本申請涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種用于高壓工藝平臺的中壓器件制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體高壓(hv)工藝是一種用于制造高電壓器件的重要工藝技術(shù)，在電力電子和傳感器等領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。采用高壓工藝平臺制造的屏幕驅(qū)動芯片主要包含低壓、中壓和高壓器件，其中中壓(8v)器件主要應(yīng)用于屏幕發(fā)光單元的源極驅(qū)動。對比平臺io器件(1.8v/2.5v)，中壓器件操作電壓更高，具有更大的柵氧厚度。沉積中壓器件的柵極氧化層后，去除其它區(qū)域的柵極氧化層時實施的酸洗會導(dǎo)致整體臺階高度偏低。由于不同電壓器件的柵氧厚度的差異導(dǎo)致開發(fā)難度和工藝風(fēng)險，對后續(xù)高k-金屬柵工藝中開發(fā)hv工藝有更大的難度。同時，對于中壓器件而言，為了提升均勻性，需要對形成的柵氧實施熱處理，會導(dǎo)致柵氧和隔離部件在高溫下致密化，導(dǎo)致晶圓面內(nèi)的臺階高度有特殊分布，出現(xiàn)均勻性問題。此外，由于隔離部件的阻擋導(dǎo)致中壓器件的有源區(qū)在如圖1所示的拐角位置出現(xiàn)邊緣變尖的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本申請的目的在于提供一種用于高壓工藝平臺的中壓器件制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)出現(xiàn)的有源區(qū)邊緣變尖、淺溝槽隔離氧化物致密化、淺溝槽隔離臺階高度偏低等問題。

2、為實現(xiàn)上述目的及其它相關(guān)目的，本申請?zhí)峁┮环N用于高壓工藝平臺的中壓器件制造方法，包括：

3、步驟一，提供一襯底，形成用于后續(xù)高壓器件阱區(qū)光刻對準(zhǔn)的對準(zhǔn)標(biāo)記；

4、步驟二，在襯底中形成凹槽，限定中壓器件有源區(qū)在襯底內(nèi)的區(qū)域范圍；

5、步驟三，在襯底上形成柵介電層，覆蓋凹槽的側(cè)壁和底部；

6、步驟四，去除位于中壓器件區(qū)域之外的柵介電層；

7、步驟五，在襯底上形成硬掩模層；

8、步驟六，在中壓器件有源區(qū)的兩側(cè)形成淺溝槽。

9、優(yōu)選的，形成該對準(zhǔn)標(biāo)記之前，通過沉積工藝在襯底上形成一襯墊層。

10、優(yōu)選的，襯墊層的材料包括氧化硅。

11、優(yōu)選的，凹槽的寬度大于中壓器件有源區(qū)的預(yù)設(shè)寬度。

12、優(yōu)選的，通過沉積工藝在襯底上形成柵介電層。

13、優(yōu)選的，柵介電層的材料包括氧化硅。

14、優(yōu)選的，通過濕法腐蝕工藝去除位于中壓器件區(qū)域之外的柵介電層。

15、優(yōu)選的，濕法腐蝕的腐蝕液包括氫氟酸。

16、優(yōu)選的，硬掩模層的材料包括氮化硅。

17、優(yōu)選的，步驟六結(jié)束之后，實施氧化物填充和氧化物平坦化以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

18、如上所述，本申請?zhí)峁┑挠糜诟邏汗に嚻脚_的中壓器件制造方法，具有以下有益效果：在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成之前，于中壓器件有源區(qū)形成柵介電層，避免現(xiàn)有技術(shù)出現(xiàn)的有源區(qū)邊緣變尖、淺溝槽隔離氧化物致密化、淺溝槽隔離臺階高度偏低等問題。

技術(shù)特征：

1.一種用于高壓工藝平臺的中壓器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述對準(zhǔn)標(biāo)記之前，通過沉積工藝在所述襯底上形成一襯墊層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述襯墊層的材料包括氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的寬度大于中壓器件有源區(qū)的預(yù)設(shè)寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過沉積工藝在所述襯底上形成柵介電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述柵介電層的材料包括氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過濕法腐蝕工藝去除位于中壓器件區(qū)域之外的柵介電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕的腐蝕液包括氫氟酸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層的材料包括氮化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟六結(jié)束之后，實施氧化物填充和氧化物平坦化以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N用于高壓工藝平臺的中壓器件制造方法，包括：步驟一，提供一襯底，形成用于后續(xù)高壓器件阱區(qū)光刻對準(zhǔn)的對準(zhǔn)標(biāo)記；步驟二，在襯底中形成凹槽，限定中壓器件有源區(qū)在襯底內(nèi)的區(qū)域范圍；步驟三，在襯底上形成柵介電層，覆蓋凹槽的側(cè)壁和底部；步驟四，去除位于中壓器件區(qū)域之外的柵介電層；步驟五，在襯底上形成硬掩模層；步驟六，在中壓器件有源區(qū)的兩側(cè)形成淺溝槽。在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成之前，于中壓器件有源區(qū)形成柵介電層，避免現(xiàn)有技術(shù)出現(xiàn)的有源區(qū)邊緣變尖、淺溝槽隔離氧化物致密化、淺溝槽隔離臺階高度偏低等問題。

技術(shù)研發(fā)人員：唐小亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力集成電路制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9