本申請總體上涉及堆疊晶體管和用于制造堆疊晶體管的方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)使得場效應(yīng)晶體管(fet)以作為3d堆疊fet(3ds-fet)被知曉的三維堆疊構(gòu)造被制造。在3ds-fet構(gòu)造中，金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)堆疊在另一mos的頂部上。然而，這樣的堆疊構(gòu)造面臨著可能最終導(dǎo)致不期望的較高寄生電阻和寄生電容的挑戰(zhàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)一個或更多個實(shí)施例，一種方法可以包括以下步驟：在柵極和溝道的堆疊的第一側(cè)和第二側(cè)處生長第一外延層；在第一外延層上施加犧牲層；在犧牲層上生長第二外延層；去除犧牲層；以及在柵極和溝道的堆疊的第一側(cè)處在第一外延層和第二外延層上沉積金屬層。

2、在第一外延層和第二外延層上沉積金屬層的步驟可以包括在第一外延層與第二外延層之間沉積金屬層。

3、第一外延層可以包括具有第一硅與鍺濃度比的硅鍺，并且第二外延層包括硅。

4、犧牲層可以包括具有第二硅與鍺濃度比的硅鍺，第二硅與鍺濃度比不同于第一外延層的第一硅與鍺濃度比。

5、犧牲層可以包括用于生長第二外延層的種子層。

6、去除犧牲層的步驟還可以包括進(jìn)行干蝕刻以選擇性地去除具有第二硅與鍺濃度比的材料。

7、第一外延層可以是n型材料，并且第二外延層是p型材料。

8、第一外延層可以是p型材料，并且第二外延層是n型材料。

9、根據(jù)一個或更多個實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可以包括：第一柵極和溝道堆疊，位于第一側(cè)的第一外延層與第二側(cè)的第一外延層之間；第二柵極和溝道堆疊，位于第一柵極和溝道堆疊上，并且位于第一側(cè)的第二外延層與第二側(cè)的第二外延層之間，第一側(cè)的第二外延層位于第一側(cè)的第一外延層上，第二側(cè)的第二外延層位于第二側(cè)的第一外延層上；以及金屬層，位于第一側(cè)的第一外延層和第一側(cè)的第二外延層上。

10、金屬層可以位于第一側(cè)的第一外延層的頂表面、第一側(cè)的第二外延層的頂表面和底表面以及第一外延層和第二外延層的側(cè)表面上。

11、金屬層可以與第一側(cè)的第一外延層和第一側(cè)的第二外延層形成歐姆接觸。

12、第一側(cè)和第二側(cè)的第一外延層可以包括具有第一硅與鍺濃度比的硅鍺，并且第一側(cè)和第二側(cè)的第二外延層包括硅。

13、第一側(cè)和第二側(cè)的第一外延層可以包括n型材料，并且第一側(cè)和第二側(cè)的第二外延層可以包括p型材料。

14、第一柵極和溝道堆疊以及第一側(cè)和第二側(cè)的第一外延層可以形成第一金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)，并且第二柵極和溝道堆疊以及第一側(cè)和第二側(cè)的第二外延層可以形成第二mos。

15、金屬層可以是從由鎳和鉑組成的組中選擇的金屬。

16、第一柵極和溝道堆疊可以被構(gòu)造為接收柵極電壓。

17、第二側(cè)的第二外延層可以被構(gòu)造為接收源極電壓，并且第二側(cè)的第一外延層可以被構(gòu)造為接收漏極電壓。

18、根據(jù)一個或更多個實(shí)施例，一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括以下步驟：在第一柵極和溝道堆疊的第一側(cè)處生長第一側(cè)的第一外延層，并且在第一柵極和溝道堆疊的第二側(cè)處生長第二側(cè)的第一外延層；在第一側(cè)和第二側(cè)的第一外延層上施加犧牲層；在犧牲層上生長第一側(cè)和第二側(cè)的第二外延層；去除犧牲層；以及在第一側(cè)的第一外延層和第一側(cè)的第二外延層上沉積金屬層。

