本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體模塊。
背景技術(shù):
1、以往,公知搭載有多個(gè)具有開(kāi)關(guān)功能的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體模塊。該半導(dǎo)體模塊主要用于電力轉(zhuǎn)換用。在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了這樣的半導(dǎo)體模塊的一例。
2、搭載于專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的半導(dǎo)體模塊的多個(gè)半導(dǎo)體元件的每個(gè)中,源極電極和漏極電極相互位于相反側(cè)。上面板電極與源極電極導(dǎo)電接合。漏極電極圖案與漏極電極導(dǎo)電接合。半導(dǎo)體元件被上面板電極與漏極電極圖案所夾。通過(guò)采用本結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體模塊的小型化,并且降低該半導(dǎo)體模塊中的寄生電阻。在此,施加于多個(gè)半導(dǎo)體元件的每個(gè)的柵極電壓根據(jù)從信號(hào)端子至柵極電極的導(dǎo)電路徑的長(zhǎng)度而變動(dòng)。因此,如專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的半導(dǎo)體模塊那樣,在信號(hào)端子為一個(gè)的情況下,有時(shí)在施加于多個(gè)半導(dǎo)體元件的每個(gè)的柵極電壓產(chǎn)生偏差。若在柵極電壓產(chǎn)生偏差,則有可能在多個(gè)半導(dǎo)體元件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作上產(chǎn)生延遲。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2013-258387號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明所要解決的課題
2、本公開(kāi)的一個(gè)課題是提供一種與以往相比實(shí)施了改良的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體模塊。尤其是,本公開(kāi)的一個(gè)課題是,鑒于上述的事情,提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)施加于多個(gè)半導(dǎo)體元件的每個(gè)的柵極電壓的均勻化的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體模塊。
3、用于解決課題的方案
4、由本公開(kāi)的第一方案提供的半導(dǎo)體裝置具備:第一半導(dǎo)體元件,其具有第一電極、以及在第一方向上位于與上述第一電極相反的一側(cè)的第二電極及第一柵極電極;第二半導(dǎo)體元件,其具有在上述第一方向上以上述第一半導(dǎo)體元件為基準(zhǔn)位于與上述第一電極相同的一側(cè)的第三電極、以及在上述第一方向上位于與上述第三電極相反的一側(cè)的第四電極及第二柵極電極,并且在與上述第一方向正交的第二方向上位于遠(yuǎn)離上述第一半導(dǎo)體元件的位置;封固樹(shù)脂,其覆蓋上述第一半導(dǎo)體元件以及上述第二半導(dǎo)體元件各自的至少一部分;第一信號(hào)端子,其從上述封固樹(shù)脂向外部露出;以及第一信號(hào)配線,其使上述第一柵極電極以及上述第二柵極電極與上述第一信號(hào)端子導(dǎo)通,在上述第一方向上觀察時(shí),上述第一柵極電極具有第一中心,在上述第一方向上觀察時(shí),上述第二柵極電極具有第二中心,在上述第一方向上觀察時(shí),上述第一信號(hào)端子具有第三中心,若將連結(jié)上述第一中心與上述第三中心的第一直線長(zhǎng)設(shè)為l1、將連結(jié)上述第二中心與上述第三中心的第二直線長(zhǎng)設(shè)為l2、將從上述第一中心經(jīng)由上述第一信號(hào)配線到達(dá)上述第三中心的第一路徑長(zhǎng)設(shè)為r1、將從上述第二中心經(jīng)由上述第一信號(hào)配線到達(dá)上述第三中心的第二路徑長(zhǎng)設(shè)為r2,則滿足r2/r1比l2/l1更接近1的關(guān)系。
5、由本公開(kāi)的第二方案提供的半導(dǎo)體模塊具備:導(dǎo)電部件;以及由本公開(kāi)的第一方案提供的半導(dǎo)體裝置中、上述第一信號(hào)端子在上述第一方向上以上述第一半導(dǎo)體元件為基準(zhǔn)位于與上述第一電極相反的一側(cè)的裝置,上述半導(dǎo)體裝置與上述導(dǎo)電部件導(dǎo)電接合,上述第一電極以及上述第三電極在上述第一方向上位于上述導(dǎo)電部件與上述第一信號(hào)端子之間。
6、由本公開(kāi)的第三方案提供的半導(dǎo)體模塊具備:導(dǎo)電部件;以及由本公開(kāi)的第一方案提供的半導(dǎo)體裝置中、上述第一信號(hào)端子在上述第一方向上以上述第一半導(dǎo)體元件為基準(zhǔn)位于與上述第二電極相反的一側(cè)的裝置,上述第二電極以及上述第四電極在上述第一方向上位于上述導(dǎo)電部件與上述第一信號(hào)端子之間。
7、發(fā)明效果
8、根據(jù)上述結(jié)構(gòu),在半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體模塊中,能夠?qū)崿F(xiàn)施加于多個(gè)半導(dǎo)體元件的每個(gè)的柵極電壓的均勻化。
9、本公開(kāi)的其他特征以及優(yōu)點(diǎn)通過(guò)基于附圖以下進(jìn)行的詳細(xì)的說(shuō)明將變得更加清楚。
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具備:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
13.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
14.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
15.根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,還具備:
16.一種半導(dǎo)體模塊,其特征在于,具備:
17.一種半導(dǎo)體模塊,其特征在于,具備: