本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法。

背景技術(shù)：

1、隨著科學(xué)技術(shù)和電子工業(yè)的高速發(fā)展，各種數(shù)字化和高頻化的電子元器件在工作時(shí)向空間輻射了大量不同頻率和波長(zhǎng)的電磁波。電磁輻射和電磁波不僅干擾電子元器件性能的實(shí)現(xiàn)，同時(shí)會(huì)對(duì)人類(lèi)和其他生物造成嚴(yán)重的危害。隨著5g技術(shù)的發(fā)展，在通訊及消費(fèi)類(lèi)電子方面對(duì)電磁屏蔽器件的需求持續(xù)增長(zhǎng)，同時(shí)也對(duì)電磁屏蔽要求越來(lái)越高。因此電磁屏蔽已經(jīng)成為電子元器件的必要制程，

2、封裝結(jié)構(gòu)在塑封完成后，會(huì)繼續(xù)貼裝電磁屏蔽金屬蓋覆蓋封裝結(jié)構(gòu)起到電磁屏蔽的作用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實(shí)施例解決的問(wèn)題是提供一種封裝方法以及封裝結(jié)構(gòu)，提高了封裝結(jié)構(gòu)的性能。

2、為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架包括第一面，所述引線(xiàn)框架包括基座和位于所述其四側(cè)的第一管腳；第一芯片，設(shè)置于所述基座的第一面上；第一導(dǎo)電線(xiàn)，位于所述引線(xiàn)框架的第一面上且橫跨所述第一芯片，所述第一導(dǎo)電線(xiàn)的兩端分別與所述第一管腳電連接。

3、相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種封裝方法，包括：提供引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架包括第一面，所述引線(xiàn)框架包括基座和位于其兩側(cè)的第一管腳；在所述基座的第一面上設(shè)置第一芯片；在所述引線(xiàn)框架的第一面上形成橫跨所述第一芯片的多根第一導(dǎo)電線(xiàn)，所述第一導(dǎo)電線(xiàn)的兩端分別與所述第一管腳相電連接。

4、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

5、本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝方法中，提供引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架包括第一面，所述引線(xiàn)框架包括基座和位于其兩側(cè)的第一管腳，在所述基座的第一面上設(shè)置第一芯片，在所述引線(xiàn)框架的第一面上形成橫跨所述第一芯片的多根第一導(dǎo)電線(xiàn)，所述第一導(dǎo)電線(xiàn)的兩端分別與基島相對(duì)兩側(cè)的所述第一管腳相電連接，本發(fā)明實(shí)施例在引線(xiàn)框架的第一面上形成橫跨所述第一芯片的多根第一導(dǎo)電線(xiàn)，多根第一導(dǎo)電線(xiàn)近似形成了一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)電表面，該連續(xù)的導(dǎo)電表面具有能夠阻擋電磁波穿透的作用，降低了第一芯片受到電磁干擾的概率，同時(shí)，在后續(xù)形成塑封層之后，塑封層能夠覆蓋多根第一導(dǎo)電線(xiàn)，相較于在塑封層的外圍設(shè)置電磁屏蔽蓋的方案，本發(fā)明實(shí)施例塑封層覆蓋多根第一導(dǎo)電線(xiàn)，使多根第一導(dǎo)電線(xiàn)位于塑封層中，多根第一導(dǎo)電線(xiàn)在起到電磁屏蔽效果的同時(shí)，還能降低封裝結(jié)構(gòu)的厚度，有利于封裝結(jié)構(gòu)的體積小型化，從而提高了封裝結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)特征：

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基座的第一面低于所述第一管腳的第一面；

3.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線(xiàn)框架還包括第二管腳，所述第二管腳位于相鄰兩個(gè)所述第一管腳之間；

4.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線(xiàn)或電連接柱。

5.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，封裝結(jié)構(gòu)還包括：第一塑封層，位于所述引線(xiàn)框架的第一面上且覆蓋所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一芯片。

6.如權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二管腳的一端露出于第一塑封層。

7.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電線(xiàn)包括沿第一方向延伸的第一子導(dǎo)電線(xiàn)和沿第二方向延伸的第二子導(dǎo)電線(xiàn)，所述第一方向與所述第二方向相垂直。

8.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線(xiàn)框架還包括與所述第一面相背的第二面，所述基座的第二面高于所述第一管腳的第一面；或者，所述基座的第二面與所述第一管腳的第二面相齊平；

9.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：第二塑封層，位于所述引線(xiàn)框架的第二面上，且覆蓋所述第三導(dǎo)電線(xiàn)、第四導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二芯片，并暴露出所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二管腳的一端。