19、根據(jù)一個或更多個實(shí)施例，一種用于制造公共輸出堆疊晶體管的方法可以包括以下步驟：在基底上形成第一柵極和溝道堆疊；在第一柵極和溝道堆疊上形成第二柵極和溝道堆疊；在基底上并與第一柵極和溝道堆疊的第一側(cè)和第二側(cè)相鄰地生長第一外延層；在第一外延層上施加犧牲層；去除犧牲層；在犧牲層上并與第二柵極和溝道堆疊的第一側(cè)和第二側(cè)相鄰地生長第二外延層；以及在第一外延層和第二外延層上沉積金屬層。

20、沉積金屬層的步驟可以通過原子層沉積工藝來執(zhí)行，并且犧牲層可以包括具有與第一外延層中的硅與鍺濃度比不同的硅與鍺濃度比的硅鍺。

21、發(fā)明的范圍由通過引用包含于本部分中的權(quán)利要求限定。通過考慮下面對一個或更多個實(shí)施例的詳細(xì)描述，將向本領(lǐng)域技術(shù)人員提供對發(fā)明的實(shí)施例的更完整理解以及對其附加優(yōu)點(diǎn)的認(rèn)識。將對首先將被簡要描述的附圖做出參考。

技術(shù)特征：

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第一外延層和第二外延層上沉積金屬層的步驟包括在第一外延層與第二外延層之間沉積金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一外延層包括具有第一硅與鍺濃度比的硅鍺，并且第二外延層包括硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，犧牲層包括具有第二硅與鍺濃度比的硅鍺，第二硅與鍺濃度比不同于第一外延層的第一硅與鍺濃度比。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，犧牲層包括用于生長第二外延層的種子層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，去除犧牲層的步驟包括進(jìn)行干蝕刻以選擇性地去除具有第二硅與鍺濃度比的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一外延層是n型材料，并且第二外延層是p型材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一外延層是p型材料，并且第二外延層是n型材料。

9.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，金屬層位于第一側(cè)的第一外延層的頂表面、第一側(cè)的第二外延層的頂表面和底表面以及第一側(cè)的第一外延層的側(cè)表面和第一側(cè)的第二外延層的側(cè)表面上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，金屬層與第一側(cè)的第一外延層和第一側(cè)的第二外延層形成歐姆接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一側(cè)和第二側(cè)的第一外延層包括具有第一硅與鍺濃度比的硅鍺，并且第一側(cè)和第二側(cè)的第二外延層包括硅。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一側(cè)和第二側(cè)的第一外延層包括n型材料，并且第一側(cè)和第二側(cè)的第二外延層包括p型材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一柵極和溝道堆疊以及第一側(cè)和第二側(cè)的第一外延層形成第一金屬氧化物半導(dǎo)體，并且第二柵極和溝道堆疊以及第一側(cè)和第二側(cè)的第二外延層形成第二金屬氧化物半導(dǎo)體。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，金屬層包括從由鎳和鉑組成的組中選擇的金屬。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，第二柵極和溝道堆疊被構(gòu)造為接收柵極電壓。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中，第二側(cè)的第二外延層被構(gòu)造為接收源極電壓，并且第二側(cè)的第一外延層被構(gòu)造為接收漏極電壓。

18.一種用于制造根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

19.一種用于制造公共輸出堆疊晶體管的方法，所述方法包括以下步驟：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，

技術(shù)總結(jié)
提供了半導(dǎo)體器件及制造方法和公共輸出堆疊晶體管的制造方法。根據(jù)一個或更多個實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括：在柵極和溝道的堆疊的第一側(cè)和第二側(cè)處生長第一外延層；在第一外延層上施加犧牲層；在犧牲層上生長第二外延層；去除犧牲層；以及在柵極和溝道的堆疊的第一側(cè)處在第一外延層和第二外延層上沉積金屬層。

技術(shù)研發(fā)人員：邁赫迪·薩熱米,阿拉文德·庫馬爾,何銘,哈索諾·錫姆卡,穆罕默德·阿胡?！鯛枴たɡ锬?瑞貝卡·帕克
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21