本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池，特別是涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著太陽(yáng)電池光伏行業(yè)的發(fā)展，鈍化發(fā)射極和背面接觸(topcon)晶體硅太陽(yáng)電池越來(lái)越受到市場(chǎng)的歡迎，尤其選擇性發(fā)射極晶體硅topcon太陽(yáng)電池(se-topcon)，電池正面在金屬柵線(電極)與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。

2、topcon電池的制備方法主要為先將硅片雙面制絨，在硅片正面制備pn結(jié)，接著對(duì)硅片背面進(jìn)行堿拋得到背拋光面，然后利用在背拋光面制備隧穿氧化層、摻雜非晶硅層，經(jīng)退火處理?yè)诫s非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)閾诫s多晶硅層，隧穿氧化層和摻雜多晶硅層形成背接觸鈍化結(jié)構(gòu)，最后在電池正面和/或背面制備減反射層以及絲網(wǎng)印刷正面電極、背面電極再燒結(jié)形成歐姆接觸。

3、其中，背拋工序可以采用堿液進(jìn)行堿拋光，堿與硅片背面反應(yīng)拋光，硅片正面由于氧化層的保護(hù)而不被反應(yīng)，硅片背面的制絨絨面與堿反應(yīng)，形成平整度較高的背拋面，同時(shí)還需提供絕對(duì)無(wú)污染的平面機(jī)體，為制備優(yōu)質(zhì)的隧穿氧化層和po?l?y提供必要條件，因此，堿拋以后的清洗工藝至關(guān)重要。

4、目前，常見的背拋工序包括采用naoh/koh和拋光添加劑進(jìn)行背拋；采用naoh/koh和h2o2混合溶液進(jìn)行清洗，h2o2分解拋光添加劑殘留的有機(jī)物，形成的產(chǎn)物與堿產(chǎn)生溶于水的絡(luò)合物，達(dá)到清洗的目的；再采用hcl溶液進(jìn)行清洗，中和前道處理的堿殘留；中和清洗之后進(jìn)行一次純水清洗，然后對(duì)硅片進(jìn)行慢提拉清洗預(yù)脫水；最后對(duì)硅片進(jìn)行烘干。但是，采用該清洗方法得到的硅片表面存在較多的黑斑，對(duì)硅片結(jié)構(gòu)造成破壞，影響產(chǎn)線的良品率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，提供一種太陽(yáng)能電池及其制備方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中太陽(yáng)能電池制備過(guò)程中，容易在硅片表面殘留鹽造成硅片局部污染，后期硅片表面形成el黑點(diǎn)或黑斑，對(duì)硅片結(jié)構(gòu)造成破壞，影響產(chǎn)線的良品率的問(wèn)題。

2、一方面，提供一種太陽(yáng)能電池制備方法，包括以下步驟：

3、硅片雙面制絨；

4、硅片正面制備pn結(jié)；

5、硅片背面堿拋；

6、堿拋清洗，所述堿拋清洗包括氧化清洗、中和清洗、慢提拉和烘干；

7、隧穿氧化層沉積；

8、所述堿拋清洗還包括：

9、一次流動(dòng)水沖洗，所述中和清洗步驟后進(jìn)行所述一次流動(dòng)水沖洗，所述流動(dòng)水為純水；

10、循環(huán)水漂洗，所述慢提拉清洗前先進(jìn)行循環(huán)水漂洗，所述循環(huán)水為純水。

11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述堿拋清洗還包括二次流動(dòng)水沖洗；

12、優(yōu)選的，所述二次流動(dòng)水沖洗在所述循環(huán)水漂洗后進(jìn)行。

13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述一次流動(dòng)水沖洗和/或所述二次流動(dòng)水沖洗的流動(dòng)水流量為650-1000l/h；

14、優(yōu)選的，所述一次流動(dòng)水沖洗和/或所述二次流動(dòng)水沖洗的流動(dòng)水純度為18.2-18.5mω*cm。

15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述循環(huán)水漂洗步驟中，所述循環(huán)水的溫度為25-45℃；

16、優(yōu)選的，所述循環(huán)水漂洗步驟中，所述循環(huán)水的水泵功率為65-85％，每槽循環(huán)水6-10l排液，每槽定時(shí)排液補(bǔ)液保證水的電阻率。

17、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化清洗通過(guò)堿液和氧化劑混合溶液清洗去除硅片上堿拋步驟引入的殘留添加劑；所述中和清洗通過(guò)酸溶液中和氧化清洗步驟引入的堿液；

18、優(yōu)選的，所述中和清洗的酸液為鹽酸；

19、優(yōu)選的，所述氧化清洗的堿液為氫氧化鈉，所述氧化清洗的氧化劑為雙氧水。

20、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化清洗之前先進(jìn)行流動(dòng)純水沖洗，去除堿拋引入的堿性溶液。

