本公開(kāi)涉及一種電解電容器。

背景技術(shù)：

1、近年來(lái)，正在開(kāi)展等效串聯(lián)阻抗(esr)小、頻率特性優(yōu)異的電解電容器的開(kāi)發(fā)。電解電容器具備含有閥作用金屬的多孔質(zhì)體、覆蓋多孔質(zhì)體的電介質(zhì)層、和填充在多孔質(zhì)體的孔內(nèi)且覆蓋電介質(zhì)層的固體電解質(zhì)層。

2、專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，提出了電容器元件中心部的導(dǎo)電性高分子化合物層的厚度至少為0.02μm以上且0.14μm以下的固體電解電容器。此外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，就上述固體電解電容器而言，提出將電容器元件中心部的導(dǎo)電性高分子化合物層的厚度與電容器元件外表面附近的導(dǎo)電性高分子化合物層的厚度之差規(guī)定在0.08μm以內(nèi)。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專(zhuān)利文獻(xiàn)

5、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平11-87177號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、近年來(lái)，在尋求降低電解電容器的esr。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的電解電容器中，盡管可抑制高溫環(huán)境下的esr上升，但是電解電容器的低esr化依然不充分。

3、用于解決課題的手段

4、本公開(kāi)的一個(gè)方案涉及一種電解電容器，其具備陽(yáng)極體和固體電解質(zhì)層，所述陽(yáng)極體具有含閥作用金屬的多孔質(zhì)體以及覆蓋所述多孔質(zhì)體的電介質(zhì)層，所述固體電解質(zhì)層被填充在所述多孔質(zhì)體的孔內(nèi)，并覆蓋所述電介質(zhì)層，其中，所述多孔質(zhì)體的cv值低于100000μf·v/g，所述多孔質(zhì)體中的所述固體電解質(zhì)層的填充率r從所述多孔質(zhì)體的外表面朝中心減小，從所述多孔質(zhì)體的外表面到中心的最短距離d、和所述固體電解質(zhì)層的填充率r達(dá)到50％時(shí)的距所述多孔質(zhì)體的外表面的距離x滿足0.1d≤x＜0.7d的關(guān)系。

5、本公開(kāi)的另一個(gè)方案涉及一種電解電容器，其具備陽(yáng)極體和固體電解質(zhì)層，所述陽(yáng)極體具有含閥作用金屬的多孔質(zhì)體以及覆蓋所述多孔質(zhì)體的電介質(zhì)層，所述固體電解質(zhì)層被填充在所述多孔質(zhì)體的孔內(nèi)，并覆蓋所述電介質(zhì)層，其中，所述多孔質(zhì)體的cv值為100000μf·v/g以上且低于150000μf·v/g，所述多孔質(zhì)體中的所述固體電解質(zhì)層的填充率r從所述多孔質(zhì)體的外表面朝中心減小，從所述多孔質(zhì)體的外表面到中心的最短距離d、和所述固體電解質(zhì)層的填充率r達(dá)到50％時(shí)的距所述多孔質(zhì)體的外表面的距離x滿足0.05d≤x＜0.3d的關(guān)系。

6、本公開(kāi)的又一個(gè)方案涉及一種電解電容器，其具備陽(yáng)極體和固體電解質(zhì)層，所述陽(yáng)極體具有含閥作用金屬的多孔質(zhì)體以及覆蓋所述多孔質(zhì)體的電介質(zhì)層，所述固體電解質(zhì)層被填充在所述多孔質(zhì)體的孔內(nèi)，并覆蓋所述電介質(zhì)層，其中，所述多孔質(zhì)體的cv值為150000μf·v/g以上，所述多孔質(zhì)體中的所述固體電解質(zhì)層的填充率r從所述多孔質(zhì)體的外表面朝中心減小，從所述多孔質(zhì)體的外表面到中心的最短距離d、和所述固體電解質(zhì)層的填充率r達(dá)到50％時(shí)的距所述多孔質(zhì)體的外表面的距離x滿足0.03d≤x＜0.2d的關(guān)系。

7、發(fā)明效果

8、根據(jù)本公開(kāi)，能夠提供低esr的電解電容器。

9、本發(fā)明的新穎的特征記述于所附的權(quán)利要求書(shū)中，但本發(fā)明關(guān)于構(gòu)成及內(nèi)容這兩者，通過(guò)與本發(fā)明的其它目的及特征一起參照附圖的以下的詳細(xì)說(shuō)明而可以更加清楚地理解。

技術(shù)特征：

1.一種電解電容器，其具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解電容器，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電解電容器，其中，

4.一種電解電容器，其具備：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電解電容器，其中，距所述多孔質(zhì)體的外表面的距離x為0.05d時(shí)的所述固體電解質(zhì)層的填充率r為50％以上且83％以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電解電容器，其中，距所述多孔質(zhì)體的外表面的距離x為0.3d時(shí)的所述固體電解質(zhì)層的填充率r為超過(guò)13％且44％以下。

7.一種電解電容器，其具備：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電解電容器，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電解電容器，其中，

技術(shù)總結(jié)
電解電容器具備陽(yáng)極體和固體電解質(zhì)層，所述陽(yáng)極體具有含閥作用金屬的多孔質(zhì)體以及覆蓋多孔質(zhì)體的電介質(zhì)層，所述固體電解質(zhì)層被填充在多孔質(zhì)體的孔內(nèi)，并覆蓋電介質(zhì)層。多孔質(zhì)體中的固體電解質(zhì)層的填充率R從多孔質(zhì)體的外表面朝中心減小。從多孔質(zhì)體的外表面到中心的最短距離D、和固體電解質(zhì)層的填充率R達(dá)到50％時(shí)的距多孔質(zhì)體的外表面的距離X<subgt;50</subgt;滿足特定的關(guān)系。也就是說(shuō)，當(dāng)多孔質(zhì)體的CV值低于100000μF·V/g時(shí)，滿足0.1D≤X<subgt;50</subgt;＜0.7D的關(guān)系。當(dāng)多孔質(zhì)體的CV值為100000μF·V/g以上且低于150000μF·V/g時(shí)，滿足0.05D≤X<subgt;50</subgt;＜0.3D的關(guān)系。當(dāng)多孔質(zhì)體的CV值為150000μF·V/g以上時(shí)，滿足0.03D≤X<subgt;50</subgt;＜0.2D的關(guān)系。

技術(shù)研發(fā)人員：川崎隆志,指中伸夫,上田裕喜,鳳桐將之,大林孝志,石本仁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21