明能有效防止該包覆層發(fā)生翹曲。

技術(shù)特征：

1.一種電子封裝件，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其中，該電子元件于其作用面上配置有多個(gè)導(dǎo)電體。

3.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其中，該電子封裝件包含有多個(gè)該假芯片及多個(gè)該電子元件，且多個(gè)該假芯片環(huán)繞多個(gè)該電子元件。

4.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其中，該電子封裝件還包括設(shè)于該包覆層上以電性連接該電子元件的線路結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的電子封裝件，其中，該線路結(jié)構(gòu)未電性連接該假芯片。

6.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其中，該電子封裝件還包括設(shè)于該包覆層上的承載件，其承載該電子元件與該假芯片，且該假芯片的部分邊緣輪廓同于該承載件的邊緣輪廓。

7.如權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其中，該包覆層中嵌埋多個(gè)該電子元件，以令多個(gè)該電子元件作為芯片組。

8.如權(quán)利要求7所述的電子封裝件，其中，該芯片組還包含一包覆該多個(gè)電子元件的封裝層。

9.一種電子封裝件的制法，包括：

10.如權(quán)利要求9所述的電子封裝件的制法，其中，該電子元件于其作用面上配置有多個(gè)導(dǎo)電體。

11.如權(quán)利要求9所述的電子封裝件的制法，其中，多個(gè)該假芯片及多個(gè)該電子元件設(shè)于該承載件上，且多個(gè)該假芯片環(huán)繞多個(gè)電子元件。

12.如權(quán)利要求9所述的電子封裝件的制法，其中，該制法還包括形成線路結(jié)構(gòu)于該包覆層上，以令該線路結(jié)構(gòu)電性連接該電子元件。

13.如權(quán)利要求12所述的電子封裝件的制法，其中，該線路結(jié)構(gòu)未電性連接該假芯片。

14.如權(quán)利要求9所述的電子封裝件的制法，其中，該假芯片的部分邊緣輪廓同于該承載件的邊緣輪廓。

15.如權(quán)利要求9所述的電子封裝件的制法，其中，該制法還包括提供多個(gè)該電子元件，以作為芯片組，再將該芯片組與該假芯片設(shè)于該承載件上。

16.如權(quán)利要求15所述的電子封裝件的制法，其中，該芯片組還包含一包覆該多個(gè)電子元件的封裝層。

技術(shù)總結(jié)
一種電子封裝件及其制法，主要將電子元件與假芯片設(shè)于一承載件上，并以包覆層包覆該電子元件與假芯片，以令該假芯片外露該包覆層的側(cè)面，通過增加該假芯片的整體體積，以于移除該承載件后，該假芯片能抑制該包覆層的翹曲。

技術(shù)研發(fā)人員：陳漢宏,簡彗如,張庭榕
受保護(hù)的技術(shù)使用者：矽品精密工業(yè)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21