本公開大體上涉及半導(dǎo)體裝置組合件，且更具體地說涉及堆疊半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、微電子裝置通常具有裸片(即，芯片)，所述裸片包含具有高密度的極小組件的集成電路系統(tǒng)。通常，裸片包含電耦合到集成電路系統(tǒng)的接合襯墊的陣列。接合襯墊是外部電接觸件，供電電壓、信號等通過所述接合襯墊發(fā)射到集成電路系統(tǒng)及從集成電路系統(tǒng)發(fā)射。在形成裸片之后，“封裝”裸片以將接合襯墊耦合到可較容易地耦合到各種電力供應(yīng)線、信號線和接地線的電端子的較大陣列。用于封裝裸片的常規(guī)工藝包含將裸片上的接合襯墊電耦合到引線、球襯墊或其它類型的電端子的陣列，且囊封裸片以使其免受環(huán)境因素(例如，濕氣、微粒、靜電和物理沖擊)的影響。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一個方面中，本公開提供一種半導(dǎo)體裝置組合件，所述半導(dǎo)體裝置組合件包括：襯底；半導(dǎo)體裸片的第一堆疊，其耦合到所述襯底使得半導(dǎo)體裸片的所述第一堆疊具有第一覆蓋區(qū)；半導(dǎo)體裸片的第二堆疊，其耦合到所述襯底使得半導(dǎo)體裸片的所述第二堆疊具有與所述第一覆蓋區(qū)部分地重疊的第二覆蓋區(qū)，其中半導(dǎo)體裸片的所述第一堆疊和半導(dǎo)體裸片的所述第二堆疊布置成交替圖案，使得半導(dǎo)體裸片的所述第一堆疊中的第一半導(dǎo)體裸片中的每一者豎直安裝到半導(dǎo)體裸片的所述第二堆疊中的第二半導(dǎo)體裸片中的相應(yīng)第二半導(dǎo)體裸片并與所述相應(yīng)第二半導(dǎo)體裸片直接接合，且其中半導(dǎo)體裸片的所述第一堆疊和半導(dǎo)體裸片的所述第二堆疊交錯，使得所述第一半導(dǎo)體裸片中的每一者的第一暴露部分暴露超出所述第二覆蓋區(qū)，且所述第二半導(dǎo)體裸片中的每一者的第二暴露部分暴露超出所述第一覆蓋區(qū)；第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其在所述第一暴露部分處在相鄰對的所述第一半導(dǎo)體裸片之間延伸，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電耦合半導(dǎo)體裸片的所述第一堆疊；以及第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其在所述第二暴露部分處在相鄰對的所述第二半導(dǎo)體裸片之間延伸，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電耦合半導(dǎo)體裸片的所述第二堆疊。

2、在另一方面中，本公開提供一種制造半導(dǎo)體裝置組合件的方法，所述方法包括：將第一半導(dǎo)體裸片安裝到襯底，使得所述第一半導(dǎo)體裸片具有第一覆蓋區(qū)；形成電耦合所述第一半導(dǎo)體裸片和所述襯底的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；將第二半導(dǎo)體裸片安裝到所述第一半導(dǎo)體裸片，使得所述第二半導(dǎo)體裸片具有與所述第一覆蓋區(qū)部分地重疊的第二覆蓋區(qū)，其中所述第一半導(dǎo)體裸片的第一暴露部分暴露超出所述第二覆蓋區(qū)，且所述第二半導(dǎo)體裸片的第二暴露部分暴露超出所述第一覆蓋區(qū)；形成電耦合所述第二半導(dǎo)體裸片和所述襯底的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述第二暴露部分和所述襯底之間延伸；將第三半導(dǎo)體裸片安裝到所述第二半導(dǎo)體裸片，使得所述第三半導(dǎo)體裸片具有所述第一覆蓋區(qū)，其中所述第三半導(dǎo)體裸片的第三暴露部分暴露超出所述第二覆蓋區(qū)；形成電耦合所述第三半導(dǎo)體裸片和所述第一半導(dǎo)體裸片的第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述第一暴露部分和所述第三暴露部分之間延伸；將第四半導(dǎo)體裸片安裝到所述第三半導(dǎo)體裸片，使得所述第四半導(dǎo)體裸片具有所述第二覆蓋區(qū)，其中所述第四半導(dǎo)體裸片的第四暴露部分暴露超出所述第一覆蓋區(qū)；以及形成電耦合所述第四半導(dǎo)體裸片和所述第二半導(dǎo)體裸片的第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述第二暴露部分和所述第四暴露部分之間延伸。