21、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述慢提拉采用冷水慢提拉，常溫15-25s；

22、優(yōu)選的，所述烘干的溫度為90℃±10℃，時(shí)間為600-800s。

23、另一方面，提供了一種堿拋清洗工藝，包括氧化清洗、中和清洗、慢提拉清洗和烘干，還包括以下步驟：

24、一次流動(dòng)水沖洗，所述中和清洗步驟后進(jìn)行所述一次流動(dòng)水沖洗，所述流動(dòng)水為純水；

25、循環(huán)水漂洗，所述慢提拉清洗前先進(jìn)行循環(huán)水漂洗，所述循環(huán)水為純水。

26、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述堿拋清洗還包括二次流動(dòng)水沖洗；

27、優(yōu)選的，所述二次流動(dòng)水沖洗在所述循環(huán)水漂洗后進(jìn)行；

28、優(yōu)選的，所述一次流動(dòng)水沖洗和/或所述二次流動(dòng)水沖洗的流動(dòng)水流量為650-1000l/h；

29、優(yōu)選的，所述一次流動(dòng)水沖洗和/或所述二次流動(dòng)水沖洗的流動(dòng)水純度為18.2-18.5mω*cm；

30、優(yōu)選的，所述循環(huán)水漂洗步驟中，所述循環(huán)水的溫度為25-45℃；

31、優(yōu)選的，所述循環(huán)水漂洗步驟中，所述循環(huán)水的水泵功率為65-85％，每槽循環(huán)水6-10l排液，每槽定時(shí)排液補(bǔ)液保證水的電阻率；

32、所述氧化清洗通過(guò)堿液和氧化劑混合溶液清洗去除硅片上堿拋步驟引入的殘留添加劑；所述中和清洗通過(guò)酸溶液中和氧化清洗步驟引入的堿液；

33、優(yōu)選的，所述中和清洗的酸液為鹽酸；

34、優(yōu)選的，所述氧化清洗的堿液為氫氧化鈉，所述氧化清洗的氧化劑為雙氧水；

35、優(yōu)選的，所述氧化清洗之前先進(jìn)行流動(dòng)純水沖洗，去除堿拋引入的堿性溶液；

36、優(yōu)選的，所述慢提拉采用冷水慢提拉，常溫15-25s；所述烘干的溫度為90℃±10℃，時(shí)間為600-800s。

37、另一方面，提供了一種太陽(yáng)能電池，由上述任意一項(xiàng)所述的制備方法制得。

38、上述太陽(yáng)能電池制備方法，在堿拋清洗工藝中，增加處理硅片表面殘留化學(xué)試劑的流動(dòng)純水沖洗和循環(huán)熱水沖洗工序，并通過(guò)優(yōu)化清洗流程順序，有效的降低化學(xué)試劑殘留，尤其是降低氯化鈉鹽的殘留，提高硅片背面鈍化效果，提高良品率，同時(shí)盡可能的縮短清洗時(shí)間，減少純水用量，提高產(chǎn)線效率。

技術(shù)特征：

1.一種太陽(yáng)能電池片的制備方法，包括以下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述堿拋清洗還包括二次流動(dòng)水沖洗；

3.如權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述一次流動(dòng)水沖洗和/或所述二次流動(dòng)水沖洗的流動(dòng)水流量為650-1000l/h；

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述循環(huán)水漂洗步驟中，所述循環(huán)水的溫度為25-45℃；

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化清洗通過(guò)堿液和氧化劑混合溶液清洗去除硅片上堿拋步驟引入的殘留添加劑；所述中和清洗通過(guò)酸溶液中和氧化清洗步驟引入的堿液；

6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化清洗之前先進(jìn)行流動(dòng)純水沖洗，去除堿拋引入的堿性溶液。

7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述慢提拉采用冷水慢提拉，常溫15-25s將硅片從純水中提拉出來(lái)；

8.一種堿拋清洗工藝，包括氧化清洗、中和清洗、慢提拉和烘干，其特征在于，還包括以下步驟：

9.如權(quán)利要求8所述的堿拋清洗工藝，其特征在于，所述堿拋清洗還包括二次流動(dòng)水沖洗；

10.一種太陽(yáng)能電池，其特征在于，由權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的制備方法制得。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，涉及一種太陽(yáng)能電池制備方法，包括以下步驟：硅片雙面制絨；硅片正面制備PN結(jié)；硅片背面堿拋；堿拋清洗，所述堿拋清洗包括氧化清洗、中和清洗、慢提拉和烘干；隧穿氧化層沉積；所述堿拋清洗還包括：一次流動(dòng)水沖洗，所述中和清洗步驟后進(jìn)行所述一次流動(dòng)水沖洗，所述流動(dòng)水為純水；循環(huán)水漂洗，所述慢提拉前先進(jìn)行循環(huán)水漂洗，所述循環(huán)水為純水。在堿拋清洗工藝中，增加處理硅片表面殘留化劑的流動(dòng)純水沖洗和循環(huán)熱水沖洗工序，并通過(guò)優(yōu)化清洗流程順序，有效降低氯化鈉殘留，提高硅片良品率，同時(shí)盡可能的縮短清洗時(shí)間，減少純水用量，提高產(chǎn)線效率。

技術(shù)研發(fā)人員：楊少?zèng)_,孫曉凱,陳同飛,張冰,劉苗
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晶澳太陽(yáng)能有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9