本公開涉及一種軟磁合金顆粒和包括該軟磁合金顆粒的電感器。

背景技術：

1、近來，隨著電子裝置的尺寸減小和更高度集成，電源電壓降低，因此，電流值增加以傳輸相同的功率。因此，已經應用了即使在高電流下也保持電感器性能的金屬電感器，但是最近，為了確保在更高的電流下使用，已經應用了具有高電流特性的材料，即，具有高飽和磁化強度(ms，磁飽和)值的材料。

2、在常規(guī)的fe基軟磁材料中，通過調節(jié)諸如si的元素的含量以使磁致伸縮接近零來改善電磁性能。然而，當si的含量增加時，諸如fe的金屬的含量降低，使得難以提高ms值。

3、此外，當諸如fe的金屬的含量過高時，ms值可增大，但是存在另一個問題：在熱處理期間納米晶局部生長。因此，該問題導致不均勻晶體的生長，使軟磁材料的電磁性能劣化。

技術實現思路

1、實施例的一方面提供了一種能夠保持高磁飽和特性并改善電磁性能的軟磁合金顆粒。

2、實施例的另一方面提供了一種使用軟磁合金顆粒的電感器。

3、然而，實施例要解決的問題不限于上述問題，并且可在實施例中包括的技術構思的范圍內進行各種擴展。

4、根據實施例的軟磁合金顆粒包括納米晶和非晶相，并且包括fe(鐵)和ge(鍺)，并且所述非晶相中ge的平均含量為ge(a)(at％)，所述納米晶中ge的平均含量為ge(c)(at％)，并且ge(a)-ge(c)>0。

5、軟磁合金顆粒的成分可由組成式1表示。

6、組成式1

7、feacobgecmd

8、在組成式1中，a、b、c和d分別表示相應元素的原子百分比含量(at％)，0<a≤90，0≤b≤10，0<c≤5，0<d≤20，a+b+c+d＝100，并且m包括b、p、cu、nb、cr、c、ni、al、mn、ag、zn、sn、as、sb、bi、n、o、s或它們的組合。

9、m可不包括si。

10、在上述組成式1中，c可滿足0.5≤c≤4。

11、在上述組成式1中，a可滿足70≤a≤80。

12、在上述組成式1中，b可滿足2≤b≤6。

13、在上述組成式1中，a和b可滿足75≤a+b≤90。

14、在上述組成式1中，d可滿足10≤d≤20。

15、ge(a)和ge(c)可滿足0.1≤ge(a)-ge(c)≤0.7。

16、m可包括b、p、cu或它們的組合。

17、所述軟磁合金顆粒的結晶度可大于或等于約59％且小于或等于約70％。

18、所述納米晶的平均晶體尺寸可小于或等于約20nm。

19、根據另一實施例的電感器包括：主體，包括磁性材料，所述磁性材料包括軟磁合金顆粒；線圈，位于所述主體中；以及外電極，位于所述主體的外表面上。所述軟磁合金顆?？砂{米晶和非晶相，并且包括fe(鐵)和ge(鍺)，并且所述非晶相中ge的平均含量為ge(a)(at％)，并且所述納米晶中ge的平均含量為ge(c)(at％)，并且ge(a)-ge(c)>0。

20、所述軟磁合金顆粒的組成可由組成式1表示。

21、組成式1

22、feacobgecmd

23、在組成式1中，a、b、c和d分別表示相應元素的原子百分比含量(at％)，0<a≤90，0≤b≤10，0<c≤5，0<d≤20，a+b+c+d＝100，并且m包括b、p、cu、nb、cr、c、ni、al、mn、ag、zn、sn、as、sb、bi、n、o、s或它們的組合。

24、m可不包括si。

25、在上述組成式1中，c可滿足0.5≤c≤4。

26、所述軟磁合金顆粒的結晶度可大于或等于約59％且小于或等于約70％。

27、所述納米晶的平均晶體尺寸可小于或等于約20nm。

28、在根據實施例的電感器中，所述線圈可包括支撐構件以及分別位于所述支撐構件的上表面和下表面上的上部線圈和下部線圈，并且所述上部線圈和所述下部線圈可通過穿透所述支撐構件的過孔連接。

29、在根據另一實施例的電感器中，所述主體可包括成型部、在所述成型部的一個表面上的蓋部以及從所述成型部的一個表面突出的芯。所述線圈可位于所述成型部的一個表面和所述蓋部之間，并且所述芯可穿透所述線圈。

30、在根據另一實施例的電感器中，所述主體可包括多個磁性片，所述多個磁性片包括所述磁性材料。所述線圈可包括形成在所述多個磁性片中的多個導體圖案和在所述磁性片的厚度方向上穿透相應的磁性片以使相鄰的導體圖案電連接的多個導電過孔。

31、根據本實施例的軟磁合金顆粒，可在改善電磁性能的同時保持高磁飽和特性。

32、然而，本發(fā)明的各種有利優(yōu)點和效果不限于以上描述，并且在描述本發(fā)明的具體實施例的過程中將更容易理解。

技術特征：

1.一種軟磁合金顆粒，包括：

2.根據權利要求1所述的軟磁合金顆粒，其中，

3.根據權利要求2所述的軟磁合金顆粒，其中，

4.根據權利要求2所述的軟磁合金顆粒，其中，

5.根據權利要求2所述的軟磁合金顆粒，其中，

6.根據權利要求2所述的軟磁合金顆粒，其中，

7.根據權利要求2所述的軟磁合金顆粒，其中，

8.根據權利要求2所述的軟磁合金顆粒，其中，

9.根據權利要求2所述的軟磁合金顆粒，其中，

10.根據權利要求2所述的軟磁合金顆粒，其中，

11.根據權利要求1所述的軟磁合金顆粒，其中，

12.根據權利要求1所述的軟磁合金顆粒，其中，

13.一種電感器，包括：

14.根據權利要求13所述的電感器，其中，

15.根據權利要求14所述的電感器，其中，

16.根據權利要求14所述的電感器，其中，

17.根據權利要求13所述的電感器，其中，

18.根據權利要求13所述的電感器，其中，

19.根據權利要求13所述的電感器，其中，

20.根據權利要求13所述的電感器，其中，

21.根據權利要求13所述的電感器，其中，

22.根據權利要求21所述的電感器，其中，

技術總結
本公開提供了一種軟磁合金顆粒和包括該軟磁合金顆粒的電感器。所述軟磁合金顆粒包括納米晶和非晶相以及Fe(鐵)和Ge(鍺)。所述非晶相中Ge的平均含量為Ge(a)(at％)，所述納米晶中Ge的平均含量為Ge(c)(at％)，并且Ge(a)?Ge(c)>0。

技術研發(fā)人員：李成宰,鄭鐘鎬,黃智塤,金智惠,姜炳守,金晉模
受保護的技術使用者：三星電機株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/21