3、在另一方面中，本公開提供一種半導(dǎo)體裝置組合件，所述半導(dǎo)體裝置組合件包括：襯底；第一半導(dǎo)體裸片，其耦合到所述襯底，使得所述第一半導(dǎo)體裸片具有第一覆蓋區(qū)；第二半導(dǎo)體裸片，其堆疊于所述第一半導(dǎo)體裸片上，使得所述第二半導(dǎo)體裸片具有不同于所述第一覆蓋區(qū)的第二覆蓋區(qū)，其中所述第一半導(dǎo)體裸片的第一暴露部分暴露超出所述第二覆蓋區(qū)，且所述第二半導(dǎo)體裸片的第二暴露部分暴露超出所述第一覆蓋區(qū)；第三半導(dǎo)體裸片，其堆疊于所述第二半導(dǎo)體裸片上，使得所述第三半導(dǎo)體裸片具有所述第一覆蓋區(qū)；第四半導(dǎo)體裸片，其堆疊于所述第三半導(dǎo)體裸片上，使得所述第四半導(dǎo)體裸片具有所述第二覆蓋區(qū)，其中所述第三半導(dǎo)體裸片的第三暴露部分暴露超出所述第二覆蓋區(qū)，且所述第四半導(dǎo)體裸片的第四暴露部分暴露超出所述第一覆蓋區(qū)；第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其電耦合所述第一半導(dǎo)體裸片和所述襯底，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述第一半導(dǎo)體裸片和所述襯底之間延伸；第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其電耦合所述第二半導(dǎo)體裸片和所述襯底，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述第二暴露部分和所述襯底之間延伸；第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其電耦合所述第三半導(dǎo)體裸片和所述第一半導(dǎo)體裸片，所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述第三暴露部分和所述第一暴露部分之間延伸；以及第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其電耦合所述第四半導(dǎo)體裸片和所述第二半導(dǎo)體裸片，所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述第四暴露部分和所述第二暴露部分之間延伸。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置組合件，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其進(jìn)一步包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其進(jìn)一步包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其進(jìn)一步包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)或所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括微凸塊。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其進(jìn)一步包括：

11.一種制造半導(dǎo)體裝置組合件的方法，其包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述第一暴露部分和所述襯底之間延伸。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、所述第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)或所述第四導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括微凸塊。

17.一種半導(dǎo)體裝置組合件，其包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其進(jìn)一步包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其進(jìn)一步包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置組合件，其中；

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及堆疊半導(dǎo)體裝置。提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置可包含襯底，以及耦合到所述襯底的半導(dǎo)體裸片的第一和第二堆疊。半導(dǎo)體裸片的所述第一堆疊和半導(dǎo)體裸片的所述第二堆疊交錯，使得半導(dǎo)體裸片的所述第一堆疊具有第一覆蓋區(qū)，且半導(dǎo)體裸片的所述第二堆疊具有與所述第一覆蓋區(qū)部分地重疊的第二覆蓋區(qū)。半導(dǎo)體裸片的所述第一堆疊和半導(dǎo)體裸片的所述第二堆疊交替，使得半導(dǎo)體裸片的所述第一堆疊的每一半導(dǎo)體裸片豎直安裝到半導(dǎo)體裸片的所述第二堆疊的相應(yīng)半導(dǎo)體裸片。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體裸片的所述第一和第二堆疊的分別暴露超出所述第二覆蓋區(qū)和所述第一覆蓋區(qū)的部分之間延伸，以電耦合所述半導(dǎo)體裸片。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭延昇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：美光科技公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/12