本公開涉及一種電容器。

背景技術(shù)：

1、以往，提出了多種電容器。專利文獻1(日本特開2017-103412號公報)中公開了：“一種固體電解電容器，其具備陽極體、配置在所述陽極體的表面上的電介質(zhì)層以及配置在所述電介質(zhì)層的表面上且使用具有1(s/cm)以上的電導(dǎo)率的氧化鋅構(gòu)成的固體電解質(zhì)層”。

2、專利文獻2(日本特開2020-35890號公報)中公開了：“一種固體電解電容器，其具備由閥金屬(valve?metal)構(gòu)成的陽極體、形成于所述陽極體的表面上的電介質(zhì)層、形成于所述電介質(zhì)層上的半導(dǎo)體層和形成于所述半導(dǎo)體層上的陰極層，其中，所述半導(dǎo)體層使用p型無機半導(dǎo)體而構(gòu)成”。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：日本特開2017-103412號公報

6、專利文獻2：日本特開2020-35890號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、目前，一直在尋求耐高溫性高的電容器。在這樣的狀況下，本公開的目的之一是提供耐高溫性高的新穎的電容器。

3、用于解決課題的手段

4、本公開的一個方案涉及一種電容器。該電容器包含表面上形成有電介質(zhì)層的陽極體和形成于所述電介質(zhì)層上的由金屬氧化物構(gòu)成的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包含形成于所述電介質(zhì)層上的第1導(dǎo)電層和形成于所述第1導(dǎo)電層上的第2導(dǎo)電層，所述第2導(dǎo)電層的平均厚度大于所述第1導(dǎo)電層的平均厚度。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)本公開，可得到耐高溫性高的電容器。

7、本發(fā)明的新穎的特征記述于所附的權(quán)利要求書中，但本發(fā)明關(guān)于構(gòu)成及內(nèi)容這兩者，通過與本發(fā)明的其它目的及特征一起參照附圖的以下的詳細說明而可以更加清楚地理解。

技術(shù)特征：

1.一種電容器，其包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，進一步包含形成于所述導(dǎo)電層上、且含有無機導(dǎo)電材料的陰極引出層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容器，其中，所述第1導(dǎo)電層的平均厚度在1nm～1μm的范圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的電容器，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的電容器，其中，所述第2導(dǎo)電層的電導(dǎo)率為1s/cm以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的電容器，其中，所述導(dǎo)電層由選自zno、tio2、銦錫氧化物、in2o3、sno2、mno2、nio2、cuino2、cucro2、cualo2及cusco2中的至少1種構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的電容器，其中，所述導(dǎo)電層含有用于提高所述導(dǎo)電層的導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素。

技術(shù)總結(jié)
本公開的電容器包含表面形成有電介質(zhì)層(112)的陽極體(111)和形成于電介質(zhì)層(112)上的由金屬氧化物構(gòu)成的導(dǎo)電層(120)。導(dǎo)電層(120)包含形成于電介質(zhì)層(112)上的第1導(dǎo)電層(121)和形成于第1導(dǎo)電層(121)上的第2導(dǎo)電層(122)。第2導(dǎo)電層(122)的平均厚度大于第1導(dǎo)電層(121)的平均厚度。

技術(shù)研發(fā)人員：大野航太朗,中村嘉孝,石本仁
受保護的技術(shù)使用者：松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21