10.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線(xiàn)或電連接柱。

11.如權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三導(dǎo)電線(xiàn)包括沿第一方向延伸的第三子導(dǎo)電線(xiàn)和沿第二方向延伸的第四子導(dǎo)電線(xiàn)，所述第一方向與所述第二方向相垂直。

12.一種封裝方法，其特征在于，包括：

13.如權(quán)利要求12所述的封裝方法，其特征在于，提供所述引線(xiàn)框架的步驟中，所述基座的第一面低于所述第一管腳的第一面；

14.如權(quán)利要求12所述的封裝方法，其特征在于，提供所述引線(xiàn)框架的步驟中，所述引線(xiàn)框架還包括第二管腳，所述第二管腳位于所述基座和第一管腳的側(cè)部；

15.如權(quán)利要求14所述的封裝方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線(xiàn)或電連接柱。

16.如權(quán)利要求15所述的封裝方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電線(xiàn)時(shí)，所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在同一步驟中形成；

17.如權(quán)利要求14所述的封裝方法，其特征在于，封裝方法還包括：在所述引線(xiàn)框架的第一面上形成覆蓋所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一芯片的第一塑封層；

18.如權(quán)利要求12所述的封裝方法，其特征在于，在形成所述第一導(dǎo)電線(xiàn)的步驟中，所述第一導(dǎo)電線(xiàn)包括沿第一方向延伸的第一子導(dǎo)電線(xiàn)和沿第二方向延伸的第二子導(dǎo)電線(xiàn)，所述第一方向與所述第二方向相垂直。

19.如權(quán)利要求14所述的封裝方法，其特征在于，提供所述引線(xiàn)框架的步驟中，所述引線(xiàn)框架還包括與所述第一面相背的第二面，所述基座的第二面高于所述第一管腳的第二面；或者，所述基座的第二面與所述第一管腳的第二面相齊平；

20.如權(quán)利要求19所述的封裝方法，其特征在于，在形成所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)和第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之后，在所述基座的第二面上設(shè)置第二芯片之前，還包括：在所述引線(xiàn)框架的第一面上形成覆蓋所述第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一芯片的第一塑封層；

21.如權(quán)利要求19所述的封裝方法，其特征在于，在形成所述第三導(dǎo)電線(xiàn)、第四導(dǎo)電線(xiàn)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之后，封裝方法還包括：在所述第一面和第二面形成第三塑封層，所述第三塑封層覆蓋所述第一面上的第一導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電線(xiàn)、第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一芯片、以及覆蓋所述第二面上的第三導(dǎo)電線(xiàn)、第四導(dǎo)電線(xiàn)、第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二芯片。

22.如權(quán)利要求19所述的封裝方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線(xiàn)或電連接柱。

23.如權(quán)利要求22所述的封裝方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電線(xiàn)時(shí)，所述第三導(dǎo)電線(xiàn)、第四導(dǎo)電線(xiàn)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在同一步驟中形成；

24.如權(quán)利要求19所述的封裝方法，其特征在于，在形成所述第三導(dǎo)電線(xiàn)的步驟中，所述第三導(dǎo)電線(xiàn)包括沿第一方向延伸的第三子導(dǎo)電線(xiàn)和沿第二方向延伸的第四子導(dǎo)電線(xiàn)，所述第一方向與所述第二方向相垂直。

技術(shù)總結(jié)
一種封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法，封裝結(jié)構(gòu)包括：引線(xiàn)框架，引線(xiàn)框架包括第一面，引線(xiàn)框架包括基座和位于其兩側(cè)的第一管腳；第一芯片，設(shè)置于基座的第一面上；第一導(dǎo)電線(xiàn)，位于引線(xiàn)框架的第一面上且橫跨第一芯片，第一導(dǎo)電線(xiàn)的兩端分別與第一管腳電連接。多根第一導(dǎo)電線(xiàn)近似形成了一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)電表面，該連續(xù)的導(dǎo)電表面具有能夠阻擋電磁波穿透的作用，降低了第一芯片受到電磁干擾的概率，同時(shí)，在后續(xù)形成塑封層之后，塑封層能夠覆蓋多根第一導(dǎo)電線(xiàn)，使多根第一導(dǎo)電線(xiàn)位于塑封層中，多根第一導(dǎo)電線(xiàn)在起到電磁屏蔽效果的同時(shí)，還能降低封裝結(jié)構(gòu)的厚度，有利于封裝結(jié)構(gòu)的體積小型化，從而提高了封裝結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：俞開(kāi)源,周昊,殷嘉鳴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21