本公開涉及攝像裝置和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、近年來，為了實(shí)現(xiàn)攝像裝置的進(jìn)一步小型化，已經(jīng)提出了一種三維攝像裝置。作為示例，公開了下面專利文獻(xiàn)1中的攝像裝置。在專利文獻(xiàn)1所公開的技術(shù)中，設(shè)置有多個像素的基板和設(shè)置有驅(qū)動每個像素的多個像素晶體管的基板彼此堆疊，從而使攝像裝置小型化。

2、引文列表

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：wo?2019/131965?a

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、然而，在傳統(tǒng)技術(shù)中，當(dāng)攝像裝置被進(jìn)一步小型化時(shí)，由于傳輸晶體管進(jìn)一步的尺寸減小，噪聲可能會增加。結(jié)果，圖像質(zhì)量可能會劣化。

3、因此，本公開提出了一種能夠抑制圖像質(zhì)量劣化的攝像裝置和電子設(shè)備。

4、問題的解決方案

5、根據(jù)本公開，提供了一種攝像裝置，其包括：第一半導(dǎo)體基板；多個像素，其在所述第一半導(dǎo)體基板上沿著行方向和列方向配置；和像素分離部，其將所述第一半導(dǎo)體基板劃分為多個像素區(qū)域，在所述多個像素區(qū)域中分別配置有所述像素。所述多個像素彼此相鄰。在所述攝像裝置中，所述多個像素中的每個像素包括：光電轉(zhuǎn)換部，其位于由所述像素分離部劃分的一個所述像素區(qū)域中，并且產(chǎn)生與入射光相對應(yīng)的電荷；浮動擴(kuò)散部，其保持由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的所述電荷；和傳輸晶體管，其將所述電荷從所述光電轉(zhuǎn)換部傳輸?shù)剿龈訑U(kuò)散部，并且所述傳輸晶體管具有柵電極，所述柵電極沿著所述第一半導(dǎo)體基板的厚度方向從所述第一半導(dǎo)體基板的第二面延伸到所述像素分離部中，所述第一半導(dǎo)體基板的所述第二面位于作為所述第一半導(dǎo)體基板的光入射面的第一面的相反側(cè)。

6、此外，根據(jù)本公開，提供了一種包括攝像裝置的電子設(shè)備。所述攝像裝置包括：第一半導(dǎo)體基板；多個像素，其在所述第一半導(dǎo)體基板上沿著行方向和列方向配置；和像素分離部，其將所述第一半導(dǎo)體基板劃分為多個像素區(qū)域，在所述多個像素區(qū)域中分別配置有所述像素。所述多個像素彼此相鄰。在所述攝像裝置中，所述多個像素中的每個像素包括：光電轉(zhuǎn)換部，其位于由所述像素分離部劃分的一個所述像素區(qū)域中，并且產(chǎn)生與入射光相對應(yīng)的電荷；浮動擴(kuò)散部，其保持由所述光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的所述電荷；和傳輸晶體管，其將所述電荷從所述光電轉(zhuǎn)換部傳輸?shù)剿龈訑U(kuò)散部，并且所述傳輸晶體管具有柵電極，所述柵電極沿著所述第一半導(dǎo)體基板的厚度方向從所述第一半導(dǎo)體基板的第二面延伸到所述像素分離部中，所述第一半導(dǎo)體基板的所述第二面位于作為所述第一半導(dǎo)體基板的光入射面的第一面的相反側(cè)。

技術(shù)特征：

1.一種攝像裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像裝置，其中

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的攝像裝置，其中

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的攝像裝置，其中

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的攝像裝置，其中

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的攝像裝置，其中

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的攝像裝置，其中

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝像裝置，其中

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的攝像裝置，其中

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中所述像素分離部包括在所述像素分離部中的絕緣層。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的攝像裝置，其中

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的攝像裝置，其中所述導(dǎo)電材料包括多晶硅。

20.一種電子設(shè)備，其包括攝像裝置，所述攝像裝置包括：

技術(shù)總結(jié)
提供了一種包括多個像素的攝像裝置，所述多個像素中的每個像素包括：光電轉(zhuǎn)換部(101)，其位于由像素分離部(120)劃分的像素區(qū)域中，并產(chǎn)生與入射光相對應(yīng)的電荷；浮動擴(kuò)散部(103)，其保持由光電轉(zhuǎn)換部產(chǎn)生的電荷；以及傳輸晶體管，其將電荷從光電轉(zhuǎn)換部傳輸?shù)礁訑U(kuò)散部。傳輸晶體管具有柵電極(102a)，該柵電極沿著第一半導(dǎo)體基板的厚度方向從第一半導(dǎo)體基板的第二面(11b)延伸到像素分離部中，所述第二面位于作為第一半導(dǎo)體基板(11)的光入射面的第一面(11a)的相反側(cè)。

技術(shù)研發(fā)人員：山下浩史
受保護(hù)的技術(shù)使用者：索尼半導(dǎo)體解決方案公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21